JPH05347371A - 伝熱部材 - Google Patents
伝熱部材Info
- Publication number
- JPH05347371A JPH05347371A JP15508192A JP15508192A JPH05347371A JP H05347371 A JPH05347371 A JP H05347371A JP 15508192 A JP15508192 A JP 15508192A JP 15508192 A JP15508192 A JP 15508192A JP H05347371 A JPH05347371 A JP H05347371A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- substrate
- heat transfer
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- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱伝導が良好で且つ部分的に効率良く熱伝導さ
れる新しい伝熱部材を提供する。 【構成】伝熱部材に関し、（１）基体中に部分的にダイ
アモンド粒子を混入する事、（２）基体中の断面方向内
で縦方向又は横方向に粒度分布を有してダイアモンド粒
子を混入する事、及び（３）基体表面に図形状にダイア
モンド膜又はダイアモンド様炭素膜を形成する事等から
なる。プリント基板（配線を含む）等から成る基板３０
１に集積回路（ＬＳＩ）部３０３や抵抗体（Ｒ）部３０
４やコンデンサー（Ｃ）部３０５等を組み立てるに際
し、基板３０１の表面にＣＶＤ法により、 図形状にダ
イアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜（一部ダイアモ
ンド構造をした黒色炭素膜）３０２を形成し、ホトエッ
チングする。
れる新しい伝熱部材を提供する。 【構成】伝熱部材に関し、（１）基体中に部分的にダイ
アモンド粒子を混入する事、（２）基体中の断面方向内
で縦方向又は横方向に粒度分布を有してダイアモンド粒
子を混入する事、及び（３）基体表面に図形状にダイア
モンド膜又はダイアモンド様炭素膜を形成する事等から
なる。プリント基板（配線を含む）等から成る基板３０
１に集積回路（ＬＳＩ）部３０３や抵抗体（Ｒ）部３０
４やコンデンサー（Ｃ）部３０５等を組み立てるに際
し、基板３０１の表面にＣＶＤ法により、 図形状にダ
イアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜（一部ダイアモ
ンド構造をした黒色炭素膜）３０２を形成し、ホトエッ
チングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は伝熱部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、伝熱部材として、熱伝導率の良好
な銅、アルミ、銀、窒化アルミ等が用いられるのが通例
であった。又、特に放熱効率の高い部材を要するエック
ス線発生器のターゲット材やパワートランジスタの台座
部材等にはダイアモンド粒子を混入した銅部材が用いら
れていた。
な銅、アルミ、銀、窒化アルミ等が用いられるのが通例
であった。又、特に放熱効率の高い部材を要するエック
ス線発生器のターゲット材やパワートランジスタの台座
部材等にはダイアモンド粒子を混入した銅部材が用いら
れていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、放熱効率が必ずしも高く無く、且つ、プリン
ト基板上への電子部品の組立ての如く、発熱部や部品等
からの熱が温度上昇を嫌う他の部品にまで一様に広がっ
て伝達される等の課題があった。
によると、放熱効率が必ずしも高く無く、且つ、プリン
ト基板上への電子部品の組立ての如く、発熱部や部品等
からの熱が温度上昇を嫌う他の部品にまで一様に広がっ
て伝達される等の課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、熱伝導が良好で且つ部分的に効率良く熱伝導される
新しい伝熱部材を提供する事を目的とする。
し、熱伝導が良好で且つ部分的に効率良く熱伝導される
新しい伝熱部材を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成する為に、本発明は、伝熱部材に関し、
（１） 基体中に部分的にダイアモンド粒子を混入する
手段を取る事、及び、（２） 基体中の断面方向内で縦
方向又は横方向に粒度分布を有してダイアモンド粒子を
混入する手段を取る事、及び、（３） 基体表面に図形
状にダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜を形成す
る手段を取る事、等の手段を取る。
目的を達成する為に、本発明は、伝熱部材に関し、
（１） 基体中に部分的にダイアモンド粒子を混入する
手段を取る事、及び、（２） 基体中の断面方向内で縦
方向又は横方向に粒度分布を有してダイアモンド粒子を
混入する手段を取る事、及び、（３） 基体表面に図形
状にダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜を形成す
る手段を取る事、等の手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】図１は、本発明の一実施例を示す伝熱部材
の断面図である。すなわち、例えばプリント基板等の基
体１０１中に部分的にダイアモンド混入部１０２又は１
０３を設け、該ダイアモンド混入部１０２及び１０３上
には集積回路装置等の発熱電子部品やリード線を貼り付
ける銅等から成る配線１０４や１０５が形成されて成
り、ダイアモンドの熱伝導率は９００〜２０００Ｗ／ｍ
・Ｋと極めて高い為に発熱部や伝熱部からの放熱及び伝
熱効率を高めると共に他の部分への伝熱を防止する事が
出来る。尚、基体１０１へのダイアモンド混入は基体成
形時に行う事が出来、基体１０１プラスチックやセラミ
ック等から成るプリント配線基板のみならず、大型装置
の据え付け台座である金属板やセメント等であっても良
い。
の断面図である。すなわち、例えばプリント基板等の基
体１０１中に部分的にダイアモンド混入部１０２又は１
０３を設け、該ダイアモンド混入部１０２及び１０３上
には集積回路装置等の発熱電子部品やリード線を貼り付
ける銅等から成る配線１０４や１０５が形成されて成
り、ダイアモンドの熱伝導率は９００〜２０００Ｗ／ｍ
・Ｋと極めて高い為に発熱部や伝熱部からの放熱及び伝
熱効率を高めると共に他の部分への伝熱を防止する事が
出来る。尚、基体１０１へのダイアモンド混入は基体成
形時に行う事が出来、基体１０１プラスチックやセラミ
ック等から成るプリント配線基板のみならず、大型装置
の据え付け台座である金属板やセメント等であっても良
い。
【０００８】図２は、本発明の他の実施例を示す伝熱部
材の断面図である。すなわち、図２ー（Ａ）は基体２０
１中にダイアモンド粒子を小径ダイアモンド粒子２０２
から大径ダイアモンド粒子２０２ａへと下から上へと粒
度分布を持たせた状態を示して居り、成形時に浮力で径
の大なる程上部へと分布させたものであり、図２ー
（Ｂ）は基体２０３中にダイアモンド粒子を大径ダイア
モンド粒子２０４から小径ダイアモンド粒子２０４ａへ
と下から上へと粒度分布を持たせた状態を示して居り、
成形時に重力で径の大なる程下部へと分布させたもので
あり、図２ー（Ｃ）は基体２０５には予めセラミック粉
体やプラスチック粉体や金属粉体と共に各種粒径のダイ
アモンド粒子を混入しておいて、該各種粒径のダイアモ
ンド粒子を混入したセラミック粉体やプラスチック粉体
や金属粉体を粘土状或はグリーンシート状と成し、ドリ
ルで孔部２０６を形成すると孔部２０６周辺には小径ダ
イアモンド２０７が集まり、孔部２０６から離れるに従
い大径ダイアモンド２０７ａが分布して横方向に粒度分
布を持たせる事が出来、焼成後に基体中にダイアモンド
の粒度分布を得る事が出来、すなわち、基体中の熱伝導
分布を制御出来る事と成る。
材の断面図である。すなわち、図２ー（Ａ）は基体２０
１中にダイアモンド粒子を小径ダイアモンド粒子２０２
から大径ダイアモンド粒子２０２ａへと下から上へと粒
度分布を持たせた状態を示して居り、成形時に浮力で径
の大なる程上部へと分布させたものであり、図２ー
（Ｂ）は基体２０３中にダイアモンド粒子を大径ダイア
モンド粒子２０４から小径ダイアモンド粒子２０４ａへ
と下から上へと粒度分布を持たせた状態を示して居り、
成形時に重力で径の大なる程下部へと分布させたもので
あり、図２ー（Ｃ）は基体２０５には予めセラミック粉
体やプラスチック粉体や金属粉体と共に各種粒径のダイ
アモンド粒子を混入しておいて、該各種粒径のダイアモ
ンド粒子を混入したセラミック粉体やプラスチック粉体
や金属粉体を粘土状或はグリーンシート状と成し、ドリ
ルで孔部２０６を形成すると孔部２０６周辺には小径ダ
イアモンド２０７が集まり、孔部２０６から離れるに従
い大径ダイアモンド２０７ａが分布して横方向に粒度分
布を持たせる事が出来、焼成後に基体中にダイアモンド
の粒度分布を得る事が出来、すなわち、基体中の熱伝導
分布を制御出来る事と成る。
【０００９】図３は、本発明のその他の実施例を示す伝
熱部材の要部の斜視図である。すなわち、プリント基板
（配線を含む）等から成る基板３０１に集積回路（ＬＳ
Ｉ）部３０３や抵抗体（Ｒ）部３０４やコンデンサー
（Ｃ）部３０５等を組み立てるに際し、前記基板３０１
の表面にＣＶＤ法（S. Matsumoto et. al., Japan. J.o
f Appl. Phys., 21, 4, L183 (1982)., S. Yugo et. a
l., Appl. Phys. Lett.58, 10, 1036 (1991). 等に示さ
れている。）により、 図形状にダイアモンド膜又はダ
イアモンド様炭素膜（一部ダイアモンド構造をした黒色
炭素膜）３０２を形成し、ホトエッチング（エッチング
はアルゴン・スパッタ・エッチング等による。）する事
により、ダイアモンドの熱伝導率は９００〜２０００Ｗ
／ｍ・Ｋと極めて高い為に集積回路（ＬＳＩ）部３０３
等の発熱部からの放熱及び伝熱効率を高めると共に他の
抵抗体（Ｒ）部３０４やコンデンサー（Ｃ）部３０５等
