JP5925620B2 - 半導体基板の解析方法 - Google Patents

Description

半導体基板の解析方法に関する。

なお、本明細書中において「表面再結合速度」という単語が複数用いられているが、当該単語の「表面」という言葉は、半導体基板の表面側，裏面側という意味の表面ではない。このため、意味の混同を避けるため、本明細書では半導体基板の表面側を「第１の面」と記載し、裏面側を「第２の面」と記載する。したがって、半導体基板の表面側の表面再結合速度は「第１の面の表面再結合速度」、裏面側の表面再結合速度は「第２の面の表面再結合速度」と記載する。

単層構造の半導体基板の解析方法として、μ波光伝導減衰法（以下、μ−ＰＣＤ（μ−ＰＣＤ：Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｄｅｃａｙ）法と略記する）により得られた過剰キャリア密度の時間変化（減衰曲線）から、基板のライフタイム（一次モードライフタイムτ_１ともいう）を測定する手法が知られている。（特許文献１参照）。μ−ＰＣＤ法は、マイクロ波の反射率の時間変化から、測定試料の結晶状態を反映するライフタイムを非破壊で測定する方法である。

μ−ＰＣＤ法により求められる半導体基板のライフタイムには、半導体基板中に含まれる不純物や構造欠陥により決まるライフタイム（バルクライフタイムτ_ｂともいう）だけでなく、半導体基板の第１の面や第２の面の状態（例えば、半導体基板の第１の面や第２の面に汚れが付着している、酸化被膜が形成されているなど。）によって決まる成分も含まれている。そこで、半導体基板のより正確なライフタイム（つまり、よりバルクライフタイムτ_ｂに近い値）を求めるために、μ−ＰＣＤのライフタイム測定結果を元に、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτ_ｂを分離評価することが一般的に行われている。なお、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτ_ｂの関係は以下の数式（１）で表される。ここで、Ｗは半導体基板の厚さであり、Ｄは半導体基板中での少数キャリアの拡散定数である。

特開昭５９−５５０１３号公報

式（１）より、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを求めることは、μ−ＰＣＤのライフタイム測定結果を元に、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτ_ｂを分離評価するうえで、必要な要素であると言える。

したがって、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることのできる手法を提供することを目的とする。

単層構造の半導体基板の解析方法として用いられるμ−ＰＣＤ法により得られる一次モードライフタイムτ_１は、以下の数式（２）で半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄと関係付けて表すことができる。

上述の数式（２）において、Ｋ_１は一次モードキャリアプロファイルの波数である。なお、Ｋ_１は以下の数式（３）により表される。

上述の数式（３）において、Ｓは半導体基板の第１の面の表面再結合速度であり、Ｓ’は半導体基板の第２の面の表面再結合速度である。

上述の数式（２）および数式（３）より、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するためには、一次モードライフタイム測定により得ることのできるτ_１および、測定により簡単に得ることのできる半導体基板の厚さＷ以外に、バルクライフタイムτ_ｂ、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’が必要となることが分かる。

そこで、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を、人為的に非常に大きな値や非常に小さな値にすることで、数式（３）を近似的な変形式に変換して用いる発想に至った。例えば、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’の値が非常に大きく、（２πＤ／Ｗ）＜＜Ｓを満たしている半導体基板（以下、第１の半導体基板と略記する。）を用いることで、上述の数式（３）を展開して、数式（３）と近似的に等しい以下の数式（４）が得られる。

そして、上述の数式（４）を数式（２）に代入することにより、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を以下の数式（５）により表すことができる。

しかし、上述の数式（５）を用いて半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するためには、バルクライフタイムτ_ｂが必要であることが分かる。そこで、更に、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓを非常に大きな値、他方の表面再結合速度Ｓ’を非常に小さな値とした半導体基板（以下、第２の半導体基板と略記する。）を用いることで、上述の数式（３）を展開して、数式（３）と近似的に等しい以下の数式（６）を得て、上述の数式（２）に数式（６）を代入して、以下の数式（７）により第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を表した。

そして、上述の数式（５）および数式（７）を用いることにより、以下の数式（８）に示すように、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）および半導体基板の厚さＷのみから、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出が可能な式に至った。

すなわち、本発明の一態様は、第１の面および第２の面が共に２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板に対して、マイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定する工程と、第１の面または第２の面の一方が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板に対して、マイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定する工程を有し、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）および半導体基板の厚さＷを用い、下記数式（８）より半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出することを特徴とする半導体基板の解析方法である。

