JP2010257540A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】データの高速転送を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】メモリセルストリング11と、第1ビット線に接続された第1バッファ3と、第2ビット線に接続された第2バッファ4と、第1ラッチ、第2ラッチを備え、前記第1、第2バッファ3、4が保持可能な第1、第2データ(D1、D2)をそれぞれ外部端子11へと出力するタイミングを、第1信号、及び第2信号並びに第3信号により制御するデータ転送制御部7とを具備し、前記データ転送制御部7は、前記第1信号に同期して前記第1データD1及び前記第2データD2を前記第1ラッチへと転送し、前記第2信号に同期させて前記第1データD1を前記第2ラッチを介して外部へと転送した後、前記第3信号に同期させて前記第2データD2を前記第2ラッチを介して外部へと転送する。
【選択図】図3
【解決手段】メモリセルストリング11と、第1ビット線に接続された第1バッファ3と、第2ビット線に接続された第2バッファ4と、第1ラッチ、第2ラッチを備え、前記第1、第2バッファ3、4が保持可能な第1、第2データ(D1、D2)をそれぞれ外部端子11へと出力するタイミングを、第1信号、及び第2信号並びに第3信号により制御するデータ転送制御部7とを具備し、前記データ転送制御部7は、前記第1信号に同期して前記第1データD1及び前記第2データD2を前記第1ラッチへと転送し、前記第2信号に同期させて前記第1データD1を前記第2ラッチを介して外部へと転送した後、前記第3信号に同期させて前記第2データD2を前記第2ラッチを介して外部へと転送する。
【選択図】図3
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関する。
メモリセルから読み出された、例えば8ビットデータは制御回路が生成するクロック信号の立ち上がりに同期して外部端子へ出力されている(特許文献1参照)。
しかし、クロック信号の立ち上がりのみに同期してデータを転送することは、データ転送の遅延を招くといった問題があった。
本発明は、データの高速転送を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様に係る不揮発性半導体装置は、電気蓄積層と制御ゲートとを備え、電流経路が直列接続されるメモリセルを複数含むメモリセルストリングと、各々がいずれかの前記メモリセルストリングの電流経路の一端に接続された第1、第2ビット線と、前記第1ビット線に接続され、第1ビット数の第1データを保持可能な第1バッファと、前記第2ビット線に接続され、前記第1ビット数の第2データを保持可能な第2バッファと、第1ラッチ、第2ラッチを備え、前記第1、第2バッファが保持する前記第1、第2データをそれぞれ外部端子へと出力するタイミングを、外部信号に基づいて生成される第1内部信号、前記外部信号の立ち上がりで生成される第2内部信号、及び前記外部信号の立ち下がりで生成される第3内部信号により制御するデータ転送制御部とを具備し、前記データ転送制御部は、前記第1内部信号に同期して前記第1、第2バッファが保持する前記第1データ及び前記第2データを前記第1ラッチで保持させ、前記第2内部信号に同期し前記第1ラッチが保持する前記第1データを前記第2ラッチを介して前記外部端子へと転送させた後、前記第3内部信号に同期させて前記第2データを前記第2ラッチを介して前記外部端子へと転送する。
本発明によれば、データの高速転送を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
以下、この発明の実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体装置100において、例えばNAND型フラッシュメモリを例に挙げたものである。
本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体装置100において、例えばNAND型フラッシュメモリを例に挙げたものである。
<全体構成>
図示するように、不揮発性半導体装置100はメモリセルアレイ1、ロウ制御回路2、第1ページバッファ3、第2ページバッファ4、カラム制御回路5、ブロック制御回路6、データ転送制御回路7、制御回路8、内部制御信号生成回路9、出力バッファ10、出力パッド11、入力バッファ12、及び入力バッド13を備える。まず、メモリセルアレイ1から説明する。
図示するように、不揮発性半導体装置100はメモリセルアレイ1、ロウ制御回路2、第1ページバッファ3、第2ページバッファ4、カラム制御回路5、ブロック制御回路6、データ転送制御回路7、制御回路8、内部制御信号生成回路9、出力バッファ10、出力パッド11、入力バッファ12、及び入力バッド13を備える。まず、メモリセルアレイ1から説明する。
メモリセルアレイ1は、データ保持可能な複数の不揮発性のメモリセルトランジスタMTを備えている。そしてメモリセルトランジスタMTは、例えば電荷蓄積層と制御ゲートを含む積層ゲートを備えたnチャネルMOSトランジスタである。メモリセルトランジスタMTの制御ゲートはワード線WLとして機能し、ドレインはビット線BLに電気的に接続され、ソースはソース線SLに電気的に接続されている。またメモリセルアレイ1は、該メモリセルアレイ1の他、後述するセンスアンプを備える。
ロウ制御回路2は、ブロック制御回路6から与えられたブロック選択信号に基づきメモリセルアレイ1のいずれかブロックBLKを選択する。そして、ロウ制御回路2は、選択されたブロックBLKに対応するメモリセルアレイ1のロウ方向を選択する。つまり、ブロック制御回路6から与えられる選択信号に基づいて、ロウ制御回路2はセレクトゲート線SGD1、SGS1、及びワード線WL0〜WL15に対して電圧発生回路4から与えられた電圧をそれぞれ印加する。
第1ページバッファ3は、図示せぬホスト(host)から転送されたデータを、例えば8ビット単位で保持可能なラッチを複数備える。また、メモリセルアレイ1から読み出した、ページ単位のデータを一時的に保持可能とし、そのデータを、例えば8ビット単位として出力パッド11を介して、図示せぬホストへ転送する。
第2ページバッファ4は、上記第1ページバッファ3と同様に、図示せぬホストから転送されたデータを、例えば8ビット単位で保持可能なラッチを複数備える。また、メモリセルアレイ1から読み出した、ページ単位のデータを一時的に保持可能とし、そのデータを、例えば8ビット単位として出力パッド11を介して、図示せぬホストへ転送する。
カラム制御回路5は、メモリセルアレイ1のカラム方向を選択する。すなわち、ビット線BLを選択する。
ブロック制御回路6は、データの書き込み動作時、読み出し動作時、及び消去時において、制御回路8から与えられたブロックアドレスをデコードし、その結果に基づいてブロックBLKを選択する。
データ転送制御回路7は、データの読み出し時において第1ページバッファ3、第2ページバッファ4に保持された保持データを、内部制御信号生成回路9が生成する信号に同期させて、出力パッド11に転送させる。この際、データ転送制御回路7は、第1、第2バッファ3、4から転送された、例えばそれぞれ8ビット単位のデータを交互に出力パッド11へと出力させる。また、データの書き込み時において、データ転送制御回路7は図示せぬホストから入力された、例えば8ビット単位のデータを上記内部制御信号生成回路9が生成する信号に同期させて交互に取り込む。その後、データ転送制御回路7は、その取り込んだデータを第1、第2ページバッファ3、4にそれぞれ8ビット単位で転送する。
制御回路8は、図示せぬホストから入力パッド13を介して入力バッファ12から転送された制御信号に基づいてロウ制御回路2、カラム制御回路5、ブロック制御回路6を制御する。すなわち、データの書き込み時、読み出し時、消去時において制御回路8はロウ制御回路2、カラム制御回路5、及びブロック制御回路4にメモリセルアレイ1へのアクセス権を与え、該ロウ制御回路2、カラム制御回路、及びブロック制御回路4を制御することで、メモリセルアレイ1におけるメモリセルのデータの書き込み、読み出し、及び消去を行う。また特に、データの読み出し時及び書き込み時において、制御回路8は、データ伝送制御回路7を制御することで、該データ伝送制御回路7が保持するデータを、出力バッファ10を介して出力パッド11に出力させ、また図示せぬホストから入力され、入力パッドを介してデータ転送制御回路7に保持されたデータを第1、第2バッファ3、4に転送させる。
さらにまた、制御回路8は、図示せぬホストから転送された制御信号を内部制御信号生成回路9及び出力バッファ10に転送する。
内部制御信号生成回路9は、図示せぬホストから、入力パッド13を介して入力バッファ12から供給された制御信号に基づき、内部制御信号を生成する。内部制御信号とは、データの入出力を実行する際に、そのデータを出力パッド11または第1、第2バッファ3、4へと転送するための信号である。
