JPH10135383A - 電子部品搭載基板およびこれを備えた電子機器 - Google Patents
電子部品搭載基板およびこれを備えた電子機器Info
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- JPH10135383A JPH10135383A JP8288023A JP28802396A JPH10135383A JP H10135383 A JPH10135383 A JP H10135383A JP 8288023 A JP8288023 A JP 8288023A JP 28802396 A JP28802396 A JP 28802396A JP H10135383 A JPH10135383 A JP H10135383A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の金属層からの放熱量が不十分だと、電
子部品の動作クロックを下げて温度を低下させる必要が
ある。 【解決手段】 基板表面側に電子部品１が実装され、基
板裏面側に電子部品の熱が伝えられる金属層１２が形成
された電子部品搭載基板において、上記金属層の表面
に、電気絶縁性を有しかつ金属層の材料よりも赤外線放
射率が高い材料、例えば赤外線放射率ε＝０．９以上で
あるセラミック含有塗料の熱放射膜１３を形成する。
子部品の動作クロックを下げて温度を低下させる必要が
ある。 【解決手段】 基板表面側に電子部品１が実装され、基
板裏面側に電子部品の熱が伝えられる金属層１２が形成
された電子部品搭載基板において、上記金属層の表面
に、電気絶縁性を有しかつ金属層の材料よりも赤外線放
射率が高い材料、例えば赤外線放射率ε＝０．９以上で
あるセラミック含有塗料の熱放射膜１３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装された電子部
品の放熱を行う電子部品搭載基板および電子機器に関す
るものである。
品の放熱を行う電子部品搭載基板および電子機器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を実装する基板には、部品実装
側（表面側）に電子部品に対して信号を入出力するため
の金属箔（銅箔）パターンが形成され、基板裏面側に放
熱用の金属箔（銅箔）層が形成されているものがある。
このような基板では、電子部品自体や金属箔パターンと
金属箔層とを基板を貫通する金属体で熱的に接続し、金
属箔層から電子部品の放熱を行なっていた。
側（表面側）に電子部品に対して信号を入出力するため
の金属箔（銅箔）パターンが形成され、基板裏面側に放
熱用の金属箔（銅箔）層が形成されているものがある。
このような基板では、電子部品自体や金属箔パターンと
金属箔層とを基板を貫通する金属体で熱的に接続し、金
属箔層から電子部品の放熱を行なっていた。
【０００３】具体的に従来の電子部品搭載基板を図６を
用いて説明する。基板３１は、基材３０と、この基材３
０の表面側にエポキシ系樹脂２８により接着された半田
ランド（銅箔パターン）２４と、基材３０の裏面側に形
成された銅箔層３２と、さらに銅箔層３２を絶縁するた
めに銅箔層３２の表面に塗布されたソルダーレジスト等
の有機被膜３３と有して構成されている。
用いて説明する。基板３１は、基材３０と、この基材３
０の表面側にエポキシ系樹脂２８により接着された半田
ランド（銅箔パターン）２４と、基材３０の裏面側に形
成された銅箔層３２と、さらに銅箔層３２を絶縁するた
めに銅箔層３２の表面に塗布されたソルダーレジスト等
の有機被膜３３と有して構成されている。
【０００４】半田ランド２４には、ＩＣ２１のパッケー
ジ２３から延びるリード２２が半田２５により接合され
ており、パッケージ２３の下面には、基材３０にこれを
貫通するよう取り付けられた複数の金属体２６の上面が
熱伝導性の高い接着剤２７によって接着されている。
ジ２３から延びるリード２２が半田２５により接合され
ており、パッケージ２３の下面には、基材３０にこれを
貫通するよう取り付けられた複数の金属体２６の上面が
熱伝導性の高い接着剤２７によって接着されている。
【０００５】このように構成されたれ電子部品搭載基板
によれば、ＩＣ２１が電力を消費することにより発生す
る熱は、接着剤２７および金属体２６を介して銅箔層３
２に伝えられる。そして、この銅箔層３２から放熱され
るので、特別な放熱板を用いることなく電子部品の放熱
