JP2006517339A - 気密封止型マイクロデバイスのフィードスルーの設計および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
載されている。フラット・パネル・ディスプレイ用途の場合の堆積非晶質シリコンまたは多結晶シリコンから形成される他の非金属ゲッタについては、特許文献2に記載されている。
板の上面に形成される複数の導電線との間に取り付けられる。微細構造は、キャップ中の凹部によって少なくとも部分的に画定される気密封止キャビティ内に取り付けられる。
および図は、センサに関して示している。しかし、この開示によって利益を得る当業者には、本発明を他の用途にも適用可能であることが理解されよう。
本発明の1実施形態においては、キャップ50は、シリコンから形成されている。キャップ50がシリコンから形成されている場合には、キャップ50はさらに、凹部56に沿って埋め込まれた単結晶シリコン・ゲッタ層58を有してもよい。ゲッタ層58は、デバイス微細構造26から空間的に離れた関係にあることになる。活性化されたゲッタ層58は、キャビティ22内の真空を保持する助けをする。シリコン・キャップ50中に埋め込まれた単結晶シリコン・ゲッタ層58は、封止工程中に生成され、一部の実施形態では微細構造26、基板30、封止材料などのマイクロデバイス20の材料からデバイス寿命の間ずっと脱離する多くの蒸気種およびガス種を吸収することが可能なので好ましい。
可能である。
場合、ギャップ71、アンカー・ポイント72、および接触ウィンドウ74を形成する工程は、マスク層で絶縁層70をパターン形成する工程と、次いでHFベース溶液中における湿式エッチングまたは反応性イオン・エッチングなどのドライ・エッチングを実施する工程とを含むことが可能である。
約600μmである場合には、約50μmの深さを有する凹部を形成するのに十分な時間、エッチングを実施することが可能である。図に示すように、凹部56は、気密封止キャビティ22の少なくとも一部分を画定するために使用される。凹部57は、基板ウェーハ90上のバイア・カバー27上に配置され、気密封止キャビティ22の一部分を画定するためには使用されない。
面94に堆積されて、前述の第2の組の導電線42および第3の組の導電線44を形成する。これによってまた、導電性バイア96も形成される。
本明細書中で説明した本方法のさらなる利点を図5Aおよび図5Bに示す。図4Bに関連する工程で構築されるウェーハ・アセンブリの下面の一部分を図5Aに示す。ガラス・ウェーハ90内に形成された導電性バイア96が、気密封止キャビティ22の外側に配置され、隣接するデバイスとの間で共有されている。導電性バイア96はまた、ウェーハのソー・ラインに沿って位置している。組立て済みのウェーハがダイスカットされた後、このバイア内に形成された導電性材料は、次いで基板30の外縁36の一部分に沿って延びた導電線40として使用することが可能である。図5Bに、組立て済みのウェーハがダイスカットされた後の複数のマイクロデバイス20を示す。この設計の1つの利点は、導電性バイア96が、真空キャビティ22の外部にあるため、気密封止する必要がないことである。この場合、導電性バイア96上の亀裂および他の欠陥、ならびにバイア・カバー27は、キャビティの真空22には影響を与えないはずである。他の利点は、この設計が真空キャビティ内部にバイアを有する他の設計に比べて小さなダイ・サイズを可能にすることである。
130に取り付けられる。導電性カバー170は、デバイス微細構造126を形成する同じシリコン・ウェーハから形成されることが好ましい。さらに、導電性カバー170は、デバイス微細構造126と同じ厚さを有することが好ましい。デバイス微細構造126と同じシリコン・ウェーハから導電性カバー170を作成することによって、製造工程の複雑さが低下する。微細構造126用のシリコンを基板130に接合する同じステップにより導電性カバー170を基板130に取り付けることが好ましい。
本発明の1実施形態においては、キャップ150は、シリコンから形成されており、さらに、凹部156に沿って埋め込まれた単結晶シリコン・ゲッタ層158を有してもよい。これにより、ゲッタ層158は、デバイス微細構造126から空間的に離れた関係にあることになる。ゲッタ層158は、活性化された後、キャビティ122内の真空を保持する助けをする。シリコン・キャップ150中に埋め込まれた単結晶シリコン・ゲッタ層158は、封止工程中に生成され、一部の実施形態では微細構造126、基板130、封止
材料などのマイクロデバイス120の材料からデバイス寿命の間ずっと脱離する多くの蒸気種およびガス種を吸収することが可能なので好ましい。
次に、図8A〜図8Cに示すようなマイクロデバイス220を作成する方法について、さらに説明する。図9Aを参照すると、第1の側282と第2の側284を有するガラス・ウェーハ280の一部分が示されている。方法は、ガラス・ウェーハ280の第1の側282上に少なくとも1つの凹部256を形成する工程を含んでいる。前述したように、
各凹部256は、複数のポスト260を有している。ウェーハ280の第1の側282上の凹部256は、公知のマイクロマシニング法を使用して形成することが可能である。1実施形態では、図9Aおよび図9Bに示すように、凹部256のエッチングを行う前にマスク材料286を形成しパターン形成する。次いで、HFベース溶液中の湿式化学エッチングを使用して凹部256を形成することが可能である。サンド・ブラストおよび超音波ドリルなど他の技術も使用することも可能である。