出力バッファ10は、データ転送制御回路7からのデータを受け、上記制御回路8が出力する図示せぬホストから供給された制御信号に同期して、そのデータを出力パッド11に転送する。
そして、出力パッド11は上記出力バッファ10から供給されたデータを図示せぬホストへと出力する。
入力バッファ12は、後述する入力パッド13から供給されたデータ及び制御信号を一時的に保持し、制御信号を制御回路8に供給し、またデータをロウ制御回路2及びカラム制御回路5へ供給する。
入力パッド13は、図示せぬホストから供給されたデータ(コマンド、クロック信号及びアドレスなど)及び制御信号を、入力バッファ12へと供給する。
なお、図示せぬホストから供給されたデータ及びメモリセルアレイ1から読み出されたデータを入出力する入力パッド13及び出力パッド11は通常、共用化されている。またなお、入力バッファ12は、入力パッド13が供給するデータ及び制御信号用のバッファをそれぞれ備える。つまり、入力パッド13から供給されたデータは、入力バッファ12が備える該データ用のバッファを介して、ロウ制御回路2及びカラム制御回路5へと供給される。また、入力パッド13から供給された制御信号は、入力バッファ12が備える該制御信号用のバッファを介して、制御回路7へと供給される。
<メモリセルアレイ1及び第1、第2ページバッファ3、5の詳細について>
次に、上記メモリセルアレイ1及び第1、第2ページバッファ3、5の詳細について図2を用いて説明する。図2は、メモリセルアレイ1及び第1、第2ページバッファ3、5の詳細を示したブロック図である。また、メモリセルアレイ1と第1、第2ページバッファ3、4との間にはセンスアンプ14、15がそれぞれ形成されている。まず、メモリセルアレイ1から説明する。
次に、上記メモリセルアレイ1及び第1、第2ページバッファ3、5の詳細について図2を用いて説明する。図2は、メモリセルアレイ1及び第1、第2ページバッファ3、5の詳細を示したブロック図である。また、メモリセルアレイ1と第1、第2ページバッファ3、4との間にはセンスアンプ14、15がそれぞれ形成されている。まず、メモリセルアレイ1から説明する。
<メモリセルアレイ1の詳細>
図示するようにメモリセルアレイ1は複数の不揮発性のメモリセルトランジスタMTを含んだブロックBLK0乃至BLKsを備える(sは自然数)。
図示するようにメモリセルアレイ1は複数の不揮発性のメモリセルトランジスタMTを含んだブロックBLK0乃至BLKsを備える(sは自然数)。
図示するようにブロックBLK0乃至BLKsの各々は、不揮発性のメモリセルトランジスタMTが直列接続された複数のNANDストリング11を備えている。NANDストリング11の各々は、例えば16個のメモリセルトランジスタMTと、選択トランジスタST1、ST2とを含んでいる。メモリセルトランジスタMTは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層(例えば絶縁膜)と、電荷蓄積層上に形成され、電荷蓄積層より誘電率の高い絶縁膜(以下、ブロック層と呼ぶ)と、更にブロック層上に形成された制御ゲート電極とを有するMONOS構造である。なお、メモリセルトランジスタMTの個数は16個に限られず、32個や64個、128個等であってもよく、その数は限定されるものではない。またメモリセルトランジスタMTは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。そして、選択トランジスタST1、ST2間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置されている。直列接続されたメモリセルトランジスタMTの一端側のドレイン領域は選択トランジスタST1のソース領域に接続され、他端側のソース領域は選択トランジスタST2のドレイン領域に接続されている。
同一行にあるメモリセルトランジスタMTの制御ゲート電極はワード線WL0〜WL15のいずれかに共通接続され、同一行にあるメモリセルトランジスタMTの選択トランジスタST1、ST2のゲート電極は、それぞれセレクトゲート線SGD1、SGS1に共通接続されている。なお説明の簡単化のため、以下ではワード線WL0〜WL15を区別しない場合には、単にワード線WLと呼ぶことがある。また、メモリセルアレイ1において同一列にある選択トランジスタST1のドレインは、いずれかのビット線BL0〜BLnに共通接続される。以下、ビット線BL0〜BLnについても、これらを区別しない場合には一括してビット線BLと呼ぶ(n:自然数)。そして、複数形成されるビット線BLは交互にセンスアンプ14、15のいずれかに接続される。具体的にはビット線BL0の電流経路の一端はセンスアンプ15に接続され、電流経路の他端はブロックBLK0に形成されたNANDストリング11の選択トランジスタSt1のドレイン領域に接続される。そしてビット線BL1の電流経路の一端はセンスアンプ14に接続され、電流経路の他端はブロックBLKsに形成されたNANDストリング11の選択トランジスタST1のドレイン領域に接続される。以下同様にビット線BLnの電流経路の一端はセンスアンプ15に接続され、電流経路の他端はブロックBLK0に形成されたNANDストリング11の選択トランジスタSt1のドレイン領域に接続される。そしてビット線BL(n+1)の電流経路の一端はセンスアンプ14に接続され、電流経路の他端はブロックBLKsに形成されたNANDストリング11の選択トランジスタST1のドレイン領域に接続される。選択トランジスタST2のソースはソース線SLに共通接続される。なお、選択トランジスタST1、ST2は必ずしも両方必要ではなく、NANDストリング11を選択出来るのであればいずれか一方のみが設けられていても良い。
また、同一のワード線WLに接続された複数のメモリセルトランジスタMTには一括してデータが書き込まれ、この単位をページと呼ぶ。更に、複数のNANDストリング11はブロックBLK単位で一括してデータが消去される。
<センスアンプ14、15について>
次にセンスアンプ14、15について説明する。図示するようにセンスアンプ14、15の電流経路の一端は上記メモリセルアレイ1とビット線BLで接続されている。そして、センスアンプ14及びセンスアンプ15の電流経路の他端は、それぞれ第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4と信号線SEL3、信号線SEL4を介して接続されている。そして、この信号線SEL3、4は、メモリセルアレイ1とセンスアンプ14、15とを接続するビット線BLの本数だけ形成されている。具体的には信号線SEL31乃至信号線SEL38がビット線BL0、BL2、…、BL14に対応し、信号線SEL41乃至信号線SEL48がビット線BL1、BL3、…、BL15に対応する。以下、信号線SEL39乃至信号線SEL316並びに信号線SEL49乃至信号線SEL416についても同様である。なお、信号線SEL31乃至SEL3l(lは自然数)を区別しない場合には、単に信号線SEL3と呼ぶ。信号線SEL4についても同様とする。
次にセンスアンプ14、15について説明する。図示するようにセンスアンプ14、15の電流経路の一端は上記メモリセルアレイ1とビット線BLで接続されている。そして、センスアンプ14及びセンスアンプ15の電流経路の他端は、それぞれ第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4と信号線SEL3、信号線SEL4を介して接続されている。そして、この信号線SEL3、4は、メモリセルアレイ1とセンスアンプ14、15とを接続するビット線BLの本数だけ形成されている。具体的には信号線SEL31乃至信号線SEL38がビット線BL0、BL2、…、BL14に対応し、信号線SEL41乃至信号線SEL48がビット線BL1、BL3、…、BL15に対応する。以下、信号線SEL39乃至信号線SEL316並びに信号線SEL49乃至信号線SEL416についても同様である。なお、信号線SEL31乃至SEL3l(lは自然数)を区別しない場合には、単に信号線SEL3と呼ぶ。信号線SEL4についても同様とする。
またデータの読み出し時においてセンスアンプ14、15は、メモリセルアレイ1からビット線BLに読み出したデータを、センス・増幅し、信号線SEL3及びSEL4を介して第1、第2バッファ3、4へと転送する。そして、データの書き込み時おいて、センスアンプ14、15は、信号線SEL3及びSEL4を介して第1、第2ページバッファ3、4が備えるデータを受信し。これを対応するビット線BLに転送することによりメモリセルアレイ1への書き込みを実行する。
<第1、第2ページバッファ3、4の詳細>
