JP4500389B2 - ダイナミック・ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイナミック・ランダムアクセスメモリ(以下、「DRAM」という)、特にセルフリフレッシュ機能を有するDRAMのリフレッシュ動作の周期制御に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図2は、従来のセルフリフレッシュ機能を有するDRAMの概略の構成図である。
このDRAMは、時分割多重されたアドレス信号A0〜A9が与えられる行アドレスバッファ1と列アドレスバッファ2を有している。行アドレスバッファ1は、行アドレスを保持するもので、この出力側に行デコーダ3とワードドライバ4を介して、メモリセルアレイ5のワード線が接続されている。メモリセルアレイ5は、記憶内容保持のために周期的に再書き込みが必要なメモリセルを、行列状に配置したものである。
列アドレスバッファ2は、列アドレスを保持するもので、この出力側に列デコーダ6が接続されている。列デコーダ6の出力側にセンスアンプ7を介してメモリセルアレイ5のビット線が接続されている。センスアンプ7は、列デコーダ6で選択されたビット線に対応するメモリセルアレイ5の記憶内容の読み出し及び書き込みを行うものである。センスアンプ7には入出力セレクタ8が接続され、この入出力セレクタ8に、内部データバスを介して入力データバッファ9及び出力データバッファ10が接続されている。入力データバッファ9と出力データバッファ10は、外部データバスとの間でデータ信号DQ1〜DQ16の受け渡しを行うものである。
【0003】
このDRAMには、行アドレスと列アドレスを識別するためのRAS(行アドレス・ストローブ)信号とCAS(列アドレス・ストローブ)信号の2つの制御信号が与えられるようになっている。CAS信号は入出力コントローラ11とタイミングジェネレータ12に、RAS信号はタイミングジェネレータ12に与えられている。入出力コントローラ11は、書き込みイネーブル信号WEと読み出しイネーブル信号OEに従って、入出力セレクタ8、入力データバッファ9、及び出力データバッファ10の制御を行うものである。
【0004】
タイミングジェネレータ12は、RAS信号とCAS信号のタイミング条件に基づいて、メモリセルアレイ5の記憶内容を正しく維持するセルフリフレッシュ動作を開始させるためのセルフリフレッシュ信号SRFを出力するものである。セルフリフレッシュタイマ回路13は、例えばリング発振回路等で構成され、セルフリフレッシュ信号SRFが与えられたときに、セルフリフレッシュ動作を行うためのタイミング信号TIMを生成するものである。タイミング信号TIMは、リフレッシュ制御クロック14に与えられるようになっている。リフレッシュ制御クロック14は、タイミング信号TIMと、タイミングジェネレータ12からの制御とに基づいてリフレッシュ用のクロック信号を生成し、内部アドレスコントローラ15に与えるものである。内部アドレスコントローラ15は、セルフリフレッシュ動作時にリフレッシュ用の行アドレスを生成し、生成したリフレッシュ用の行アドレスを行アドレスバッファ1に与えるものである。
このようなDRAMでは、先ず、RAS信号によって行アドレスが行アドレスバッファ1に取り込まれ、行デコーダ3によって解読され、ワードドライバ4によって特定のワード線が選択されて活性化される。次いで、CAS信号によって列アドレスが列アドレスバッファ2に取り込まれ、列デコーダ6によって解読され、特定のビット線が選択される。このようにしてアドレス信号A0〜A9で指定された特定のメモリセルの情報がセンスアンプ7で読み出され、入出力セレクタ8を介して出力データバッファ10に送られる。また、書き込みの場合は、書き込みイネーブル信号WEによって入力データバッファ9が動作して、外部データバス上のデータ信号DQ1〜DQ16が、入出力セレクタ8を介してアドレス信号A0〜A9で指定された特定のメモリセルに格納される。
【0005】
