JP4490969B2 - 無線周波数プラズマ処理における不安定性を防止する方法及び装置 - Google Patents
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Claims (57)
- 電力を動的負荷に提供するRF電源であって、
蓄積エネルギを最小化する小さな時定数を有しており、入力電力を出力RF電力に変換する電力回路と、
前記電力回路に制御信号を提供し、前記RF電源による入力電力消費を規制する制御回路と、
前記入力電力の測定値を前記RF電源に提供する第1の回路であって、前記測定値は、前記入力電力が実質的に一定になるように、前記電力回路への前記制御信号を第1の時間間隔で調整するのに用いられる、第1の回路と、
前記RF電源の出力における出力電力を測定する第2の回路であって、前記出力電力は、前記電力回路への前記制御信号を第2の時間間隔で補償するのに用いられ、前記第1の時間間隔が前記第2の時間間隔よりも小さい、第2の回路と、
を備えることを特徴とするRF電源。 - 請求項1記載のRF電源において、前記第1の時間間隔は、DC電流を前記RF電源に与えるスイッチング電源のスイッチング周波数に対応することを特徴とするRF電源。
- 請求項1記載のRF電源において、第1の時間間隔を第2の時間間隔よりも小さくするのに重み付けファクタが用いられることを特徴とするRF電源。
- 請求項1記載のRF電源において、前記RF電源の出力がプラズマ負荷を付勢することを特徴とするRF電源。
- 請求項1記載のRF電源において、共振インバータと、降圧型スイッチング・レギュレータと、ブースト・レギュレータと、DCスイッチング電力と、インバータ又はスイッチング電源のゲート駆動回路との中の少なくとも1つを更に備えていることを特徴とするRF電源。
- 請求項2記載のRF電源において、前記入力電力は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して測定されることを特徴とするRF電源。
- 請求項6記載のRF電源において、前記出力電力信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては測定されないことを特徴とするRF電源。
- 請求項5記載のRF電源において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して更新されることを特徴とするRF電源。
- 請求項5記載のRF電源において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては更新されないことを特徴とするRF電源。
- 請求項2記載のRF電源において、前記入力電力測定値は、それぞれのスイッチング・サイクルの間に前記スイッチング電源の入力端子を流れる電荷全体を測定することによって決定されることを特徴とするRF電源。
- 請求項1記載のRF電源において、前記第1の時間間隔は1変換サイクルに1回前記電力制御信号を調整し、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷の応答時間よりも大であることを特徴とするRF電源。
- 請求項11記載のRF電源において、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷を供給する気体供給システムの応答時間よりも大であることを特徴とするRF電源。
- 電力を可変インピーダンス負荷に提供するRF電源であって、
前記RF電源に制御信号を提供し、前記RF電源からの電力出力レベルを規制する制御回路と、
入力電力の測定値を前記RF電源に提供する第1の回路であって、前記測定値は、実質的に一定の入力電力を維持するために、前記制御信号を第1の時間間隔で調整するのに用いられる、第1の回路と、
前記RF電源の出力における出力電力を測定する第2の回路であって、前記出力電力は、前記RF電源への前記制御信号を第2の時間間隔で補償するために用いられ、前記第1の時間間隔が前記第2の時間間隔よりも小さい、第2の回路と、
を備えることを特徴とするRF電源。 - 請求項13記載のRF電源において、前記入力電力は一定であることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、第1の時間間隔を第2の時間間隔よりも小さくするのに重み付けファクタが用いられることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記RF電源の出力がプラズマ負荷を付勢することを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記RF発生器と前記負荷との間に整合回路を更に備えていることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、共振インバータと、降圧型スイッチング・レギュレータと、ブースト・レギュレータと、DCスイッチング電力と、インバータ又はスイッチング電源のゲート駆動回路との中の少なくとも1つを更に備えていることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記入力電力は前記電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して測定されることを特徴とするRF電源。
- 請求項19記載のRF電源において、前記出力電力信号は前記電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては測定されないことを特徴とするRF電源。
- 請求項18記載のRF電源において、前記制御信号は前記電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して更新されることを特徴とするRF電源。
- 請求項18記載のRF電源において、前記制御信号は前記電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては更新されないことを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記電気的負荷はプラズマ発生システムを備えていることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記制御信号は前記電源のパルス幅変調を制御することを特徴とするRF電源。
- 請求項24記載のRF電源において、パルス幅変調の量はスイッチング・サイクルごとをベースにして決定されることを特徴とするRF電源。
- 請求項13記載のRF電源において、前記第1の時間間隔は1スイッチング・サイクルに1回前記制御信号を調整し、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷の応答時間よりも大であることを特徴とするRF電源。
- 請求項26記載のRF電源において、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷を供給する気体供給システムの応答時間よりも大であることを特徴とするRF電源。
- RFプラズマ発生器であって、
電源と、
前記電源から電力を受け取るACスイッチング電源であって、
制御信号を前記電源に供給して前記電源からの電力出力レベルを規制する制御回路と、
入力電力の測定値を前記電源に提供する第1の回路であって、前記測定値は、実質的に一定の入力電力を維持するために、前記電源への前記制御信号を第1の時間間隔で調整するのに用いられる、第1の回路と、
前記電源の出力における出力電力を測定する第2の回路であって、前記出力電力は、前記電源への前記制御信号を第2の時間間隔で補償するのに用いられ、前記第1の時間間隔が前記第2の時間間隔よりも小さい、第2の回路と、
を含むACスイッチング電源と、
を備えており、前記スイッチング電源の出力は、電力をRF発生部に供給することを特徴とするRFプラズマ発生器。 - 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記第1の時間間隔は前記スイッチング電源のスイッチング周波数に対応することを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、第1の時間間隔を第2の時間間隔よりも小さくするのに重み付けファクタが用いられることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記RF発生部の出力がプラズマ負荷を付勢することを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記RF発生部と前記負荷との間に整合回路を更に備えていることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記スイッチング電源は、共振インバータと、降圧型スイッチング・レギュレータと、ブースト・レギュレータと、DCスイッチング電力と、インバータ又はスイッチング電源のゲート駆動回路との中の少なくとも1つを更に備えていることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して更新されることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項34記載のRFプラズマ発生器において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては更新されないことを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記入力電力は、それぞれのスイッチング・サイクルの間に前記スイッチング電源の入力端子を流れる電荷全体を測定することによって決定されることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記電気的負荷はプラズマ発生システムを備えていることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記制御信号は前記スイッチング電源のパルス幅変調を制御することを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項38記載のRFプラズマ発生器において、パルス幅変調の量はスイッチング・サイクルごとをベースにして決定されることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項28記載のRFプラズマ発生器において、前記第1の時間間隔は1スイッチング・サイクルに1回前記制御信号を調整し、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷の応答時間よりも大であることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 