次に第1、第2ページバッファ3、4について説明する。まず、第1ページバッファ3について説明する。図示するように、第1ページバッファ3はバッファユニットBU31、バッファユニットBU32、…バッファユニットBU3m(mは自然数)、及びデータ選択部31を備える。そしてバッファユニットBU31、バッファユニットBU32、…バッファユニットBU3mの電流経路の一端には、上述したように、信号線SEL31乃至信号線SEL3lのうち、いずれか8本の信号線SEL3が接続され、電流経路の他端には、信号線SEL31乃至信号線SEL3lに対応したI/O_A線1乃至I/O_A線lのうち、いずれか8本のI/O_A線が接続されている。具体的には、バッファユニットBU31の電流経路の一端に信号線SEL31乃至信号線SEL38が接続され、他端にはI/O_A線1乃至I/O_A線8が接続される。以下同様に、バッファユニットBU32の電流経路の一端に信号線SEL39乃至信号線SEL316が接続され、他端にはI/O_A線9乃至I/O_A線16が接続される。
次に第1、第2ページバッファ3、4について説明する。まず、第1ページバッファ3について説明する。図示するように、第1ページバッファ3はバッファユニットBU31、バッファユニットBU32、…バッファユニットBU3m(mは自然数)、及びデータ選択部31を備える。そしてバッファユニットBU31、バッファユニットBU32、…バッファユニットBU3mの電流経路の一端には、上述したように、信号線SEL31乃至信号線SEL3lのうち、いずれか8本の信号線SEL3が接続され、電流経路の他端には、信号線SEL31乃至信号線SEL3lに対応したI/O_A線1乃至I/O_A線lのうち、いずれか8本のI/O_A線が接続されている。具体的には、バッファユニットBU31の電流経路の一端に信号線SEL31乃至信号線SEL38が接続され、他端にはI/O_A線1乃至I/O_A線8が接続される。以下同様に、バッファユニットBU32の電流経路の一端に信号線SEL39乃至信号線SEL316が接続され、他端にはI/O_A線9乃至I/O_A線16が接続される。
つまり、バッファユニット3BU1乃至BU3mは、信号線SEL31乃至信号線SEL3lを介してセンスアンプ14から転送されたデータを、一時的に保持し、そのデータをI/O_A線1乃至I/O_A線lへと転送する。
なお、バッファユニットBU31、バッファユニットBU32、…、バッファユニットBU3mを区別しない場合には、単にバッファユニットBU3と呼ぶ。バッファユニットBU4についても同様である。
そして、I/O_A線1乃至I/O_A線lはそれぞれ、YI/O_A線のいずれかに接続されている。具体的には、I/O_A線1乃至I/O_A線8が、YI/O_A線1乃至YI/O_A線8にそれぞれ接続される。以下同様にI/O_A線9乃至I/O_A線16が、YI/O_A線1乃至YI/O_A線8にそれぞれ接続されている。これにより、YI/O_A線はデータ転送制御回路7へと8ビットデータを転送する。
データ選択部31は、制御回路8の制御信号に基づき、バッファユニットBU31乃至バッファユニットBU3mのいずれか1つを選択する。これにより、データの読み出し時において、選択されたバッファユニットBU3から、該バッファユニットBU3が保持するデータが、I/O_A線1乃至I/O_A線8を介してYI/O_A線1乃至YI/O_A線8及びデータ転送制御回路7へと転送される。ここで、本実施形態では、一例としてYI/O_A線1乃至YI/O_A線8とデータ転送制御回路7との間で入出力されるビット数を8ビットとする。なお、YI/O_A線は8本に限らず、16、32、64等であってもよく、その数は限定されるものではない。なお、この本数については後述する変形例その2で説明する。
次に第2ページバッファ4について説明する。図示するように、第2ページバッファ4はバッファユニットBU41、バッファユニットBU42、…バッファユニットBU4m(mは自然数)、及びデータ選択部41を備える。そしてバッファユニットBU41、バッファユニットBU42、…バッファユニットBU4mの電流経路の一端には、上述したように、それぞれ信号線SEL41乃至信号線SEL4lのうち、いずれか8本の信号線SEL4が接続され、電流経路の他端には、信号線SEL41乃至信号線SEL4lに対応したI/O_B線1乃至I/O_B線lのうち、いずれか8本のI/O_B線が接続されている。具体的には、バッファユニットBU41の電流経路の一端に信号線SEL41乃至信号線SEL48が接続され、他端にはI/O_B線1乃至I/O_B線8が接続される。以下同様に、バッファユニットBU42の電流経路の一端に信号線SEL49乃至信号線SEL416が接続され、他端にはI/O_B線9乃至I/O_B線16が接続される。
そして、I/O_B線1乃至I/O_B線lはそれぞれ、YI/O_B線のいずれかに接続されている。具体的には、I/O_B線1乃至I/O_B線8が、YI/O_B線1乃至YI/O_B線8にそれぞれ接続される。以下同様にI/O_B線9乃至I/O_B線16が、YI/O_B線1乃至YI/O_B線8それぞれ接続されている。これにより、YI/O_B線はデータ転送制御回路7へと8ビットデータを転送する。
つまり、バッファユニット4BU1乃至BU4mは、信号線SEL41乃至信号線SEL4lを介してセンスアンプ15から転送されたデータを、一時的に保持し、そのデータをI/O_B線1乃至I/O_B線lへと転送する。
データ選択部41は、制御回路8の制御信号に基づき、バッファユニットBU41乃至バッファユニットBU4mのいずれか1つを選択する。これにより、データの読み出し時において、選択されたバッファユニットBU4から、該バッファユニットBU4が保持するデータが、I/O_B線1乃至I/O_B線lを介してYI/O_B線1乃至YI/O_B線8及びデータ転送制御回路7へと転送される。ここで、本実施形態では、一例としてYI/O_B線1乃至YI/O_B線8とデータ転送制御回路7との間で入出力されるビット数を8ビットとする。なお、YI/O_B線は8本に限らず、16、32、64等であってもよく、その数は限定されるものではない。なお、このYI/O_B線の本数については後述する変形例その2で説明する。
<内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について(その1)>
次に、内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について図3を用いて説明する。図3は、データ転送制御回路7とそれを内部制御信号で制御する内部制御信号生成回路9、入力パッド13、及び入力バッファ12のブロック図を示している。ここでは特にデータの読み出し時における内部制御信号生成回路9が生成する内部制御信号を用いて説明する。また、図1と重複する部分については、説明を省略する。
次に、内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について図3を用いて説明する。図3は、データ転送制御回路7とそれを内部制御信号で制御する内部制御信号生成回路9、入力パッド13、及び入力バッファ12のブロック図を示している。ここでは特にデータの読み出し時における内部制御信号生成回路9が生成する内部制御信号を用いて説明する。また、図1と重複する部分については、説明を省略する。
図示するように、データ転送制御回路7はLAT71及びLAT72を備える。そしてLAT71はデータラッチA1及びデータラッチA2を備える。データラッチA1の電流経路の一端には上述した第1ページバッファ3からのYI/O_A線が接続され、該データラッチA1の電流経路の他端とデータラッチA2の電流経路の一端とがYI/O_A1線で接続され、内部制御信号生成回路9から信号RE_CLKが供給されている。なお、YI/O_A線とYI/O_A1線とは同一の本数である。
そして更にデータラッチA2の電流経路の他端は、出力バッファ10の電流経路の一端と信号線で接続され、該データラッチA2からは、上記YI/O_A1線を通過した、例えば8ビットのデータが出力バッファ10へと出力される。また、データラッチA2には内部制御信号生成回路9から信号REOLAT_Aが供給されている。具体的には、データラッチA1は信号RE_CLKが供給されると、YI/O_A線から供給された、例えば8ビットのデータを該データラッチA1、すなわち自身に取り込む。ただし、データラッチA1はデータをデータラッチ2に転送した後も新たなデータを受け取らない限り、そのデータを保持し続ける。これはデータラッチB1も同様である。
そして、データラッチA2は、信号REOLAT_Aが供給されると、上記データラッチA1からYI/O_A1線を介して該データラッチA2に転送された、例えば8ビットのデータをそのまま出力パッド10に転送する。ただし、データラッチA2はデータを出力パッド10に転送した後も、データラッチA1がアサートされ、新たなデータをデータラッチA1から受け取らない限り、そのデータを保持し続ける。これは後述するデータラッチB2も同様である。
