JP4469879B2 - 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法 - Google Patents

半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4469879B2
JP4469879B2 JP2007205843A JP2007205843A JP4469879B2 JP 4469879 B2 JP4469879 B2 JP 4469879B2 JP 2007205843 A JP2007205843 A JP 2007205843A JP 2007205843 A JP2007205843 A JP 2007205843A JP 4469879 B2 JP4469879 B2 JP 4469879B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
packet
memory
semiconductor memory
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007205843A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009042398A (ja
Inventor
俊生 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2007205843A priority Critical patent/JP4469879B2/ja
Priority to KR1020080073993A priority patent/KR101033252B1/ko
Priority to TW097128872A priority patent/TWI386798B/zh
Priority to US12/182,446 priority patent/US9348745B2/en
Priority to CN200810145004.3A priority patent/CN101364165B/zh
Publication of JP2009042398A publication Critical patent/JP2009042398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4469879B2 publication Critical patent/JP4469879B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10—Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1041—Resource optimization
    • G06F2212/1044—Space efficiency improvement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7207—Details relating to flash memory management management of metadata or control data
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)

Description

本発明は、半導体メモリに素材データ等を蓄積する半導体メモリ蓄積装置に係り、特に半導体メモリにおける素材データの管理方法に関する。
半導体メモリを記録媒体として使用する蓄積装置は、例えば、複数チャンネル同時マルチアクセスや高速ランダムアクセスが可能となることから、素材データ等の情報コンテンツの記録再生に広く普及されつつある。特に、この半導体メモリ蓄積装置は、稼働部分がないため信頼性が高く、また、半導体プロセスの向上によりその蓄積容量の大容量化が期待できる。
従来の半導体メモリ蓄積装置では、複数の可変長フレームからなる素材データを入力し、素材データのフレームデータを可変長データとしてＮＡＮＤ型半導体メモリに蓄積する。そして、このフレームデータの固有情報と、フレーム毎の保存位置とを管理データとしてＮＯＲ型半導体メモリに蓄積している。
近年、半導体プロセスの向上により、ＮＡＮＤ型半導体メモリは大容量化し、大量のフレームデータを蓄積することが可能になった。一方、ＮＡＮＤ型半導体メモリの容量を増加させることは容易だが、ＮＯＲ型半導体メモリの容量を増加させることは困難である。しかしながら、フレームデータのＮＡＮＤ型半導体メモリへの蓄積量の増加に伴い、ＮＯＲ型半導体メモリが蓄積すべき管理データも増加する。そのため、フレームデータを保存するメモリ容量に対し、管理データを保存するメモリ容量が不足するという問題があった。
なお、入力された画像データを所定データ単位で記憶媒体上に連続して記録することで、記憶媒体上の固定長区画サイズと符号化データサイズとの差異により発生する記憶媒体の未使用領域を削減する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、特許文献１は、画像データを画像データ領域へ、管理データを管理データ領域へと記録するようにしており、画像データ領域の大容量化に伴う管理データ領域のメモリ容量不足を解決するものではない。
特開２００６−３５１０８９号公報
以上のように、従来の半導体メモリ蓄積装置では、管理データの保存容量に制限があるため、フレームデータの保存容量が大容量化しても、効率よく大量の素材データを管理することは困難であった。
この発明は、上記事情によりなされたもので、その目的は、管理データの保存容量の制限を解消し、大量の素材データを効率よく管理することが可能な半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体メモリ蓄積装置は、複数の可変長フレームから成る素材データを受け取り、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することで、パケットデータを生成するパケット化部と、前記パケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存する書込みバッファ部と、不揮発性メモリから成る第１及び第２のメモリを情報記憶媒体とし、前記書込みバッファ部に一時的に保存されたデータを蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に対して、前記第１のメモリに前記パケットデータを前記固定長パケット単位で書き込ませ、前記第２のメモリに前記素材データの固有情報を書き込ませるように制御する制御部とを具備する。