の温度上昇を避けたい部分への伝熱を防止する事が出来
る。尚、ダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜３０
２はダイアモンド膜とダイアモンド様炭素膜の多層構造
であっても良いが、ダイアモンド膜は電導率が低いがダ
イアモンド様炭素膜は導電体であるので配置に注意する
必要がある。しかし、ダイアモンド様炭素膜は高い抵抗
体として用いる事も出来る。更に、本例はプリント基板
への電子部品の組立て構造を示したが、集積回路装置の
内部において本発明を適用しても良く、その他の大型装
置へも本発明を適用しても良い。
熱部材の要部の斜視図である。すなわち、プリント基板
（配線を含む）等から成る基板３０１に集積回路（ＬＳ
Ｉ）部３０３や抵抗体（Ｒ）部３０４やコンデンサー
（Ｃ）部３０５等を組み立てるに際し、前記基板３０１
の表面にＣＶＤ法（S. Matsumoto et. al., Japan. J.o
f Appl. Phys., 21, 4, L183 (1982)., S. Yugo et. a
l., Appl. Phys. Lett.58, 10, 1036 (1991). 等に示さ
れている。）により、 図形状にダイアモンド膜又はダ
イアモンド様炭素膜（一部ダイアモンド構造をした黒色
炭素膜）３０２を形成し、ホトエッチング（エッチング
はアルゴン・スパッタ・エッチング等による。）する事
により、ダイアモンドの熱伝導率は９００〜２０００Ｗ
／ｍ・Ｋと極めて高い為に集積回路（ＬＳＩ）部３０３
等の発熱部からの放熱及び伝熱効率を高めると共に他の
抵抗体（Ｒ）部３０４やコンデンサー（Ｃ）部３０５等
の温度上昇を避けたい部分への伝熱を防止する事が出来
る。尚、ダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜３０
２はダイアモンド膜とダイアモンド様炭素膜の多層構造
であっても良いが、ダイアモンド膜は電導率が低いがダ
イアモンド様炭素膜は導電体であるので配置に注意する
必要がある。しかし、ダイアモンド様炭素膜は高い抵抗
体として用いる事も出来る。更に、本例はプリント基板
への電子部品の組立て構造を示したが、集積回路装置の
内部において本発明を適用しても良く、その他の大型装
置へも本発明を適用しても良い。
【００１０】尚、本発明は、電子装置のみならず発電装
置やエンジン駆動装置等その他の冷却や伝熱を要する装
置等への適用が可能な事は言う迄もない。
置やエンジン駆動装置等その他の冷却や伝熱を要する装
置等への適用が可能な事は言う迄もない。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、熱伝導が良好で且つ部分
的に効率良く熱伝導出来る伝熱部材を提供する事が出来
る効果がある。
的に効率良く熱伝導出来る伝熱部材を提供する事が出来
る効果がある。
【図１】 本発明の一実施例を示す伝熱部材の断面図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の他の実施例を示す伝熱部材の断面図
である。
である。
【図３】 本発明のその他の実施例を示す伝熱部材の要
部の斜視図である。
部の斜視図である。
【符号の説明】 １０１、２０１、２０３、２０５、３０１・・・基体 １０２、１０３・・・ダイアモンド混入部 １０４、１０５・・・配線 ２０２、２０４ａ、２０７・・・小径ダイアモンド粒子 ２０２ａ、２０４、２０７ａ・・・大径ダイアモンド粒
子 ２０６・・・孔部 ３０２・・・ダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜 ３０３・・・集積回路部 ３０４・・・抵抗体部 ３０５・・・コンデンサー部 ＬＳＩ・・・集積回路 Ｒ・・・抵抗体 Ｃ・・・コンデンサー
子 ２０６・・・孔部 ３０２・・・ダイアモンド膜又はダイアモンド様炭素膜 ３０３・・・集積回路部 ３０４・・・抵抗体部 ３０５・・・コンデンサー部 ＬＳＩ・・・集積回路 Ｒ・・・抵抗体 Ｃ・・・コンデンサー
Claims (3)
- 【請求項１】 基体中には部分的にはダイアモンド粒子
が混入されて成る事を特徴とする伝熱部材。 - 【請求項２】 基体中の断面方向内で縦方向又は横方向
に粒度分布を有してダイアモンド粒子が混入されて成る
事を特徴とする伝熱部材。 - 【請求項３】 基体表面には図形状にダイアモンド膜又
はダイアモンド様炭素膜が形成されて成る事を特徴とす
