JP4495381B2 - 半導体メモリデバイス - Google Patents
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Description
【発明の分野】
本発明は、一般的にメモリデバイスに関し、さらに詳細には、ダイナミックメモリに関する。
【0002】
【発明の背景】
メモリ回路は、コンピュータ及びデータの永久的または一時的蓄積を必要とする他のシステムにおける重要なコンポーネントである。ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)のようなメモリ回路は、プロセッサシステムのようなシステムで使用される。
【0003】
プロセッサを用いるシステム及び電子システムでは、システムは或る特定の周波数で動作する。メモリデバイスをシステムと同じ周波数で動作させるのが理想である。しかしながら、メモリデバイスは、一般的に、システムと同じ速度で動作しない。これは、非常に速い速度で動作可能なメモリデバイスを製造したり作動させたりするとコストが高くつくためである。メモリデバイスは通常、プロセッサの速度の何分の1かの速度で動作するため、システム速度が遅くなる原因となっている。
【0004】
メモリデバイスは、その作動方法が原因で、マイクロプロセッサの速度では動作することができない。メモリデバイスは、大量のデータにアクセスして、保持するために非常にコンパクトでなければならない。これらのデバイスの動作速度を上げるには、設計及び製造に多大なコストをかける必要がある。一般的に、このコストが、これらのシステムを高速のメモリデバイスを組み込むことを妨げている。
【0005】
これらのコンピュータ及び電子システムにおいて、主要メモリとして用いるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの動作速度が増加しているが、それでもマイクロプロセッサの動作速度に比べれば依然として低い。このように速度が比較的低いとマイクロプロセッサの待ち時間が増加し、DRAMのアクセス時間及びサイクル時間がシステム全体性能のボトルネックとなるため、高速処理が妨げられる。
【0006】
メモリ回路のデータ書込み及び読出し速度を速くする方法の1つとして、メモリ回路を、高いクロック周波数で動作するように構成することがある。これは、マイクロプロセッサでは、その動作周波数を上げることにより既に行われている。例えば、一般的に、200メガヘルツのマイクロプロセッサは、50メガヘルツのマイクロプロセッサよりも速度が格段に速い。しかしながら、高い動作周波数で回路を動作させると、別の問題が生じる。例えば、高い周波数で動作する回路の発生熱量及び使用電力が大きく増加する。このため、熱及び電力の問題を解決するには高いコストがかかる。さらに、ラップトップのような携帯用デバイスの使用が増加しているが、これらの回路の消費電力を減少する必要がある。また、動作周波数が高ければ高くなるほど、集積回路のダイスがより高価になる。
【0007】
メモリデバイスは多種多様なシステムに使用されるため、メモリデバイスのコストを有意に増加させずに速度を増加できれば、ワープロから現金自動引出し機に至る全ての装置が仕事をより迅速に行えるようになる。
【0008】
上記理由及び、当業者であれば本明細書を読んで理解すると明らかになる以下に述べる他の理由により、2つのデータ速度を有するデバイス及びデータを2つのデータ速度で読み出す方法が必要とされている。
【0009】
【発明の概要】
本発明によると、記憶ユニットと、複数のパイプラインとより成り、複数のパイプラインは少なくとも、記憶ユニットに結合され、記憶ユニットからのデータを内部クロックに基づき出力へ転送し、外部クロックの立ち上がりエッジでデータが出力で得られるように構成された第1のパイプラインと、記憶ユニットに結合され、記憶ユニットからのデータを内部クロックに基づき出力へ転送し、外部クロックの降下エッジでデータが出力で得られるように構成された第2のパイプラインとを含み、内部クロックは外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んでおり、内部クロックが外部クロックより進む量はレイテンシ及びサイクル時間に基づき決定される半導体メモリデバイスが提供される。
【0010】
【実施例の詳細な説明】
本発明の以下の詳細な説明において、本願の一部であり、本発明の特定の実施例を例示する添付図面を参照する。これらの実施例は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳しく記載されている。他の実施例も可能であり、本発明の範囲から逸脱することなくプロセスの、または機械的な設計変更を行うことができる。以下の説明中の用語「ウェーハ」及び「基板」は、ベースとなる任意の半導体構造を包含するものである。それらの用語は共に、シリコン・オン・サファイア(SOS)技術、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)技術、薄膜トランジスタ(TFT)技術、ドーピングを施した、または施さない半導体、ベースとなる半導体構造により支持された珪素のエピタキシャル層だけでなく、当業者によく知られた他の半導体構造を包含すると理解されるべきである。さらに、以下の説明において、「ウェーハ」または「基板」を言及する際、ベースとなる半導体構造には、前のプロセスにより領域/接合が形成されている場合がある。従って、以下の詳細の説明は限定的な意味でとらえるべきでなく、本発明の範囲は頭書の特許請求の範囲によってのみ決定される。
【0011】
種々の実施例は、二データ速度(DDR)出力パスのための自己タイミングで、レイテンシをプログラムできるパイプラインの設計を包含する。本発明は、メモリデバイスが、単一のデータ速度(SDR)ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の設計を利用するのを可能にする。出力データは、外部クロックの領域から遅延ロックループ(DLL)クロック領域へ変換される。
【0012】