を行うことができる。
によれば、ＩＣ２１が電力を消費することにより発生す
る熱は、接着剤２７および金属体２６を介して銅箔層３
２に伝えられる。そして、この銅箔層３２から放熱され
るので、特別な放熱板を用いることなく電子部品の放熱
を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
ＣＰＵ，ＭＰＵ等の電子部品に対する高速処理の要請に
伴い、これら部品の動作クロックの周波数が高くなる
と、これら電子部品からの発熱量も多くなり、放熱量を
より多くするための工夫が必要となる。
ＣＰＵ，ＭＰＵ等の電子部品に対する高速処理の要請に
伴い、これら部品の動作クロックの周波数が高くなる
と、これら電子部品からの発熱量も多くなり、放熱量を
より多くするための工夫が必要となる。
【０００７】一般に、このような電子部品搭載基板を備
えたコンピュータ等の電子機器では、基板の熱を熱伝導
や熱伝達により筐体等に逃がす方法を用いている。但
し、電子部品搭載基板の発熱温度は通常５０〜８０℃の
温度範囲にあって電子機器の周囲温度との差が小さいた
め、十分な放熱を行えないことが多い。
えたコンピュータ等の電子機器では、基板の熱を熱伝導
や熱伝達により筐体等に逃がす方法を用いている。但
し、電子部品搭載基板の発熱温度は通常５０〜８０℃の
温度範囲にあって電子機器の周囲温度との差が小さいた
め、十分な放熱を行えないことが多い。
【０００８】また、電子部品の過熱を防止するため、一
時的に電子部品の動作クロックを下げる制御を行う場合
がある。但し、十分な放熱量がないと、電子部品の温度
が下がるまでに長時間を要することになり、その間遅い
処理スピードでの電子機器の使用を強いられることにな
る。
時的に電子部品の動作クロックを下げる制御を行う場合
がある。但し、十分な放熱量がないと、電子部品の温度
が下がるまでに長時間を要することになり、その間遅い
処理スピードでの電子機器の使用を強いられることにな
る。
【０００９】そこで、本願発明は、基板裏面側の金属層
の絶縁性を保ちつつ、実装電子部品の放熱をより効率的
に行なうことができ、できるだけ速い電子部品の処理ス
ピードを維持できるようにした電子部品搭載用基板およ
びこれを備えた電子機器を提供することを目的としてい
る。
の絶縁性を保ちつつ、実装電子部品の放熱をより効率的
に行なうことができ、できるだけ速い電子部品の処理ス
ピードを維持できるようにした電子部品搭載用基板およ
びこれを備えた電子機器を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本願発明では、基板表面側に電子部品が実装さ
れ、基板裏面側に電子部品の熱が伝えられる金属層が形
成された電子部品搭載基板において、上記金属層の表面
に、電気絶縁性を有しかつ金属層の材料よりも赤外線放
射率が高い材料、例えば赤外線放射率ε＝０．９以上で
あるセラミック含有塗料の熱放射膜を形成している。
めに、本願発明では、基板表面側に電子部品が実装さ
れ、基板裏面側に電子部品の熱が伝えられる金属層が形
成された電子部品搭載基板において、上記金属層の表面
に、電気絶縁性を有しかつ金属層の材料よりも赤外線放
射率が高い材料、例えば赤外線放射率ε＝０．９以上で
あるセラミック含有塗料の熱放射膜を形成している。
【００１１】すなわち、金属層の表面に有機被膜を形成
した従来の基板においてほとんど考慮されていなかった
金属層を覆う絶縁膜からの熱放射（物体が電磁波の形で
エネルギーを放出する現象）を積極的に行わせることに
より、金属層からの放熱量を増大させ、放熱をより効率
的に行わせるようにしている。
した従来の基板においてほとんど考慮されていなかった
金属層を覆う絶縁膜からの熱放射（物体が電磁波の形で
エネルギーを放出する現象）を積極的に行わせることに
より、金属層からの放熱量を増大させ、放熱をより効率
的に行わせるようにしている。
【００１２】なお、熱放射層を形成するには、セラミッ
ク含有塗料等を金属層の表面に溶射塗布する等の方法を
採ればよい。
ク含有塗料等を金属層の表面に溶射塗布する等の方法を
採ればよい。
【００１３】また、熱放射膜の厚さを５μｍ以上とし
て、下地となる金属層の影響によって熱放射膜の赤外線
放射率が低下するのを防止するのが望ましい。
て、下地となる金属層の影響によって熱放射膜の赤外線
放射率が低下するのを防止するのが望ましい。
【００１４】そして、本願発明では、このような電子部
品搭載基板を備えることにより、高速処理が可能で、か