一方、RAS信号とCAS信号が所定の条件を満たすと、セルフリフレッシュ動作が開始される。例えば、CAS信号が活性化された後、RAS信号が活性化され、この活性化状態が10μs継続すると、タイミングジェネレータ12からセルフリフレッシュ信号SRFが出力される。これにより、セルフリフレッシュタイマ回路13が作動し、例えば100μsの周期でタイミング信号TIMが生成される。リフレッシュ制御クロック14では、タイミングジェネレータ12の制御とタイミング信号TIMとに基づいて、リフレッシュ用のクロック信号が生成され、内部アドレスコントローラ15に与えられる。内部アドレスコントローラ15では、リフレッシュ制御クロック14から与えられたクロック信号によってアドレスカウンタがカウントアップされ、そのカウント値が行アドレスバッファ1へ出力される。これにより、メモリセルアレイ5のワード線が順次活性化され、この活性化されたワード線に接続されたメモリセルのリフレッシュ動作が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のDRAMでは、次のような課題があった。
即ち、セルフリフレッシュタイマ回路13は、所定の周期のタイミング信号TIMを生成するためにリング発振回路等を用いていた。リング発振回路は、インバータ等の反転増幅回路を奇数段ループ状に接続して帰還回路を構成し、そのループ遅延時間に基づいた周期で発振を行うものである。反転増幅回路の遅延時間は、製造プロセスによるばらつきが多く、かつ一般的に調整は不可能である。このため、タイミング信号TIMの周期が所定の時間よりも長くなると、メモリセルの記憶内容の維持が困難となって記憶内容が失われてしまうおそれがあり、周期が短くなると必要以上の頻度でリフレッシュ動作が行われて消費電力が増加するという課題があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決し、セルフリフレッシュ動作の周期の調整が可能なDRAMを提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の内の第1の発明は、外部から入力される制御信号が所定の条件を満たしたときに生成されるセルフリフレッシュ信号が与えられると、メモリセルの記憶内容を維持するために一定周期で内部タイミング信号を生成してリフレッシュ動作を行うDRAMにおいて、前記内部タイミング信号における周期測定用の起動信号を外部から印加するための入力電極と、前記セルフリフレッシュ信号が与えられたときに、前記一定周期の前記内部タイミング信号を生成し、前記起動信号が印加されたときに、前記内部タイミング信号に対応したモニタ出力信号を出力するタイマ回路と、前記起動信号及び前記モニタ出力信号を入力し、前記起動信号が印加された後、前記タイマ回路で生成された前記内部タイミング信号の最初の1周期に対応した周期測定用出力信号を生成する出力手段と、前記周期測定用出力信号を外部に出力するための出力電極とを備えている。
ここで、前記タイマ回路は、伝搬遅延時間の調整が可能な可変遅延反転増幅器を少なくとも1個含む奇数個の反転増幅器がループ状に接続されて構成され、前記セルフリフレッシュ信号が与えられたとき又は前記起動信号が印加されたときに発振して発振信号を出力するリング発振器と、前記発振信号を分周して前記一定周期の前記内部タイミング信号を出力する分周部と、前記発振信号を入力して前記発振信号に同期したパルス信号を生成して出力するパルス生成部と、前記パルス信号によりリセットされ、前記起動信号によりセットされて前記モニタ出力信号を出力するフリップフロップ(以下「FF」という)と、を有している。
【0008】
第2の発明は、前記第1の発明のDRAMにおいて、前記可変遅延反転増幅器は、キャパシタ並びに直列接続された第1、第2及び第3の抵抗で構成された遅延回路と、前記第1の抵抗に並列接続されて該第1の抵抗を短絡する第1のヒューズと、前記第2の抵抗に並列接続され、第2のヒューズが切断されたときに該第2の抵抗を短絡状態にするヒューズ回路と、を有している。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施形態を示すセルフリフレッシュ機能を有するDRAMの構成図であり、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。このDRAMは、図2におけるセルフリフレッシュタイマ回路13に代えて、測定及び調整機能が付加されたタイマ回路(例えば、セルフリフレッシュタイマ回路)100を設けると共に、リフレッシュ周期測定用の出力信号OUTを出力する出力手段(例えば、出力回路)200を追加した構成となっている。