これまで説明してきたのは、新しいマイクロデバイスと、真空キャビティ中に封止された微細構造を外部環境に電気接続する導電性フィードスルーを有するマイクロデバイスを作成する方法である。本発明は、1実施形態では、導電性ウェーハ貫通バイアをキャビティの外側に配置することにより、ウェーハ段階で微細構造を封止するより良い方法を提供している。バイアをキャビティの外部に形成することにより、バイア中の亀裂または他の欠陥が気密封止キャビティを妨害しなくなるので、このデバイスの信頼性が増している。バイアをキャビティの外部に形成することによって、封止デバイスのサイズも非常に減少する。本発明ではまた、キャビティ内部の導電性ウェーハ貫通バイアによる、ウェーハ段階における微細構造を封止する方法も提供している。シリコン・キャップと、デバイス基板上に形成された導電性バイアおよびカバーとの使用、あるいはガラス・キャップと、キャップ上に形成された導電性バイアおよびデバイス基板上に形成された導電性バイア・カバーとの使用により、信頼性のある気密封止が可能になる。本出願では、どのようにして基板中のバイアやキャップ中のバイアに対してこれを行い得るかを教示している。本願明細書中に教示される実施形態には、微細構造を収容するキャビティ内に効率的なゲッタ層を取り入れることを可能にする追加の利点がある。さらに、本発明では、低コストの材料および方法を使用することにより真空封止マイクロデバイスを作成するコストがかなり低減される。これは、大量用途にとっては特に重要である。
Claims (10)
- 微細構造を収容する気密封止キャビティを有するマイクロデバイスであって、
上面、下面、および外縁を有し、該上面および該の少なくとも一部分に形成された、微細構造への電気接続を提供する複数の導電線を有する基板と、
ベース部分と、該ベース部分から外側に延びてキャップ内に凹部を画定する側壁とを有するキャップと、
少なくとも前記キャップの前記側壁と前記基板の前記上面との上に形成される前記複数の導電線との間に取り付けられる絶縁層と、を備え、
前記微細構造が前記気密封止キャビティ内に取り付けられ、前記気密封止キャビティが前記キャップ内の前記凹部によって少なくとも部分的に画定される、マイクロデバイス。 - 前記基板の前記外縁上に形成された前記導電線が、前記基板のウェーハ製造工程中に前記基板に形成されたバイアの少なくとも一部分の上に導電性材料を堆積させた結果得られたものである、請求項1に記載のマイクロデバイス。
- 前記キャップが、シリコンから形成されており、前記キャビティ内部の真空を保持するために前記キャップの前記凹部に沿って埋め込まれた波形をつけた単結晶シリコン・ゲッタ層を有する、請求項1に記載のマイクロデバイス。
- 前記絶縁層が、ガラス充てん材料から形成されており、陽極ボンディングによって前記キャップの前記側壁に取り付けられる、請求項1に記載のマイクロデバイス。
- 微細構造を収容する気密封止キャビティを有するマイクロデバイスであって、
上面と下面を有し、各導電性バイアが基板の該下面から延び基板の該上面において接点で終端する、複数の導電性バイアを有する基板と、
本体部分と、該本体部分から外側に延びてキャップ内に凹部を画定する側壁とを有し、該基板の前記上面に取り付けられたキャップと、
各バイア・カバーが前記バイアを気密封止するよう前記基板の前記上面の前記接点の周りの領域で前記基板の前記上面に取り付けられている、複数のバイア・カバーと、を備え、
前記微細構造が前記気密封止キャビティ内に取り付けられ、前記気密封止キャビティが前記キャップ内の前記凹部によって少なくとも部分的に画定される、マイクロデバイス。 - 前記キャップが、前記キャビティ内に真空を保持するために前記キャップの前記凹部の少なくとも底面に沿って埋め込まれた波形をつけた単結晶シリコン・ゲッタ層を有するシリコンから形成されている、請求項5に記載のマイクロデバイス。
- 前記バイア・カバーが、シリコンから形成されており、陽極ボンディングによって前記基板の前記上面に取り付けられており、前記バイア・カバーが、導電性材料から形成されており、前記基板の前記上面上の金属線と前記導電性バイアとの間の電気接続を提供する、請求項5に記載のマイクロデバイス。
- 微細構造を収容する気密封止キャビティを有するマイクロデバイスであって、
上面と下面を有し、該上面の少なくとも一部分の上に形成された複数の導電線を有する基板と、
前記基板に取り付けられ、本体部分、該本体部分から外側に延びてキャップ内に凹部を画定する側壁、キャップの該凹部内で該本体部分から外側に延び、該側壁から空間的に離れた関係にある複数のポスト、および各導電性バイアが該複数のポストのうちの1つの内部に形成され各ポストの外端で終端する複数の導電性バイアを有するキャップと、
各導電性部材が、前記複数の導電性バイアのうちの少なくとも1つと前記複数の導電線のうちの少なくとも1つとの間に取り付けられる複数の導電性部材と、を備え、
前記微細構造が前記気密封止キャビティ内に取り付けられ、前記気密封止キャビティが前記キャップ内の前記凹部によって少なくとも部分的に画定される、マイクロデバイス。 - 前記キャップおよび基板がガラスから形成されており、前記導電性部材がシリコンから形成されており、前記微細構造および前記導電性部材が、陽極ボンディングによって前記基板の前記上面に取り付けられる、請求項8に記載のマイクロデバイス。
- 前記キャップと前記基板の間に取り付けられた外部シリコン封止リングをさらに備え、前記微細構造、前記導電性部材、および該外部シリコン封止リングが、陽極ボンディングによって、前記基板に取り付けられると共に前記キャップに接合される、請求項8に記載のマイクロデバイス。
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