請求項40記載のRFプラズマ発生器において、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷を供給する気体供給システムの応答時間よりも大であることを特徴とするRFプラズマ発生器。
- 可変インピーダンス負荷への電力を規制する方法であって、
制御信号をスイッチング電源に提供してRF発生器からの電力出力レベルを規制する制御回路を提供するステップと、
前記スイッチング電源の入力側において測定された第1の電力に基づいて、前記スイッチング電源への前記制御信号を第1の時間間隔で調整するステップと、
前記RF発生器の出力側で測定された第2の電力に基づいて、前記スイッチング電源にへの前記制御信号を第2の時間間隔で補償するステップであって、前記第1の時間間隔は前記第2の時間間隔よりも小さい、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項42記載の方法において、前記第1の時間間隔は前記スイッチング電源のスイッチング周波数に対応することを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、第1の時間間隔を第2の時間間隔よりも小さくするのに重み付けファクタが用いられることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記RF発生器の出力がプラズマ負荷を付勢することを特徴とするRF方法。
- 請求項42記載の方法において、前記RF発生器と前記負荷との間に整合回路を備えていることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記電源は、共振インバータと、降圧型スイッチング・レギュレータと、ブースト・レギュレータと、DCスイッチング電力と、ゲート駆動回路との中の少なくとも1つを更に備えていることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記入力電力は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して測定されることを特徴とする方法。
- 請求項48記載の方法において、前記出力電力信号は前記電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては測定されないことを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記第1の電力は、それぞれのスイッチング・サイクルの間に前記スイッチング電源の入力端子を流れる電荷全体を測定することによって決定されることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対して更新されることを特徴とする方法。
- 請求項51記載の方法において、前記制御信号は前記スイッチング電源のそれぞれのスイッチング・サイクルに対しては更新されないことを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記電気的負荷はプラズマ発生システムを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記制御信号は前記電源のパルス幅変調を制御することを特徴とする方法。
- 請求項54記載の方法において、パルス幅変調の量はスイッチング・サイクルごとをベースにして決定されることを特徴とする方法。
- 請求項42記載の方法において、前記第1の時間間隔は1スイッチング・サイクルに1回前記制御信号を調整し、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷の応答時間よりも大であることを特徴とする方法。
- 請求項56記載の方法において、前記第2の時間間隔は前記電気的負荷を供給する気体供給システムの応答時間よりも大であることを特徴とする方法。
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Families Citing this family (76)
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US7755300B2 (en) * | 2003-09-22 | 2010-07-13 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing |
DE102004015090A1 (de) * | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
EP1701376B1 (de) * | 2005-03-10 | 2006-11-08 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Vakuumplasmagenerator |
US7764140B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-07-27 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
US20080179948A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
US7353771B2 (en) * | 2005-11-07 | 2008-04-08 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator |
ATE421791T1 (de) * | 2005-12-22 | 2009-02-15 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur arcerkennung in einem plasmaprozess |
US7990076B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lamp driver circuit and method for driving a discharge lamp |
EP2092547B1 (en) * | 2006-10-31 | 2014-01-22 | MKS Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing |
DE502006005363D1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1978542B1 (de) | 2007-03-08 | 2010-12-29 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
US7791912B2 (en) * | 2008-05-02 | 2010-09-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Protection method, system and apparatus for a power converter |
US8391025B2 (en) * | 2008-05-02 | 2013-03-05 | Advanced Energy Industries, Inc. | Preemptive protection for a power convertor |
US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
EP2202776B1 (de) * | 2008-12-23 | 2012-02-15 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Messverfahren und Messeinrichtung für eine Plasmaversorgungseinrichtung |
US8692466B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-04-08 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator |
US8659335B2 (en) | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