つ電子部品の過熱による故障等の少ない電子機器を実現
することができるようにしている。
品搭載基板を備えることにより、高速処理が可能で、か
つ電子部品の過熱による故障等の少ない電子機器を実現
することができるようにしている。
【００１５】
（第１実施形態）図１には本願発明の第１実施形態であ
る電子部品搭載基板を示している。図１において、１１
は基板である。この基板１１は、基材１０と、この基材
１０の表面側にエポキシ系樹脂８により接着された半田
ランド（銅箔パターン）４と、基材１０の裏面側に形成
された銅箔層１２と、さらに銅箔層１２の表面に形成さ
れた熱放射膜１３とを有して構成されている。
る電子部品搭載基板を示している。図１において、１１
は基板である。この基板１１は、基材１０と、この基材
１０の表面側にエポキシ系樹脂８により接着された半田
ランド（銅箔パターン）４と、基材１０の裏面側に形成
された銅箔層１２と、さらに銅箔層１２の表面に形成さ
れた熱放射膜１３とを有して構成されている。
【００１６】半田ランド４には、ＩＣ１のパッケージ３
から延びるリード２が半田５により接合されており、パ
ッケージ３の下面には、基材１０にこれを貫通するよう
取り付けられた複数の金属体６の上面が熱伝導性の高い
接着剤７によって接着されている。
から延びるリード２が半田５により接合されており、パ
ッケージ３の下面には、基材１０にこれを貫通するよう
取り付けられた複数の金属体６の上面が熱伝導性の高い
接着剤７によって接着されている。
【００１７】このように構成されたれ電子部品搭載基板
によれば、ＩＣ１が電力を消費することにより発生する
熱は、接着剤７および金属体６を介して銅箔層１２に伝
えられる。そして、この銅箔層２９から熱伝導や熱伝達
による放熱が行われるとともに熱放射膜１３から熱放射
が行われるので、熱放射膜がない従来の基板に比べて効
率よくＩＣ１の放熱を行わせることができる。
によれば、ＩＣ１が電力を消費することにより発生する
熱は、接着剤７および金属体６を介して銅箔層１２に伝
えられる。そして、この銅箔層２９から熱伝導や熱伝達
による放熱が行われるとともに熱放射膜１３から熱放射
が行われるので、熱放射膜がない従来の基板に比べて効
率よくＩＣ１の放熱を行わせることができる。
【００１８】ここで、本実施形態の効果を確認するため
に行った実験例を図２を用いて説明する。ここでは、ア
ルミの平板（基板１１における銅箔層１２に相当する）
の表面に黒体スプレーを施して赤外線放射率の高い状態
にしたものを用いて実験している。
に行った実験例を図２を用いて説明する。ここでは、ア
ルミの平板（基板１１における銅箔層１２に相当する）
の表面に黒体スプレーを施して赤外線放射率の高い状態
にしたものを用いて実験している。
【００１９】３０１はＩＣ１の代わりに用いた発熱体
（例えば、セメント抵抗）であり、３０２は発熱体３０
１を発熱させるための電源である。３０３は発熱体３０
１を表面（図３では下面）に取り付けた放熱板（基板１
１に相当する）であり、本実験では、裏面に何ら表面処
理を施さないアルミ平板（地アルミ）と、裏面に黒体ス
プレーを施して赤外線放射率の高い状態にしたアルミ平
板（黒体処理アルミ）とを用意した。
（例えば、セメント抵抗）であり、３０２は発熱体３０
１を発熱させるための電源である。３０３は発熱体３０
１を表面（図３では下面）に取り付けた放熱板（基板１
１に相当する）であり、本実験では、裏面に何ら表面処
理を施さないアルミ平板（地アルミ）と、裏面に黒体ス
プレーを施して赤外線放射率の高い状態にしたアルミ平
板（黒体処理アルミ）とを用意した。
【００２０】３０４は発熱体３０１に加えた電圧を測定
する電圧計であり、３０５は発熱体３０１に流れた電流
を測定する電流計である。３０６は異った２種の金属線
からなる複数の熱電対であり、本実験ではこれら熱電対
３０６を放熱板３０３の中心線上に不図示の熱伝導接着
剤で接着した。３０７は各熱電対３０６の電位差を温度
に変換する温度測定器である。
する電圧計であり、３０５は発熱体３０１に流れた電流
を測定する電流計である。３０６は異った２種の金属線
からなる複数の熱電対であり、本実験ではこれら熱電対
３０６を放熱板３０３の中心線上に不図示の熱伝導接着
剤で接着した。３０７は各熱電対３０６の電位差を温度
に変換する温度測定器である。
【００２１】そして、本実験は以下の条件で行った。
【００２２】（実験条件） ・放熱板の大きさ：２００ｍｍ（長さ）×７０ｍｍ