このDRAMは、図2のDRAMと同様に、時分割多重されたアドレス信号A0〜A9が与えられる行アドレスバッファ1と列アドレスバッファ2を有している。行アドレスバッファ1は、行アドレスとして与えられたアドレス信号A0〜A9を保持するもので、この出力側に行デコーダ3とワードドライバ4を介してメモリセルアレイ5のワード線が接続されている。メモリセルアレイ5は、記憶内容保持のために周期的に再書き込みが必要なメモリセルを、ワード線とビット線の交差箇所に行列状に配置したものである。行デコーダ3は行アドレスを解読するものであり、ワードドライバ4は解読された行アドレスに対応するメモリセルアレイ5のワード線を駆動するものである。
【0010】
列アドレスバッファ2は、列アドレスとして与えられたアドレス信号A0〜A9を保持するもので、この出力側に列デコーダ6が接続されている。列デコーダ6は列アドレスを解読するものであり、この出力側にセンスアンプ7を介してメモリセルアレイ5のビット線が接続されている。センスアンプ7は、列デコーダ6で選択されたビット線に対応するメモリセルの記憶内容の読み出しと書き込みを行うものである。センスアンプ7には、メモリセルアレイ5に対するデータの入出力を切り替えるための入出力セレクタ8が接続され、この入出力セレクタ8に、内部データバスを介して入力データバッファ9と出力データバッファ10が接続されている。入力データバッファ9と出力データバッファ10は、外部データバスとの間でデータ信号DQ1〜DQ16の受け渡しを行うものである。
このDRAMには、外部から行アドレスと列アドレスを識別するためのRAS信号とCAS信号の2つの制御信号が与えられるようになっている。CAS信号は入出力コントローラ11とタイミングジェネレータ12に、RAS信号はタイミングジェネレータ12に、それぞれ与えられている。入出力コントローラ11は、書き込みイネーブル信号WE、及び読み出しイネーブル信号OEに従って、入出力セレクタ8、入力データバッファ9及び出力データバッファ10の制御を行うものである。タイミングジェネレータ12は、RAS信号とCAS信号のタイミング条件に基づいて、メモリセルアレイ5の記憶内容を正しく維持するセルフリフレッシュ動作を開始させるためのセルフリフレッシュ信号SRFを出力してセルフリフレッシュタイマ回路100に与えるものである。
【0011】
セルフリフレッシュタイマ回路100は、セルフリフレッシュ信号SRFが与えられたときに、所定の周期でセルフリフレッシュ動作を行うためのタイミング信号TIMを生成するものである。また、セルフリフレッシュタイマ回路100は、外部からこのタイミング信号TIMの周期を測定するために起動信号(例えば、モニタトリガ信号)MONが与えられたときに、そのタイミング信号TIMに対応したモニタ出力信号MOTを出力する機能を有している。タイミング信号TIMはリフレッシュ制御クロック14に与えられ、モニタ出力信号MOTは出力回路200に与えられるようになっている。
リフレッシュ制御クロック14は、タイミング信号TIMと、タイミングジェネレータ12からの制御に基づいてリフレッシュ用のクロック信号を生成し、内部アドレスコントローラ15に与えるものである。内部アドレスコントローラ15は、セルフリフレッシュ動作時にリフレッシュ用の行アドレスを生成し、外部からアドレス信号A0〜A9として与えられる行アドレスに代えて、行アドレスバッファ1にこのリフレッシュ用の行アドレスを与えるものである。
出力回路200は、モニタトリガ信号MON、モニタ出力信号MOT、入出力コントローラ11から出力されるデータ出力イネーブル信号DOE、及び内部データバス上のデータ信号DATに基づいて、タイミング信号TIMの周期に対応した出力信号OUTを生成して出力するものである。
【0012】
図3は、図1中のセルフリフレッシュタイマ回路100の一例を示す回路図である。
このセルフリフレッシュタイマ回路100は、外部からモニタトリガ信号MONを印加するための入力電極101を備えている。入力電極101は、2入力の否定的論理和ゲート(以下、「NOR」という)110の第1の入力端子に接続され、このNOR110の第2の入力端子にはセルフリフレッシュ信号SRFが与えられるようになっている。NOR110の出力側は発振部120及び分周部140に接続され、このNOR110からリセット信号RSTが与えられるようになっている。
発振部120は、第1の入力端子にリセット信号RSTが与えられる2入力のNOR121と、このNOR121の出力側に縦続接続された偶数個の反転増幅回路130をループ状に接続したリング発振回路で構成されている。最終段の反転増幅回路130の出力信号は、NOR121の第2の入力端子にフィードバックされて発振信号OSCが生成されると共に、この発振信号OSCが分周部140及びパルス生成部150に与えられるようになっている。
