JP4491846B2 - 不揮発性メモリのロウデコーダ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリに用いられる不揮発性メモリのロウデコーダに関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数のメモリセルトランジスタが直列接続されたＮＡＮＤストリングからなるフラッシュメモリが知られている。このようなＮＡＮＤ型のフラッシュメモリでは、書き込み時に、２０Ｖ程度の電圧をワード線に印加する必要がある。このため、このようなフラッシュメモリのメインロウデコーダには、電源電圧を２０Ｖ程度の電圧にレベル変換するレベル変換回路が設けられている。
【０００３】
このようなレベル変換回路としては、図６に示すように、ＣＭＯＳのフリップフロップの構成のものを用いることが考えられる。
【０００４】
すなわち、図６において、高電源電圧Ｖppと接地間に、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１及びＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１とが直列接続される。また、内部高電源電圧Ｖppと接地間に、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２及びＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２が直列接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１のゲートが、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２との接続点に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２のゲートが、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１との接続点に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートが電圧Ｖinの入力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２のゲートが、インバータＩＮＶ５１を介して、電圧Ｖinの入力端子に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２との接続点から、出力電圧Ｖout の端子が導出される。
【０００５】
図６に示すようなフリップフロップの構成のレベル変換回路では、入力電圧Ｖinとして、電源電圧Ｖccの入力電圧が与えられる。この入力電圧Ｖinは、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートに供給されると共に、インバータＩＮＶ５１で反転され、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２のゲートに供給される。
【０００６】
ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートに、電源電圧Ｖccの入力電圧Ｖinが与えられると、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオン状態となり、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオフ状態となる。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオン状態となると、ノードＮＤ１がローレベルとなる。ノードＮＤ１がローレベルとなると、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２はオン状態となる。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２はオン状態で、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオフ状態であるから、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１はオフ状態となる。その結果、出力ノードＮＤ２は、高電圧Ｖppに引き上げられる。すなわち、Ｖccレベルの入力電圧Ｖinが２０Ｖ程度の高電圧に変換され、Ｖout として出力される。
【０００７】
これに対して、入力電圧Ｖinに０Ｖが入力されると、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオフ状態となり、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオン状態となる。これにより、出力ノードＮＤ２は接地レベルに引き込まれる。すなわち、０Ｖの入力電圧Ｖinが接地レベルのままで、出力電圧Ｖout として出力される。
【０００８】
ところで、上述のレベル変換回路では、ＣＭＯＳ構成としなければならない。そして、出力電圧が２０Ｖ程度必要なため、高耐圧の構成とする必要がある。このような高耐圧の構成のＣＭＯＳ回路を実現するようにすると、プロセス工程数とマスク枚数が増加し、コストアップになる。また、メインロウデコーダのＮウェルを書き込み動作のたびにＶppに充電する必要があり、昇圧回路の消費電流の増加及びＮウェル充電による書き込み時間の増加の問題がある。
【０００９】
このため、従来のＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリのメインロウデコーダでは、ＮＭＯＳ構成で実現できる、チャージポンプ型のレベル変換回路が用いられている。
【００１０】
図７は、従来のＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリのメインロウデコーダの一例を示すものである。図７において、ＮＡＮＤゲートＧ１０１は、メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から、所望のブロックを選択するものである。すなわち、ＮＡＮＤゲートＧ１０１には、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。このロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３により、メモリセルアレイ上の所望のブロックが選択される。ＮＡＮＤゲートＧ１０１の出力端子は、インバータＩＮＶ１０１の入力端子に接続される。
【００１１】
トランジスタＴ１０１〜Ｔ１０３、コンデンサＣ１０１は、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成している。このレベル変換回路により、ワード線に印加する電圧が設定される。書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧が形成される。
【００１２】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１は、ディプレッション型のトランジスタであり、そのソース側が高耐圧の構造とされている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のゲートは、制御信号ＳＥＰの供給線に接続される。
【００１３】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２は、インストリンシック型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(I) は通常では略０Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３はエンハンスメント型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(E) は通常では０．６Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２、Ｔ１０３は、高耐圧の構造とされている。
【００１４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のドレインは、インバータＩＮＶ１０１の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のソースは、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのゲートに接続されると共に、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のゲートに接続される。
【００１５】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のドレインが高電圧Ｖppの供給線に接続される。トランジスタＴ１０３のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のゲート及びそのドレインに接続される。トランジスタＴ１０２のゲートとそのドレインとの接続点がコンデンサＣ１０１の一端に接続される。トランジスタＴ１０２のソースがトランジスタＴ１０１のソースに接続される。コンデンサＣ１０１の他端がＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力端子に接続される。ＮＡＮＤゲートＧ１０２の一方の入力端子には、クロックＣＬＫが供給される。ＮＡＮＤゲートＧ１０２の他方の入力端子は、インバータＩＮＶ１０１の出力端子に接続される。
【００１６】
上述の従来のメインロウデコーダの動作について説明する。スタンバイ時には、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベル（接地レベル）に設定される。これにより、ＮＡＮＤゲートＧ１０１の出力がハイレベルとなり、インバータＩＮＶ１０１の出力がローレベルとなるので、インバータＩＮＶ１０１とＮＭＯＳトランジスタＴ１０１との接続点のノードＡＳＥＬはローレベルとなる。ノードＡＳＥＬがローレベルなので、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のソースとＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のソース及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のゲートとの接続点のノードＢＳＥＬはローレベルであり、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３はオフしている。
【００１７】
ここで、書き込みが起動されると、選択されているブロックのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てハイレベルに設定され、ノードＡＳＥＬが電源電圧Ｖccとなる。また、制御信号ＳＥＰがローレベルになる。
【００１８】
制御信号ＳＥＰがローレベルになることにより、ノードＢＳＥＬの電圧は、ディプレッション型のＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜となる。
【００１９】