LAT72はデータラッチB1及びデータラッチB2を備える。データラッチB1の電流経路の一端には上述した第1ページバッファ4からのYI/O_B線が接続され、該データラッチB1の電流経路の他端とデータラッチB2の電流経路の一端とがYI/O_B1線で接続され、内部制御信号生成回路9から信号RE_CLKが供給されている。なお、YI/O_B線とYI/O_B1線とは同一の本数である。そして更にデータラッチB2の電流経路の他端は、出力バッファ10の電流経路の一端と信号線で接続され、該データラッチB2からは、上記YI/O_B1線を通過した、例えば8ビットのデータが出力バッファ10へと出力される。また、データラッチB2には内部制御信号生成回路9から信号REOLAT_Bが供給されている。
データラッチB1は信号RE_CLKが供給されると、YI/O_B線から供給された、例えば8ビットのデータを該データラッチB1に取り込む。そして、データラッチB2は、信号REOLAT_Bが供給されると、上記データラッチB1からYI/O_B1線を介して該データラッチB2に転送された、例えば8ビットのデータをそのまま出力パッド10に転送する。
内部制御信号生成回路9は、入力パッド13及び入力バッファ12を介して、外部から供給された制御信号に基づき、信号RE_CLK、信号REOLAT_A、及び信号REOLAT_Bの内部制御信号を生成する。具体的には制御信号/REに基づいて上記内部制御信号を生成する。また、内部制御信号生成回路9は制御信号/REに基づき、図示せぬ信号REn_CLK、信号REOLATの内部制御信号を生成する。図示するように、内部制御信号生成回路9が生成した信号RE_CLKは、データラッチA1及びB1に供給される。そして、内部制御信号生成回路9が生成した信号REOLAT_AはデータラッチA2に供給され、信号REOLAT_BはデータラッチB2に供給される。これにより、メモリセルアレイ1と図示せぬホスト間でデータの転送が実行される。
<内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について(その2)>
次に、内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について図4を用いて説明する。図4は、上記図3において特にデータの書き込み時に内部制御信号生成回路9が生成する内部制御信号を示す。すなわち、入力パッド8及び入力バッファ9を介して、図示せぬホストから供給された、例えば8ビットのデータがLAT71及びLAT72からそれぞれ第1ページバッファ3、第2ページバッファ4へと転送され、その後メモリセルアレイ1にそのデータが書き込まれる。また、図1、図3と重複する部分については、説明を省略する。
次に、内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について図4を用いて説明する。図4は、上記図3において特にデータの書き込み時に内部制御信号生成回路9が生成する内部制御信号を示す。すなわち、入力パッド8及び入力バッファ9を介して、図示せぬホストから供給された、例えば8ビットのデータがLAT71及びLAT72からそれぞれ第1ページバッファ3、第2ページバッファ4へと転送され、その後メモリセルアレイ1にそのデータが書き込まれる。また、図1、図3と重複する部分については、説明を省略する。
内部制御信号生成回路9は、入力パッド13及び入力バッファ12を介して、外部から供給された制御信号に基づき、信号WE_CLK、信号WEn_A、及び信号WEn_Bの内部制御信号を生成する。具体的には制御信号/WEに基づいて上記内部制御信号を生成する。また、内部制御信号生成回路9は制御信号/WEに基づき、図示せぬ信号WEn_CLK及び信号WEnの内部制御信号を生成する。図示するように、内部制御信号生成回路9が生成した信号WE_CLKは、データラッチA1及びデータラッチB1に供給される。そして、内部制御信号生成回路9が生成した信号WEn_AはデータラッチA2に供給され、信号WEn_BはデータラッチB2に供給される。これにより、メモリセルアレイ1と図示せぬホスト間でデータの転送が実行される。以下、具体的に説明する。データラッチA2は信号WEn_Aが供給されると入力パッド13及び入力バッファ12を介して図示せぬホストから転送された、例えば8ビットのデータをデータラッチA2、すなわち自身で保持する。データラッチB2は信号WEn_Bが供給されると、入力パッド13及び入力バッファ12を介して図示せぬホストから転送された、例えば8ビットのデータをデータラッチB2、すなわち自身で保持する。
そして、データラッチA1は信号WE_CLKが供給されると、上記データラッチA2からYI/O_A1線を介して該データラッチA1に転送された、例えば8ビットのデータをそのままYI/O_A線及び第1ページバッファ3を介して、メモリセルアレイ1へと転送する。但し、データラッチA2はデータをデータラッチ1に転送した後も新たなデータを入力バッファ12から受け取らない限り、そのデータを保持し続ける。これは後述するデータラッチB2も同様である。そしてデータラッチA1についても、データラッチA1はその8ビットのデータをメモリセルアレイ1に転送した後も、データラッチA2がアサートされ、新たなデータをデータラッチA2から受け取らない限り、そのデータを保持し続ける。これは後述するデータラッチB1も同様である。
同様にデータラッチB1も信号WE_CLKが供給されると上記データラッチB2からYI/O_B1線を介して該データラッチB1に転送された、例えば8ビットのデータをそのままYI/O_B線及び第2ページバッファ4を介して、メモリセルアレイ1へと転送する。
<読み出し動作>
次に、上記構成においてNAND型フラッシュメモリが図示せぬホストへとデータを出力する際の動作について図5を用いて説明する。図5は、NAND型フラッシュメモリの読み出し動作であり、制御信号/RE、信号REn_CLK、信号REOLAT、YI/O_A線を通過するデータ、YI/O_B線を通過するデータ、信号RE_CLK、信号REOLAT_A、信号REOLAT_B、及び出力バッド12を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
次に、上記構成においてNAND型フラッシュメモリが図示せぬホストへとデータを出力する際の動作について図5を用いて説明する。図5は、NAND型フラッシュメモリの読み出し動作であり、制御信号/RE、信号REn_CLK、信号REOLAT、YI/O_A線を通過するデータ、YI/O_B線を通過するデータ、信号RE_CLK、信号REOLAT_A、信号REOLAT_B、及び出力バッド12を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
まず時刻t1において、図示せぬホストから供給された制御信号/REが‘H’レベルとされると、内部信号生成回路7が出力する信号REn_CLKが‘L’レベルとされ、信号RE_CLKが‘H’レベルとされる。この結果、第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4から転送された、例えば8ビットのデータ(図中、D1、D2と表記)が、データラッチA1、データラッチB1に保持される。そして、同時刻t1において信号REOLATが‘H’レベルとされる。これにより、信号/REの立ち上がりに応じて信号REOLAT_Aが‘H’レベルとされ、データラッチA1に保持されたデータ(D1)が、データラッチA2、出力バッファ10及び出力パッド11を介して、図示せぬホストに転送される。
そして時刻t2において、信号/REが‘L’レベルとされ、信号REOLATが‘H’レベルとされると、該信号/REに基づき、信号REOLAT_Bが‘H’レベルとされる。これにより、データラッチB1に保持されたデータ(D2)が、時刻t2のタイミングでデータラッチB2、出力バッファ10、及び出力パッド11を介して、図示せぬホストに転送される。
時刻t3において信号/REが再度‘H’レベルとされると、信号REn_CLKが‘L’レベル、信号RE_CLKが‘H’レベルとされる。これにより、第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4から転送された、例えば8ビットのデータ(図中、D3、D4と表記)が、データラッチA1及びB1に保持される。そして時刻t3において信号/REが立ち上がり、‘H’レベルとされることから、‘H’レベルとされた信号REOLATに同期して、信号REOLAT_Aが再度‘H’レベルとされる。これによりデータラッチA1に保持されているデータ(D3)が、データラッチA2、出力バッファ10及び出力パッド11を介して、図示せぬホストに転送される。
そして、時刻t4において信号/REが‘L’レベルとされ、 信号REOLATが‘H’レベルとされると、該信号/REに同期して、信号REOLAT_Bが再度‘H’レベルとされる。これによりデータラッチB1に保持されているデータ(D4)が、データラッチB2、出力バッファ10、及び出力パッド11を介して、図示せぬホストに転送される。以降、時刻t5、t6において出力バッファ10及び出力パッド11を介して、図示せぬホストに転送されるデータ(図中、D5、D6と表記)についても同様である。