【0013】
分周部140は、縦続接続された3段のFF141,142,143で構成されている。各FF141〜143のリセット端子にはリセット信号RSTが共通に与えられ、初段のFF141に発振信号OSCが与えられるようになっている。そして、終段のFF143から1/8に分周されたタイミング信号TIMが出力されるようになっている。
パルス生成部150は、縦続接続された4個のインバータ151,152,153,154と、2入力の否定的論理積ゲート(以下、「NAND」という)155で構成され、このインバータ151の入力側に発振信号OSCが与えられている。インバータ151,154の出力側が、NAND155の入力側に接続され、発振信号OSCの立ち下がり時点で、このNAND155の出力側から、インバータ152〜154の遅延時間に相当するパルス幅のパルス信号PLSが出力されるようになっている。NAND155の出力側は、FF160のリセット端子に接続されている。
FF160は、2つのNAND161,162で構成され、セット端子にはモニタトリガ信号MONが与えられるようになっている。FF160の出力側にはインバータ170が接続され、このインバータ170からモニタ出力信号MOTが出力されるようになっている。
【0014】
図4は、図3中の反転増幅回路130の一例を示す回路図である。
この反転増幅回路130は、入力信号Iによって導通状態が相補的に制御されるPチャネルMOSトランジスタ(以下、「PMOS」という)131、及びNチャネルMOSトランジスタ(以下、「NMOS」という)132を有している。PMOS131とNMOS132のソースは、それぞれ電源電位VCC、及び接地電位GNDに接続され、ドレインは、直列接続された抵抗133a,133b,133cを介して接続されている。NMOS132のドレインはキャパシタ134を介して電源電位VCCに接続され、このドレインから出力信号Oが出力されるようになっている。
抵抗133bには、ヒューズを切断することによってこの抵抗133bを短絡するヒューズ回路135が、並列に接続されている。ヒューズ回路135は、ヒューズ135aを有しており、このヒューズ135aの一端が電源電位VCCに接続され、他端がNMOS135b,135cのドレインに接続されている。NMOS135b,135cのソースは、共通の高抵抗135dを介して接地電位GNDに接続されている。NMOS135bのゲートは電源電位VCCに接続されている。また、ヒューズ135aの他端が、インバータ135eを介してNMOS135cのゲートに接続されている。インバータ135eの出力側には、更にインバータ135fが接続され、このインバータ135fの出力側に、PMOS135g、NMOS135h、及びインバータ135iで構成されるアナログスイッチが接続されている。そして、アナログスイッチのPMOS135g及びNMOS135hが、抵抗133bに並列に接続されている。更に、抵抗133cには、ヒューズ136が並列に接続されている。
【0015】
このような反転増幅回路130では、ヒューズ135aが切断されていない状態で、インバータ135eの入力信号がレベル“H”、出力信号がレベル“L”となり、アナログスイッチのPMOS135g及びNMOS135hはオフ状態となる。これにより、抵抗133bは抵抗133aに直列に挿入された状態となる。また、ヒューズ135aを切断することにより、インバータ135eの入力信号が“L”、出力信号が“H”となり、アナログスイッチのPMOS135g及びNMOS135hはオン状態となって、抵抗133bは短絡される。
また、ヒューズ136が切断されていない状態で抵抗133cは短絡され、このヒューズ136を切断することによって抵抗133cが抵抗133aに直列に挿入される。従って、ヒューズ135a,136の状態によって直列抵抗133a〜133cの値を調整することが可能になり、この直列抵抗133a〜133cとキャパシタ134による遅延時間を変更することができる。
【0016】
図5は、図1中の出力回路200の一例を示す回路図である。
この出力回路200は、モニタトリガ信号MONとモニタ出力信号MOTが入力されるNAND201、及びデータ出力イネーブル信号DOEとデータ信号DATが入力されるNAND202を有している。NAND201,202の出力側はNAND203に接続され、このNAND203の出力側がインバータ204を介してPMOS205のゲートに接続されている。