二データ速度デバイスは、同一周波数で動作する単一データ速度デバイスの二倍の速度でデータを出力できる。例えば、二データ速度デバイスは10サイクルで20ビットのデータを出力できるが、単一データ速度デバイスは10サイクルで10ビットのデータを出力できるにすぎない。また、二データ速度デバイスは、単一データ速度デバイスと同様な熱発生特性を有する。単一データ速度デバイスは、同量のデータを出力しようとすれば、二データ速度デバイスの二倍の速度で動作しなければならない。速度を2倍にすると、かなりの熱が発生する。
【0013】
データ出力は立ち上がりエッジと降下エッジの両方で出力されるが、全ての制御信号は外部クロックと同じ周波数のままである。並列の2つのパイプラインを用いて、外部クロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジでデータを出力できる。パイプラインの伝播時間を用い、それを補償することにより、外部クロックと同期してデータを出力することが可能である。このアプローチは、クロックサイクル時間及びプロセスのばらつきにマージンのある改良式設計を可能にする。
【0014】
後述する種々の実施例によると、データを2つのデータ速度で与えるが、コンピュータシステムにとっては単一データ速度メモリチップのように見えるチップを作成することが可能である。
【0015】
別の実施例では、複数のパイプラインを用いて記憶ユニットからデータを出力する。このデータは、クロックサイクルの種々の部分のような事象で出力することができる。
【0016】
図1Aは、本発明の実施例によるメモリデバイスである。このメモリデバイスは、記憶ユニット101、第1のパイプライン102、第2のパイプライン103及びデータバッファ104を有する。
【0017】
記憶ユニット101は、メモリセルのアレイまたはメモリ場所のアレイである。記憶ユニット101は、単一のアレイまたは第1及び第2のアレイでもよい。記憶ユニット101は、物理的に同一であるアレイの2またはそれ以上のサブアレイを含んだものでよい。記憶ユニット101は、物理的に2つまたはそれ以上のアレイの2つまたはそれ以上のサブアレイを含むものでよい。任意の数のアレイまたはサブアレイを使用できる。記憶ユニット101は、第1のデータ及び第2のデータを含むデータを記憶する。
【0018】
パイプライン102、103は、記憶ユニット101と、データバッファ104に接続されている。データは、記憶ユニット101から第1のパイプライン102及び第2のパイプライン103へ同時に送られる。第1の実施例において、第1のパイプライン102は、記憶ユニット101の第1のアレイに接続され、第2のパイプライン103は、記憶ユニット101の第2のアレイに接続されている。第1のパイプライン102は、外部クロックの立ち上がりエッジでデータ、即ち第1のデータを出力するために用いられる。第2のパイプライン103は、外部クロックの降下エッジでデータ、即ち第2のデータを出力するために使用される。他の実施例において、第1のパイプライン102は、外部クロックの降下エッジでデータを出力するために使用され、第2のパイプライン103は立ち上がりエッジでデータを出力するために使用される。これらのパイプラインは、外部クロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジでデータバッファ104がデータを受けるように、パイプラインからデータバッファ104へデータを転送可能である。データバッファ104は、プロセッサまたはディスクドライブのような他のデバイスまたはシステムへデータを出力可能である。別の実施例では、パイプラインは、データをデータバッファ104へ転送することなく、プロセッサ、メモリデバイス及びハードドライブのような他のシステムまたはドライブへ直接転送する。第1のパイプライン102は、第2のパイプライン103の前にデータを出力可能であり、または第2のパイプライン103は、第1のパイプラインの前にデータを出力することができる。一般的に、これはデータのレイテンシ及びアドレスに基づき決定される。
【0019】
図1Bは、本発明の1つの実施例によるメモリデバイスである。メモリデバイスは、記憶ユニット101と、複数のパイプライン105とを有する。別の実施例において、図1Aの第1のパイプライン及び第2のパイプライン103と同様な複数のパイプラインを使用することができる。複数のパイプライン105は、記憶ユニット101に接続されている。記憶ユニット101から複数のパイプラインの各々へのデータの転送は、実質的に同時に行われる。クロックはその後、異なるクロック、クロックの異なるエッジ及び異なる相のような異なる事象または信号で複数の各パイプラインからデータバッファ104へ転送される。例えば、4つのパイプライン105を有するメモリデバイスでは、各パイプラインはクロックの90°毎の位相でデータをデータバッファ104へ転送することが可能であり、各パイプラインはデータを90°位相が離れる度にデータを転送する。
【0020】
図2Aは、本発明の1つの実施例によるメモリデバイスである。このメモリデバイスは、記憶ユニット101、第1のパイプライン102、第2のパイプライン103及びマルチプレクサ制御211を有する。用語「マルチプレクサ」は、マルチプレクサのことである。第1のパイプライン102は、第1のマルチプレクサ215と、少なくとも1つの第1のラッチ212とを有する。第2のパイプライン103は、第2のマルチプレクサ213と、少なくとも1つの第2のラッチ214とを有する。
【0021】
記憶ユニット101は、メモリセルのアレイまたはメモリ場所のアレイである。記憶ユニット101は、単一のアレイまたは第1及び第2のアレイの場合がある。記憶ユニット101は、物理的に同一のアレイの2またはそれ以上のサブアレイを含むことができる。記憶ユニット101は、物理的に2個またはそれ以上のサブアレイを含む場合がある。任意の数のアレイまたはサブアレイを用いることが可能である。
【0022】