また、本発明に係る半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法は、複数の可変長フレームから成る素材データを受け取り、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することで、パケットデータを生成し、前記パケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存し、不揮発性メモリから成る第１及び第２のメモリを情報記憶媒体とした蓄積部に対して、前記第１のメモリに前記パケットデータを前記固定長パケット単位で書き込ませ、前記第２のメモリに前記素材データの固有情報を書き込ませることを特徴とする。
上記構成による半導体メモリ蓄積装置及びその素材管理方法では、複数の可変長フレームから成る素材データを、その素材データのフレーム毎のフレームデータと管理データとが固定長パケットに格納されるようパケット化する。そして、パケット化された素材データを固定長パケット単位で蓄積部の第１のメモリに記録する。また、素材データの固有情報を第２のメモリに記録する。これにより、管理データとフレームデータとを同一の固定長パケットに格納して第１のメモリに記録させることが可能となるため、第２のメモリに記録させるべき管理データの容量が減少する。つまり、蓄積部における管理データの保存容量の制限を解消することが可能となる。
この発明によれば、管理データの保存容量の制限を解消し、大量の素材データを効率よく管理することが可能な半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体メモリ蓄積装置の構成を示すブロック図である。図１に示す半導体メモリ蓄積装置は、複数の可変長フレームから成る音声データを、パケット化部１０でパケット化する。そして、バッファ部２０で一時保存し、制御部３０の書き込み制御により、蓄積部４０に書き込む。また、半導体メモリ蓄積装置は、蓄積部４０に蓄積された音声データを、制御部３０の読み出し制御により読み出す。そして、バッファ部５０で一時保存し、パケット解除部６０でパケット化を解除して出力する。
上記パケット化部１０は、複数の可変長フレームから成る音声データを受け取り、音声データの可変長フレーム毎のフレームデータに、このフレームデータの固有情報を示す管理データを付加する。ここで、固有情報とは、このフレームデータのデータサイズ、フレーム番号、他の装置による付加情報等である。そして、このフレームデータと管理データとを固定長パケットに格納することにより、音声データをパケット化する。
図２は、本発明の一実施形態に係る蓄積部４０に蓄積されるパケット化された音声データを示す概念図である。蓄積部４０は、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１と、ＮＯＲ型半導体メモリ４２とを備える。制御部３０は、パケット化部１０が出力する、フレームデータと管理データとが格納された固定長パケットを、固定長パケット単位でＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に書き込み制御する。これにより、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１には、パケット［０］に格納された管理データ［０］とフレームデータ［０］及び、パケット［１］に格納された管理データ［１］とフレームデータ［１］が書き込まれる。また、制御部３０は、音声データの固有情報、例えばフレーム数等、をＮＯＲ型半導体メモリ４２に書き込み制御する。
また、制御部３０は、ＮＯＲ型半導体メモリ４２に蓄積されている管理データを参照して、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に蓄積されている音声データを固定長パケット単位で読み出し制御する。
なお、本実施形態では、固定長パケットの容量を８キロバイトとしている。音声データのフレームデータの容量は、およそ６〜７キロバイトであり、管理データは、およそ１キロバイトである。このため、この固定長パケットにフレームデータ及び管理データを格納しても、固定長パケットの容量を超えることはない。
さらに、この固定長パケットの末端には、書き込み・読み出し時のエラーを補償するリード・ソロモン訂正符号が、パケット化部１０のパケット化の際に付加される。
上記バッファ部２０は、パケット化部１０から出力されるパケット化された素材データを、固定長パケット単位で一時的に保存する。また、バッファ部５０は、制御部３０により読み出されたパケット化された音声データを固定長パケット単位で一時的に保存する。
上記パケット解除部６０は、バッファ部５０から出力されるパケット化された音声データを受け取り、パケット化を解除して複数の可変長フレームからなるデータとして出力する。
以上のように、上記実施形態では、パケット化部１０は、複数の可変長フレームから成る音声データを受け取り、フレーム毎のフレームデータと管理データとを各固定長パケットに格納することにより、音声データをパケット化する。そして、蓄積部４０は、固定長パケットに格納された音声データをパケット単位でＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に蓄積し、音声データの固有情報をＮＯＲ型半導体メモリ４２に蓄積するようにしている。
すなわち、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に、管理データが格納されたパケットを、固定長で、かつ、シーケンシャルに保存することができるため、ＮＯＲ型半導体メモリ４２に、フレーム毎の保存位置を管理データとして記録する必要がなくなる。また、パケットが固定長であるため、特定のフレームデータがどこの場所に格納されているかを、フレーム数とパケットの容量とから導き出すことができる。つまり、従来のＮＯＲ型半導体メモリと比較して、記録すべき管理データが少なくてすむ。
さらに、固定長パケットの末端にリード・ソロモンを付加するようにしているため、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１における書き込み・読み出し時のエラーを補償することが可能となる。
したがって、ＮＯＲ型半導体メモリ４２への管理データの蓄積容量を抑えることが可能となるため、大量の素材データを効率よく管理することができ、今後さらに大容量化が見込まれる半導体メモリ蓄積装置に対応することができる。
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではない。例えば上記一実施形態では、素材データとして音声データを入力する例について説明したが、音声データ以外、例えば映像データ、である場合であっても同様に実施可能である。
さらに、この発明は実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
本発明に係る半導体メモリ蓄積装置の一実施形態の構成を示すブロック図。 上記一実施形態の蓄積部に蓄積されるパケット化された音声データを示す概念図。
符号の説明
１０…パケット化部、２０，５０…バッファ部、３０…制御部、４０…蓄積部、４１…ＮＡＮＤ型半導体メモリ、４２…ＮＯＲ型半導体メモリ、６０…パケット解除部。