このとき、トランジスタＴ１０３のスレショルド電圧をＶth(E) とし、ノードＢＳＥＬの電圧をＶBSELとすると、
ＶBSEL＞Ｖth(E)
であることにより、トランジスタＴ１０３がオンする。
【００２０】
そして、クロック信号ＣＬＫがクロック動作することにより、ポンピング動作が行なわれ、ノードＢＳＥＬの電圧が徐々に上昇していく。
【００２１】
ＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力がローレベルのとき、コンデンサＣ１０１の一端のノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ノードＢＳＥＬよりトランジスタＴ１０３のスレショル電圧Ｖth(E) だけ低くなるので、
Ｖcap ＝ＶBSEL−Ｖth(E) …(1)
となり、コンデンサＣ１０１に電荷が蓄積される。
【００２２】
ＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力がハイレベルになると、ノードｃａｐの電圧Ｖcap は、電圧Ｖccだけ持ち上げられ、新たなノードｃａｐの電圧Ｖcap ’は、
Ｖcap ’＝Ｖcap ＋Ｖcc …(2)
となる。
【００２３】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２はダイオード接続となっているため、ノードｃａｐの電荷はノードＢＳＥＬに移り、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させる。このときのノードＢＳＥＬの電圧ＶBSEL’は、トランジスタＴ１０２のスレショルド電圧をＶth(I) とすると、
となる。
【００２４】
このように、クロックＣＬＫにより、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させていくような正帰還かかかり、ノードＢＳＥＬの電圧は、徐々に上昇していく。これにより、書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧を出力することができる。
【００２５】
選択されているワード線に対する制御信号ＶCGi の電圧は、内部発生電圧Ｖppに等しい。この制御信号ＶCGi がトランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのドレインに供給される。そして、ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのゲートには、ノードＢＳＥＬの電圧が与えられる。ノードＢＳＥＬの電圧は、制御信号ＶCGi の電圧Ｖppよりスレショルド電圧Ｖth(E) 以上高いので、ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉがオンする。これにより、ワード線ＷＬｉには、ＶCGｉの電圧がそのまま出力される。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来のＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメインロウデコーダでは、チャージポンプ型のレベル変換回路により昇圧して、書き込み時のワード線電圧を出力するようにしている。このようにチャージポンプ型のレベル変換回路を用いることで、ＮＭＯＳの構造とすることができる。ところが、このような構成では、バックバイアス効果の影響を受けるため、電源電圧を下げることが困難であるという問題がある。
【００２７】
つまり、上述の従来のメインロウデコーダのレベル変換回路では、昇圧のゲインが得られるためには、新たなノードＢＳＥＬの電圧ＶBSEL’が前回のノードＢＳＥＬの電圧ＶBSELより高くなっている必要がある。すなわち、
ＶBSEL’≧ＶBSEL
の関係を満足する必要がある。これにより、
ＶBSEL’≧ＶBSEL
Ｖcap ＋Ｖcc−Ｖth(I) ≧Ｖcap ＋Ｖth(E)
Ｖcc≧Ｖth(E) ＋Ｖth(I) …(4)
を満足する必要がある。
【００２８】
ＭＯＳトランジスタでは、ソース電圧と基板との間に電位差が生じると、ソースから基板表面への電子の流入が起こりにくくなり、スレショルド電圧が大きくなることが知られている。このような現象は、バックバイアス効果と呼ばれている。
【００２９】
上述の従来のメインロウデコーダのレベル変換回路では、書き込み時にノードＢＳＥＬが上昇すると、これに伴って、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３及びＴ１０２のソース電圧が上昇する。すなわち、書き込み時に、２０Ｖ程度の電圧に内部発生電圧Ｖppが引き上げられるとすると、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３及びＴ１０２のソース電圧も、内部発生電圧Ｖppと同程度まで引き上げられる。このため、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のスレショルド電圧Ｖth(I) が上昇する。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のスレショルド電圧Ｖth(I) が上昇すると、電源電圧Ｖccを大きくしないと、上述の（４）式を満足することができなくなる。
【００３０】
現状のＮＡＮＤ型のフラッシュメモリでは、電源電圧Ｖccとして３．３Ｖが用いられているため、上述の（４）式を満足しているが、今後は、機器の小型化や低消費電力化を図るためにも、電源電圧を低下させていくことが要望されるようになると考えられる。電源電圧を２．５Ｖや１．８Ｖとした場合には、上述の（４）式を満足することは非常に困難である。
【００３１】
チャージポンプの段数を増加したりすることも考えられるが、チャージポンプの段数を増加すると、回路規模が増大するという問題が生じる。
【００３２】
したがって、この発明の目的は、ＮＭＯＳ構成とすることができると共に、バックバイアス効果の影響を受けずに、低電圧化を図ることができるようにした不揮発性メモリのロウアドレスデコーダを提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、複数のメモリセルトランジスタが直列接続されたＮＡＮＤストリングからなり、複数のＮＡＮＤストリングのうち互いに対応するメモリセルトランジスタのゲートに共通のワード線を接続してブロックを構成し、ブロックをメモリセルアレイ上に複数配列するようにした不揮発性メモリのロウデコーダであって、
メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から所望のブロックを選択するブロック選択手段と、
ブロック選択手段の出力電圧のレベルを変換するレベル変換手段と、
選択されたブロック中の複数のワード線の中から所望のワード線に印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
電圧発生手段とワード線との間に設けられ、レベル変換手段の出力がそのゲートに与えられるトランスファ手段とからなり、
レベル変換手段は、
昇圧用クロック信号が印加される容量素子と、
レベル変換手段の入力端とその出力端との間に接続された第１の電界効果トランジスタと、
容量素子と出力端間に接続されたダイオード接続の第２の電界効果トランジスタと、
内部高圧電源と容量素子との間に接続され、そのゲートが出力端に接続された第３の電界効果トランジスタと、
内部高圧電源に接続され、そのゲートが出力端に接続された第４の電界効果トランジスタと
を有し、
第１、第２、第３及び第４の電界効果トランジスタは第１導電型であり、
第２、第３及び第４の電界効果トランジスタのうち、少なくとも第２及び第４の電界効果トランジスタが、第２の導電型の基板上の第１導電型の第１のウェル中に形成された第２導電型の第２のウェルに対して形成され、かつ、
第２のウェルの電位を出力電圧に追従せさて上昇させるウェル電位調整手段を有し、更に、
第２、第３及び第４の電界効果トランジスタの第２のウェルと接地面との間に接続され、そのゲートが入力端に対する入力電圧を反転させる反転素子の出力端に接続された、第１導電型の第５の電界効果トランジスタを有し、
第２のウェルの電位を初期化する手段を含むようにした不揮発性メモリのロウデコーダである。
【００３５】
チャージポンプ型のレベル変換回路を構成する際に、ＮＭＯＳトランジスタがｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成したトリプルウェル中に設けられる。そして、出力電圧が上昇することによりソース電圧が上昇すると、ウェルの電位がこれに追従されて上昇される。これにより、ソースと基板間の電位差によるバックバイアス効果が生じることがなくなり、スレショルド電圧の上昇が防げる。このため、電源電圧を低くすることが可能になる。
【００３６】
このようなトリプルウェル中のウェルの電位を接地レベルとするためのトランジスタが設けられる。このトランジスタをオンすることにより、ウェルの電位を初期化することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、この発明が適用されたＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメインロウデコーダの一例を示すものである。
【００３８】
図１において、ＮＡＮＤゲートＧ１は、メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から、所望のブロックを選択するものである。
【００３９】
ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメモリセルアレイは、図２に示すように構成される。図２において、トランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…は、フローティングゲートを有するメモリセルトランジスタである。例えば、１６個のメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…が直列に接続される。そして、このメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…の直列接続のドレイン側に、選択ゲートのトランジスタＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…が夫々直列接続され、更にこの直列接続のソース側に、選択ゲートのトランジスタＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…が夫々直列接続される。これにより、例えば１６個のメモリセルを有するＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…が構成される。
【００４０】
ドレイン側の選択ゲートのトランジスタＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…のドレインは、夫々、ビット線ＢＬ０、ＢＬ１、…に接続される。ソース側の選択ゲートのトランジスタＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…のソースは、夫々、ソース線Ｖｓに接続される。
【００４１】
このＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…が並んで配列され、対応する選択ゲートのトランジスタのゲート及びメモリセルトランジスタのゲートが共通接続される。図２の例では、ＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…の選択ゲートＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…のゲートは、共通の選択信号供給線ＤＳＧに接続される。メモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…のゲートが、夫々、共通のワード線ＷＬ０、ＷＬ１２、…ＷＬ１５に接続される。選択ゲートＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…のゲートは、共通の選択信号供給線ＳＳＧに接続される。このように、互いに対応する選択ゲートのトランジスタ及びメモリセルトランジスタを接続して、ブロックが構成される。
【００４２】
メモリセル上には、図３に示すように、このようなブロックＢ０、Ｂ１、Ｂ２、…が複数配列されている。図１におけるＮＡＮＤゲートＧ１には、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。このロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３により、メモリセルアレイ上の所望のブロックが選択される。
【００４３】
図１において、トランジスタＴ１〜Ｔ５、コンデンサＣ１は、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成している。このレベル変換回路により、書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧が出力される。
【００４４】
サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０は、ＮＡＮＤストリング中の選択ゲートを設定すると共に、所望のワード線を選択するものである。サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からは、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５に対する制御信号ＶＣＧ０〜ＶＣＧ１５の供給線と、選択信号供給線ＳＳＧに対する制御信号ＶＳＳＧの供給線と、選択信号供給線ＤＳＧに対する制御信号ＶＤＳＧＨ及びＶＤＳＧＬの供給線が導出される。
【００４５】
ＴＧ１〜ＴＧ１９は、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタである。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１９のドレインは、サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からの各制御信号の供給線に接続される。
【００４６】
ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＳＳＧの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ２〜ＴＧ１７のドレインは、メモリセルトランジスタを制御するための制御信号ＶＣＧ０〜ＶＣＧ１５の供給線に夫々接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１８のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＤＳＧＨの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１９のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＤＳＧＬの供給線に接続される。
【００４７】
ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１のソースは、選択信号供給線ＳＳＧに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ２〜ＴＧ１７のソースは、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５に夫々接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１８のソース及びＴＧ１９のソースは、選択信号供給線ＤＳＧに接続される。
【００４８】
上述のように、チャージポンプ型のレベル変換回路は、トランジスタＴ１〜Ｔ５、コンデンサＣ１から構成されている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１は、ディプレッション型のトランジスタであり、そのソース側が高耐圧の構造とされている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１のゲートは、制御信号ＳＥＰの供給線に接続される。
【００４９】
ＮＭＯＳトランジスタＴ２は、イントリンシック型のトランジスタであり、スレショルド電圧Ｖth(I) は通常では略０Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ３、Ｔ４はエンハンスメント型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(E) は通常では０．６Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４は、高耐圧の構造とされている。
【００５０】
ＮＭＯＳトランジスタＴ５はエンハンスメント型のトランジスタである。トランジスタＴ５は、ドレイン側が高耐圧の構造とされている。
【００５１】
この発明が適用されたメインロウデコーダにおけるレベル変換回路では、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４（破線で囲んで示すトランジスタ）は、図４に示すように、ｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成したトリプルウェル中に形成される。
【００５２】
図４において、１１はｐ形半導体基板、１２はｎウェル、１３はｐウェル、１４〜１６はｎ+ 拡散層、１７はｐ+ 拡散層、１８はゲート電極を夫々示している。ｐ形半導体基板１１に、ｎウェル１２が形成され、このｎウェル１２内にｐウェル１３が形成される。そして、ｐウェル１３内の表面には、素子側拡散層であるｎ+ 拡散層１５、１６及び取り出し電極用のｐ+ 拡散層１７が形成されている。ｎ+ 拡散層１５、１６及びゲート電極１８によりＮＭＯＳトランジスタが構成される。例えば、ｎ+ 拡散層１５がソースとして機能し、ｎ+ 拡散層１６がドレインとして機能する。端子Ｗｐはｐウェル１３から導出され、端子Ｗｎはｎウェル１２から導出される。
【００５３】
図１において、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のドレインは、インバータＩＶ１の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースは、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１８のゲートに接続されると共に、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のゲート及びＮＭＯＳトランジスタＴ４のゲートに接続される。
【００５４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ３のドレインが内部発生電圧Ｖppの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ３のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ２のゲートとドレインとの接続点がコンデンサＣ１の一端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ２のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースに接続される。コンデンサＣ１の他端がＮＡＮＤゲートＧ２の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ４のドレインが内部発生電圧Ｖppの供給線に接続される。
【００５５】
また、上述のように、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４はトリプルウェル中に設けられており、これらのトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２は、トランジスタＴ５のドレインに接続される。なお、図４に示したように、ｐウェル１３及びｎウェル１２からは、端子Ｗp 及び端子Ｗn が導出される。ｐウェル１３及びｎウェル１２を接続することは、この端子Ｗp 及び端子Ｗn を接続することを意味する。また、トランジスタＴ５のソースが接地される。トランジスタＴ５のゲートがインバータＩＮＶ２の出力端子に接続される。
【００５６】
ＮＡＮＤゲートＧ１には、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。ＮＡＮＤゲートＧ１の出力端子がインバータＩＮＶ１の入力端子に接続される。インバータＩＮＶ１の出力端子がＮＭＯＳトランジスタＴ１のドレインに接続されると共に、ＮＡＮＤゲートＧ２の一方の入力端子に接続される。ＮＡＮＤゲートＧ２の他方の入力端子がクロックＣＬＫの供給線に接続される。これと共に、インバータＩＮＶ１の出力端子がインバータＩＮＶ２の入力端子に接続される。インバータＩＮＶ２の出力端子がＮＭＯＳトランジスタＴＧ１９のゲートに接続されると共に、トランジスタＴ５のゲートに接続される。
【００５７】
上述の実施の形態の動作について、図５を参照して説明する。スタンバイ時には、図５Ｂ〜図５Ｄに示すように、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベル（接地レベル）に設定される。このとき、ＮＡＮＤゲート回路Ｇ１の出力がハイレベルとなり、インバータＩＮＶ１の出力がローレベルとなるので、図５Ｆに示すように、インバータＩＮＶ１とＮＭＯＳトランジスタＴ１との接続点のノードＡＳＥＬはローレベルである。ノードＡＳＥＬがローレベルなので、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースとＮＭＯＳトランジスタＴ２のソース及びＮＭＯＳトランジスタＴ３のゲートとの接続点のノードＢＳＥＬはローレベルであり、ＮＭＯＳトランジスタＴ３はオフしている。また、ノードＢＳＥＬがローレベルであるため、ＮＭＯＳトランジスタＴ４はオフしている。この時、インバータＩＮＶ２の出力はハイレベル（電源電圧Ｖccレベル）となり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオンし、トリプルウェル中に設けられているトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル及びｎウェル（図４におけるｐウェル１３及びｎウェル１２）は、接地レベルになる。
【００５８】