第1のマルチプレクサ215は、記憶ユニット101、マルチプレクサコントロール211、及び少なくとも1つの第1のラッチ212に接続されている。第1のマルチプレクサ215は、記憶ユニット101から少なくとも1つの第1のラッチ212へデータを差し向ける。少なくとも1つの第1のラッチ212は、第1の事象でデータを転送する。第1の事象は、信号、クロックの立ち上がりエッジまたはクロックの降下エッジでよい。データは、出力バッファまたは、プロセッサまたはディスクドライブのような他のシステムデバイスへ転送可能である。
【0023】
第2のマルチプレクサ213は、記憶ユニット101、マルチプレクサコントロール211及び少なくとも1つの第2のラッチ214に接続されている。第2のマルチプレクサ213は、マルチプレクサコントロール211からの信号に応答して記憶ユニット101から少なくとも第2のラッチ214へデータを差し向ける。少なくとも1つの第2のラッチ214は、第2の事象でデータを転送する。第2の事象は、信号、クロックの立ち上がり位置またはクロックの降下位置でよい。
【0024】
図2Bは、本発明の実施例によるメモリデバイスである。メモリデバイスは、記憶ユニット101、第1のパイプライン102、第2のパイプライン103、マルチプレクサコントロール211、第1のマルチプレクサ203、少なくとも1つの第1のストロボラッチ204、第1のDLLラッチ215、第2のマルチプレクサ217、少なくとも1つの第2のストロボラッチ208、第2のDLLラッチ209、第1の出力バッファ206及び第2の出力バッファ210を有する。
【0025】
第1のパイプラインは第1のマルチプレクサ203、少なくとも1つの第1のストロボラッチ204、第1のDLLラッチ205及び第1の出力バッファ206を有する。第1のマルチプレクサ203は、記憶ユニット101に接続されている。別の実施例では、第1のマルチプレクサ203を記憶ユニット101の第1のアレイに接続することができる。第1のマルチプレクサ203は、マルチプレクサコントロール211からの信号に応答して記憶ユニット101からの入来データを少なくとも1つの第1のストロボラッチ204へ差し向ける。第1のマルチプレクサ203はマルチプレクサコントロール211により制御可能であり、マルチプレクサコントロール211は、第1のマルチプレクサ203が第1のパイプライン102上に入力させる記憶ユニット101からの入来データをいかにして且ついつ差し向けるかを制御する。
【0026】
少なくとも第1のストロボラッチ204は、第1のマルチプレクサ203と、第1のDLLラッチ205に接続されている。少なくとも1つの第1のストロボラッチ204は、記憶ユニット101から第1のマルチプレクサ204を介して第1のDLLラッチ205へデータを転送する。少なくとも1つの第1のストロボラッチ204が2以上のラッチを含む場合、これらのラッチは互いに直列に接続される。記憶ユニット101からストロボラッチへのデータの転送時間をサイクル時間より長くすることが可能である。サイクル時間は、外部クロックの立ち上がりエッジ間の時間である。データ転送時間は、データアクセス(DAT)とも呼ばれる。少なくとも1つのストロボラッチ204の各々は、外部クロックの立ち上がりエッジでまたは外部クロックの立ち上がりエッジから所定の時間オフセットした時点でデータを次のラッチへ転送する。このオフセットは、次のラッチへのデータの転送が、その次のラッチがそのデータを後続のラッチまたはデバイスへ転送完了するまでは起こらないように調整される。一部の実施例では、信号各ラッチに接続して各ラッチがデータを転送するようにすることが可能である。
【0027】
第2のDLLラッチ209は、少なくとも1つの第2のストロボラッチ208と、第2の出力バッファ210に接続されている。第2のDLLラッチ205は、少なくとも第2のストロボラッチ200から第2の出力バッファ210へデータを転送する。データの転送は、そのデータが適当な時点で第2の出力バッファ210から出力または読み出されるようにされる。例えば、第2のDLLラッチは外部クロックの降下エッジより進んでデータを転送することにより、データが外部クロックの降下エッジで第2の出力バッファ210から出力または読み出されるようにすることが可能である。他の実施例では、第1の出力バッファ206及び第2の出力バッファ210は1つの出力バッファに統合される。
【0028】
マルチプレクサコントロール211は、第1及び第2のマルチプレクサ203、207に接続されている。マルチプレクサコントロール211は、記憶ユニット101からのデータが如何にして選択されパイプラインに入力されるかを制御する。マルチプレクサコントロール211は、何れのパイプラインにデータを最初に入力するかを決定できる。
【0029】
図3は、本発明の実施例によるシステムを示す。このシステムは、記憶ユニット101、第1のパイプライン102、第2のパイプライン103、マルチプレクサコントロール211、第1のマルチプレクサ203、少なくとも1つの第1のストロボラッチ204、第1のDLLラッチ205、第2のマルチプレクサ207、少なくとも1つのストロボラッチ208、第2のDLLラッチ209及び制御ユニット301を有する。
【0030】
制御ユニット301は、遅延ロックループラッチ(DLL)クロックまたは内部クロックを発生できる。DLLクロックは、外部クロックと同一周波数で動作するが、外部クロックより進んで動作する。制御ユニット301は、DLLクロックが外部のクロックより進む量を決定する。DLLクロックにより、パイプラインの最後のラッチまたはステージが、パイプラインにデータを転送する際の遅延を補償するように外部クロックより進んで作動できるため、パイプラインからのデータが外部クロックのエッジで出力バッファへ転送するかあるいはそのデータを読み出すことができる。DLLクロックがDLLラッチ205及び209に接続可能である。制御ユニット301は、パイプラインとパイプラインの構成要素に接続される。制御ユニット301は、データが外部クロックに同期して出力されるように種々のステージまたはラッチを制御する。制御ユニット301は、外部クロックをストロボラッチ204、208に接続できる。
【0031】