KR101104370B1 (ko) * | 2009-07-29 | 2012-01-16 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 아크제어수단을 구비한 플라즈마용 펄스전원장치 및 그 장치에서의 아크 제어 방법 |
US8906195B2 (en) * | 2009-11-18 | 2014-12-09 | Lam Research Corporation | Tuning hardware for plasma ashing apparatus and methods of use thereof |
DE102009054449A1 (de) * | 2009-11-25 | 2011-05-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Selbstabgleichende RF-Plasmastromversorgung |
CN102640406A (zh) | 2009-12-15 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 电源装置 |
US8880227B2 (en) * | 2010-05-27 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
US10225919B2 (en) * | 2011-06-30 | 2019-03-05 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd | Projected plasma source |
JP5867701B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5808012B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8773019B2 (en) * | 2012-02-23 | 2014-07-08 | Mks Instruments, Inc. | Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing |
CN102693893B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-01-14 | 北京工业大学 | 一种利用调频的方式改善高频放电等离子体均匀性的方法 |
US8736377B2 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-27 | Mks Instruments, Inc. | RF pulse edge shaping |
KR102065809B1 (ko) | 2012-12-18 | 2020-01-13 | 트럼프 헛팅거 게엠베하 + 코 카게 | 아크 제거 방법 및 전력 변환기를 갖는 전력 공급 시스템 |
JP6629071B2 (ja) | 2012-12-18 | 2020-01-15 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | 高周波電力を発生させるための方法及び負荷に電力を供給するための電力変換器を備えた電力供給システム |
US9041480B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-05-26 | Mks Instruments, Inc. | Virtual RF sensor |
KR101768827B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2017-08-17 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 플라즈마 생성용 전원 장치 및 플라즈마 생성용 전원 공급 방법 |
DE102013110883B3 (de) | 2013-10-01 | 2015-01-15 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess |
US9496122B1 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-15 | Reno Technologies, Inc. | Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same |
US9697991B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-07-04 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9865432B1 (en) | 2014-01-10 | 2018-01-09 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9755641B1 (en) | 2014-01-10 | 2017-09-05 | Reno Technologies, Inc. | High speed high voltage switching circuit |
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US9196459B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-11-24 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
EP2905801B1 (en) | 2014-02-07 | 2019-05-22 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of monitoring the discharge in a plasma process and monitoring device for monitoring the discharge in a plasma |
DE102014209469A1 (de) * | 2014-05-19 | 2015-11-19 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Regelungsanordnung, Regelsystem und Hochfrequenzleistungserzeugungsvorrichtung |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9306533B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-04-05 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10340879B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US12119206B2 (en) | 2015-02-18 | 2024-10-15 | Asm America, Inc. | Switching circuit |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US10692699B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-23 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with restricted capacitor switching |
US11342161B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit with voltage bias |
US11150283B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
US11335540B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-17 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10984986B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-04-20 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11081316B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-08-03 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11342160B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Filter for impedance matching |
JP6378234B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP6392266B2 (ja) | 2016-03-22 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US11004660B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-05-11 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Variable output impedance RF generator |
