JP4484844B2 - 画像二値化処理方法、画像処理装置及びコンピュータプログラム - Google Patents

Description

本発明は、画像二値化処理方法、画像処理装置及びコンピュータプログラムに関する。より詳しくは、基板を検査するために基板の電極パッドに付けられたプローブ痕を画像認識するための画像二値化処理方法、及び画像処理装置に関する。

半導体製造技術においては、半導体加工技術の歩留まりを向上することと同時に、微細加工後のウエハ状態等の初期段階において適正な検査を実行して不良を検出することにより、後の工程を省略して、製造コストをより低減することが望ましい。そのため、ウエハの段階で加工されたチップを検査することが行われている。

ウエハ状態で各チップを検査するには、チップ上の電極パッドに検査プローブを押し当てて、半導体ウエハのチップの電気的動作を試験する。このとき、チップの電極パッドにはプローブ痕が形成される。この針痕の状態を撮像し、撮像したパッドの画像の針痕のパターンからチップの試験が正常に行われたか否かを判断する技術がある（特許文献１）。

プローブ痕によって試験が正常に行われたか否かを判断するには、プローブ痕の画像をその位置も含めて正確に認識する必要がある。通常、撮像した電極パッドの原画像を二値化処理して、プローブ痕の位置、形状、大きさを認識する。

従来の画像の二値化方法においては、画像の全体に対して単一の閾値を設定し、その閾値を用いて二値化を行っている。また、特許文献２に記載のように、二値化の閾値を微小領域ごとに設定して画像の二値化を行う方法がある。
特開２００５−４５１９４号公報 特開平４−７８９６９号公報

プローブ痕からチップの試験が正常に行われたか否かを判断するには、プローブ痕のパターンを正確に抽出する必要がある。しかし、プローブ痕の背景部である電極パッドには濃淡ムラがあり、プローブ痕は大きさ、形状、濃淡等が一定でない。そのため、単一の閾値を用いて二値化処理を行うと、背景部の一部がプローブ痕に含まれたり、逆にコンタクトプローブ痕の一部が欠落してしまうという問題が生じる。また、二値化の閾値を微小領域ごとに設定したとしても、得られたパターンがプローブ痕なのかパッドの色の濃い部分なのか判定するのが困難である。

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極パッドの濃淡、又はプローブ痕の一部が不鮮明であっても、確実・高精度にプローブ痕を認識できる画像二値化方法を提供することである。

本発明の第１の観点に係る画像二値化処理方法は、
基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化する画像二値化処理方法であって、
前記原画像を第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理ステップと、
前記電極画像処理ステップで生成した前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出ステップと、
前記接触痕領域算出ステップで算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理ステップと、
前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成ステップと、
を備えることを特徴とする。

特に、前記接触痕領域算出ステップは、前記電極の二値画像のうち、最も面積の大きい黒色領域に外接する矩形領域を前記接触痕領域とすることを特徴とする。

好ましくは、前記電極画像処理ステップにおける第１の閾値は、前記原画像の画素の輝度ごとの度数分布において、低い輝度の極大値と高い輝度の極大値の間の、頻度が最小の輝度であり、
前記接触痕画像処理ステップにおける第２の閾値は、前記第１の閾値と前記高い輝度の極大値の間の輝度であることを特徴とする。

本発明の第２の観点に係る画像処理装置は、
基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化する画像処理装置であって、
前記原画像を、第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理手段と、
前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出手段と、
前記接触痕領域算出手段で算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理手段と、
前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成手段と、
を備えることを特徴とする。

好ましくは、前記接触痕領域算出手段は、前記電極の二値画像のうち最も面積の大きい黒色領域に外接する矩形領域を前記接触痕領域とすることを特徴とする。

特に、前記電極画像処理手段における第１の閾値は、前記原画像の画素の輝度ごとの度数分布において、低い輝度の極大値と高い輝度の極大値の間の、頻度が最小の輝度であり、
前記接触痕画像処理手段における第２の閾値は、前記第１の閾値と前記高い輝度の極大値の間の輝度である、
ことを特徴とする。