上記解析方法を用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることができる。

なお、上述の半導体基板の解析方法は、第１の半導体基板および第２の半導体基板として、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンまたはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いた場合において、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に正確に導出することができる。

また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の半導体基板および第２の半導体基板として、厚さが０．３ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である半導体基板を用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄをより正確に導出することができる。

また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板の厚さの差が、第１の半導体基板の厚さの１％以下であり、且つ、第２の半導体基板の厚さの１％以下にすることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄをより正確に導出することができる。

また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された第１の半導体基板と、第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方にケミカルパッシベーション膜が形成された第２の半導体基板を用いることにより、より正確な半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出することができる。

第１の面および第２の面が共に２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）、ならびに、第１の面または第２の面の一方が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定し、τ_１ ^（１）、τ_１ ^（２）および半導体基板の厚さＷを用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることができる。

半導体基板の解析方法を説明するフローチャート。 半導体基板の解析方法を説明するフローチャート。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体基板の解析方法の一例について、図１のフローチャートを用いて説明する。

＜ステップ１：半導体基板の準備（図１の１０１に対応）＞
解析に用いる半導体基板を２枚準備する。半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いればよい。なお、後の工程にて、２枚の半導体基板の一次モードライフタイム値および厚さの値を用いて半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するため、２枚の半導体基板の厚さは該等しいことが望ましく、好ましくは２枚の半導体基板の厚さの差が、２枚の半導体基板のそれぞれの厚さの１％以下であることが望ましい。このように、２枚の半導体基板の厚さを該等しくすることにより、後の工程にて行う、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの値をより正確に導出することができる。また、勿論のことではあるが、２枚の半導体基板は、極力同一の特性を有する半導体基板を用いる必要がある。例えば購入したシリコンウエハを用いる場合、同一パッケージのシリコンウエハを用い、極力同一条件の環境で保存されたものを用いるようにする。また、インゴットから切り出したシリコンウエハを用いる場合、同一のインゴットから切り出したシリコンウエハを用い、また、極力近い場所から切り出したものを用いるようにする。

本実施の形態に用いる半導体基板の厚さは、薄すぎると基板処理時や測定時のハンドリングが困難となるため、０．５ｍｍ以上であることが望ましい。

＜ステップ２：半導体基板の厚さ測定（図１の１０２に対応）＞
２枚の半導体基板の厚さを測定し、両者の平均値を半導体基板の厚さＷの数値として用いる。厚さを測定する方法に特段の限定はないが、第１の面および第２の面にキズやゴミが極力付かない方法を用いることが望ましい。なお、厚さを測定した際に、２枚の半導体基板の厚さの差が、２枚の半導体基板のそれぞれの厚さの１％より大きい場合は、用いる半導体基板を変更する。

＜ステップ３：表面再結合速度の調整（図１の１０３に対応）＞
準備した２枚の半導体基板のうちの一枚について、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を共に２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、第１の半導体基板とする。表面再結合速度を２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整する方法としては、例えば、第１の面および第２の面に自然酸化膜を形成すればよい。自然酸化膜は一般的に数万程度の非常に高い表面再結合速度を有している。

第１の半導体基板の第１の面および第２の面に形成する自然酸化膜は、半導体基板を準備した段階で形成されている自然酸化膜を用いてもよいし、当該自然酸化膜をフッ化水素酸などにより除去して純水により洗浄した後に、再度自然酸化膜を形成してもよい。なお、形成する自然酸化膜の厚さに特段の限定は無い。

＜ステップ４：第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）測定（図１の１０４に対応）＞
第１の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、マイクロ波の反射率の時間変化から第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定する。一次モードライフタイムτ_１ ^（１）の測定箇所は基板の１点のみでもよいが、好ましくは基板の複数箇所を測定することが望ましい。なお、複数箇所において一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定した場合は、複数箇所のうちの１点の値、または複数箇所の平均値のどちらを一次モードライフタイムτ_１ ^（１）として用いてもよい。また、上述μ−ＰＣＤ法を用いた測定では、第１の面または第２の面のどちら側を照射面としても得られるτ_１ ^（１）は同程度である。