<書き込み動作>
次に、上記構成においてNAND型フラッシュメモリに図示せぬホストからデータが入力される際の動作について図6を用いて説明する。つまり図6は、NAND型フラッシュメモリへのデータの書き込み動作であり、制御信号/WE、信号WEn、入力パッド13及び入力バッファ12を通過するデータ、信号WE_A、信号WE_B、信号WE_CLK、YI/O_A線を通過するデータ、及びYI/O_B線を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
次に、上記構成においてNAND型フラッシュメモリに図示せぬホストからデータが入力される際の動作について図6を用いて説明する。つまり図6は、NAND型フラッシュメモリへのデータの書き込み動作であり、制御信号/WE、信号WEn、入力パッド13及び入力バッファ12を通過するデータ、信号WE_A、信号WE_B、信号WE_CLK、YI/O_A線を通過するデータ、及びYI/O_B線を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
図示するように、まずt1において図示せぬホストから入力パッド13、入力バッファ12に、例えば8ビットのデータ(図中D1)が保持される。そして時刻t2において制御信号/WEが‘H’レベルとされると、内部制御信号生成回路9により信号WEnが‘H’レベルとされる。また、同時刻t2において、上記制御信号/WEの立ち上がりに応じて信号WEn_Aが‘H’レベルとされる。これにより、データラッチA2にデータ(D1)が保持される。
時刻t3において、図示せぬホストから入力パッド13、入力バッファ12に、例えば8ビットのデータ(図中D2)が保持される。そして時刻t4において制御信号/WEが‘L’レベルとされ、信号WEnが‘H’レベルとされる。このため、同時刻t4において、上記制御信号/WEの立ち下がりに応じて信号WEn_Bが‘H’レベルとされる。これにより、データラッチB2にデータ(D2)が保持される。
そして、同時刻t4における制御信号/WEの立ち下がりに応じて、内部制御信号生成回路9によりデータラッチA1及びB1に‘H’レベルとされた信号WE_CLKが供給される。この結果、データラッチA2からデータラッチA1、及びYI/O_A線を介してD1が第1ページバッファ3へ転送され、D2がデータラッチB2からデータラッチB1、及びYI/O_B線を介して第2パージバッファ4へと転送される。以下同様にデータ(D3乃至D6)がデータ転送制御回路7へと取り込こまれる。すなわち、時刻t6、t10において‘H’レベルとされた信号WEn_Aにより、入力バッファ12からデータラッチA2にデータ(D3、D5)が保持され、時刻t8における‘H’レベルとされた信号WE_CLKにより、該データラッチA2からデータラッチA1を介して第1ページバッファ3にデータ(D3、D5)それぞれ転送される。そしてt8、t12において‘H’レベルとされた信号WEn_Bにより第2データラッチB2に保持されたデータ(D4、D6)が、各々の同時刻t8、t12における‘H’レベルとされた信号WE_CLKにより、データラッチB1を介して第2ページバッファ4にそれぞれ転送される。
本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置であると、上記説明したように、出力パッド11及び入力パッド13が備えるデータ線の本数(本実施形態では8本、すなわち8ビットとしている)に対し、同一の本数のYI/O_A線及びYI/O_B線がそれぞれ第1ページバッファ及び第2ページバッファ4へと接続されている。すなわち、上述したように、本実施形態ではそれぞれ8本のYI/O_A線及び線YI/O_B線が形成されている。そしてデータ転送制御回路7は電流経路の一端がYI/O_A線に接続されたLAT71及びYI/O_B線に接続されたLAT72を備える。
これによりデータの読み出しにおいて、メモリセルアレイ1から転送された8ビットのデータをそれぞれLAT71及びLAT72に転送し、該LAT71及びLAT72から交互に上記8ビットのデータを出力バッファ10及び出力パッド11を介して図示せぬホストへと出力させることで、高速転送ができる。なぜなら、図示せぬホストから供給された制御信号/REの立ち上がりに同期してLAT71から出力バッファ10へとデータが出力され、制御信号/WEの立ち下がりに同期してLAT72から出力バッファ10へとデータを出力するからである。つまり、制御信号/WEの1クロックで、メモリセルアレイ1から第1、第2ページバッファ3、4で読み出された、例えば8ビットのデータが時分割でそれぞれLAT1とLAT72とから出力バッファ10及び出力パッド11へと出力されることで高速データ転送が可能となる。
他方、書き込み時においても、例えば図示せぬホストからデータが入力パッド13及び入力バッファ12を介してメモリセルアレイ1に取り込まれた例えば8ビットのデータは、その8ビットデータの状態で交互にLAT71とLAT72とに転送される。つまり、図示せぬホストから供給された制御信号/WEの立ち上がりに同期してLAT71にデータが取り込まれ、制御信号/WEの立ち下がりに同期してLAT72にデータが取り込まれる。つまり、NAND型フラッシュメモリにおいて、制御信号/WEの立ち下がりと立ち上がりに同期して、図示せぬホストから転送された、8ビットのデータをLAT71とLAT72とに振り分けることで、高速データ転送が可能となる。
[第2の実施形態]
次に本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100において、特に内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号について図7、図8を用いて説明する。図7、図8はそれぞれ内部制御信号生成回路9、データ転送制御回路7、入力パッド13、入力バッファ12、出力パッド11、及び出力バッファ10のブロック図である。まず図7を用いて説明する。
次に本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100において、特に内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号について図7、図8を用いて説明する。図7、図8はそれぞれ内部制御信号生成回路9、データ転送制御回路7、入力パッド13、入力バッファ12、出力パッド11、及び出力バッファ10のブロック図である。まず図7を用いて説明する。
<内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について(その3)>
図7は、上記第1の実施形態における不揮発性半導体記憶装置100が備える内部制御信号生成回路9が生成する信号RE_CLKの代わりに、信号RE_CLKA及び信号RE_CLKBを生成し、それぞれ信号をデータ転送制御回路7へ出力した時の様子を示したものである。なお、図1及び図3と重複する部分については、説明を省略する。
図7は、上記第1の実施形態における不揮発性半導体記憶装置100が備える内部制御信号生成回路9が生成する信号RE_CLKの代わりに、信号RE_CLKA及び信号RE_CLKBを生成し、それぞれ信号をデータ転送制御回路7へ出力した時の様子を示したものである。なお、図1及び図3と重複する部分については、説明を省略する。
内部制御信号生成回路9は、入力パッド13及び入力バッファ12を介して、外部から供給された制御信号に基づき、信号RE_CLKA、信号RE_CLKBを生成する。具体的には、制御信号/REに基づき、信号RE_CLKA及び信号RE_CLKBがそれぞれ内部制御信号として生成される。図示するように、内部制御信号生成回路9が生成した信号RE_CLKAは、データラッチA1に供給され、信号RE_CLKBはデータラッチB1に供給される。
すなわち、信号RE_CLKAが供給されることで、YI/O_A線を介して第1ページバッファ3から、例えば8ビットのデータが転送され、データラッチA1に保持される。また同様に、信号RE_CLKBが供給されることで、YI/O_B線を介して第2ページバッファ4から、例えば8ビットのデータが転送され、データラッチB1に保持される。
<内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号の詳細について(その4)>
次に、特にデータの書き込み時に内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号を、データ転送制御回路9に供給する場合について図8を用いて説明する。
次に、特にデータの書き込み時に内部制御信号生成回路7が生成する内部制御信号を、データ転送制御回路9に供給する場合について図8を用いて説明する。