ここで、書き込みが起動されると、選択されているブロックのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てハイレベルに設定され、ノードＡＳＥＬが電源電圧Ｖccとなる。また、図５Ａに示すように、制御信号ＳＥＰがローレベルになる。
【００５９】
制御信号ＳＥＰがローレベルになることにより、図５Ｇに示すように、ノードＢＳＥＬの電圧（図６でＥ１で示す）は、ディプレッション型のＮＭＯＳトランジスタＴ１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜となる。これと同時に、インバータＩＮＶ２の出力端子のノードＸＡＳＥＬがローレベルになることにより、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオフする。
【００６０】
そして、図５Ｇに示すように、ポンピング動作が行なわれ、ノードＢＳＥＬの電圧が徐々に上昇していく。
【００６１】
すなわち、トランジスタＴ３のスレショルド電圧をＶth(E) とし、ノードＢＳＥＬの電圧をＶBSELとすると、
ＶBSEL＞Ｖth(E)
であることにより、トランジスタＴ３がオンする。
【００６２】
トランジスタＴ３がオンすると、コンデンサＣ１の一端のノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ノードＢＳＥＬよりトランジスタＴ３のスレショル電圧Ｖth(E) だけ低くなるので、
Ｖcap ＝ＶBSEL−Ｖth(E)
となり、コンデンサＣ１に電荷が蓄積される。
【００６３】
ＮＡＮＤゲートＧ２から出力されるクロックＣＬＫがハイレベルになると、ノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ハイレベルのときのクロックの電圧Ｖcc分だけ持ち上げられ、新たなノードｃａｐの電圧Ｖcap ’は、
Ｖcap ’＝Ｖcap ＋Ｖcc
となる。
【００６４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ２はダイオード接続となっているため、ノードｃａｐの電荷はノードＢＳＥＬに移り、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させる。このときのノードＢＳＥＬの電圧Ｖ BSEL ’は、トランジスタＴ２のスレショルド電圧をＶ th(I) とすると、
となる。
【００６５】
ところで、このようなチャージポンプ型のレベル変換回路を動作させるためには、チャージポンプ回路のゲインが
Gain ＝Ｖ BSEL ’−Ｖ BSEL ≧０
を満たす必要があり、この条件式より、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) とＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) との和を電源電圧Ｖcc以下とし、
Ｖ cc ≧Ｖ th(E) ＋Ｖ th(I)
とする必要がある。
【００６６】
ノードＢＳＥＬの電圧が上昇していくと、ＮＭＯＳトランジスタＴ２及びＴ３のソース電圧も上昇していく。このとき、基板とソース電圧との間に電位差が生じると、ソースから基板表面への電子の流入が減少し、バックバイアス効果によりスレショルド電圧が高くなるため、電源電圧Ｖccを下げることが困難になってくる。
【００６７】
そこで、この発明の実施の形態では、上述のように、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設けている。そして、ソース電圧の上昇と共に、ｐウェルの電圧を上昇させて、バックバイアス効果によるスレショルド電圧の上昇を抑えている。
【００６８】
すなわち、ポンピング動作が開始されると、インバータＩＮＶ２の出力はローレベルになり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５はオフする。このとき、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜がＮＭＯＳトランジスタＴ４のスレショルド電圧Ｖth(E) より大きいことにより、ＮＭＯＳトランジスタＴ４がオンする。ＮＭＯＳトランジスタＴ４がオンすると、トリプルウェル中に設けられているトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２は、
｜Ｖth(D) ｜−Ｖth(E)
に充電される。
【００６９】
ノードＢＳＥＬの電圧がポンピング動作によって上昇していくと、ＮＭＯＳトランジスタＴ４のゲート電圧が上昇していき、図５ＧでＥ３で示すように、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェルの電圧Ｖpwelも上昇していく。
【００７０】
このように、ノードＢＳＥＬの電圧の上昇により、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３のソース電圧が上昇すると、それに伴って、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３の電圧Ｖpwelも上昇していく。このため、バックバイアス効果がかなり緩和され、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) の変化がかなり抑えられる。
【００７１】
ソースとｐウェル１３との電位差が変化しないとすれば、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) を（Ｖth(E) ＝０．６Ｖ）、ＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) を（Ｖth(I) ＝０．０Ｖ）とすると、Ｖth(E) ＋Ｖth(I) ＝０．６Ｖ
となり、マージンを見込んでも、電源電圧Ｖccを（Ｖcc＝１Ｖ）程度にまで下げることが可能である。
【００７２】
書き込み動作が終了すると、ベリファイが行なわれる。ベリファイ時のサブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からワード線に供給する電圧の上限は、ＮＡＮＤセルを構成するメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…をパストランジスタとしたときにゲートに印加する５Ｖ程度の電圧であるが、サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０の出力とワード線を接続するトランスファーゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１９がオンすれば良いので、ノードＢＳＥＬは書き込み時のワード線電圧（２０Ｖ程度）であっても問題はない。したがって、一度書き込みが起動されると、書き込み十分と判定されて書き込み／ベリファイ動作を終了するまで、内部発生電圧Ｖppを書き込み時の選択ワード線電圧のままとし、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２の電荷は放電する必要はない。
【００７３】
ベリファイ読み出しで、ページ内のセルが書き込み十分と判定された段階で、内部発生電圧Ｖppが電源電圧Ｖccと同電位に設定され、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベルに設定される。プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベルに設定されると、インバータＩＮＶ２の出力はハイレベルとなり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオンし、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２の電荷が放電され、ノードＶpwelが接地レベルになる。
【００７４】
以上のように、この発明の実施の形態では、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成するＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設けるようにしている。そして、ソース電圧の上昇と共に、ウェルの電圧を上昇させることにより、バックバイアス効果の影響が少なくなるようにしている。これにより、ＮＭＯＳトランジスタのデコーダの構成で、電源電圧を１Ｖ程度にまで低くすることが可能になる。
【００７５】
なお、上述の例では、書き込み時の２０Ｖ程度の電圧をワード線に印加する場合について説明したが、他の電圧を印加する場合にも同様に適用できる。
【００７６】
また、上述の例では、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設け、ＮＭＯＳトランジスタＴ２及びＴ３を共にバックバイアス効果の影響を緩和できるようにしているが、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ４をトリプルウェル中に設け、ＮＭＯＳトランジスタＴ２のみバックバイアス効果の影響を緩和するようにしても、十分に効果的である。
【００７７】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成する際に、ｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成するようにしたトリプルウェル中に、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成するＮＭＯＳトランジスタが設けられる。そして、出力電圧が上昇することによりソース電圧が上昇すると、ウェルの電位がこれに追従して上昇される。これにより、ソースと基板間の電位差によるバックバイアス効果が緩和され、スレショルド電圧の上昇が防げる。このため、電源電圧を低下させることが可能になる。
【００７８】
また、請求項１の発明によれば、ウェルの電位を接地レベルとするためのトランジスタが設けられる。このトランジスタをオンすることにより、ウェルの電位を初期化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用されたメインロウデコーダの一例の接続図である。
【図２】ＮＡＮＤ型のストリング及びブロックの説明に用いる接続図である。
【図３】メモリセル中のブロックの説明に用いる略線図である。
【図４】トリプルウェルの説明に用いる断面図である。
【図５】この発明が適用されたメインロウデコーダの一例の説明に用いる波形図である。
【図６】従来のレベル変換回路の一例の接続図である。
【図７】従来のレベル変換回路の他の例の接続図てある。
【符号の説明】
Ｔ１，２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５・・・ＮＭＯＳトランジスタ，Ｃ１・・・コンデンサ，ＷＬ０〜ＷＬ１５・・・ワード線
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリに用いられる不揮発性メモリのロウデコーダに関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数のメモリセルトランジスタが直列接続されたＮＡＮＤストリングからなるフラッシュメモリが知られている。このようなＮＡＮＤ型のフラッシュメモリでは、書き込み時に、２０Ｖ程度の電圧をワード線に印加する必要がある。このため、このようなフラッシュメモリのメインロウデコーダには、電源電圧を２０Ｖ程度の電圧にレベル変換するレベル変換回路が設けられている。