（幅）×０．５〜５ｍｍ（厚さ） ・放熱板の材質：Ａｌ（９９％）の圧延材 ・セメント抵抗の発熱量：７．８Ｗ ・周囲温度：２５℃ ・表面処理条件：赤外線放射塗料（放射率ε＝０．９
５）を厚さ３０ｍμで塗布 但し、Ａｌの放射率はε＝０．１ なお、実験は装置を室内に放置した状態で行なった。も
ちろん、実際のことを考えると、ノートパソコンサイズ
等の筐体内に装置を実装して実験を行なうべきである
が、本実験では具体的な温度よりも赤外線放射率の高い
塗料を塗布した場合の定性的変化を確かめることが目的
であったため、装置を室内に放置した状態で行なった。
（幅）×０．５〜５ｍｍ（厚さ） ・放熱板の材質：Ａｌ（９９％）の圧延材 ・セメント抵抗の発熱量：７．８Ｗ ・周囲温度：２５℃ ・表面処理条件：赤外線放射塗料（放射率ε＝０．９
５）を厚さ３０ｍμで塗布 但し、Ａｌの放射率はε＝０．１ なお、実験は装置を室内に放置した状態で行なった。も
ちろん、実際のことを考えると、ノートパソコンサイズ
等の筐体内に装置を実装して実験を行なうべきである
が、本実験では具体的な温度よりも赤外線放射率の高い
塗料を塗布した場合の定性的変化を確かめることが目的
であったため、装置を室内に放置した状態で行なった。
【００２３】このような条件の下、放熱板３０３の温度
変化を図３に示す。この図において、縦軸は放熱板３０
３の中心線上の温度から放熱板３０３の平均温度上昇値
を計算で求めた値を示し、横軸は放熱板３０３の厚さを
示す。また、図中■は地アルミを放熱板３０３として用
いた場合を示し、◆は黒体処理アルミを放熱板３０３と
して用いた場合を示している。
変化を図３に示す。この図において、縦軸は放熱板３０
３の中心線上の温度から放熱板３０３の平均温度上昇値
を計算で求めた値を示し、横軸は放熱板３０３の厚さを
示す。また、図中■は地アルミを放熱板３０３として用
いた場合を示し、◆は黒体処理アルミを放熱板３０３と
して用いた場合を示している。
【００２４】この実験結果から分かるように、黒体処理
アルミを用いた場合には、地アルミを用いた場合よりも
放熱板３０３の平均温度は約１０℃高くなった。すなわ
ち、赤外線放射率の高い塗料の熱放射膜を形成すること
により、放熱板３０３の温度は高くなり、放熱量が増加
した。したがって、上記実施形態の基板１１に熱放射膜
１３を形成すれば、これを形成しない場合よりもＩＣ１
の温度を下げることができる。
アルミを用いた場合には、地アルミを用いた場合よりも
放熱板３０３の平均温度は約１０℃高くなった。すなわ
ち、赤外線放射率の高い塗料の熱放射膜を形成すること
により、放熱板３０３の温度は高くなり、放熱量が増加
した。したがって、上記実施形態の基板１１に熱放射膜
１３を形成すれば、これを形成しない場合よりもＩＣ１
の温度を下げることができる。
【００２５】ところで、上記実施形態において特に塗装
について説明したのは、塗装そのものはすべての金属箔
に適用し得るからである。また、塗料の種類は多いが、
本実施形態では、赤外線放射率が高く、電気絶縁性を有
する等の要求特性に応じたものが選択される。赤外線放
射率が特に高く（０．９以上）かつ絶縁性のある塗料と
しては、セラミック粉末（アルミナ等）を分散させた塗
料がある。
について説明したのは、塗装そのものはすべての金属箔
に適用し得るからである。また、塗料の種類は多いが、
本実施形態では、赤外線放射率が高く、電気絶縁性を有
する等の要求特性に応じたものが選択される。赤外線放
射率が特に高く（０．９以上）かつ絶縁性のある塗料と
しては、セラミック粉末（アルミナ等）を分散させた塗
料がある。
【００２６】さらに、塗料の厚さは塗料の種類にもよる
が、一般に５μｍ以上がよいと考えられる。これは、厚
さが５μｍ以下では下地の影響等により赤外線放射率が
低下する傾向にあるためである。
が、一般に５μｍ以上がよいと考えられる。これは、厚
さが５μｍ以下では下地の影響等により赤外線放射率が
低下する傾向にあるためである。
【００２７】なお、セラミック含有塗料の塗布の他に、
セラミックの溶射や印刷、蒸着等によっても表面の赤外
線放射率を高めることができる。
セラミックの溶射や印刷、蒸着等によっても表面の赤外
線放射率を高めることができる。
【００２８】（第２実施形態）図４には、本発明を適用
したＣＰＵボードにおいて、ＣＰＵの温度制御を行なっ
た場合の各電子部品（例えば、ＣＰＵやキャッシュ）の
表面温度変化を示している。ここで、電子部品としてキ
ャッシュを例として挙げたのは、実験においてＣＰＵボ