Claims (9)

  1. 複数の可変長フレームから成る素材データを受け取り、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することで、パケットデータを生成するパケット化部と、
    前記パケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存する書込みバッファ部と、
    不揮発性メモリから成る第１及び第２のメモリを情報記憶媒体とし、前記書込みバッファ部に一時的に保存されたデータを蓄積する蓄積部と、
    前記蓄積部に対して、前記第１のメモリに前記パケットデータを前記固定長パケット単位で書き込ませ、前記第２のメモリに前記素材データの固有情報を書き込ませるように制御する制御部と
    を具備することを特徴とする半導体メモリ蓄積装置。
  2. 前記制御部は、前記第２のメモリに記録された固有情報を参照して、前記第１のメモリに記録されたパケットデータを前記固定長パケット単位で読み出すように前記蓄積部に対して制御をし、
    前記第１のメモリからのパケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存する読出しバッファ部をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  3. 前記読出しバッファ部に一時的に保存されたパケットデータをパケット解除して、前記複数の可変長フレームから成る素材データとして出力するパケット解除部をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  4. 前記パケット化部は、前記固定長パケットの末尾に誤り訂正符号を挿入することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  5. 前記第１のメモリはＮＡＮＤ型半導体メモリであり、前記第２のメモリはＮＯＲ型半導体メモリであることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  6. 複数の可変長フレームから成る素材データを受け取り、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することで、パケットデータを生成し、
    前記パケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存し、
    不揮発性メモリから成る第１及び第２のメモリを情報記憶媒体とした蓄積部に対して、前記第１のメモリに前記パケットデータを前記固定長パケット単位で書き込ませ、前記第２のメモリに前記素材データの固有情報を書き込ませることを特徴とする半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  7. 前記第２のメモリに記録された固有情報を参照して、前記第１のメモリに記録されたパケットデータを前記固定長パケット単位で読み出し、
    前記第１のメモリからのパケットデータを前記固定長パケット単位で一時的に保存することを特徴とする請求項６に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  8. 前記一時的に保持されたパケットデータをパケット解除して、前記複数の可変長フレームから成る素材データとして出力することを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  9. 前記パケットデータを生成する際に、前記固定長パケットの末尾に誤り訂正符号を挿入することを特徴とする請求項６に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
JP2007205843A 2007-08-07 2007-08-07 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法 Active JP4469879B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007205843A JP4469879B2 (ja) 2007-08-07 2007-08-07 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法
KR1020080073993A KR101033252B1 (ko) 2007-08-07 2008-07-29 반도체 메모리 축적 장치와 그 소재 관리 방법
TW097128872A TWI386798B (zh) 2007-08-07 2008-07-30 半導體記憶體儲存裝置及內容資料管理方法
US12/182,446 US9348745B2 (en) 2007-08-07 2008-07-30 Semiconductor memory storage apparatus and method for storing variable length frames in fixed length packets in nonvolatile memories
CN200810145004.3A CN101364165B (zh) 2007-08-07 2008-08-01 半导体存储器存储装置及其内容管理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007205843A JP4469879B2 (ja) 2007-08-07 2007-08-07 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009042398A JP2009042398A (ja) 2009-02-26
JP4469879B2 true JP4469879B2 (ja) 2010-06-02