【０００３】
このようなレベル変換回路としては、図６に示すように、ＣＭＯＳのフリップフロップの構成のものを用いることが考えられる。
【０００４】
すなわち、図６において、高電源電圧Ｖppと接地間に、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１及びＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１とが直列接続される。また、内部高電源電圧Ｖppと接地間に、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２及びＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２が直列接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１のゲートが、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２との接続点に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２のゲートが、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１との接続点に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートが電圧Ｖinの入力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２のゲートが、インバータＩＮＶ５１を介して、電圧Ｖinの入力端子に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２とＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２との接続点から、出力電圧Ｖout の端子が導出される。
【０００５】
図６に示すようなフリップフロップの構成のレベル変換回路では、入力電圧Ｖinとして、電源電圧Ｖccの入力電圧が与えられる。この入力電圧Ｖinは、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートに供給されると共に、インバータＩＮＶ５１で反転され、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２のゲートに供給される。
【０００６】
ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１のゲートに、電源電圧Ｖccの入力電圧Ｖinが与えられると、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオン状態となり、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオフ状態となる。ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオン状態となると、ノードＮＤ１がローレベルとなる。ノードＮＤ１がローレベルとなると、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２はオン状態となる。ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５２はオン状態で、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオフ状態であるから、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１はオフ状態となる。その結果、出力ノードＮＤ２は、高電圧Ｖppに引き上げられる。すなわち、Ｖccレベルの入力電圧Ｖinが２０Ｖ程度の高電圧に変換され、Ｖout として出力される。
【０００７】
これに対して、入力電圧Ｖinに０Ｖが入力されると、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１がオフ状態となり、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５２がオン状態となる。これにより、出力ノードＮＤ２は接地レベルに引き込まれる。すなわち、０Ｖの入力電圧Ｖinが接地レベルのままで、出力電圧Ｖout として出力される。
【０００８】
ところで、上述のレベル変換回路では、ＣＭＯＳ構成としなければならない。そして、出力電圧が２０Ｖ程度必要なため、高耐圧の構成とする必要がある。このような高耐圧の構成のＣＭＯＳ回路を実現するようにすると、プロセス工程数とマスク枚数が増加し、コストアップになる。また、メインロウデコーダのＮウェルを書き込み動作のたびにＶppに充電する必要があり、昇圧回路の消費電流の増加及びＮウェル充電による書き込み時間の増加の問題がある。
【０００９】
このため、従来のＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリのメインロウデコーダでは、ＮＭＯＳ構成で実現できる、チャージポンプ型のレベル変換回路が用いられている。
【００１０】
図７は、従来のＮＡＮＤ型の構成のフラッシュメモリのメインロウデコーダの一例を示すものである。図７において、ＮＡＮＤゲートＧ１０１は、メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から、所望のブロックを選択するものである。すなわち、ＮＡＮＤゲートＧ１０１には、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。このロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３により、メモリセルアレイ上の所望のブロックが選択される。ＮＡＮＤゲートＧ１０１の出力端子は、インバータＩＮＶ１０１の入力端子に接続される。
【００１１】
トランジスタＴ１０１〜Ｔ１０３、コンデンサＣ１０１は、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成している。このレベル変換回路により、ワード線に印加する電圧が設定される。書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧が形成される。
【００１２】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１は、ディプレッション型のトランジスタであり、そのソース側が高耐圧の構造とされている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のゲートは、制御信号ＳＥＰの供給線に接続される。
【００１３】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２は、インストリンシック型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(I) は通常では略０Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３はエンハンスメント型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(E) は通常では０．６Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２、Ｔ１０３は、高耐圧の構造とされている。
【００１４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のドレインは、インバータＩＮＶ１０１の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のソースは、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのゲートに接続されると共に、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のゲートに接続される。
【００１５】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のドレインが高電圧Ｖppの供給線に接続される。トランジスタＴ１０３のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のゲート及びそのドレインに接続される。トランジスタＴ１０２のゲートとそのドレインとの接続点がコンデンサＣ１０１の一端に接続される。トランジスタＴ１０２のソースがトランジスタＴ１０１のソースに接続される。コンデンサＣ１０１の他端がＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力端子に接続される。ＮＡＮＤゲートＧ１０２の一方の入力端子には、クロックＣＬＫが供給される。ＮＡＮＤゲートＧ１０２の他方の入力端子は、インバータＩＮＶ１０１の出力端子に接続される。
【００１６】
上述の従来のメインロウデコーダの動作について説明する。スタンバイ時には、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベル（接地レベル）に設定される。これにより、ＮＡＮＤゲートＧ１０１の出力がハイレベルとなり、インバータＩＮＶ１０１の出力がローレベルとなるので、インバータＩＮＶ１０１とＮＭＯＳトランジスタＴ１０１との接続点のノードＡＳＥＬはローレベルとなる。ノードＡＳＥＬがローレベルなので、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のソースとＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のソース及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のゲートとの接続点のノードＢＳＥＬはローレベルであり、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３はオフしている。
【００１７】
ここで、書き込みが起動されると、選択されているブロックのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てハイレベルに設定され、ノードＡＳＥＬが電源電圧Ｖccとなる。また、制御信号ＳＥＰがローレベルになる。
【００１８】
制御信号ＳＥＰがローレベルになることにより、ノードＢＳＥＬの電圧は、ディプレッション型のＮＭＯＳトランジスタＴ１０１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜となる。
【００１９】
このとき、トランジスタＴ１０３のスレショルド電圧をＶth(E) とし、ノードＢＳＥＬの電圧をＶBSELとすると、
ＶBSEL＞Ｖth(E)
であることにより、トランジスタＴ１０３がオンする。
【００２０】
そして、クロック信号ＣＬＫがクロック動作することにより、ポンピング動作が行なわれ、ノードＢＳＥＬの電圧が徐々に上昇していく。
【００２１】
ＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力がローレベルのとき、コンデンサＣ１０１の一端のノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ノードＢＳＥＬよりトランジスタＴ１０３のスレショル電圧Ｖth(E) だけ低くなるので、
Ｖcap ＝ＶBSEL−Ｖth(E) …(1)
となり、コンデンサＣ１０１に電荷が蓄積される。
【００２２】
ＮＡＮＤゲートＧ１０２の出力がハイレベルになると、ノードｃａｐの電圧Ｖcap は、電圧Ｖccだけ持ち上げられ、新たなノードｃａｐの電圧Ｖcap ’は、
Ｖcap ’＝Ｖcap ＋Ｖcc …(2)
となる。
【００２３】
ＮＭＯＳトランジスタＴ１０２はダイオード接続となっているため、ノードｃａｐの電荷はノードＢＳＥＬに移り、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させる。このときのノードＢＳＥＬの電圧ＶBSEL’は、トランジスタＴ１０２のスレショルド電圧をＶth(I) とすると、
【００２４】
このように、クロックＣＬＫにより、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させていくような正帰還かかかり、ノードＢＳＥＬの電圧は、徐々に上昇していく。これにより、書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧を出力することができる。
【００２５】
選択されているワード線に対する制御信号ＶCGi の電圧は、内部発生電圧Ｖppに等しい。この制御信号ＶCGi がトランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのドレインに供給される。そして、ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉのゲートには、ノードＢＳＥＬの電圧が与えられる。ノードＢＳＥＬの電圧は、制御信号ＶCGi の電圧Ｖppよりスレショルド電圧Ｖth(E) 以上高いので、ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１０１ｉがオンする。これにより、ワード線ＷＬｉには、ＶCGｉの電圧がそのまま出力される。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来のＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメインロウデコーダでは、チャージポンプ型のレベル変換回路により昇圧して、書き込み時のワード線電圧を出力するようにしている。このようにチャージポンプ型のレベル変換回路を用いることで、ＮＭＯＳの構造とすることができる。ところが、このような構成では、バックバイアス効果の影響を受けるため、電源電圧を下げることが困難であるという問題がある。
【００２７】
つまり、上述の従来のメインロウデコーダのレベル変換回路では、昇圧のゲインが得られるためには、新たなノードＢＳＥＬの電圧ＶBSEL’が前回のノードＢＳＥＬの電圧ＶBSELより高くなっている必要がある。すなわち、
ＶBSEL’≧ＶBSEL
の関係を満足する必要がある。これにより、
ＶBSEL’≧ＶBSEL
Ｖcap ＋Ｖcc−Ｖth(I) ≧Ｖcap ＋Ｖth(E)
Ｖcc≧Ｖth(E) ＋Ｖth(I) …(4)
を満足する必要がある。
【００２８】
ＭＯＳトランジスタでは、ソース電圧と基板との間に電位差が生じると、ソースから基板表面への電子の流入が起こりにくくなり、スレショルド電圧が大きくなることが知られている。このような現象は、バックバイアス効果と呼ばれている。
【００２９】
上述の従来のメインロウデコーダのレベル変換回路では、書き込み時にノードＢＳＥＬが上昇すると、これに伴って、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３及びＴ１０２のソース電圧が上昇する。すなわち、書き込み時に、２０Ｖ程度の電圧に内部発生電圧Ｖppが引き上げられるとすると、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３及びＴ１０２のソース電圧も、内部発生電圧Ｖppと同程度まで引き上げられる。このため、ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のスレショルド電圧Ｖth(I) が上昇する。ＮＭＯＳトランジスタＴ１０３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ１０２のスレショルド電圧Ｖth(I) が上昇すると、電源電圧Ｖccを大きくしないと、上述の（４）式を満足することができなくなる。
【００３０】
現状のＮＡＮＤ型のフラッシュメモリでは、電源電圧Ｖccとして３．３Ｖが用いられているため、上述の（４）式を満足しているが、今後は、機器の小型化や低消費電力化を図るためにも、電源電圧を低下させていくことが要望されるようになると考えられる。電源電圧を２．５Ｖや１．８Ｖとした場合には、上述の（４）式を満足することは非常に困難である。
【００３１】
チャージポンプの段数を増加したりすることも考えられるが、チャージポンプの段数を増加すると、回路規模が増大するという問題が生じる。
【００３２】
したがって、この発明の目的は、ＮＭＯＳ構成とすることができると共に、バックバイアス効果の影響を受けずに、低電圧化を図ることができるようにした不揮発性メモリのロウアドレスデコーダを提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、複数のメモリセルトランジスタが直列接続されたＮＡＮＤストリングからなり、複数のＮＡＮＤストリングのうち互いに対応するメモリセルトランジスタのゲートに共通のワード線を接続してブロックを構成し、ブロックをメモリセルアレイ上に複数配列するようにした不揮発性メモリのロウデコーダであって、
メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から所望のブロックを選択するブロック選択手段と、
ブロック選択手段の出力電圧のレベルを変換するレベル変換手段と、
選択されたブロック中の複数のワード線の中から所望のワード線に印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
電圧発生手段とワード線との間に設けられ、レベル変換手段の出力がそのゲートに与えられるトランスファ手段とからなり、
レベル変換手段は、
昇圧用クロック信号が印加される容量素子と、
レベル変換手段の入力端とその出力端との間に接続された第１の電界効果トランジスタと、
容量素子と出力端間に接続されたダイオード接続の第２の電界効果トランジスタと、
内部高圧電源と容量素子との間に接続され、そのゲートが出力端に接続された第３の電界効果トランジスタと、
内部高圧電源に接続され、そのゲートが出力端に接続された第４の電界効果トランジスタと
を有し、
第１、第２、第３及び第４の電界効果トランジスタは第１導電型であり、
第２、第３及び第４の電界効果トランジスタのうち、少なくとも第２及び第４の電界効果トランジスタが、第２の導電型の基板上の第１導電型の第１のウェル中に形成された第２導電型の第２のウェルに対して形成され、かつ、
第２のウェルの電位を出力電圧に追従せさて上昇させるウェル電位調整手段を有し、更に、
第２、第３及び第４の電界効果トランジスタの第２のウェルと接地面との間に接続され、そのゲートが入力端に対する入力電圧を反転させる反転素子の出力端に接続された、第１導電型の第５の電界効果トランジスタを有し、
第２のウェルの電位を初期化する手段を含むようにした不揮発性メモリのロウデコーダである。
【００３５】
チャージポンプ型のレベル変換回路を構成する際に、ＮＭＯＳトランジスタがｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成したトリプルウェル中に設けられる。そして、出力電圧が上昇することによりソース電圧が上昇すると、ウェルの電位がこれに追従されて上昇される。これにより、ソースと基板間の電位差によるバックバイアス効果が生じることがなくなり、スレショルド電圧の上昇が防げる。このため、電源電圧を低くすることが可能になる。
【００３６】
このようなトリプルウェル中のウェルの電位を接地レベルとするためのトランジスタが設けられる。このトランジスタをオンすることにより、ウェルの電位を初期化することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、この発明が適用されたＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメインロウデコーダの一例を示すものである。
【００３８】
図１において、ＮＡＮＤゲートＧ１は、メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から、所望のブロックを選択するものである。
【００３９】
ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリのメモリセルアレイは、図２に示すように構成される。図２において、トランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…は、フローティングゲートを有するメモリセルトランジスタである。例えば、１６個のメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…が直列に接続される。そして、このメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…の直列接続のドレイン側に、選択ゲートのトランジスタＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…が夫々直列接続され、更にこの直列接続のソース側に、選択ゲートのトランジスタＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…が夫々直列接続される。これにより、例えば１６個のメモリセルを有するＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…が構成される。
【００４０】
ドレイン側の選択ゲートのトランジスタＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…のドレインは、夫々、ビット線ＢＬ０、ＢＬ１、…に接続される。ソース側の選択ゲートのトランジスタＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…のソースは、夫々、ソース線Ｖｓに接続される。
【００４１】
このＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…が並んで配列され、対応する選択ゲートのトランジスタのゲート及びメモリセルトランジスタのゲートが共通接続される。図２の例では、ＮＡＮＤストリングＳＴＡ、ＳＴＢ、…の選択ゲートＳＧ１Ａ、ＳＧ１Ｂ、…のゲートは、共通の選択信号供給線ＤＳＧに接続される。メモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…のゲートが、夫々、共通のワード線ＷＬ０、ＷＬ１２、…ＷＬ１５に接続される。選択ゲートＳＧ２Ａ、ＳＧ２Ｂ、…のゲートは、共通の選択信号供給線ＳＳＧに接続される。このように、互いに対応する選択ゲートのトランジスタ及びメモリセルトランジスタを接続して、ブロックが構成される。