本発明の第３の観点に係るコンピュータプログラムは、基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化するために、コンピュータを、
前記原画像を、第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理手段と、
前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出手段と、
前記接触痕領域算出手段で算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理手段と、
前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成手段、
として機能させることを特徴とする。

本発明の画像二値化方法及び画像処理装置によれば、原画像の二値化処理画像から予想プローブ痕領域を求め、プローブ痕領域の原画像を別の閾値で二値化処理することによってプローブ痕を抽出するという２段階の二値化処理を施すので、背景部の濃淡ムラの影響を受けることなく、確実・高精度にプローブ痕を認識することができる。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰り返さない。

図１は、本発明の実施の形態に係る検査装置１の概略構成図である。図１において、検査装置１は、テスト対象物、例えばウエハ８を搬送するローダ部１２と、ウエハ８の電気的特性検査を行うテスト部１５と、ウエハ８のチップの画像を撮像する撮像部３と、撮像部３の画像によってウエハ８に形成されたチップの試験が正常に行われたか否かを判断する検査制御部２とを備える。検査制御部２は、画像処理装置を兼ねる。

ローダ部１２は、例えば２５枚のウエハ８が収納されたカセットを載置する載置部（図示せず）と、この載置部のカセットからウエハ８を一枚ずつ搬送するウエハ搬送機構とを備えている。ウエハ８は、ローダ部１２の上に取り付けられたステージ１４に固定される。

ローダ部１２は、直交する三軸（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）の移動機構であるＸ−Ｙ−Ｚテーブル１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃによってステージ１４を三軸方向に移動すると共に、Ｚ軸の回りにステージ１４を回転させる。具体的には、Ｙ方向に移動するＹテーブル１２Ａと、このＹテーブル１２Ａ上をＸ方向に移動するＸテーブル１２Ｂと、このＸテーブル１２Ｂの中心と軸芯を一致させて配置されたＺ方向に昇降するＺテーブル１２Ｃとを有し、ステージ１４をＸ、Ｙ、Ｚ方向へ移動させる。また、ステージ１４は、Ｚ軸回りの回転駆動機構を介して、所定の範囲で正逆方向に回転する。

テスト部１５は、プローブカード４とプローブカード４を制御するプローブ制御部１３とを備える。図３は、ウエハ８の一例を示す概念図である。図４は、図３のウエハ８に形成されたチップ１６の一例を示す平面図である。例えば、チップ１６はウエハ８にマトリックス状に形成される。チップ１６には、半導体集積回路１６ａと電気信号を入出力するためのワイヤをボンディングする電極パッド８ａが形成されている。

プローブカード４は、ウエハ８上のチップ１６に、例えば銅、銅合金、アルミニウムなどの導電性金属によって形成された電極パッド８ａ（図３、図４参照）とプローブ４ａとを接触させ、チップの特性を測定するために信号を印加し、プローブ４ａを介してチップから応答信号を取り出す。

テスト部１５は、プローブカード４のプローブ４ａとウエハ８との位置合わせを行うアラインメント機構（図示せず）を備える。テスト部１５は、プローブカード４のプローブ４ａとウエハ８の電極パッド８ａを電気的に接触させて、ウエハ８に形成されたチップ１６の特性値の測定を行う。

テスト部１５は、チップ１６を検査するときに、接触抵抗を低下させるために適当な針圧でプローブ４ａを電極パッド８ａに接触させるので、電極パッド８ａにはプローブ４ａが接触したプローブ痕（以下、針痕ともいう）が残る。検査装置１は、チップ１６を検査したのちに、電極パッド８ａの画像から、プローブ４ａによる針痕の位置と大きさ及び形状を抽出する。針痕が電極パッド８ａの上の所定の範囲に、正常な形で形成されている場合に、検査装置１はチップ１６の検査が正しく行われたと判断する。

検査装置１は、ウエハ８を撮像する場合に、テスト部１５と撮像部３を切り替えて、ウエハ８に撮像部３を対向させる。あるいは、ステージ１４を撮像部３側に移動する。撮像部３は、検査制御部２の指令によってウエハ８の画像を撮像し、撮像した画像データを検査制御部２に供給する。

