JP5706501B1 - 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 172
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 120
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
Abstract
Description
許文献1参照)。
や、平面のもの(図5参照)、蒲鉾形に突出したもの(図6参照)等がある。それらの電極パッド104、204、304の表面にそれぞれ顕微鏡から光りを当て、白黒の濃淡により白く光っている箇所または黒く反射しない箇所を針跡105として検出を行う方法では、針跡105の有無を次のようにして判定している。
e)の順に押し上げられて、その頂点304aにプローブ102からそれぞれ押圧力Fが
加えられると、(e)に示すように電極パッド304の頂点304aに針跡105が形成される。そして、電極パッド304の頂点304aに顕微鏡から光りを当てると、(f)に示すように針跡105の部分が白く、他の平面の部分が黒くなって見える。一方、プローブ102の先端に対して電極パッド304の頂点304aから外れ、かつ、頂点304aから外側へ向かって下るように湾曲をしているエッジ部分304bが(g)、(h)の順に押し上げられて、そのエッジ部分304bにプローブ102からそれぞれ押圧力Fが加えられると、(i)に示すように電極パッド304のエッジ部分304bがプローブ102の先端に押し付けられて、そのエッジ部分304bに針跡105が形成される。この場合も、プローブ102とそれぞれ接触された電極パッド304の頂点304aとエッジ部分304bとの間では高低差があり、顕微鏡の焦点が違うために白黒の濃淡がハッキリせず、精度に個人差が生じる。また、頂点104aからエッジ部分104bにかけて電極パッドの表面が湾曲しているために顕微鏡からの光が乱反射され、針跡105の高精度な検出が困難で、またオペレータへの負担が問題であった。
11 基台
12 移動ベース
13 Y軸移動部
14 X軸移動部
15 Z軸移動部
16 Z軸移動台
17 θ回転部
18 ステージ
19 針位置合わせカメラ
20、21 支柱
22 ヘッドステージ
23 アライメントカメラ(顕微鏡)
24 カードホルダ
25 プローブカード
26 プローブ
27 制御部
28 ヒータ・冷却液路
29 温度制御部
30 テスタ
31 テスタ本体
32 コンタクトリング
101 ステージ
102 プローブ
103 プローブカード
104 電極パッド
104a 頂点
104b エッジ部分
104c 平面輪郭形状
104d はみ出し部分
105 針跡
204 電極パッド
204a 頂面
204b エッジ部分
204c 平面輪郭形状
204d はみ出し部分
304 電極パッド
304a 頂点(稜線)
304b エッジ部分
304c 平面輪郭形状
304d はみ出し部分
401 電極パッド
401a 輪郭
401s 基準輪郭
402 はみ出し部分
402a はみ出し部分の点列
501 電極パッド
501a 輪郭
501s 基準輪郭
502 はみ出し部分
502a はみ出し部分の点列
601 電極パッド
601a 輪郭
601s 基準輪郭
602 はみ出し部分
602a はみ出し部分の点列
W ウェーハ
F 押圧力
Claims (7)
- 基板上の電子デバイスの電極パッドを、プローブと所定の圧力で接触させて電気的な検査を行うプロービング装置であって、
前記電極パッドを撮像し、前記電極パッドの輪郭形状を画像データとして出力する顕微鏡と、
前記プローブと接触する前における前記電極パッドの輪郭形状の画像データを記憶し、該記憶された輪郭形状の画像データ若しくは輪郭形状と前記顕微鏡から得られる接触後における前記輪郭形状の画像データとを比較して、前記電極パッドと前記プローブとの接触の良否を判定する制御部と、
を備えることを特徴とするプロービング装置。 - 予め基準となる電極パッドの輪郭を登録しておく記憶装置と、前記記憶装置に登録された輪郭と針跡検査対象の電極パッドの輪郭とを比較し、前記電極パッドと前記プローブとの接触の良否を判定する制御部と、を備えることを特徴とする請求項1記載のプロービング装置。
- 前記制御部は、前記顕微鏡が前記電極パッドの略真上から撮影して得られる前記電極パッドの輪郭形状の画像データ同士を比較し、接触後における前記電極パッドのはみ出し箇所の有無から形状の相違を判定することを特徴とする請求項1または2に記載のプロービング装置。
- 前記制御部は、前記顕微鏡から前記電極パッドの表面に向けて光を当て、該電極パッドの表面から反射されて来る光を二値化して検出される前記プローブの針跡と、前記電極パッドのはみ出し箇所の有無から前記接触の可否を判定することを特徴とする請求項1記載のプロービング装置。
- 基板上の電子デバイスの電極パッドを、プローブと所定の圧力で接触させて電気的な検査を行うプロービング装置であって、
電極パッド毎にサイズと形状を前もって指定しておく工程を有し、プロービング後の電極パッドの輪郭形状と前記工程にて指定された形状とを比較し、前記電極パッドと前記プローブとの接触の良否を判定する制御部と、を備えることを特徴とするプロービング装置。 - 基板上の電子デバイスの電極パッドを、プローブと所定の圧力で接触させて電気的な検査を行うプロービング方法であって、
前記プローブと接触する前における前記電極パッドの輪郭形状の画像データと、前記プローブと接触した後における電極パッドの輪郭形状の画像データとを比較して、前記電極パッドと前記プローブとの接触の良否を判定することを特徴とするプロービング方法。 - 前記電極パッドの表面に光を当てて該電極パッドの表面から反射されて来る光を二値化して検出される前記プローブの針跡と、前記電極パッド同士の輪郭形状の違いから前記接触の良否を判定することを特徴とする請求項6記載のプロービング方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013217444A JP5706501B1 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