一部の実施例では、制御ユニット301は1またはそれ以上の信号をパイプラインの個々のラッチへ送って転送してパイプラインに沿うデータの転送を制御する。制御ユニット301は、レイテンシ及びクロックサイクル時間を考慮してデータの出力タイミングを調整するようにプログラムすることが可能である。レイテンシはデバイスの外部で与えられるようにしてもよい。クロックサイクル時間の伝播遅延は、制御ユニット301により検出可能である。
【0032】
図4Aは、制御ユニット301の可能な実施例を示す。制御ユニット301は、ストロボラッチドライバ401、DLLラッチドライバ402及びDLLクロック発生器403を備えることができる。ストロボラッチドライバ401はストロボラッチに接続されている。ストロボラッチドライバ401はストロボラッチへいつデータを転送すべきかを伝える信号を発生できる。ストロボラッチドライバ401を用いて、個々のストロボラッチに対しいつ次のラッチへデータを転送すべきかを伝えるかもしくは信号を伝送可能である。ストロボラッチドライバ401は、ストロボラッチの制御またはラッチへの信号伝送を行うにあたりレイテンシ及びクロック時間を考慮する。ストロボラッチドライバ401は、パイプラインのレイテンシ、クロックサイクル時間及び伝播時間に応じて外部クロックからの種々のオフセット時点でストロボラッチの信号を発生する。
【0033】
DLLクロック発生器403は、DLLクロックを発生する。DLLクロックは、外部クロックから進んで動作する。
【0034】
DLLラッチドライバ402は、DLLラッチに接続されている。DLLラッチドライバ401は、DLLラッチに対して次のラッチまたはバッファへいつデータを転送すべきかを伝えるまたは指示する。DLLラッチドライバ401は、DLLラッチを制御するにあたりレイテンシを与える。DLLラッチドライバ402は、DLLクロックを用いてデータの転送タイミングを調整し、データが適正に且つ外部クロックと同期して出力されるようにする。DLLラッチドライバ402は、データがパイプラインからDLLラッチの立ち上がりエッジと降下エッジで交互に出力され、データが外部クロックに同期して得られるようにする。DLLラッチドライバは、DLLラッチを制御する信号を発生可能である。
【0035】
図4Bは、本発明の1つの実施例によるシステムを示す。このシステムはアドレスコマンドコントロール404、マルチプレクサコントロール411及び本発明に従って使用される記憶ユニット101を有する。アドレスコマンドコントロール404は、マルチプレクサコントロール411と記憶ユニット101に接続されている。アドレスコマンドコントロール404は、このシステムから出力される記憶ユニット101のデータを選択する。アドレスコマンドコントロール404は、読み出し命令に応答してデータを選択できる。アドレスコマンドコントロール404はマルチプレクサコントロール411と通信して、データを記憶ユニット101から差し向けることにより、データの第1のユニットがクロックの第1の立ち上がりエッジまたは降下エッジのような所望の事象またはクロックのエッジで出力されるようにすることが可能である。
【0036】
図5は、記録ユニット、第1のパイプライン及び第2のパイプラインを有する本発明の1実施例によるメモリデバイスのデータを読み出す方法を示す。
【0037】
501において、何れのパイプラインのデータを入力すべきかの決定を行う。場合によっては、外部クロックの立ち上がりエッジでデータを出力できる第1のパイプラインへデータを入力する。その他の場合、外部クロックの降下エッジでデータを出力できる第2のパイプラインにデータを入力する。この決定は、データ及びレイテンシのアドレスにより行うことができる。データは記憶ユニットからパイプライン502に転送される。データは第1及び第2のパイプラインに同時にまたは交互に転送可能である。例えば、データの第1の部分を第1のパイプラインに入力する場合、データの第2の部分は第2のパイプラインに入力され、データの第3の部分は第3のパイプラインに入力される。これらのパイプラインはデータを出力バッファ503に転送して、外部クロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジで読み出すことができるようにする。別の実施例では、パイプラインによりデータを転送し、サイクル時間及びレイテンシを用いてデータの出力タイミングを調整する。他の実施例では、パイプラインによりデータを出力バッファ503に転送して、第1及び第2の事象で読み出しできるようにする。
【0038】
図6は、本発明の実施例によるデータの読み出し方法を示す。
【0039】
601において読み出し命令が発生される。例えば、プロセッサは、ある特定のメモリ場所のデータを読み出すリクエストを行う。データは記憶ユニットに存在できる。例えば、データは、データのビット、バイトまたは任意の量のものでよい。記憶ユニットはアレイまたはメモリセルである。データの各部分は、マルチプレクサを介してパイプライン602のストロボラッチへ送られる。このパイプラインは複数のパイプラインのうちの1つである。データの各部分は、ストロボラッチからパイプライン603の遅延ラッチへ送られる。このデータは外部クロックのエッジまたは他の何らかの事象または信号で転送可能である。データの各部分は遅延ラッチからシステムデバイス604へ送られる。データは、大部クロックのエッジまたは外部クロックから進んだクロックに応答して転送可能である。システムデバイスはプロセッサまたはメモリデバイスである。データの各部分は転送可能なデータの量である。かかるデータの部分の例には、ビット、バイトまたはワードがある。
【0040】
別の実施例において、DLLクロックを用いてパイプラインからのデータを転送することによりパイプラインを送られるデータの遅延を補償する。
【0041】