図２は、図１の検査装置１における基板撮像装置９の構成を示すブロック図である。基板撮像装置９は、画像処理装置（検査制御部）２、撮像部３、ステージ制御装置１０、ローダ部１２及びステージ１４などから構成される。ステージ制御装置１０は、ステージ制御部１０ａ、ステージ駆動部５、ステージ位置検出部６、位置検出センサ７などから構成される。ステージ制御装置１０は、テスト部１５の一部であり、テスト部１５と基板撮像装置９で共通に使用する。

検査制御部でもある画像処理装置２は、図２に示すように、制御部２１、主記憶部２２、外部記憶部２３、操作部２４、入出力部２５及び表示部２６を備える。主記憶部２２、外部記憶部２３、操作部２４、入出力部２５及び表示部２６はいずれも内部バス２０を介して制御部２１に接続されている。

制御部２１はＣＰＵ（Central Processing Unit）等から構成され、外部記憶部２３に記憶されているプログラムに従って、ウエハ８に形成された電極パッドの画像を撮像し、撮像した画像を二値化処理してプローブ痕を抽出し、チップの検査が正常に行われたか否かを判定するための処理を実行する。

主記憶部２２はＲＡＭ（Random-Access Memory）等から構成され、外部記憶部２３に記憶されているプログラムをロードし、制御部２１の作業領域として用いられる。

外部記憶部２３は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスク、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disc Random-Access Memory）、ＤＶＤ−ＲＷ（Digital Versatile Disc Rewritable）等の不揮発性メモリから構成され、前記の処理を制御部２１に行わせるためのプログラムを予め記憶し、また、制御部２１の指示に従って、このプログラムが記憶するデータを制御部２１に供給し、制御部２１から供給されたデータを記憶する。

操作部２４はキーボード及びマウスなどのポインティングデバイス等と、キーボード及びポインティングデバイス等を内部バス２０に接続するインターフェース装置から構成されている。操作部２４を介して、評価測定開始や測定方法の選択などが入力され、制御部２１に供給される。

入出力部２５は、検査制御部２が制御する対象のステージ制御装置１０及び撮像部３と接続するシリアルインタフェース又はＬＡＮ（Local Area Network）インタフェースから構成されている。入出力部２５を介して、ステージ制御装置１０にウエハの移動を指令し、ステージ位置検出部からステージ制御部１０ａを介してステージの位置情報を入力する。また、撮像部３に撮像の指令を出力し、撮像部３から画像データを入力する。

表示部２６は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）又はＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などから構成され、撮像した画像や検査の正常性を判定した結果などを表示する。

撮像部３は、自動焦点機構を備えたデジタルカメラと照明装置などから構成される。場合によっては、可視光以外に赤外線などで撮像する。

ステージ駆動部５は、ローダ部１２のアクチュエータを駆動する駆動回路である。ステージ駆動部５は、検査制御部２の設定データに基づいたステージ制御部１０ａの指令に従って、ローダ部１２を各軸方向に駆動する。ステージ位置検出部６は、ステージ１４の位置を検出する位置検出センサ７の信号を入力し、ステージの位置のデータをステージ制御部１０ａを介して検査制御部２に出力する。ステージ位置検出部６は、少なくとも、ステージ１４のＸ軸及びＹ軸方向の位置を検出する。

位置検出センサ７は、例えば、アクチュエータ又はボールねじなどに取り付けられたパルスエンコーダ、ローダ部１２の各テーブルに取り付けられたリニアスケール、あるいはレーザ計測などの光学的距離測定器などで構成される。

次に、本発明の実施の形態における画像二値化処理方法について説明する。図５は、本発明の実施の形態に係る画像処理装置２の論理的な構成を示すブロック図である。画像処理装置２は、二値化処理部３１、予想プローブ痕領域算出部３２、領域二値化処理部３３、画像合成部３４、及び画像データ保持部３５から構成される。画像データ保持部には、電極パッドを撮像した原画像３６、電極二値画像３７、プローブ痕領域二値画像３８、及びプローブ痕認識二値画像３９が記憶保持される。

