JP4481323B2 - 物理量センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分を前記素子基板に陽極接合する工程とを有することにある。
(1)前記貫通孔を形成する工程は、前記SOI基板の反素子基板側から前記支持基板に大径の孔を形成する工程と、前記SOI基板の反支持基板側から前記素子基板に小径の孔を形成する工程と、前記大径の孔の内面に絶縁膜を形成する工程とを有すること。
また、本発明の第2の態様は、支持基板と、センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線と、を備えた物理量センサにおいて、前記貫通配線は前記素子基板、前記絶縁層及び前記支持基板を貫通する貫通孔内を貫通して形成され、前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分と前記素子基板とは陽極接合されており、前記支持基板に固定される前記センサ素子の電極部分は前記絶縁層及び前記ガラスキャップで絶縁した電極部分で形成され、前記素子基板を貫通する貫通孔は前記センサ素子の電極部分を貫通するように形成され、前記貫通配線は、前記素子基板の電極部分の貫通孔を除くガラスキャップ側表面と前記ガラスキャップの表面との間に設けられた多結晶シリコン膜を介して電気的に導通するように形成され、且つ、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内及びこのセンサ素子の電極部分の貫通孔に対応する前記支持基板の貫通孔内で絶縁膜を介して形成され、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内は低抵抗の多結晶シリコン膜で充填されていることにある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態の物理量センサ50及びその製造方法を、図1から図4を用いて説明する。
(第5実施形態)
第5実施形態を図8に示す。第5実施形態では、素子基板1を貫通する貫通孔の表面に、シリコンの熱酸化膜に代表される絶縁膜18が形成されている。具体的には、図8では、固定電極11cと11aとに設けられた貫通孔を指す。さらに、この孔は、貫通配線10h、10eを構成する低抵抗多結晶シリコンまたは導電性金属によって、充填されている。また、素子基板1の表面には接合用低抵抗多結晶シリコン60が形成されている。つまり、図8のように、振動体4a、可動電極7a、7c、固定電極11a、11c、枠部14の表面にも接合用低抵抗多結晶シリコン60が形成されている。この接合用低抵抗多結晶シリコン60を介して、ガラスキャップ12と可動電極7a、7c及び枠14とが陽極接合によって接合され、センサ素子30が封止されている。
Claims (3)
- 支持基板と、センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線とを備えた物理量センサの製造方法において、
シリコン基板で構成された前記支持基板と前記センサ素子を有するシリコン基板で構成された前記素子基板とを前記絶縁層を挟持して接合してSOI基板を作製する工程と、
前記SOI基板に前記貫通配線を形成するための貫通孔を形成する工程と、
前記貫通配線を前記SOI基板の貫通孔内を貫通するように形成する工程と、
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分を前記素子基板に陽極接合する工程とを有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 請求項1において、
前記貫通孔を形成する工程は、前記SOI基板の反素子基板側から前記支持基板に大径の孔を形成する工程と、前記SOI基板の反支持基板側から前記素子基板に小径の孔を形成する工程と、前記大径の孔の内面に絶縁膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 支持基板と、
センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、
前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、
前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線と、を備えた物理量センサにおいて、
前記貫通配線は前記素子基板、前記絶縁層及び前記支持基板を貫通する貫通孔内を貫通して形成され、
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分と前記素子基板とは陽極接合されており、
前記支持基板に固定される前記センサ素子の電極部分は前記絶縁層及び前記ガラスキャップで絶縁した電極部分で形成され、
前記素子基板を貫通する貫通孔は前記センサ素子の電極部分を貫通するように形成され、
前記貫通配線は、前記素子基板の電極部分の貫通孔を除くガラスキャップ側表面と前記ガラスキャップの表面との間に設けられた多結晶シリコン膜を介して電気的に導通するように形成され、且つ、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内及びこのセンサ素子の電極部分の貫通孔に対応する前記支持基板の貫通孔内で絶縁膜を介して形成され、
前記センサ素子の電極部分の貫通孔内は低抵抗の多結晶シリコン膜で充填されている
ことを特徴とする物理量センサ。
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