＜ステップ５：表面再結合速度の調整（図１の１０５に対応）＞
準備した２枚の半導体基板のうちの他の一枚について、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度を２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、他方の表面再結合速度を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整し、第２の半導体基板とする。表面再結合速度を２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整する方法としては、上述と同様に自然酸化膜を形成すればよい。また、表面再結合速度を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整する方法としては、例えば、熱酸化膜を形成する、ケミカルパッシベーション膜を形成するといった方法がある。

ケミカルパッシベーション膜は特に表面再結合速度を低く抑えることが可能である（具体的には、表面再結合速度を１［ｃｍ／ｓｅｃ］以上１０［ｃｍ／ｓｅｃ］に抑えることが可能）。ケミカルパッシベーション膜としては、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法ともいう。）を用いて形成した、窒化珪素を主成分とする膜、酸化アルミニウムを主成分とする膜またはアモルファスシリコンを主成分とする膜などを用いることができる。例えば、アモルファスシリコンを主成分とする膜であれば、ＳｉＨ_４とＨ_２を用いたＲＦプラズマＣＶＤにより２００℃程度の温度で作製することができる。

＜ステップ６：第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）測定（図１の１０６に対応）＞
上述の＜ステップ３：一次モードライフタイムτ_１ ^（１）測定＞と同様の方法にて、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定する。

なお、本実施の形態では、第１の半導体基板に対して表面再結合速度の調整（ステップ３）、一次モードライフタイム測定（ステップ４）を行った後に、第２の半導体基板に対して表面再結合速度の調整（ステップ５）、一次モードライフタイム測定（ステップ６）を行う記載を行ったが、先に第２の半導体基板から処理を行ってもよいし、第１の半導体基板と第２の半導体基板の表面再結合速度の調整を並行して行ってもよい。

＜ステップ７：半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出（図１の１０７に対応）＞
上述の工程にて測定された、半導体基板の厚さＷ、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）および第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を、下記の数式（８）に代入する。

以上の工程を行うことにより、μ−ＰＣＤ法のデータおよび半導体基板の厚さ測定データのみにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に簡便に導出することができる。

なお、上述の解析手法を用いて導出される半導体基板中の拡散係数Ｄが、どの程度の一致を示すかについて計算を行った。計算に用いた半導体基板は、半導体基板中の拡散係数Ｄを３０［ｃｍ^２／ｓｅｃ］、バルクライフタイムτｂを５［ｍｓｅｃ］、厚さＷを０．５［ｍｍ］と設定した。そして、２枚の半導体基板の第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を変化させた場合における、半導体基板中の拡散係数Ｄの値を計算し、計算結果より得られる、設定値である拡散係数Ｄの値３０［ｃｍ^２／ｓｅｃ］との差を確認した。計算結果の一部を表１に示す。

上記表１の結果から分かるように、第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓが２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上となるように調整した第１の半導体基板、および、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓが２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、かつ、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下となるように調整した第２の基板に対して、本明細書に記載の手法を採用することより、設定値と計算値の誤差を１０％以内の範囲とすることができる。

なお、表１では半導体基板の厚さＷを０．５［ｍｍ］として計算を行ったが、半導体基板の厚さＷが０．５［ｍｍ］以上の場合においても、第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓが２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上となるように調整した第１の半導体基板、および、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓが２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、かつ、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下となるように調整した第２の基板に対して、本明細書に記載の手法を採用することより、設定値と計算値の誤差を１０％以内の範囲とできることは、上述の式（８）より理解できる。

以上のことより、半導体基板の厚さＷが０．５［ｍｍ］以上の場合では、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）および半導体基板の厚さＷ（ここでは、第１の半導体基板の厚さと第２の半導体基板の厚さの平均値）の測定結果および本明細書に記載の手法を用いる事により、比較的正確に拡散定数Ｄの値を導出することができるといえる。

また、本実施の形態では、半導体基板に対して表面再結合速度の調整を行う前に半導体基板の厚さを測定したが、必ずしも当該タイミングで厚さ測定を行う必要はなく、半導体基板準備後であれば、どのタイミングで厚さ測定を行ってもよい。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載した解析方法とは異なる一例について、図２のフローチャートを用いて説明する。なお、実施の形態１と同様の方法を行う工程については、その旨を記載し、本実施の形態では詳細な説明を省略する。

＜ステップ１：半導体基板の準備（図２の２０１に対応）＞
解析に用いる半導体基板を準備する。本実施の形態では、実施の形態１とは異なり半導体基板中の拡散係数Ｄを導出するために用いる半導体基板は１枚のみである。そのため、実施の形態１のように、２枚の半導体基板の厚さに注意を払う必要がない。なお、準備する半導体基板の材質や厚さについては、実施の形態１のステップ１に記載する内容と同様の条件とすればよい。