第7A及び7Bは、メモリデバイスを示す。このメモリデバイスは、アドレスコマンドコントロール701、第1のアレイ702、第2のアレイ703、マルチプレクサコントロール211、第1のパイプライン102、第2のパイプライン103データバッファ104及び制御回路301を有する。アドレスコマンドコントロール701は、第1のアレイ702、第2のアレイ703及びマルチプレクサコントロール211に接続されている。アドレスコマンドコントロール701は、読み出し命令に応答して作動し、第1のアレイ702及び第2のアレイ703から読み出されるデータを選択する。アドレスコマンドコントロール701はまた、マルチプレクサコントロール211に対して、何れのパイプラインに読み出すデータを入力するかを伝える。マルチプレクサコントロール211は、第1のマルチプレクサ203、第2のマルチプレクサ207及びアドレスコマンドコントロール701に接続されている。マルチプレクサコントロール211は、第1のアレイ702及び第2のアレイ703から第1のパイプライン102の第1のマルチプレクサ203または第2のパイプライン203の第2のマルチプレクサ207へデータを差し向ける。マルチプレクサコントロールは、マルチプレクサコントロール信号(CTL)及びその反転信号(CTLi)を第1のマルチプレクサ203及び第2のマルチプレクサ207に転送して、データを第1のパイプライン102及び第2のパイプライン103にそれぞれ差し向けることができる。例えば、CTLが高レベルでCTLiが低レベルである場合、第1のデータまたはデータの第1の部分は第1のパイプラインに送られ、第2のデータまたはデータの第2の部分は第2のパイプラインに送られ、またCTLが低レベルでCTLiが高レベルの場合、第1のデータまたはデータの第1の部分を第2のパイプラインへ、第2のデータまたはデータの第2の部分を第1のパイプラインに送られる。
【0042】
第1のパイプライン102は、第1のマルチプレクサ203、第1のラッチ705、第2のラッチ707、第3のラッチ709及び第1のDLLラッチ205を直列に接続したものである。STLAT及びその補数(STLATiは、第1のラッチ705を介するデータの転送を調時するために使用される。STLATが高レベルで、STLATiが低レベルの場合、第1のラッチ705を介して転送される。STLAT1及びその補数STLATiは、第2のラッチ707を介するデータの転送を調時するために使用される。STLAT1が高レベルでSTLAT1iが低レベルの場合、データは第2のラッチ707を介して転送される。DLLAT及びDLLATiは、第3のラッチ709を介して第1のDLLラッチ205へのデータの転送を調時するために使用される。DLLTが高レベルでDLLTiが低レベルの場合、データは第3のラッチ709を介して転送される。DLLR0及びその補数DLLR0iは、第1のDLLラッチ205を介するデータの転送を調時するために使用される。DLLR0が高レベルで、DLLR0iが低レベルの場合、データは第1のDLLラッチ205を介して転送され、クロックの立ち上がりエッジでデータを出力できるようにする。
【0043】
第2のパイプライン103は、第2のマルチプレクサ207、第1のラッチ706、第2のラッチ708、第3のラッチ710及び第2のDLLラッチ209が直列に接続されたものである。STLATが高レベルで、STLATiが低レベルの場合、データは第1のラッチ706を介して転送される。STLATが高レベルで、STLATiが低レベルの場合、データは第2のラッチ708を介して転送される。DLLTが高レベルで、DLLTiが低レベルの場合、データは第3のラッチ710を介して第2のDLLラッチ209へ送られる。DLLF0とその補数DLLF0iは、第2のDLLラッチ209を介するデータの転送を調時するために用いられ使用され、クロックの降下エッジでデータが出力されるようにするための制御信号である。
【0044】
STLATとSTLAT1信号は、クロックの立ち上がりエッジから固定オフセット時点で生じる。メモリ回路のレイテンシ、サイクル時間及び伝播遅延が考慮され、これらの信号は、次のラッチがそのデータを後続のラッチまたは他のデバイスに転送した後に限りデータが次のラッチに転送されるように生じる。
【0045】
DLLR0信号及びDLLF0信号は、それぞれDLLクロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジから発生される。DLLクロックは、クロックと同じ周波数で動作するが、クロックよりも進んで作動されることにより、データがクロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジで利用できるようにする。DLLAT信号は、レイテンシに応じてDLLR0信号またはDLLF0信号の降下エッジで生じる。
【0046】
図8は、レイテンシが3ナノ秒、クロックサイクルが30ナノ秒のシステムにおける2データ速度メモリデバイスの図7A、7Bに示す実施例のタイミング図である。同じタイミングを、5ナノ秒のような他のクロックサイクルに使用可能である。DLLラインはDLLクロックである。XCLKは外部クロックである。DRは、選択されたデータが第1及び第2のアレイ(702、702)から第1のラッチ(705、706)へ転送されるに要する時間を示し、図7B上の基準点704により識別される。外部クロック(XCLK)サイクルの第1の立ち上がりエッジで読み出しコマンドが発生した後、アレイからデータ(A、B)がフェッチされ、ポイント704でパイプラインに入力されるまで約11ナノ秒かかりこれを図8の基準ポイント801に示す。この時間周期はデータアクセス時間(DAT)であり、この実施例では11ナノ秒である。XLCKの第2の立ち上がりエッジの後データは基準点802で示すSTLAT信号に応答して第1のラッチ(705、706)へ送られそこで記憶される。第3の立ち上がりエッジの後、次のデータ(C、D)がSTLAT信号に応答して第1のラッチ(705、706)へ送られる前に、データは基準ポイント803に示すSTLAT1信号に応答して第1のラッチ(705、706)から第2のラッチ(707、708)へ送られる。その後、データ(A、B)は第2のラッチ(707、708)からラッチ(709、710)へ、基準ポイント804に示すDLLAT信号に応答して転送される。DLLAT信号はDLLF0の降下エッジで作動されるが、その理由はレイテンシが全レイテンシ3であるからです。他の実施例では、DLLAT信号は、一般的に、1/2、1 1/2及び 1/2のような半レイテンシでDLLR0の降下エッジで作動される。DLLクロックの立ち上がりエッジで起こるDLLR0信号に応答して第1のDLLラッチ205はデータ「A」を転送し、それが、基準ポイント805で示すXCLKの立ち上がりエッジで読み出しのために利用できるようにする。DLLクロックの降下エッジで起こるDLLF0信号に応答して、第2のDLLラッチ209はデータBを転送し、基準ポイント806に示すXCLKの降下エッジで読み出しのために利用できるようにする。