ード上の電子部品の中で最も表面温度が高かったためで
ある。図４において、縦軸は電子部品の表面温度の変化
を示しており、横軸は電源をオンした後の経過時間を示
している。また、図中○はＣＰＵの表面温度を示し、●
はキャッシュの表面温度を示している。
したＣＰＵボードにおいて、ＣＰＵの温度制御を行なっ
た場合の各電子部品（例えば、ＣＰＵやキャッシュ）の
表面温度変化を示している。ここで、電子部品としてキ
ャッシュを例として挙げたのは、実験においてＣＰＵボ
ード上の電子部品の中で最も表面温度が高かったためで
ある。図４において、縦軸は電子部品の表面温度の変化
を示しており、横軸は電源をオンした後の経過時間を示
している。また、図中○はＣＰＵの表面温度を示し、●
はキャッシュの表面温度を示している。
【００２９】ここで、図４の説明をする前に簡単に電子
部品の温度制御について図５のフローチャートを用いて
説明する。電源をオンすることにより、ＣＰＵが所定の
動作クロックで作動すると、各電子部品の表面温度が上
昇する。まずステップ（図ではＳと略す）１では、ＣＰ
Ｕボード上のサーミスタにより、ＣＰＵの近傍温度の読
込みを行なう。そしてステップ２で、ＣＰＵ近傍温度Ｔ
が７０℃より高いか否かを判別し、Ｔ≦７０℃であれば
ステップ１に戻り、Ｔ＞７０℃であればステップ３に進
む。
部品の温度制御について図５のフローチャートを用いて
説明する。電源をオンすることにより、ＣＰＵが所定の
動作クロックで作動すると、各電子部品の表面温度が上
昇する。まずステップ（図ではＳと略す）１では、ＣＰ
Ｕボード上のサーミスタにより、ＣＰＵの近傍温度の読
込みを行なう。そしてステップ２で、ＣＰＵ近傍温度Ｔ
が７０℃より高いか否かを判別し、Ｔ≦７０℃であれば
ステップ１に戻り、Ｔ＞７０℃であればステップ３に進
む。
【００３０】ステップ３では、ＣＰＵの動作クロックを
下げる。これにより、電子部品の表面温度は下降する。
そして、ステップ４で再びＣＰＵの近傍温度を読み込
み、ステップ５でＣＰＵ近傍温度Ｔが６５℃より低いか
否かを判別する。Ｔ≧６５℃であればステップ３に戻っ
て再び動作クロックを下げる。一方、Ｔ＜６５℃であれ
ばステップ６に進む。
下げる。これにより、電子部品の表面温度は下降する。
そして、ステップ４で再びＣＰＵの近傍温度を読み込
み、ステップ５でＣＰＵ近傍温度Ｔが６５℃より低いか
否かを判別する。Ｔ≧６５℃であればステップ３に戻っ
て再び動作クロックを下げる。一方、Ｔ＜６５℃であれ
ばステップ６に進む。
【００３１】ステップ６では、ＣＰＵの動作クロックを
ステップ２で下げる以前の動作クロックに戻し、その後
再びステップ１に戻る。このような制御を行うことによ
り、ＣＰＵの表面温度を６５〜７０℃の間に、またキャ
ッシュの表面温度をＣＰＵよりも若干高い程度に維持す
ることができる。
ステップ２で下げる以前の動作クロックに戻し、その後
再びステップ１に戻る。このような制御を行うことによ
り、ＣＰＵの表面温度を６５〜７０℃の間に、またキャ
ッシュの表面温度をＣＰＵよりも若干高い程度に維持す
ることができる。
【００３２】そして、このような制御を行って得られた
各電子部品の温度変化の一例を図４に示している。この
例では、時間ＡにおいてＣＰＵの動作クロックを下げて
（ステップ２，３）ＣＰＵの過熱を防止し、時間Ｂにお
いて電子部品の温度が６５℃以下になるとＣＰＵの動作
クロックを元に戻し（ステップ５，６）、その後上記制
御を繰返し行なってＣＰＵの表面温度を６５〜７０℃に
維持している。また、キャッシュの表面温度を７０〜７
５℃程度に維持している。
各電子部品の温度変化の一例を図４に示している。この
例では、時間ＡにおいてＣＰＵの動作クロックを下げて
（ステップ２，３）ＣＰＵの過熱を防止し、時間Ｂにお
いて電子部品の温度が６５℃以下になるとＣＰＵの動作
クロックを元に戻し（ステップ５，６）、その後上記制
御を繰返し行なってＣＰＵの表面温度を６５〜７０℃に
維持している。また、キャッシュの表面温度を７０〜７
５℃程度に維持している。
【００３３】ところで、各電子部品の温度を上記範囲に
維持するために、上限温度Ｔ１になった時間Ａから設定
温度Ｔ２になる時間Ｂまでの間はＣＰＵの動作クロック
を下げることとなるが、第１実施形態にて説明したよう
に、ＣＰＵボードの基板の裏面側に熱放射量を増大させ
る熱放射膜を形成すれば、これを形成しない場合に比べ
て上限温度Ｔ１から設定温度Ｔ２に下がるまでに要する