二値化処理部３１、予想プローブ痕領域算出部３２、領域二値化処理部３３、及び画像合成部３４は、物理的には例えば、図２に示す検査制御部２の制御部２１とその上で動作するプログラムによって構成される。また、画像データ保持部３５は、検査制御部２の主記憶部２２及び／又は外部記憶部２３によって構成される。

二値化処理部３１は、撮像した原画像３６をある閾値で二値化処理し、白黒の画像に変換する。原画像３６は、撮像部３又は入出力部２５などから入力されて、画像データ保持部３５に記憶保持される。あるいは、記憶媒体に記憶された状態で画像処理装置２にセットされる。

二値化処理部３１は、原画像３６の電極パッドのうち背景を白とするように、比較的低い輝度の閾値αで原画像３６を二値化処理する。二値化した画像を電極二値画像３７として画像データ保持部３５に記憶保持する。

予想プローブ痕領域算出部３２は、電極二値画像３７からプローブ痕と想定される領域を算出する。例えば、電極二値画像３７の連結している黒画素を１つの塊として、黒画素の塊のうち、最も黒画素数の多い塊を予想プローブ痕とする。その予想プローブ痕に外接する矩形の領域を予想プローブ痕領域とする。原画像における予想プローブ痕領域の位置と大きさの情報を、領域二値化処理部３３に入力する。

領域二値化処理部３３は、原画像３６のうち予想プローブ痕領域を、前述の閾値αとは別の閾値βで二値化処理する。特に、閾値αより高い輝度を閾値βとして、電極パッド８ａの背景のムラに近い輝度で二値化処理部３１の二値化で欠落した部分を補うようにする。プローブ痕領域以外の画素については、白画素とみなす。領域二値化処理部３３で二値化した画像をプローブ痕領域二値画像３８として、画像データ保持部３５に記憶保持する。

画像合成部３４は、電極二値画像３７とプローブ痕領域二値画像３８を、対応する画素ごとに論理和をとって合成する。ここで、画素の黒を１（真）、白を０（偽）とする。したがって、プローブ痕領域以外の画素は、電極二値画像３７のままである。プローブ痕領域では、電極二値画像３７又はプローブ痕領域二値画像３８のいずれかで黒の画素は黒になり、いずれでも白の画素だけが白になる。閾値βは閾値αより高い輝度として設定するので、プローブ痕領域では、電極二値画像３７より黒画素が増加する。

画像合成部３４で合成された二値画像は、プローブ痕認識二値画像３９として画像データ保持部３５に記憶保持される。プローブ痕認識二値画像３９は、プローブ痕を判定する検査判定部（図示せず）に入力される。

図６は、原画像３６の画素の輝度ごとの頻度を棒グラフで表した度数分布（ヒストグラム）の例を示す。図６の左が黒（低い輝度）、右が白（高い輝度）である。

ヒストグラムの特徴として、比較的低輝度の領域（Ａ１）と高輝度領域（Ａ３）に２つのピークを有し、両ピークの間（Ａ２）には明確な山谷は存在しない。低輝度領域（Ａ１）のヒストグラムの山はプローブ痕の暗い成分を示し、高輝度領域（Ａ３）のヒストグラムの山は背景部の明るい成分を示す。また、両ピークの間（Ａ２）にはプローブ痕の明るい成分と背景部の暗い成分が混在している。

閾値αは領域Ａ１とＡ２の境界部分に設定し、閾値βは領域Ａ２とＡ３の境界部分に設定する。例えば、ヒストグラムを平滑化処理したうえで、低い輝度の極大値と高い輝度の極大値の間の、頻度が最小の輝度を閾値αとする。また、閾値βは、閾値αと高い輝度の極大値の間の輝度に設定する。例えば領域Ａ２とＡ３の頻度の平均に等しい頻度である点の輝度を閾値βとする。