【0047】
図9は、レイテンシが2ナノ秒、クロックサイクル時間が10ナノ秒であるシステムの二データ速度メモリデバイスの図7A、7Bに示す実施例のタイミング図である。DLLラインはDLLクロックである。XCLKは外部クロックである。DRは、選択されたデータが第1及び第2のアレイ(702、703)から第1のラッチ(705、706)へ伝播するに要する時間を示し、図7Bの基準ポイント704により識別される。XCLKサイクルの第1の立ち上がりエッジで読み出しコマンドが発生した後、データ(A、B)がアレイからフェッチされて基準ポイント901に示すパイプライン上に入力されるまでに約11ナノ秒かかる。この時間周期時間がデータアクセス時間(DAT)であり、この実施例では11ナノ秒である。XCLKの第2の立ち上がりエッジの後、データは基準ポイント902で示すSTLAT信号に応答して第1のラッチ(705、706)へ送られ、そこに記憶される。ここでは、サイクル時間は、STLAT1信号がSTLATと同じ時間に近いところで生じるがその前ではなく、データが第1のラッチ(705、706)から基準ポイント903に示すように第2のラッチ(707、708)へ転送されるように短いものである。DLLF0の降下エッジで、短時間の後、DLLAT信号が作動され、基準点904で示すようにデータが第2のラッチ(707、708)から第3のラッチ(709、710)へ転送される。基準ポイント906に示すDLLR0信号に応答して、Aが第1のDLLラッチ205へ送られ、XCLKの次の立ち上がりエッジで読み出すことができる。DLLF0信号に応答して、Dは第2のDLLラッチ209へ転送され、基準ポイント906に示すXCLKの降下エッジで読み出しまたは出力するために利用可能となる。
【0048】
本発明は、二データ速度メモリデバイス及び方法を包含する。これらによりデータを2つの速度またはそれ以上で転送することが可能となる。
【0049】
本発明を特定の実施例につき図示説明したが、当業者は、同一目的を達成するように設計された任意の構成を、図示した特定の実施例の代わりに用いることができることがわかるであろう。本願は、種々の変形例または設計変更を包含するものと意図されている。従って、本発明は、頭書の特許請求の範囲及びその均等物のみで限定されることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 図1Aは、二データ速度メモリデバイスの1つの実施例を示すブロック図である。
【図1B】 図1Bは、二データ速度メモリデバイスの1つの実施例を示すブロック図である。
【図2A】 図2A、二データ速度メモリデバイスの1つの実施例を示すブロック図である。
【図2B】 図2Bは、二データ速度メモリデバイスの1つの実施例を示すブロック図である。
【図3】 図3は、制御回路を備えたメモリデバイスの1つの実施例を示すブロック図である。
【図4A】 図4A、制御回路の1つの実施例を示すブロック図である。
【図4B】 図4Bは、制御回路の1つの実施例を示すブロック図である。
【図5】 図5は、データ読み出し方法の1実施例のフローチャートである。
【図6】 図6は、データ読み出し方法の1つの実施例のフローチャートである。
【図7A】 図7Aは、メモリデバイスの1つの実施例のブロック図である。
【図7B】 図7Bは、パイプラインの1つの可能な実施例のブロック図である。
【図8】 図8は、レイテンシが3ナノ秒、クロックサイクルが30ナノ秒のメモリデバイスのタイミング図である。
【図9】 図9は、レイテンシが2ナノ秒及びクロックサイクルが10ナノ秒のメモリデバイスのタイミングである。
Claims (35)
- 記憶ユニットと、
複数のパイプラインとより成り、
複数のパイプラインは少なくとも、
記憶ユニットに結合され、記憶ユニットからのデータを内部クロックに基づき出力へ転送し、外部クロックの立ち上がりエッジでデータが出力で得られるように構成された第1のパイプラインと、
記憶ユニットに結合され、記憶ユニットからのデータを内部クロックに基づき出力へ転送し、外部クロックの降下エッジでデータが出力で得られるように構成された第2のパイプラインとを含み、
内部クロックは外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んでおり、内部クロックが外部クロックより進む量はレイテンシ及びサイクル時間に基づき決定される半導体メモリデバイス。 - 記憶ユニットは、メモリセルの第1のアレイより成る請求項1の半導体メモリデバイス。
- 記憶ユニットはさらに第2のアレイを有し、第1のアレイは第1のパイプラインに結合され、第2のアレイは第2のパイプラインに結合されている請求項2の半導体メモリデバイス。
- 第1及び第2のパイプラインに接続された制御ユニットをさらに備えた請求項1、2又は3の半導体メモリデバイス。
- 制御ユニットは、第1及び第2のパイプラインに対してデータを転送するように指示する請求項4の半導体メモリデバイス。
- 第1のパイプラインはさらに、記憶ユニットに接続された第1のデータマルチプレクサを有し、第2のパイプラインはさらに、記憶ユニットに接続された第2のデータマルチプレクサを有し、第1のデータマルチプレクサは記憶ユニットからのデータを第1のパイプラインへ差し向け、第2のデータマルチプレクサは記憶ユニットからのデータを第2のパイプラインに差し向ける請求項1、2、3、4又は5の半導体メモリデバイス。
- 第1及び第2のパイプラインはそれぞれ、直列に接続された少なくとも1つのラッチより成る請求項1、2、3、4、5又は6の半導体メモリデバイス。