また、データ出力イネーブル信号DOEとインバータ206で反転されたデータ信号DATはNAND207に入力され、モニタトリガ信号MONとインバータ208で反転されたモニタ出力信号MOTがNAND210に入力されるようになっている。NAND210の出力側は、NMOS211のゲートに接続されている。PMOS205及びNMOS211のソースは、それぞれ電源電位VCC及び接地電位GNDに接続され、これらのPMOS205及びNMOS211のドレインが出力電極220に共通接続されている。そして、出力電極220から出力信号OUTが出力されるようになっている。
【0017】
次に、このようなDRAMの動作を、セルフリフレッシュ周期の測定及び調整時の動作(I)、通常アクセス時の動作(II)、及びセルフリフレッシュ動作(III)に分けて説明する。
(I) セルフリフレッシュ周期の測定及び調整時の動作
このセルフリフレッシュ周期の測定及び調整は、DRAMの製造工程中のウエハチェックにおいて行われる。
図6は、図1のDRAMにおけるセルフリフレッシュ周期測定時の信号波形図である。以下、図6を参照しつつ、図1のDRAMのセルフリフレッシュ周期の測定及び調整時の動作を説明する。
先ず、任意のタイミングで“L”,“H”の信号を切り替えて出力することができる治具を用意し、ウエハ上のモニタトリガ信号MON入力用の入力電極101に接続する。また、出力回路200の出力信号OUTのタイミング等を監視及び測定することができる製品検査用のメモリテスタ等を、出力信号OUT用の出力電極220に接続する。
【0018】
次に、図6の時刻t0において、試験対象のDRAMに所要の電源を投入してこのDRAMを待機状態にさせると共に、モニタトリガ信号MONを“L”に設定する。これにより、セルフリフレッシュ信号SRFとデータ出力イネーブル信号DOEは“L”となり、データ出力信号DATは不定となる。また、セルフリフレッシュタイマ回路100から出力されるモニタ出力信号MOTは“L”となる。これらの信号MON,MOT,DOE,DATは出力回路200に与えられる。図5の出力回路200において、インバータ204の出力側の信号S204は“H”に、NAND210の出力側の信号S210は“L”になるので、この出力回路200の出力側は、ハイインピーダンス(Hi−Z)状態となる。
時刻t1において、モニタトリガ信号MONを“H”に立ち上げると、図3のNOR110から出力されるリセット信号RSTは“H”から“L”に変化し、発振部120の動作が開始する。これにより、NOR121の出力側から、所定の周期で“H”,“L”を繰り返す信号S121が得られる。また、発振部120の出力側には、信号S121とは極性が反転した発振信号OSCが出力される。更に、発振信号OSCは分周部140によって1/8に分周され、タイミング信号TIMが生成される。この時刻t1では、FF160の状態は変化せず、モニタ出力信号MOTは“L”のままである。一方、出力回路200において、モニタトリガ信号MONが“H”に変化すると、信号S204,S210は共に“H”となる。これにより、出力回路200の出力信号OUTは“L”になる。
【0019】
時刻t2において発振信号OSCが“H”に立ち上がった後、時刻t3においてこの発振信号OSCが“L”に立ち下がると、パルス生成部150から出力されるパルス信号PLSが一定時間だけ“L”になる。これにより、FF160の状態が変化し、モニタ出力信号MOTが“H”となる。一方、出力回路200において、モニタ出力信号MOTが“H”に変化すると、信号S204,S210は共に“L”となる。これにより、出力回路200の出力信号OUTは“H”になる。これ以降は、モニタトリガ信号MONを変化させない限り、出力信号OUTは“H”の状態に維持される。
【0020】
メモリテスタ等で、出力信号OUTが“L”となっている時間、即ち時刻t1〜t3の時間を測定することによって、発振信号OSCの周期を求めることができる。更に、この発振信号OSCの周期を8倍することによって、タイミング信号TIMの周期を算出することができる。
算出したタイミング信号TIMの周期が所定の範囲にあれば、反転増幅回路130の遅延時間を調整する必要はない。もしも、タイミング信号TIMの周期が所定の範囲よりも長ければ、反転増幅回路130内のヒューズ135aを切断する。これにより、抵抗133bが短絡されて、反転増幅回路130の遅延時間が短くなる。また、タイミング信号TIMの周期が所定の範囲よりも短ければ、反転増幅回路130内のヒューズ136を切断する。これにより、抵抗133cが抵抗133aに直列に接続されて遅延時間は長くなる。