時間を短くすることができる。また、基板の熱放射量を
さらに増大させて、電子部品の温度が常時Ｔ２以下にな
るようにすれば、前述した温度制御自体を行なう必要が
なくなるので、ＣＰＵの動作クロックを下げずにＣＰＵ
ボードさらには電子機器を使用することができる。
維持するために、上限温度Ｔ１になった時間Ａから設定
温度Ｔ２になる時間Ｂまでの間はＣＰＵの動作クロック
を下げることとなるが、第１実施形態にて説明したよう
に、ＣＰＵボードの基板の裏面側に熱放射量を増大させ
る熱放射膜を形成すれば、これを形成しない場合に比べ
て上限温度Ｔ１から設定温度Ｔ２に下がるまでに要する
時間を短くすることができる。また、基板の熱放射量を
さらに増大させて、電子部品の温度が常時Ｔ２以下にな
るようにすれば、前述した温度制御自体を行なう必要が
なくなるので、ＣＰＵの動作クロックを下げずにＣＰＵ
ボードさらには電子機器を使用することができる。
【００３４】つまり、ＣＰＵボードの基板の裏面側に熱
放射膜を形成すれば、コンピュータ等の高密度実装タイ
プの電子機器においても、温度調節のためにＣＰＵの動
作クロックを下げておく時間を短くしたり、動作クロッ
クを下げること自体を不要としたりすることができるの
で、電子機器の平均処理スピードを落とすことなく電子
機器を快適に使用することができる。
放射膜を形成すれば、コンピュータ等の高密度実装タイ
プの電子機器においても、温度調節のためにＣＰＵの動
作クロックを下げておく時間を短くしたり、動作クロッ
クを下げること自体を不要としたりすることができるの
で、電子機器の平均処理スピードを落とすことなく電子
機器を快適に使用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれ
ば、金属層の表面に熱放射膜を形成して、これを形成し
ない場合に比べて金属層からの放熱量を増大させている
ので、コンピュータ等の高密度実装タイプの電子機器に
おいても、温度調節のためにＣＰＵの動作クロックを下
げておく時間を短くしたり、動作クロックを下げること
自体を不要としたりすることができ、電子機器の平均処
理スピードを落とすことなく電子機器を快適に使用する
ことができる。
ば、金属層の表面に熱放射膜を形成して、これを形成し
ない場合に比べて金属層からの放熱量を増大させている
ので、コンピュータ等の高密度実装タイプの電子機器に
おいても、温度調節のためにＣＰＵの動作クロックを下
げておく時間を短くしたり、動作クロックを下げること
自体を不要としたりすることができ、電子機器の平均処
理スピードを落とすことなく電子機器を快適に使用する
ことができる。
【００３６】なお、熱放射膜の厚さを５μｍ以上とすれ
ば、下地となる金属層の影響によって熱放射膜の赤外線
放射率が低下するのを防止することができる。
ば、下地となる金属層の影響によって熱放射膜の赤外線
放射率が低下するのを防止することができる。
【図１】本発明の第１実施形態である電子部品搭載基板
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の電子部品搭載基板の効果を試すための
実験装置の構成図である。
実験装置の構成図である。
【図３】上記実験装置による実験結果を示すグラフ図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２実施形態であるＣＰＵボードでの
電子部品の温度変化を示すグラフ図である。
電子部品の温度変化を示すグラフ図である。
【図５】上記ＣＰＵボードにおける温度制御溶のフロー
チャートである。
チャートである。
【図６】従来の電子部品搭載基板の断面図である。
１，２１ ＩＣ ６，２６ 金属体 １０，３０ 基材 １１，３１ 電子部品搭載基板 １２，３２ 銅箔層 １３ 熱放射膜 ３３ 有機被膜 ３０１ 発熱体 ３０２ 電源 ３０３ 放熱板 ３０６ 熱電対 ３０７ 温度測定器
Claims (6)
- 【請求項１】 基板表面側に電子部品が実装され、基板
裏面側に前記電子部品の熱が伝えられる金属層が形成さ
れた電子部品搭載基板において、 前記金属層の表面に、電気絶縁性を有しかつ前記金属層
の材料よりも赤外線放射率が高い材料の熱放射膜を形成
したことを特徴とする電子部品搭載基板。 - 【請求項２】 前記熱放射膜の材料の赤外線放射率εが
０．９以上であることを特徴とする請求項１に記載の電
子部品搭載基板。 - 【請求項３】 前記熱放射膜の材料が、セラミックを含
有した塗料からなることを特徴とする請求項１又は２に