図8は、上記第1の実施形態における不揮発性半導体記憶装置100が備える内部制御信号生成回路9が生成する信号WE_CLKの代わりに、信号WE_CLKA及び信号WE_CLKBを生成し、それぞれ信号をデータ転送制御回路7へ出力した時のブロック図である。なお、図1及び図4と重複する部分については、説明を省略する。
内部制御信号生成回路9は、入力パッド13及び入力バッファ12を介して、外部から供給された制御信号に基づき、信号WE_CLKA、信号WE_CLKBを生成する。具体的には、制御信号/WEに基づき、信号WE_CLKA及び信号WE_CLKBがそれぞれ内部制御信号として生成される。図示するように、内部制御信号生成回路9が生成した信号WE_CLKAは、データラッチA1に供給され、信号WE_CLKBはデータラッチB1に供給される。
すなわち、信号WE_CLKAが供給されることで、データラッチA2が保持する例えば8ビットのデータが、データラッチA1へと転送され、その後、該データラッチA1を介して第1ページバッファ3へと転送される。また同様に、信号WE_CLKBが供給されることで、データラッチB2が保持する例えば8ビットのデータが、データラッチB1へと転送され、その後、該データラッチB1を介して第2ページバッファ4へと転送される。
<読み出し動作>
次に、本実施形態に係る構成においてNAND型フラッシュメモリが図示せぬホストへとデータを出力する際の動作について図9を用いて説明する。図9は、NAND型フラッシュメモリの読み出し動作であり、制御信号/RE、信号REn_CLK、信号REOLAT、YI/O_A線を通過するデータ、YI/O_B線を通過するデータ、信号RE_CLKA、信号RE_CLKB、信号REOLAT_A、信号REOLAT_B、及び出力バッド12を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。また、本実施形態に係るデータ転送制御回路9では、内部制御信号生成回路7が生成する信号RE_CLKA及び信号RE_CLKBが立ち下がることで、データラッチA1及びB1に、例えば8ビットのデータが保持される。なお、上記第1の実施形態で説明した読み出し動作と重複する動作については説明を省略する。
次に、本実施形態に係る構成においてNAND型フラッシュメモリが図示せぬホストへとデータを出力する際の動作について図9を用いて説明する。図9は、NAND型フラッシュメモリの読み出し動作であり、制御信号/RE、信号REn_CLK、信号REOLAT、YI/O_A線を通過するデータ、YI/O_B線を通過するデータ、信号RE_CLKA、信号RE_CLKB、信号REOLAT_A、信号REOLAT_B、及び出力バッド12を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。また、本実施形態に係るデータ転送制御回路9では、内部制御信号生成回路7が生成する信号RE_CLKA及び信号RE_CLKBが立ち下がることで、データラッチA1及びB1に、例えば8ビットのデータが保持される。なお、上記第1の実施形態で説明した読み出し動作と重複する動作については説明を省略する。
まず、時刻t1において制御信号/REの立ち上がりに応じてデータラッチA1に供給される信号RE_CLKAが、‘L’レベルとされる。そして、同時刻t1において制御信号/REの立ち上がりに応じてデータラッチA2に‘H’レベルの信号REOLAT_Aが供給される。これにより、時刻t1において第1ページバッファ3からデータラッチA1に転送されたデータ(図中、D1と表記)は、該データラッチA1からデータラッチA2を介して、出力バッファ10へと転送される。
次に、時刻t2において制御信号/REの立ち下がりに応じてデータラッチB1に供給される信号RE_CLKBが、‘L’レベルとされる。そして、同時刻t2において制御信号/REの立ち下がりに応じてデータラッチB2に‘H’レベルの信号REOLAT_Bが供給される。これにより、時刻t2において第2ページバッファ4からデータラッチB1に転送されたデータ(図中、D2と表記)は、該データラッチB1からデータラッチB2を介して、出力バッファ10へと転送される。
以下、同様に時刻t3及びt5においてデータ(図中、D3、D5と表記)が第1ページバッファ3からデータラッチA1、A2を介して出力バッファ10へと転送され、時刻t4及びt6においてデータ(図中、D4、D6と表記)が第2ページバッファ4からデータラッチB1、B2を介して出力バッファ10へと転送される。
<書き込み動作>
次に、本実施形態に係る構成においてNAND型フラッシュメモリに図示せぬホストからデータが入力される際の動作について図10を用いて説明する。図10は、NAND型フラッシュメモリへのデータの書き込み動作であり、制御信号/WE、信号WEn、信号WE_CLK、入力パッド13及び入力バッファ12を通過するデータ、信号WE_A、信号WE_B、信号WE_CLKA、信号WE_CLKB、YI/O_A線を通過するデータ、及びYI/O_B線を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
次に、本実施形態に係る構成においてNAND型フラッシュメモリに図示せぬホストからデータが入力される際の動作について図10を用いて説明する。図10は、NAND型フラッシュメモリへのデータの書き込み動作であり、制御信号/WE、信号WEn、信号WE_CLK、入力パッド13及び入力バッファ12を通過するデータ、信号WE_A、信号WE_B、信号WE_CLKA、信号WE_CLKB、YI/O_A線を通過するデータ、及びYI/O_B線を通過するデータのタイムチャートである。縦軸に上記各信号及びデータを取り、横軸に時間tを取る。
また、データの書き込み時において本実施形態に係るデータ転送制御回路9は、図示せぬホストから転送された、例えば8ビットのデータをデータラッチA2及びB2に保持した後、信号WE_CLKA及び信号WE_CLKBに同期して交互に該データを第1ページバッファ3と第2ページバッファ4へと交互に転送するものである。なお、上記第1の実施形態で説明した書き込み動作と重複する動作については説明を省略する。
時刻t4において制御信号/WEの立ち上がりに応じて、データラッチA1に供給される信号WE_CLKAが‘H’レベルとされる。これにより、データラッチA1に、例えば8ビットのデータ(図中、D1と表記)が保持され、そのデータはYI/O_A線を介して第1ページバッファ3へと転送される。そして、時刻t6において制御信号/WEの立ち上がりに応じて、データラッチB1に供給される信号WE_CLKBが‘H’レベルとされる。これにより、データラッチB1に、例えば8ビットのデータ(図中、D2と表記)が保持され、YI/O_B線を介して第2ページバッファ4へと転送される。
以下、同様に時刻t8及びt12においてデータ(図中、D3、D5と表記)がデータラッチA1、及びYI/O_A線を介して第1ページバッファ3へと転送され、時刻t10及びt14においてデータ(図中、D4、D6と表記)がデータラッチB1、及びYI/O_B線を介して第2ページバッファ4へと転送される。
本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置であっても、上記第1の実施形態と同様、高速データ転送が可能となる。つまり、データ転送制御回路7が上記第1実施形態と同一構成において、第1ページバッファ3からのデータ(D1、D3、D5)読み出し並びに第2ページバッファ4からのデータ(D2、D4、D6)読み出しを交互に実行することで高速データ転送が可能となる。つまり、制御信号/REの立ち上がりで、信号RE_CLKAを‘L’レベルとすると同時に信号REOLAT_Aを‘H’レベルとすることで、第1ページバッファ3から読み出したデータ(D1、D3、D5)を出力バッファ10及び出力パッド11を介して図示せぬホストへ転送する。その後、制御信号/REの立ち下がりで、信号RE_CLKBを‘L’レベルとすると同時に信号REOLAT_Bを‘H’レベルとすることで、第2ページバッファ4から読み出したデータ(D2、D4、D6)を出力バッファ10及び出力パッド11を介して図示せぬホストへ転送する。以上より、本実施形態に係る不揮発性半導体装置であっても、データの読み出し時において制御信号/REの1クロックで第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4のデータをそれぞれ読み出すことが出来るため高速データ転送が可能となる。
また、データの書き込み時において、データ転送制御回路7へと取り込んだ、例えば8ビットのデータを、交互にYI/O_A線及びYI/O_B線に転送することで高速転送が可能となる。つまり、制御信号/WEの立ち上がりで生成される信号WE_CLKA及び制御信号/WEの立ち下がりで生成される信号WE_CLKBを用いることで、交互にYI/O_A線及びYI/O_B線に転送することが出来、高速転送が可能となる。
<変形例その1>