このように、発振信号OSCの1周期の時間を測定しながら、適宜、反転増幅回路130内のヒューズを切断することによって、タイミング信号TIMの周期が所定の範囲に収まるように調整する。調整が完了したDRAMのチップは、ウエハから切り出され、パッケージに収容されて製品として完成する。
【0021】
(II) 通常アクセス時の動作
完成したDRAMがコンピュータ等に組み込まれた時の通常アクセス時の動作は、従来のDRAMと同様である。即ち、先ず、RAS信号によって行アドレスが行アドレスバッファ1に取り込まれ、行デコーダ3によって解読され、ワードドライバ4によって特定のワード線が選択されて活性化される。次いで、CAS信号によって列アドレスが列アドレスバッファ2に取り込まれ、列デコーダ6によって解読され、特定のビット線が選択される。このようにしてアドレス信号A0〜A9で指定された特定のメモリセルの情報がセンスアンプ7で読み出され、入出力セレクタ8を介して出力データバッファ10に送られる。また、書き込みの場合は、書き込みイネーブル信号WEによって入力データバッファ9が動作して、外部データバス上のデータ信号DQ1〜DQ16が、入出力セレクタ8を介してアドレス信号A0〜A9で指定された特定のメモリセルに格納される。
【0022】
(III) セルフリフレッシュ動作
RAS信号とCAS信号が所定の条件を満たすと、セルフリフレッシュ動作が開始される。例えば、CAS信号が活性化された後、RAS信号が活性化され、この活性化状態が10μs継続すると、タイミングジェネレータ12からセルフリフレッシュ信号SRFが出力されて、セルフリフレッシュタイマ回路13に与えられる。これにより、セルフリフレッシュタイマ回路100が作動し、例えば100μsの周期でタイミング信号TIMが生成されてリフレッシュ制御クロック14に与えられる。
リフレッシュ制御クロック14では、タイミングジェネレータ12の制御とタイミング信号TIMとに基づいて、リフレッシュ用のクロック信号が生成され、内部アドレスコントローラ15に出力される。内部アドレスコントローラ15では、リフレッシュ制御クロック14から与えられたクロック信号によって内部アドレスカウンタがカウントアップされ、そのカウント値が行アドレスバッファ1へ出力される。これにより、メモリセルアレイ5のワード線が順次活性化され、この活性化されたワード線に接続されたメモリセルのリフレッシュ動作が行われる。
【0023】
このように、本実施形態のDRAMは、発振信号OSCの周期を測定するためにモニタトリガ信号MONを外部から与える入力電極と、ヒューズの切断によってこの発振信号OSCの周期を調整することができる発振部120とを備えたセルフリフレッシュタイマ回路100を有している。更に、このDRAMは、発振信号OSCの1周期に相当する出力信号OUTを出力する出力回路200と出力電極220を有している。これにより、発振信号OSCの周期を適切な値に調整することができるという利点がある。
【0024】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次の(a)〜(g)のようなものがある。
(a) 動作説明を統一するためにすべて正論理で構成しているが、負論理を用いても良い。実際のDRAMでは、RAS,CAS,WE,OE等の信号には、負論理が用いられることが多い。
(b) タイミング等は、DRAMの記憶容量によって異なる。
(c) セルフリフレッシュタイマ回路100の構成は、図3に限定されない。
(d) 発振部120を構成する反転増幅回路130は、すべて図4に示すように遅延時間の調整が可能なものである必要はない。一定範囲で遅延時間の調整が可能であれば、他の反転増幅回路130の遅延時間は固定で良い。
(e) 遅延時間の調整が可能な反転増幅回路130の構成は、図4の回路に限定されない。例えば、4個以上に分割した直列抵抗133を用い、これらの直列抵抗133を複数のヒューズ回路135やヒューズ136で短絡することによって遅延時間を調整するようにしても良い。
(f) 出力回路200の構成は、図5の回路に限定されない。例えば、図7は他の出力回路200Aの回路図である。
【0025】
この出力回路200Aは、モニタ出力信号MOTが入力されるインバータ212と、このインバータ212の出力信号とモニタトリガ信号が入力されるNAND213で構成されている。そして、このNAND213から、出力信号OUTが出力されるようになっている。