＜ステップ２：半導体基板の厚さ測定（図２の２０２に対応）＞
半導体基板の厚さを測定し、半導体基板の厚さＷの数値として用いる。厚さを測定する方法に特段の限定はないが、第１の面および第２の面にキズやゴミが極力付かない方法を用いることが望ましい。

＜ステップ３：表面再結合速度の調整（図２の２０３に対応）＞
準備した半導体基板について、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓを２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、第１の半導体基板とする。なお、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’の調整方法等ついては、実施の形態１を参酌すればよい。

＜ステップ４：一次モードライフタイムτ_１ ^（１）の測定（図２の２０４に対応）＞
第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定する。なお、一次モードライフタイムτ_１ ^（１）の測定方法等については実施の形態１を参酌すればよい。

＜ステップ５：表面再結合速度の調整（図２の２０５に対応）＞
まず、第１の半導体基板の第１の面および第２の面に形成された自然酸化膜のうちの一方を除去する。自然酸化膜は、例えば、フッ化水素酸などにより除去すればよい。また、フッ化水素酸を用いて自然酸化膜を除去した面を純水により洗浄することが望ましい。そして、自然酸化膜が除去された面の表面再結合速度Ｓ’を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整し、第２の半導体基板とする。なお、表面再結合速度の調整方法等については、実施の形態１を参酌すればよい。

＜ステップ６：一次モードライフタイムτ_１ ^（２）の測定（図２の２０６に対応）＞
第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定する。なお、一次モードライフタイムτ_１ ^（１）の測定方法等については実施の形態１を参酌すればよい。

＜ステップ７：半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出（図２の２０７に対応）＞
上述の工程にて測定された、半導体基板の厚さＷ、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）および第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を用いて、半導体基板中での少数キャリアの拡散係数Ｄを導出する。導出方法については、実施の形態１を参酌すればよい。

以上の工程を行うことにより、μ−ＰＣＤ法のデータおよび半導体基板の厚さＷの測定データのみにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に簡便に導出することができる。なお、本実施の形態では、実施の形態１とは異なり半導体基板を１枚のみしか使用していないため、半導体基板の厚さＷをより正確に測定することができる。このため、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの値を、より正確に導出することが可能となる。

なお、本実施の形態では、（１）半導体基板の第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓを２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整して一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定、（２）半導体基板の第１の面および第２の面の一方の表面再結合速度Ｓを２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、且つ、他方の表面再結合速度Ｓ’を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下として一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定、という順序で説明を行ったが、先に上述の（２）を行い、その後に上述の（１）を行ってもよい。

１０１ 半導体基板の準備
１０２ 半導体基板の厚さ測定
１０３ 表面再結合速度の調整
１０４ 第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）測定
１０５ 表面再結合速度の調整
１０６ 第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）測定
１０７ 半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出
２０１ 半導体基板の準備
２０２ 半導体基板の厚さ測定
２０３ 表面再結合速度の調整
２０４ 一次モードライフタイムτ_１ ^（１）の測定
２０５ 表面再結合速度の調整
２０６ 一次モードライフタイムτ_１ ^（２）の測定
２０７ 半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出

Claims (5)

1. 第１の面および第２の面が共に２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から前記第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（１）を測定する工程と、
   第１の面または第２の面の一方が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から前記第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１ ^（２）を測定する工程を有し、
   前記第１の半導体基板の厚さと、前記第２の半導体基板の厚さとの平均値を、Ｗとし、
   前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板の厚さの差は、前記第１の半導体基板の厚さの１％以下であり、且つ、前記第２の半導体基板の厚さの１％以下であり、
   前記一次モードライフタイムτ_１ ^（１）、前記一次モードライフタイムτ_１ ^（２）および前記Ｗを用い、下記数式により拡散係数Ｄを導出することを特徴とする、半導体基板の解析方法。
   
2. 請求項１において、
   前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板として、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンまたはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板として、厚さが０．５ｍｍ以上である半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された前記第１の半導体基板と、
   前記第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方に熱酸化膜が形成された前記第２の半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された前記第１の半導体基板と、
   前記第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方に窒化珪素を主成分とする膜、酸化アルミニウムを主成分とする膜またはアモルファスシリコンを主成分とする膜のいずれか一以上が形成された前記第２の半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。