る伝熱部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15508192A JPH05347371A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 伝熱部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15508192A JPH05347371A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 伝熱部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347371A true JPH05347371A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15598243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15508192A Pending JPH05347371A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 伝熱部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347371A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151873A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | 電子機器の冷却構造および冷却装置ならびに電子機器 |
| JP2003007940A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| JP2003037199A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| KR20050072257A (ko) * | 2004-01-06 | 2005-07-11 | 삼성탈레스 주식회사 | 디. 엘. 씨. 코팅을 이용한 써멀 패드 |
| JP2006502580A (ja) * | 2002-10-08 | 2006-01-19 | エレメント シックス リミテッド | 熱伝播器 |
| WO2015102046A1 (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015147071A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 京セラ株式会社 | 流路部材および半導体モジュール |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15508192A patent/JPH05347371A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151873A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | 電子機器の冷却構造および冷却装置ならびに電子機器 |
| JP2003007940A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| JP4574071B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| JP4596698B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| JP2003037199A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ |
| JP2006502580A (ja) * | 2002-10-08 | 2006-01-19 | エレメント シックス リミテッド | 熱伝播器 |
| KR20050072257A (ko) * | 2004-01-06 | 2005-07-11 | 삼성탈레스 주식회사 | 디. 엘. 씨. 코팅을 이용한 써멀 패드 |
| WO2015102046A1 (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN105900229A (zh) * | 2014-01-06 | 2016-08-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JPWO2015102046A1 (ja) * | 2014-01-06 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10049960B2 (en) | 2014-01-06 | 2018-08-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| WO2015147071A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 京セラ株式会社 | 流路部材および半導体モジュール |
| CN106104797A (zh) * | 2014-03-25 | 2016-11-09 | 京瓷株式会社 | 流路构件以及半导体模块 |
| JPWO2015147071A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2017-04-13 | 京セラ株式会社 | 流路部材および半導体モジュール |
| CN106104797B (zh) * | 2014-03-25 | 2018-11-13 | 京瓷株式会社 | 流路构件以及半导体模块 |
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