- データは、複数のパイプラインに対応する複数のデータユニットより成り、
各データユニットは、記憶ユニットから複数のパイプラインのうちの1つに同時に転送される請求項1、2、3、4、5、6又は7の半導体メモリデバイス。 - 各パイプラインは異なる事象でデータを転送する請求項1、2、3、4、5、6、7又は8の半導体メモリデバイス。
- 第1のパイプラインは複数のステージを有して、記憶ユニットから第1のデータを転送し、第2のパイプラインは複数のステージを有して、記憶ユニットから第2のデータを転送する請求項4又は5の半導体メモリデバイス。
- 制御ユニットは、第1及び第2のパイプラインのステージ間のデータの転送を制御する請求項10の半導体メモリデバイス。
- 第1及び第2のパイプラインに結合された出力バッファをさらに備え、
第1のパイプラインは、内部クロックのサイクル上の第1の事象でデータを出力バッファへ転送し、
第2のパイプラインは、内部クロックのサイクル上の第2の事象でデータを出力バッファへ転送し、
第1及び第2の事象はそれぞれ、内部クロックのサイクル上で1度だけ生じる請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10又は11の半導体メモリデバイス。 - 第1の事象は内部クロックの立ち上がりエッジに基づき発生され、第2の事象は内部クロックの降下エッジに基づき発生される請求項12の半導体メモリデバイス。
- 複数のパイプラインの各々は、データを内部クロックのサイクル上の異なる事象で出力バッファへ転送し、内部クロックのサイクル上の各異なる事象は内部クロックのサイクル上で1度生じる請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10の半導体メモリデバイス。
- 各異なる事象は内部クロックのサイクルの異なる相に基づき発生され、各異なる事象はその関連の異なる相に先立つ請求項14の半導体メモリデバイス。
- 第1のデータを有するメモリセルの第1のアレイと、
第2のデータを有するメモリセルの第2のアレイと、
第1のアレイに接続された第1のデータマルチプレクサを有し、外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックにより制御され、外部クロックの立ち上がりエッジでデータを出力する第1のパイプラインと、
第1のパイプラインに並列に接続され、第2のアレイに接続された第2のデータマルチプレクサを有し、内部クロックにより制御され、外部クロックの降下エッジでデータを出力する第2のパイプラインと、
第1及び第2のデータマルチプレクサに接続され、第1のデータを第1のパイプラインへ、また第2のデータを第2のパイプラインへ差し向けるデータマルチプレクサコントローラより成る半導体集積回路。 - 第1のパイプライン及び第2のパイプラインに接続された制御ユニットをさらに備え、制御ユニットはパイプラインの伝播時間を利用してデータの出力を外部クロックに同期させる請求項16の半導体集積回路。
- 第1及び第2のアレイは、物理的にメモリアレイ内に位置する請求項17の半導体集積回路。
- 第1のアレイは、第2のアレイとは物理的に別個に位置する請求項17の半導体集積回路。
- パイプラインはさらに、直列に接続された少なくとも1つのラッチを有する請求項17の半導体集積回路。
- 第1のパイプラインはさらに、第1のストロボラッチを有し、第2のパイプラインはさらに、第2のストロボラッチを有する請求項16、17、18、19又は20の半導体集積回路。
- 第1のパイプラインはさらに、第1の遅延ロックループラッチを有し、第2のパイプラインはさらに、第2の遅延ロックループラッチを有する請求項16、17、
18、19、20又は21の半導体集積回路。 - 記憶ユニットと、
記憶ユニットに接続された第1のデータマルチプレクサ、第1のデータマルチプレクサに直列に接続された少なくとも1つの第1のラッチ及び少なくとも1つの第1のラッチに接続された第1の遅延ロックループラッチを有する第1のパイプラインと、
記憶ユニットに接続された第2のデータマルチプレクサ、第2のデータマルチプレクサに直列に接続された少なくとも1つの第2のラッチ及び少なくとも1つの第2のラッチに接続された第2の遅延ロックループラッチを有する第2のパイプラインと、
第1及び第2のデータマルチプレクサに接続され、第1のデータを第1のパイプラインへ、また第2のデータを第2のパイプラインへ同時に差し向けるデータマルチプレクサコントローラと、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックを有し、内部クロックを用いて第1及び第2の遅延ロックループラッチへ信号を転送するように指示し且つデータの出力を外部クロックの立ち上がり及び降下エッジに同期させるために第1及び第2のパイプラインに接続された制御ユニットとより成る半導体集積回路。 - 第1及び第2の遅延ロックループラッチに接続された出力バッファをさらに備え、制御ユニットは、第1の遅延ロックループラッチに対して第1のデータを出力バッファに転送するように指示し、また第2のデータロックループラッチに対して第2のデータを出力バッファへ転送するように指示する請求項23の半導体集積回路。
- メモリセルの第1のアレイと、
メモリセルの第2のアレイと、
出力バッファと、
データを選択するために第1及び第2のアレイに接続されたアドレスコマンド制御手段と、
第1のアレイに接続された第1のマルチプレクサ、第1のデータマルチプレクサに直列に接続された少なくとも1つの第1のラッチ及び少なくとも1つの第1のラッチ及び出力バッファに接続された第1の遅延ロックループラッチを有する第1のパイプラインと、
第2のアレイに接続された第2のマルチプレクサ、第2のデータマルチプレクサに直列に接続された少なくとも1つの第2のラッチ及び少なくとも1つの第2のラッチ及び出力バッファに接続された第2の遅延ロックループラッチを有する第2のパイプラインと、
第1及び第2のマルチプレクサに接続され、第1及び第2のアレイからのデータをデータマルチプレクサに差し向けるマルチプレクサコントローラと、