図７は、本発明の実施の形態に係る画像二値化処理の例を説明する図である。（ａ）の原画像３６から（ｅ）のプローブ痕認識二値画像３９まで、画像の例とその関係が示されている。原画像３６は、撮像部３で撮像された多階調のグレースケール画像である。白い電極パッド８ａのなかに大きな斑点と濃淡のムラがある。大きな斑点のなかにも濃淡のムラがある。

電極二値画像３７は、原画像３６を図６の閾値αを用いて二値化処理した結果得られる画像であり、背景部の濃淡ムラがなくなった一方でプローブ痕の薄い部分が欠落してしまっている。予想プローブ痕領域を（ｃ）の矩形領域３７ａで示す。（ｄ）のプローブ痕領域二値画像３８は、原画像３６のうち予想プローブ痕領域（矩形領域３７ａ）に該当する領域を、図６の閾値βを用いて二値化処理した結果得られる二値画像である。予想プローブ痕領域内のみの画像データ３８ａと予想プローブ痕領域の位置と大きさのデータがあればよい。予想プローブ痕領域以外、白の画素とみなして画像合成処理を行う。

（ｅ）に示すプローブ痕認識二値画像３９は、電極二値画像３７とプローブ痕領域二値画像３８の対応する画素ごとに論理和をとって合成された二値画像である。原画像３６と比較すると高精度で背景部とプローブ痕とを分離しプローブ痕のみを抽出していることがわかる。

図８は、原画像３６を閾値βを用いて二値化処理した結果得られる二値画像を示す。プローブ痕だけでなく背景部の暗い成分が抽出されてしまい、プローブ痕のみを取り出すことは不可能である。

次に画像処理装置２の動作について説明する。図９は、画像二値化処理の動作の一例を示すフローチャートである。

まず、原画像３６に対して背景部の濃淡ムラがほとんど白くなるように、閾値αで二値化処理を行なう（ステップＳ１）。得られた電極二値画像３７を画像データ保持部３５に記憶保持する（ステップＳ２）。ここでは、図６に示す閾値αを用いて二値化処理を行なったが、原画像３６のヒストグラムや背景部の特徴に応じて任意の閾値を設定すればよい。

電極二値画像３７から最も面積の大きい黒色領域に外接する矩形領域３７ａを求めて予想プローブ痕領域とする（ステップＳ３）。次に、原画像３６から予想プローブ痕領域３７ａ部分だけを抽出して二値化処理を行ない（ステップＳ４）、得られたプローブ痕領域二値画像３８を画像データ保持部３５に記憶保持する（ステップＳ５）。

ここでは、図６に示す閾値βを用いて二値化処理を行なったが、原画像３６のヒストグラムや予想プローブ痕の特徴に応じて任意の閾値βを設定すればよい。通常は、閾値αと高い輝度の極大値の間に閾値βを設定する。最後に、電極二値画像３７とプローブ痕領域二値画像３８を対応する画素ごとに論理和をとって合成してプローブ痕認識二値画像３９を生成し認識結果とする（ステップＳ６）。

以上説明したとおり、本発明の画像二値化方法及び画像処理装置によれば、原画像の二値化処理画像から予想プローブ痕領域を求め、プローブ痕領域の原画像を別の閾値で二値化処理することによってプローブ痕を抽出するという２段階の二値化処理を施すので、背景部の濃淡ムラの影響を受けることなく、確実・高精度にプローブ痕を認識することができる。

その他、前記のハードウエア構成やフローチャートは一例であり、任意に変更及び修正が可能である。

検査装置１の画像処理装置２は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、前記の動作を実行するためのコンピュータプログラムを、コンピュータが読みとり可能な記録媒体（フレキシブルディスク、CD-ROM、DVD-ROM等）に格納して配布し、当該コンピュータプログラムをコンピュータにインストールすることにより、前記の処理を実行する画像処理装置２を構成してもよい。また、インターネット等の通信ネットワーク上のサーバ装置が有する記憶装置に当該コンピュータプログラムを格納しておき、通常のコンピュータシステムがダウンロード等することで本発明の画像処理装置２を構成してもよい。