TW103135583A TWI542880B (zh) | 2013-10-18 | 2014-10-14 | Probe device and detection method of electronic device |
US14/515,688 US9983256B2 (en) | 2013-10-18 | 2014-10-16 | Probing device for electronic device and probing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013217444A JP5706501B1 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035859A Division JP5724047B1 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5706501B1 true JP5706501B1 (ja) | 2015-04-22 |
JP2015079912A JP2015079912A (ja) | 2015-04-23 |
Family
ID=52825926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013217444A Active JP5706501B1 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9983256B2 (ja) |
JP (1) | JP5706501B1 (ja) |
TW (1) | TWI542880B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104897687A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 探针针痕位置的检测系统及方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10509071B2 (en) * | 2016-11-18 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for aligning probe card in semiconductor device testing |
JP6869123B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及び針跡転写方法 |
TWI630396B (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-21 | 中華精測科技股份有限公司 | 探針檢測裝置及其檢測模組 |
CN109194871A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-01-11 | 广东德尔智慧工厂科技有限公司 | 一种锂电极片毛刺检测自动对焦的装置和方法 |
US20210333219A1 (en) * | 2020-04-27 | 2021-10-28 | Mpi Corporation | Method of determining distance between probe and wafer held by wafer probe station |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272134A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 針跡検出方法 |
JPH07312382A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
JP3415035B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2003-06-09 | オー・エイチ・ティー株式会社 | 基板検査用センサプローブおよびその製造方法 |
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JP2006149793A (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Showa Rubber Co Ltd | ソフトテニスボールおよびソフトテニスボール製造方法 |
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JP4484844B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 画像二値化処理方法、画像処理装置及びコンピュータプログラム |
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-
2013
- 2013-10-18 JP JP2013217444A patent/JP5706501B1/ja active Active
-
2014
- 2014-10-14 TW TW103135583A patent/TWI542880B/zh active
- 2014-10-16 US US14/515,688 patent/US9983256B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104897687A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 探针针痕位置的检测系统及方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI542880B (zh) | 2016-07-21 |
US9983256B2 (en) | 2018-05-29 |
US20150109625A1 (en) | 2015-04-23 |
JP2015079912A (ja) | 2015-04-23 |
TW201530153A (zh) | 2015-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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