第1及び第2のパイプラインに接続された制御回路とより成り、
この制御回路は、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んで動作する内部クロックを発生させる内部クロック発生器と、
少なくとも1つの第1のラッチ及び少なくとも1つの第2のラッチへ信号を転送するように指示するラッチドライバと、
内部クロックを用いて第1の遅延ロックループラッチ及び第2の遅延ロックループラッチへ信号を転送するように指示する遅延ロックループラッチドライバとより成り、
外部クロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジで第1及び第2の遅延ロックループラッチから出力バッファへデータが転送される半導体集積回路。 - 記憶ユニット、第1のパイプライン及び第2のパイプラインを有する半導体メモリデバイスからデータを読み出す方法であって、
記憶ユニット内の第1のデータ及び第2のデータを含むデータを選択し、
第1のデータを第1のパイプラインへ差し向け、
第2のデータを第2のパイプラインへ差し向け、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックに基づき第1のデータを第1のパイプラインの出力に転送し、
内部クロックに基づき第2のデータを第2のパイプラインの出力に転送し、
外部クロックの立ち上がりエッジで第1のデータを第1のパイプラインから出力し、
外部クロックの降下エッジで第2のデータを第2のパイプラインから出力するステップより成る半導体メモリデバイスからのデータの読み出し方法。 - 記憶ユニットは、メモリセルの第1のアレイと、メモリセルの第2のアレイとを有し、第1のデータは第1のアレイに位置し、第2のデータは第2のアレイに位置する請求項26の方法。
- 内部クロックは内部で発生されるクロックであり、第1及び第2のデータは外部クロックの立ち上がりエッジ及び降下エッジで第1及び第2のパイプラインに接続された出力バッファから読み出すことができる請求項27の方法。
- 第1のデータを第1のパイプライン(102)内において転送するステップは記憶ユニット(702)からのデータの第1の部分を第1のマルチプレクサ(203)を介して第1のラッチ(705)へ転送するステップを含み、
第2のデータを第2のパイプライン(103)内において転送するステップは記憶ユニット(703)からのデータの第2の部分を第2のマルチプレクサ(207)を介して第2のラッチ(706)へ転送するステップを含み、
内部クロックに基づく第1の信号で、第1の部分を第1のラッチ(705)を介して第3のラッチ(707)へ、また第2の部分を第2のラッチ(706)を介して第4のラッチ(708)へ転送し、
内部クロックに基づく第2の信号で、データの第1の部分を第3のラッチ(707)を介して第5のラッチ(709)へ、また第2の部分を第4のラッチ(708)を介して第6のラッチ(710)へ転送し、
内部クロックに基づく第3の信号で、データの第1の部分を第5のラッチ(709)を介して第7のラッチ(205)へ、また第2の部分を第6のラッチ(710)を介して第8のラッチ(209)へ転送するステップを含む請求項27または28の方法。 - 外部クロックより進んだ内部クロックを発生させ、
内部クロックの降下エッジで第3の信号を発生させるステップをさらに含む請求項29の方法。 - 外部クロックの立ち上がりエッジから所定のオフセットをした時点で第1の信号を発生させるステップをさらに含む請求項30の方法。
- 第1のデータを第1のパイプラインから転送するステップは外部クロックの立ち上がりエッジでデータを提供するステップを含み、第2のデータを第2のパイプラインから転送するステップは外部クロックの降下エッジでデータを提供するステップを含む請求項29、30または31の方法。
- 記憶ユニット、第1のパイプライン及び第2のパイプラインを有する半導体メモリデバイスからデータを読み出す方法であって、
記憶ユニットからのデータを何れのパイプラインに入力するかを決定し、
データの第1の半分を第1のパイプラインへ送り込み、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックに基づいてデータを第1のパイプライン中で転送し、
データの第2の半分を第2のパイプラインへ送り込み、
内部クロックに基づいてデータを第2のパイプライン中で転送し、
外部クロックの立ち上がりエッジで第1のパイプラインからデータの第1の半分を出力し、
外部クロックの降下エッジで第2のパイプラインからのデータ第2の半分を出力するステップより成るメモリデバイスからのデータの読み出し方法。 - 少なくとも1つのラッチが直列に接続された2つのパイプラインを有する半導体メモリデバイスの制御方法であって、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックをメモリデバイスのレイテンシ及びサイクル時間に基づき発生させ、
パイプラインのラッチに対してデータをパイプラインを介して転送するように指示して、データが内部クロックの立ち上がりエッジと降下エッジの両方で転送されるようにし、
外部クロックの立ち上がりエッジと降下エッジに同期してパイプラインからデータを出力するステップより成る半導体メモリデバイスの制御方法。 - 各々が少なくとも1つのストロボラッチ及び1つの遅延ロックループラッチを有する複数のパイプラインを備えた半導体メモリデバイスの制御方法であって、
外部クロックと同じ周波数を有するが外部クロックより進んだ内部クロックをメモリデバイスのレイテンシ及びサイクル時間に基づき発生させ、
外部クロックからオフセットした時点で少なくとも1つのストロボラッチに信号を送り、
内部クロックからオフセットした時点で遅延ロックループラッチに信号を送り、
複数のパイプラインからのデータを外部クロックの立ち上がりエッジと降下エッジの両方で出力するステップより成る半導体メモリデバイスの制御方法。
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