また、前記の各機能を、ＯＳ（オペレーティングシステム）とアプリケーションプログラムの分担、またはＯＳとアプリケーションプログラムとの協働により実現する場合などには、アプリケーションプログラム部分のみを記録媒体や記憶装置に格納してもよい。

また、搬送波に上述のコンピュータプログラムを重畳し、通信ネットワークを介して配信することも可能である。

本発明の実施の形態に係る基板の検査装置の概略構成図である。 図１の検査装置における基板撮像装置の構成を示すブロック図である。 ウエハ（基板）の一例を示す部分図である。 ウエハに形成されたチップの一例を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る画像処理装置の論理的な構成を示すブロック図である。 原画像の画素の輝度ごとの頻度を棒グラフで表した度数分布（ヒストグラム）の例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る画像二値化処理の例を説明する図である。 原画像を第２の閾値を用いて二値化処理した結果得られる二値画像を示す図である。 画像二値化処理の動作の一例を示すフローチャートである。

符号の説明

１ 検査装置
２ 検査制御部、画像処理装置
４ プローブカード
４ａ プローブ
８ ウエハ（基板）
８ａ 電極パッド
９ 基板撮像装置
１６ チップ
２０ 内部バス
２１ 制御部（電極画像処理手段、接触痕領域算出手段、接触痕画像処理手段、画像合成手段）
２２ 主記憶部
２３ 外部記憶部
２４ 操作部
２５ 入出力部
２６ 表示部
３１ 二値化処理部（電極画像処理手段）
３２ 予想プローブ痕領域算出部（接触痕領域算出手段）
３３ 領域二値化処理部（接触痕画像処理手段）
３４ 画像合成部（画像合成手段）
３５ 画像データ保持部
３６ 原画像
３７ 電極二値画像
３８ プローブ痕領域二値画像
３９ プローブ痕認識二値画像

Claims (7)

1. 基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化する画像二値化処理方法であって、
   前記原画像を第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理ステップと、
   前記電極画像処理ステップで生成した前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出ステップと、
   前記接触痕領域算出ステップで算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理ステップと、
   前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成ステップと、
   を備えることを特徴とする画像二値化処理方法。
2. 前記接触痕領域算出ステップは、前記電極の二値画像のうち、最も面積の大きい黒色領域に外接する矩形領域を前記接触痕領域とすることを特徴とする請求項１に記載の画像二値化処理方法。
3. 前記電極画像処理ステップにおける第１の閾値は、前記原画像の画素の輝度ごとの度数分布において、低い輝度の極大値と高い輝度の極大値の間の、頻度が最小の輝度であり、
   前記接触痕画像処理ステップにおける第２の閾値は、前記第１の閾値と前記高い輝度の極大値の間の輝度である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の画像二値化処理方法。
4. 基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化する画像処理装置であって、
   前記原画像を、第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理手段と、
   前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出手段と、
   前記接触痕領域算出手段で算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理手段と、
   前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成手段と、
   を備えることを特徴とする画像処理装置。
5. 前記接触痕領域算出手段は、前記電極の二値画像のうち最も面積の大きい黒色領域に外接する矩形領域を前記接触痕領域とすることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
6. 前記電極画像処理手段における第１の閾値は、前記原画像の画素の輝度ごとの度数分布において、低い輝度の極大値と高い輝度の極大値の間の、頻度が最小の輝度であり、
   前記接触痕画像処理手段における第２の閾値は、前記第１の閾値と前記高い輝度の極大値の間の輝度である、
   ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
7. 基板上の電極パッドを撮像した原画像を二値化するために、コンピュータを、
   前記原画像を、第１の閾値で二値化して電極の二値画像を生成する電極画像処理手段と、
   前記電極の二値画像から、電極に物体が接触した痕と想定される部分を含む接触痕領域を算出する接触痕領域算出手段と、
   前記接触痕領域算出手段で算出した接触痕領域に該当する領域の原画像を、前記第１の閾値とは別の第２の閾値で二値化して接触痕領域二値画像を生成する接触痕画像処理手段と、
   前記電極の二値画像と前記接触痕領域二値画像を、対応する画素ごとの論理和をとって合成する画像合成手段、
   として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。