【００４２】
メモリセル上には、図３に示すように、このようなブロックＢ０、Ｂ１、Ｂ２、…が複数配列されている。図１におけるＮＡＮＤゲートＧ１には、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。このロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３により、メモリセルアレイ上の所望のブロックが選択される。
【００４３】
図１において、トランジスタＴ１〜Ｔ５、コンデンサＣ１は、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成している。このレベル変換回路により、書き込み時には、２０Ｖ程度の電圧が出力される。
【００４４】
サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０は、ＮＡＮＤストリング中の選択ゲートを設定すると共に、所望のワード線を選択するものである。サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からは、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５に対する制御信号ＶＣＧ０〜ＶＣＧ１５の供給線と、選択信号供給線ＳＳＧに対する制御信号ＶＳＳＧの供給線と、選択信号供給線ＤＳＧに対する制御信号ＶＤＳＧＨ及びＶＤＳＧＬの供給線が導出される。
【００４５】
ＴＧ１〜ＴＧ１９は、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタである。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１９のドレインは、サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からの各制御信号の供給線に接続される。
【００４６】
ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＳＳＧの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ２〜ＴＧ１７のドレインは、メモリセルトランジスタを制御するための制御信号ＶＣＧ０〜ＶＣＧ１５の供給線に夫々接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１８のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＤＳＧＨの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１９のドレインは、選択ゲートを制御するための制御信号ＶＤＳＧＬの供給線に接続される。
【００４７】
ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１のソースは、選択信号供給線ＳＳＧに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ２〜ＴＧ１７のソースは、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５に夫々接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴＧ１８のソース及びＴＧ１９のソースは、選択信号供給線ＤＳＧに接続される。
【００４８】
上述のように、チャージポンプ型のレベル変換回路は、トランジスタＴ１〜Ｔ５、コンデンサＣ１から構成されている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１は、ディプレッション型のトランジスタであり、そのソース側が高耐圧の構造とされている。ＮＭＯＳトランジスタＴ１のゲートは、制御信号ＳＥＰの供給線に接続される。
【００４９】
ＮＭＯＳトランジスタＴ２は、イントリンシック型のトランジスタであり、スレショルド電圧Ｖth(I) は通常では略０Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ３、Ｔ４はエンハンスメント型のトランジスタであり、そのスレショルド電圧Ｖth(E) は通常では０．６Ｖである。ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４は、高耐圧の構造とされている。
【００５０】
ＮＭＯＳトランジスタＴ５はエンハンスメント型のトランジスタである。トランジスタＴ５は、ドレイン側が高耐圧の構造とされている。
【００５１】
この発明が適用されたメインロウデコーダにおけるレベル変換回路では、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４（破線で囲んで示すトランジスタ）は、図４に示すように、ｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成したトリプルウェル中に形成される。
【００５２】
図４において、１１はｐ形半導体基板、１２はｎウェル、１３はｐウェル、１４〜１６はｎ+ 拡散層、１７はｐ+ 拡散層、１８はゲート電極を夫々示している。ｐ形半導体基板１１に、ｎウェル１２が形成され、このｎウェル１２内にｐウェル１３が形成される。そして、ｐウェル１３内の表面には、素子側拡散層であるｎ+ 拡散層１５、１６及び取り出し電極用のｐ+ 拡散層１７が形成されている。ｎ+ 拡散層１５、１６及びゲート電極１８によりＮＭＯＳトランジスタが構成される。例えば、ｎ+ 拡散層１５がソースとして機能し、ｎ+ 拡散層１６がドレインとして機能する。端子Ｗｐはｐウェル１３から導出され、端子Ｗｎはｎウェル１２から導出される。
【００５３】
図１において、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のドレインは、インバータＩＶ１の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースは、トランスファゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１８のゲートに接続されると共に、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のゲート及びＮＭＯＳトランジスタＴ４のゲートに接続される。
【００５４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ３のドレインが内部発生電圧Ｖppの供給線に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ３のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ２のゲートとドレインとの接続点がコンデンサＣ１の一端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ２のソースがＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースに接続される。コンデンサＣ１の他端がＮＡＮＤゲートＧ２の出力端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴ４のドレインが内部発生電圧Ｖppの供給線に接続される。
【００５５】
また、上述のように、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４はトリプルウェル中に設けられており、これらのトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２は、トランジスタＴ５のドレインに接続される。なお、図４に示したように、ｐウェル１３及びｎウェル１２からは、端子Ｗp 及び端子Ｗn が導出される。ｐウェル１３及びｎウェル１２を接続することは、この端子Ｗp 及び端子Ｗn を接続することを意味する。また、トランジスタＴ５のソースが接地される。トランジスタＴ５のゲートがインバータＩＮＶ２の出力端子に接続される。
【００５６】
ＮＡＮＤゲートＧ１には、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が供給される。ＮＡＮＤゲートＧ１の出力端子がインバータＩＮＶ１の入力端子に接続される。インバータＩＮＶ１の出力端子がＮＭＯＳトランジスタＴ１のドレインに接続されると共に、ＮＡＮＤゲートＧ２の一方の入力端子に接続される。ＮＡＮＤゲートＧ２の他方の入力端子がクロックＣＬＫの供給線に接続される。これと共に、インバータＩＮＶ１の出力端子がインバータＩＮＶ２の入力端子に接続される。インバータＩＮＶ２の出力端子がＮＭＯＳトランジスタＴＧ１９のゲートに接続されると共に、トランジスタＴ５のゲートに接続される。
【００５７】
上述の実施の形態の動作について、図５を参照して説明する。スタンバイ時には、図５Ｂ〜図５Ｄに示すように、プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベル（接地レベル）に設定される。このとき、ＮＡＮＤゲート回路Ｇ１の出力がハイレベルとなり、インバータＩＮＶ１の出力がローレベルとなるので、図５Ｆに示すように、インバータＩＮＶ１とＮＭＯＳトランジスタＴ１との接続点のノードＡＳＥＬはローレベルである。ノードＡＳＥＬがローレベルなので、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のソースとＮＭＯＳトランジスタＴ２のソース及びＮＭＯＳトランジスタＴ３のゲートとの接続点のノードＢＳＥＬはローレベルであり、ＮＭＯＳトランジスタＴ３はオフしている。また、ノードＢＳＥＬがローレベルであるため、ＮＭＯＳトランジスタＴ４はオフしている。この時、インバータＩＮＶ２の出力はハイレベル（電源電圧Ｖccレベル）となり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオンし、トリプルウェル中に設けられているトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル及びｎウェル（図４におけるｐウェル１３及びｎウェル１２）は、接地レベルになる。
【００５８】
ここで、書き込みが起動されると、選択されているブロックのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てハイレベルに設定され、ノードＡＳＥＬが電源電圧Ｖccとなる。また、図５Ａに示すように、制御信号ＳＥＰがローレベルになる。
【００５９】
制御信号ＳＥＰがローレベルになることにより、図５Ｇに示すように、ノードＢＳＥＬの電圧（図６でＥ１で示す）は、ディプレッション型のＮＭＯＳトランジスタＴ１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜となる。これと同時に、インバータＩＮＶ２の出力端子のノードＸＡＳＥＬがローレベルになることにより、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオフする。
【００６０】
そして、図５Ｇに示すように、ポンピング動作が行なわれ、ノードＢＳＥＬの電圧が徐々に上昇していく。
【００６１】
すなわち、トランジスタＴ３のスレショルド電圧をＶth(E) とし、ノードＢＳＥＬの電圧をＶBSELとすると、