この出力回路200Aは、出力回路200と同様の機能を有しているが、構成要素が少なく簡素化した構成となっている。
(g) 出力回路200は、出力データバッファ10とは別回路で構成しているが、この出力データバッファ10における1ビット(例えば、DQ1)をこの出力回路200で置き換えても良い。これにより、構成が簡素化されると共に、従来のメモリテストの一連の検査として、セルフリフレッシュ周期の測定を実施することができる。
【0026】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、第1の発明によれば、起動信号を印加するための入力電極と、起動信号に従って内部タイミング信号を生成するタイマ回路と、内部タイミング信号の最初の1周期に対応した周期測定用出力信号を生成する出力手段と、周期測定用出力信号を外部に出力するための出力電極とを有している。これにより、DRAMの製造過程におけるウエハチェック工程で、セルフリフレッシュ周期を簡単に測定することができる。更に、タイマ回路は、リング発振器を構成する反転増幅器に少なくとも1個の可変遅延反転増幅器を用いている。これにより、リフレッシュ周期の測定結果に基づいて内部タイミング信号の周期を調整することができる。
第2の発明によれば、第1の発明中の可変遅延反転増幅器は、遅延回路の抵抗の短絡及び挿入をするための第1及び第2のヒューズを有している。これにより、ウエハチェック工程でヒューズを適宜切断することにより、所定のリフレッシュ周期が得られるように容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示すセルフリフレッシュ機能を有するDRAMの構成図である。
【図2】従来のセルフリフレッシュ機能を有するDRAMの概略の構成図である。
【図3】図1中のセルフリフレッシュタイマ回路100の一例を示す回路図である。
【図4】図3中の反転増幅回路130の一例を示す回路図である。
【図5】図1中の出力回路200の一例を示す回路図である。
【図6】図1のDRAMにおけるセルフリフレッシュ周期測定時の信号波形図である。
【図7】他の出力回路200Aの回路図である。
【符号の説明】
100 セルフリフレッシュタイマ回路
101 入力電極
120 発振部
130 反転増幅回路
200 出力回路
220 出力電極
Claims (2)
- 外部から入力される制御信号が所定の条件を満たしたときに生成されるセルフリフレッシュ信号が与えられると、メモリセルの記憶内容を維持するために一定周期で内部タイミング信号を生成してリフレッシュ動作を行うダイナミック・ランダムアクセスメモリにおいて、
前記内部タイミング信号における周期測定用の起動信号を外部から印加するための入力電極と、
前記セルフリフレッシュ信号が与えられたときに、前記一定周期の前記内部タイミング信号を生成し、前記起動信号が印加されたときに、前記内部タイミング信号に対応したモニタ出力信号を出力するタイマ回路と、
前記起動信号及び前記モニタ出力信号を入力し、前記起動信号が印加された後、前記タイマ回路で生成された前記内部タイミング信号の最初の1周期に対応した周期測定用出力信号を生成する出力手段と、
前記周期測定用出力信号を外部に出力するための出力電極とを備え、
前記タイマ回路は、
伝搬遅延時間の調整が可能な可変遅延反転増幅器を少なくとも1個含む奇数個の反転増幅器がループ状に接続されて構成され、前記セルフリフレッシュ信号が与えられたとき又は前記起動信号が印加されたときに発振して発振信号を出力するリング発振器と、
前記発振信号を分周して前記一定周期の前記内部タイミング信号を出力する分周部と、
前記発振信号を入力して前記発振信号に同期したパルス信号を生成して出力するパルス生成部と、
前記パルス信号によりリセットされ、前記起動信号によりセットされて前記モニタ出力信号を出力するフリップフロップと、
を有することを特徴とするダイナミック・ランダムアクセスメモリ。 - 前記可変遅延反転増幅器は、
キャパシタ並びに直列接続された第1、第2及び第3の抵抗で構成された遅延回路と、
前記第1の抵抗に並列接続されて該第1の抵抗を短絡する第1のヒューズと、
前記第2の抵抗に並列接続され、第2のヒューズが切断されたときに該第2の抵抗を短絡状態にするヒューズ回路と、
を有することを特徴とする請求項1記載のダイナミック・ランダムアクセスメモリ。
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