次に本発明の実施形態の変形例その1に係る不揮発性半導体記憶装置100について図11を用いて説明する。本実施形態の変形例その1に係る不揮発性半導体記憶装置の一例として上記同様NAND型フラッシュメモリを挙げる。図11は、図2においてNAND型フラッシュメモリが備えるメモリセルアレイ1が保持可能とされるデータを一旦保持するページバッファが1つ形成されたブロック図である。すなわち、メモリセルアレイ1には第1ページバッファ3´が形成され、メモリセルアレイ1´には第2ページバッファ4´が形成された構成とされる。換言すれば、ページバッファは、上記第1、第2実施形態ではビット線BLを共通にする複数のブロックBLKを含むメモリセルアレイにつき2個設けられていたのに対し、本変形例では1つだけ設けられている。
次に本発明の実施形態の変形例その1に係る不揮発性半導体記憶装置100について図11を用いて説明する。本実施形態の変形例その1に係る不揮発性半導体記憶装置の一例として上記同様NAND型フラッシュメモリを挙げる。図11は、図2においてNAND型フラッシュメモリが備えるメモリセルアレイ1が保持可能とされるデータを一旦保持するページバッファが1つ形成されたブロック図である。すなわち、メモリセルアレイ1には第1ページバッファ3´が形成され、メモリセルアレイ1´には第2ページバッファ4´が形成された構成とされる。換言すれば、ページバッファは、上記第1、第2実施形態ではビット線BLを共通にする複数のブロックBLKを含むメモリセルアレイにつき2個設けられていたのに対し、本変形例では1つだけ設けられている。
ここで第1ページバッファ3´及び第2ページバッファ4´の構成はそれぞれ第1ページバッファ3及び第2ページバッファ4と同一である。また上記以外の構成は、上記第1、第2の実施形態と同一であるため、説明を省略する。また、本発明の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置100において、データの読み出し時及び書き込み時における制御方法も上記第1の実施形態または第2の実施形態のうちいずれかの方法で実行されるため、説明を省略する。つまり、図11に示すような構成であっても、データの書き込み時及び読み出し時において、上記第1の実施形態または第2の実施形態のいずれかと同一のデータ転送を実行する。
すなわち、上記第1、第2の実施形態と同様に、読み出し時においてメモリセルアレイ1から読み出された、例えば8ビットのデータを第1ページバッファ3´を介してLAT71に転送し、メモリセルアレイ1´から読み出された、例えば8ビットのデータを第2ページバッファ4´を介してLAT72に転送する。
同様にデータの書き込み時においても、上記第1、第2の実施形態と同様に入力パッド13及び入力バッファ12から転送された、例えば8ビットのデータをLAT71を介して第1ページバッファ1´へと転送し、LAT72を介して第2ページバッファ2´へと転送する。
以上のように、変形例に係る不揮発性半導体記憶装置であっても、上記第1、第2の実施形態と同様、高速データ転送が可能となる。
<変形例その2>
次に本発明の実施形態の変形例その2に係る不揮発性半導体記憶装置100の説明をする。本実施形態の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置は、上記第1、第2の実施形態及びその変形例その1に対するものであり、入出力バッファ10、11及び入出力パッド11、13が備える信号線I/Oが、8本の倍の数だけ形成されているものである。つまり、信号線I/Oが16本(16 bit分)形成され、YI/O_A線及びYI/O_B線もそれぞれ16本形成された場合である。
次に本発明の実施形態の変形例その2に係る不揮発性半導体記憶装置100の説明をする。本実施形態の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置は、上記第1、第2の実施形態及びその変形例その1に対するものであり、入出力バッファ10、11及び入出力パッド11、13が備える信号線I/Oが、8本の倍の数だけ形成されているものである。つまり、信号線I/Oが16本(16 bit分)形成され、YI/O_A線及びYI/O_B線もそれぞれ16本形成された場合である。
この場合、バッファユニットBU3mの電流経路の一端に、信号線SEL3(l−16)乃至信号線SEL3lが接続され、他端にはI/O_A線(l−16)乃至I/O_A線16が接続される。そして、データ選択部31がバッファユニットBU3のうちいずれか1つを選択することで、16ビットのデータが図示せぬホストとやり取りされる。
同様に、バッファユニットBU4mの電流経路の一端に、信号線SEL4(l−16)乃至信号線SEL4lが接続され、他端にはI/O_A線(l−16)乃至I/O_A線16が接続される。そして、データ選択部41がバッファユニットBU4のうちいずれか1つを選択することで、16ビットのデータが図示せぬホストとやり取りされる。
また、バッファユニットBU3mの電流経路の一端に、信号線SEL3(l−8)乃至信号線SEL3lが接続され、他端にはI/O_A線(l−8)乃至I/O_A線lが接続されている場合には、データ選択部31がバッファユニットBU3のうちいずれか2つを選択することで、16ビットのデータが図示せぬホストとやり取りされる。バッファユニットBU4mについても同様である。なお、これらの場合、NANDストリング11は、例えば32個以上のメモリセルトランジスタMTから形成される。
なお、上記変形例その2では、信号線I/O、YI/O_A線、及びYI/O_B線がそれぞれ16本の場合について説明したが、32本、64本でもあってよく、その本数に限られない。そして、この場合においてもNANDストリング11を形成するメモリセルトランジスタMTの個数は信号線I/O、YI/O_A線、及びYI/O_B線の本数に応じた個数とされる。
以上のように、変形例に係る不揮発性半導体記憶装置であっても、上記第1、第2の実施形態及びその変形例と同様、高速データ転送が可能となる。
なお、上記実施形態ではデータ転送制御回路9はLAT71とLAT72とを備えていたが、いずれか1つでもよい。この場合、内部制御信号WEn及びREOLATを用いてデータ転送制御回路9に形成されたいずれかのLATを制御すればよい。
なお、メモリセルトランジスタMTはFG型でもよい。FG型の場合には、積層ゲートは半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層(浮遊ゲート:導電層)と、浮遊ゲート上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲートとを含む。
またなお、メモリセルアレイ1は上記NAND型でなく、NOR型でもよい。更に、上記実施形態は、不揮発性半導体記憶装置にのみ実施可能とされず、LSIなどの半導体装置においても実施可能とされる。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…メモリセルアレイ、2…ロウ制御回路、3…第1ページバッファ、4…第2ページバッファ、5…カラム制御回路、6…ブロック制御回路、7…データ転送制御回路、8…制御回路、9…内部制御信号生成回路、10…出力バッファ、11…出力パッド、12…入力バッファ、13…入力パッド、14、15…センスアンプ、71、72…LAT
Claims (5)
- 電気蓄積層と制御ゲートとを備え、電流経路が直列接続されるメモリセルを複数含むメモリセルストリングと、
各々がいずれかの前記メモリセルストリングの電流経路の一端に接続された第1、第2ビット線と、
前記第1ビット線に接続され、第1ビット数の第1データを保持可能な第1バッファと、
前記第2ビット線に接続され、前記第1ビット数の第2データを保持可能な第2バッファと、
第1ラッチ、第2ラッチを備え、前記第1、第2バッファが保持する前記第1、第2データをそれぞれ外部端子へと出力するタイミングを、外部信号に基づいて生成される第1内部信号、前記外部信号の立ち上がりで生成される第2内部信号、及び前記外部信号の立ち下がりで生成される第3内部信号により制御するデータ転送制御部と
を具備し、前記データ転送制御部は、前記第1内部信号に同期して前記第1、第2バッファが保持する前記第1データ及び前記第2データを前記第1ラッチで保持させ、前記第2内部信号に同期し前記第1ラッチが保持する前記第1データを前記第2ラッチを介して前記外部端子へと転送させた後、前記第3内部信号に同期させて前記第2データを前記第2ラッチを介して前記外部端子へと転送することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 電気蓄積層と制御ゲートとを備え、電流経路が直列接続されるメモリセルを複数含むメモリセルストリングと、
各々がいずれかの前記メモリセルストリングの電流経路の一端に接続された第1、第2ビット線と、
前記第1ビット線に接続され、第1ビット数の第1データを保持可能な第1バッファと、