ＶBSEL＞Ｖth(E)
であることにより、トランジスタＴ３がオンする。
【００６２】
トランジスタＴ３がオンすると、コンデンサＣ１の一端のノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ノードＢＳＥＬよりトランジスタＴ３のスレショル電圧Ｖth(E) だけ低くなるので、
Ｖcap ＝ＶBSEL−Ｖth(E)
となり、コンデンサＣ１に電荷が蓄積される。
【００６３】
ＮＡＮＤゲートＧ２から出力されるクロックＣＬＫがハイレベルになると、ノードｃａｐの電圧Ｖcap は、ハイレベルのときのクロックの電圧Ｖcc分だけ持ち上げられ、新たなノードｃａｐの電圧Ｖcap ’は、
Ｖcap ’＝Ｖcap ＋Ｖcc
となる。
【００６４】
ＮＭＯＳトランジスタＴ２はダイオード接続となっているため、ノードｃａｐの電荷はノードＢＳＥＬに移り、ノードＢＳＥＬの電圧を上昇させる。このときのノードＢＳＥＬの電圧Ｖ BSEL ’は、トランジスタＴ２のスレショルド電圧をＶ th(I) とすると、
【００６５】
ところで、このようなチャージポンプ型のレベル変換回路を動作させるためには、チャージポンプ回路のゲインが
Gain ＝Ｖ BSEL ’−Ｖ BSEL ≧０
を満たす必要があり、この条件式より、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) とＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) との和を電源電圧Ｖcc以下とし、
Ｖ cc ≧Ｖ th(E) ＋Ｖ th(I)
とする必要がある。
【００６６】
ノードＢＳＥＬの電圧が上昇していくと、ＮＭＯＳトランジスタＴ２及びＴ３のソース電圧も上昇していく。このとき、基板とソース電圧との間に電位差が生じると、ソースから基板表面への電子の流入が減少し、バックバイアス効果によりスレショルド電圧が高くなるため、電源電圧Ｖccを下げることが困難になってくる。
【００６７】
そこで、この発明の実施の形態では、上述のように、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設けている。そして、ソース電圧の上昇と共に、ｐウェルの電圧を上昇させて、バックバイアス効果によるスレショルド電圧の上昇を抑えている。
【００６８】
すなわち、ポンピング動作が開始されると、インバータＩＮＶ２の出力はローレベルになり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５はオフする。このとき、ＮＭＯＳトランジスタＴ１のスレショルド電圧｜Ｖth(D) ｜がＮＭＯＳトランジスタＴ４のスレショルド電圧Ｖth(E) より大きいことにより、ＮＭＯＳトランジスタＴ４がオンする。ＮＭＯＳトランジスタＴ４がオンすると、トリプルウェル中に設けられているトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２は、
｜Ｖth(D) ｜−Ｖth(E)
に充電される。
【００６９】
ノードＢＳＥＬの電圧がポンピング動作によって上昇していくと、ＮＭＯＳトランジスタＴ４のゲート電圧が上昇していき、図５ＧでＥ３で示すように、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェルの電圧Ｖpwelも上昇していく。
【００７０】
このように、ノードＢＳＥＬの電圧の上昇により、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３のソース電圧が上昇すると、それに伴って、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３の電圧Ｖpwelも上昇していく。このため、バックバイアス効果がかなり緩和され、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) 及びＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) の変化がかなり抑えられる。
【００７１】
ソースとｐウェル１３との電位差が変化しないとすれば、ＮＭＯＳトランジスタＴ３のスレショルド電圧Ｖth(E) を（Ｖth(E) ＝０．６Ｖ）、ＮＭＯＳトランジスタＴ２のスレショルド電圧Ｖth(I) を（Ｖth(I) ＝０．０Ｖ）とすると、Ｖth(E) ＋Ｖth(I) ＝０．６Ｖ
となり、マージンを見込んでも、電源電圧Ｖccを（Ｖcc＝１Ｖ）程度にまで下げることが可能である。
【００７２】
書き込み動作が終了すると、ベリファイが行なわれる。ベリファイ時のサブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０からワード線に供給する電圧の上限は、ＮＡＮＤセルを構成するメモリセルトランジスタＭＴ０Ａ〜ＭＴ１５Ａ、ＭＴ０Ｂ〜ＭＴ１５Ｂ、…をパストランジスタとしたときにゲートに印加する５Ｖ程度の電圧であるが、サブロウデコーダ及びＳＧデコーダ１０の出力とワード線を接続するトランスファーゲートを構成するＮＭＯＳトランジスタＴＧ１〜ＴＧ１９がオンすれば良いので、ノードＢＳＥＬは書き込み時のワード線電圧（２０Ｖ程度）であっても問題はない。したがって、一度書き込みが起動されると、書き込み十分と判定されて書き込み／ベリファイ動作を終了するまで、内部発生電圧Ｖppを書き込み時の選択ワード線電圧のままとし、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２の電荷は放電する必要はない。
【００７３】
ベリファイ読み出しで、ページ内のセルが書き込み十分と判定された段階で、内部発生電圧Ｖppが電源電圧Ｖccと同電位に設定され、ロウアドレスのプリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベルに設定される。プリデコード信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が全てローレベルに設定されると、インバータＩＮＶ２の出力はハイレベルとなり、ＮＭＯＳトランジスタＴ５がオンし、トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のｐウェル１３及びｎウェル１２の電荷が放電され、ノードＶpwelが接地レベルになる。
【００７４】
以上のように、この発明の実施の形態では、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成するＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設けるようにしている。そして、ソース電圧の上昇と共に、ウェルの電圧を上昇させることにより、バックバイアス効果の影響が少なくなるようにしている。これにより、ＮＭＯＳトランジスタのデコーダの構成で、電源電圧を１Ｖ程度にまで低くすることが可能になる。
【００７５】
なお、上述の例では、書き込み時の２０Ｖ程度の電圧をワード線に印加する場合について説明したが、他の電圧を印加する場合にも同様に適用できる。
【００７６】
また、上述の例では、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４をトリプルウェル中に設け、ＮＭＯＳトランジスタＴ２及びＴ３を共にバックバイアス効果の影響を緩和できるようにしているが、ＮＭＯＳトランジスタＴ２、Ｔ４をトリプルウェル中に設け、ＮＭＯＳトランジスタＴ２のみバックバイアス効果の影響を緩和するようにしても、十分に効果的である。
【００７７】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成する際に、ｐ形基板上にｎウェルとｐウェルを形成するようにしたトリプルウェル中に、チャージポンプ型のレベル変換回路を構成するＮＭＯＳトランジスタが設けられる。そして、出力電圧が上昇することによりソース電圧が上昇すると、ウェルの電位がこれに追従して上昇される。これにより、ソースと基板間の電位差によるバックバイアス効果が緩和され、スレショルド電圧の上昇が防げる。このため、電源電圧を低下させることが可能になる。
【００７８】
また、請求項１の発明によれば、ウェルの電位を接地レベルとするためのトランジスタが設けられる。このトランジスタをオンすることにより、ウェルの電位を初期化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用されたメインロウデコーダの一例の接続図である。
【図２】ＮＡＮＤ型のストリング及びブロックの説明に用いる接続図である。
【図３】メモリセル中のブロックの説明に用いる略線図である。
【図４】トリプルウェルの説明に用いる断面図である。
【図５】この発明が適用されたメインロウデコーダの一例の説明に用いる波形図である。
【図６】従来のレベル変換回路の一例の接続図である。
【図７】従来のレベル変換回路の他の例の接続図てある。
【符号の説明】
Ｔ１，２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５・・・ＮＭＯＳトランジスタ，Ｃ１・・・コンデンサ，ＷＬ０〜ＷＬ１５・・・ワード線
Claims (1)
- 複数のメモリセルトランジスタが直列接続されたＮＡＮＤストリングからなり、複数の上記ＮＡＮＤストリングのうち互いに対応するメモリセルトランジスタのゲートに共通のワード線を接続してブロックを構成し、上記ブロックをメモリセルアレイ上に複数配列するようにした不揮発性メモリのロウデコーダであって、
上記メモリセルアレイ上に配列される複数のブロックの中から所望のブロックを選択するブロック選択手段と、
上記ブロック選択手段の出力電圧のレベルを変換するレベル変換手段と、
上記選択されたブロック中の複数のワード線の中から所望のワード線に印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
上記電圧発生手段と上記ワード線との間に設けられ、上記レベル変換手段の出力がそのゲートに与えられるトランスファ手段とからなり、
上記レベル変換手段は、
昇圧用クロック信号が印加される容量素子と、
上記レベル変換手段の入力端とその出力端との間に接続された第１の電界効果トランジスタと、
上記容量素子と上記出力端間に接続されたダイオード接続の第２の電界効果トランジスタと、
内部高圧電源と上記容量素子との間に接続され、そのゲートが上記出力端に接続された第３の電界効果トランジスタと、
上記内部高圧電源に接続され、そのゲートが上記出力端に接続された第４の電界効果トランジスタと
を有し、
上記第１、第２、第３及び第４の電界効果トランジスタは第１導電型であり、
上記第２、第３及び第４の電界効果トランジスタのうち、少なくとも第２及び第４の電界効果トランジスタが、第２の導電型の基板上の第１導電型の第１のウェル中に形成された第２導電型の第２のウェルに対して形成され、かつ、
上記第２のウェルの電位を出力電圧に追従せさて上昇させるウェル電位調整手段を有し、更に、
上記第２、第３及び第４の電界効果トランジスタの上記第２のウェルと接地面との間に接続され、そのゲートが上記入力端に対する入力電圧を反転させる反転素子の出力端に接続された、上記第１導電型の第５の電界効果トランジスタを有し、
上記第２のウェルの電位を初期化する手段を含むようにした不揮発性メモリのロウデコーダ。
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