JP4493563B2 - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
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Description
[参考例1]
[参考例2]
110 半導体素子
120 電極
130 保護膜
140,210,530,560 配線
150 端子
160 樹脂層
200 基板
300 放熱膜
400 供給源
500 ベース基板
510,550 絶縁層
520 電子部品
540 導電体
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された絶縁層と、
前記基板上に搭載され、前記絶縁層中に位置した半導体装置と、
前記絶縁層上に形成され、前記半導体装置と電気的に接続された配線パターンと、
前記配線パターン上および前記絶縁層上に形成された放熱膜とを有することを特徴とする半導体装置の実装構造。 - 前記半導体装置は樹脂封止層と該樹脂封止層から突出した複数の端子とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の実装構造。
- 前記基板上には、前記半導体装置の他に電子部品が搭載されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の実装構造。
- 前記絶縁層の材料には樹脂が用いられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の実装構造。
- 前記放熱膜には、セラミックスを含有する熱放射膜が用いられることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の実装構造。
- 前記放熱膜は、前記絶縁層の上面において、その全面にわたり形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の実装構造。
- 前記放熱膜には、開口部が設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の実装構造。
- 前記基板の前記半導体装置が搭載された面とは反対側の面上に、放熱膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体装置の実装構造。
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