前記第2ビット線に接続され、前記第1ビット数の第2データを保持可能な第2バッファと、
第1ラッチ、第2ラッチを備え、前記第1、第2バッファが保持する前記第1、第2データをそれぞれ前記メモリセルへと書き込むタイミングを、外部信号に基づいて生成される第1内部信号、前記外部信号の立ち上がりで生成される第2内部信号、及び前記外部信号の立ち下がりで生成される第3内部信号により制御するデータ転送制御部と
を具備し、前記データ転送制御部は、前記第2内部信号に同期させて外部端子から入力された前記第1データを、前記第1ラッチで保持させつつ、前記第3内部信号に同期させて外部端子から入力された前記第2データを前記第1ラッチへと転送で保持させた後、前記第1内部信号に同期させて前記第1データ及び前記第2データを前記第2ラッチを介して前記第1バッファ及び前記第2バッファへと転送する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1バッファは、第1選択部と前記第1データを保持可能な複数の第1バッファユニットとを備え、
前記第2バッファは、第2選択部と前記第2データを保持可能な複数の第2バッファユニットとを備え、
前記第1、第2選択部は前記第1、第2バッファユニットを選択することで、前記第1ビット数の前記第1、第2データを前記データ転送制御部に転送する
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記外部信号に基づき前記第1内部信号として第4内部信号及び第5内部信号が生成され、
前記第1ラッチは前記第1データを保持可能とし、前記第4内部信号が供給される第3ラッチユニット及び前記第2データを保持可能とし、前記第5内部信号が供給される第4ラッチユニットを備え、
前記データ転送制御部は、前記外部端子へと出力される前記第1ビット数単位で、前記第4内部信号に同期して前記第1バッファから転送された前記第1データを前記第3ラッチユニットへ保持させた後、前記第5内部信号に同期して前記第2バッファから転送された前記第2データを前記第4ラッチユニットに保持させる
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記外部信号に基づき前記第1内部信号として第4内部信号及び第5内部信号が生成され、
前記第2ラッチは前記第1データを保持可能とし、前記第4内部信号が供給される第3ラッチユニット及び前記第2データを保持可能とし、前記第5内部信号が供給される第4ラッチユニットを備え、
前記データ転送制御部は、前記第4内部信号に同期して前記第1データを第3ラッチユニット及び第1バッファを介して前記メモリセルアレイへと入力させた後、前記第5内部信号に同期して前記第2データを第4ラッチユニット及び第2バッファを介して前記メモリセルアレイへと入力させる
ことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013118031A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Winbond Electronics Corp | 不揮発性半導体メモリおよびそのデータの読出し方法 |
TWI497495B (zh) * | 2012-07-02 | 2015-08-21 | Winbond Electronics Corp | 用於讀取nand快閃記憶體的方法和設備 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110041039A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Eliyahou Harari | Controller and Method for Interfacing Between a Host Controller in a Host and a Flash Memory Device |
US20110041005A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Selinger Robert D | Controller and Method for Providing Read Status and Spare Block Management Information in a Flash Memory System |
JP2012203929A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
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US9922707B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195296A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-07-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2001067864A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2001202780A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003007069A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および半導体集積回路装置 |
JP2003508840A (ja) * | 1999-09-02 | 2003-03-04 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド | データ出力のための二データ速度方式 |
JP2006040518A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | データ出力時にddr動作を行う不揮発性メモリ装置及びデータ出力方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0140179B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1998-07-15 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리 |
JP2000067577A (ja) | 1998-06-10 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP5016888B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195296A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-07-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2001067864A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2003508840A (ja) * | 1999-09-02 | 2003-03-04 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド | データ出力のための二データ速度方式 |
JP2001202780A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003007069A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および半導体集積回路装置 |
JP2006040518A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | データ出力時にddr動作を行う不揮発性メモリ装置及びデータ出力方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013118031A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Winbond Electronics Corp | 不揮発性半導体メモリおよびそのデータの読出し方法 |
TWI497495B (zh) * | 2012-07-02 | 2015-08-21 | Winbond Electronics Corp | 用於讀取nand快閃記憶體的方法和設備 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR101098708B1 (ko) | 2011-12-23 |
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