US11315758B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-04-26 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations |
US11398370B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-26 | Reno Technologies, Inc. | Semiconductor manufacturing using artificial intelligence |
US10727029B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-28 | Reno Technologies, Inc | Impedance matching using independent capacitance and frequency control |
US10483090B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-11-19 | Reno Technologies, Inc. | Restricted capacitor switching |
US10714314B1 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-14 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11393659B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-19 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
US11476091B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-10-18 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network for diagnosing plasma chamber |
US11114280B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-09-07 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with multi-level power setpoint |
US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11101110B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-24 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
CN111263858B (zh) * | 2017-09-26 | 2022-03-01 | 先进能源工业公司 | 用于等离子体激发的系统和方法 |
WO2019165296A1 (en) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | Lam Research Corporation | Rf current measurement in semiconductor processing tool |
US11521831B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method with reduced memory requirements |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2484178A1 (fr) * | 1980-06-10 | 1981-12-11 | Thomson Brandt | Dispositif d'alimentation a decoupage pour televiseur synchrone de la frequence ligne, et televiseur comprenant un tel systeme |
KR890001600Y1 (ko) | 1986-04-23 | 1989-04-06 | 주식회사금성사 | 고주파 유도가열장치용 전력제어장치 |
JPH074791Y2 (ja) * | 1988-11-19 | 1995-02-01 | 三洋電機株式会社 | 高周波加熱装置 |
US5266765A (en) * | 1990-08-06 | 1993-11-30 | Contour Hardening, Inc. | Apparatus and method of induction-hardening machine components with precise power output control |
WO1992003898A1 (en) * | 1990-08-17 | 1992-03-05 | Gaslamp Power And Light | System for providing a constant level current to a fluorescent tube |
TW235383B (ja) * | 1991-04-04 | 1994-12-01 | Philips Nv | |
KR0184675B1 (ko) | 1991-07-24 | 1999-04-15 | 이노우에 쥰이치 | 챔버내의 전극에 있어서의 실제의 rf파워를 검출 및 제어 가능한 플라즈마 처리장치 |
JP3167221B2 (ja) * | 1992-05-07 | 2001-05-21 | ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション | 誘導結合プラズマ発生器 |
US5556549A (en) | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
US5757168A (en) | 1996-05-06 | 1998-05-26 | American Manufacturing & Technologies, Incorporated | Primary regulator for an unregulated linear power supply and method |
US5982156A (en) * | 1997-04-15 | 1999-11-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Feed-forward control of aircraft bus dc boost converter |
JP2929284B2 (ja) * | 1997-09-10 | 1999-08-03 | 株式会社アドテック | 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム |
US6140777A (en) * | 1998-07-29 | 2000-10-31 | Philips Electronics North America Corporation | Preconditioner having a digital power factor controller |
US6172466B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-01-09 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Phase-controlled dimmable ballast |
JP3520795B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2004-04-19 | 松下電工株式会社 | 放電灯点灯装置 |
US6326584B1 (en) | 1999-12-31 | 2001-12-04 | Litmas, Inc. | Methods and apparatus for RF power delivery |
US6486616B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-11-26 | Osram Sylvania Inc. | Dual control dimming ballast |
JP3823014B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2006-09-20 | 株式会社小糸製作所 | 放電灯点灯回路 |
JP3942387B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2007-07-11 | 株式会社小糸製作所 | 放電灯点灯回路 |
JP2003143861A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
DE10163032A1 (de) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Tridonicatco Gmbh & Co Kg | Elektronisches Vorschaltgerät für eine Gasentladungslampe |
-
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