記載の電子部品搭載基板。 - 【請求項４】 前記塗料を前記金属層の表面に溶射塗布
したことを特徴とする請求項３に記載の電子部品搭載基
板。 - 【請求項５】 前記熱放射膜の厚さが、５μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の
電子部品搭載基板。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の電子
部品搭載基板を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288023A JPH10135383A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電子部品搭載基板およびこれを備えた電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288023A JPH10135383A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電子部品搭載基板およびこれを備えた電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135383A true JPH10135383A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17724821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8288023A Pending JPH10135383A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 電子部品搭載基板およびこれを備えた電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1180798A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-20 | Kitagawa Industries Co., Ltd. | Thermal conductive sheet with conductive foil |
| KR20020074073A (ko) * | 2001-03-16 | 2002-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 아이씨 방열구조 |
| JP2005328086A (ja) * | 2003-04-16 | 2005-11-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の放熱構造 |
| JP2006250513A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Noritake Co Ltd | 遠赤外線放射冷却装置 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8288023A patent/JPH10135383A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1180798A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-20 | Kitagawa Industries Co., Ltd. | Thermal conductive sheet with conductive foil |
| KR20020074073A (ko) * | 2001-03-16 | 2002-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 아이씨 방열구조 |
| JP2005328086A (ja) * | 2003-04-16 | 2005-11-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の放熱構造 |
| JP2006250513A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Noritake Co Ltd | 遠赤外線放射冷却装置 |
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