Family

ID=40347558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007205843A Active JP4469879B2 (ja) 2007-08-07 2007-08-07 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9348745B2 (ja)
JP (1) JP4469879B2 (ja)
KR (1) KR101033252B1 (ja)
CN (1) CN101364165B (ja)
TW (1) TWI386798B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4444314B2 (ja) * 2007-07-13 2010-03-31 株式会社東芝 半導体メモリ情報蓄積装置とその書き込み制御方法
JP4818404B2 (ja) * 2009-06-26 2011-11-16 株式会社東芝 素材サーバおよび素材蓄積方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0312700A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Fujitsu Ltd 音声再生装置
JP3330797B2 (ja) * 1995-10-02 2002-09-30 富士通株式会社 動画像データ格納方式および動画像データ復号方式
JPH1132076A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Canon Inc デジタル伝送方法、伝送装置、伝送システムおよび記録媒体
KR100629099B1 (ko) * 1998-10-21 2006-09-28 소니 가부시끼 가이샤 데이터 처리 장치 및 방법과 기록 장치 및 방법
BR0006882B1 (pt) * 1999-05-28 2014-03-18 Panasonic Corp Cartão de memória semicondutora, aparelho de execução, aparelho de gravação, método de execução, método de gravação e meio de gravação que pode ser lido por computador
US6704310B1 (en) * 1999-06-30 2004-03-09 Logitech Europe, S.A. Header encoding method and apparatus for packet-based bus
WO2002073961A1 (en) * 2001-03-09 2002-09-19 Sony Corporation Data recording method, recording apparatus, and data output method
US20030053493A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Joseph Graham Mobley Allocation of bit streams for communication over-multi-carrier frequency-division multiplexing (FDM)
JP2003140980A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Ltd 記録装置
JP2004145392A (ja) * 2002-10-21 2004-05-20 Kddi Corp 動画像ファイル配信装置
JP3821385B2 (ja) * 2003-10-31 2006-09-13 日本ビクター株式会社 光記録媒体及び音声復号装置
US7404040B2 (en) * 2004-12-30 2008-07-22 Intel Corporation Packet data placement in a processor cache
JP4294009B2 (ja) * 2005-06-15 2009-07-08 三菱電機株式会社 映像情報記録再生方法及び映像情報記録再生装置
TWI285328B (en) 2005-07-15 2007-08-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd The audio player with office
JP2007134472A (ja) 2005-11-10 2007-05-31 Shinko Electric Ind Co Ltd 放熱板および半導体装置
US7979624B2 (en) * 2006-03-31 2011-07-12 Intel Corporation Techniques to truncate data files in nonvolatile memory
US8358704B2 (en) * 2006-04-04 2013-01-22 Qualcomm Incorporated Frame level multimedia decoding with frame information table

Also Published As

Publication number Publication date
TW200915069A (en) 2009-04-01
CN101364165B (zh) 2014-10-01
JP2009042398A (ja) 2009-02-26
US9348745B2 (en) 2016-05-24
TWI386798B (zh) 2013-02-21
KR20090014960A (ko) 2009-02-11
US20090043950A1 (en) 2009-02-12
CN101364165A (zh) 2009-02-11
KR101033252B1 (ko) 2011-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4272678B2 (ja) 情報記録装置、そのデータフロー・コントローラ、及びそのデータフローの制御方法
JP4881856B2 (ja) 記憶装置
US7738325B2 (en) Reading and writing methods and apparatus for Blu-Rays discs
US6947354B2 (en) Disk device having real-time and reliability recording modes with buffer memory divided into predetermined data stream areas
JP2012022422A (ja) 半導体記録再生装置
JP4469879B2 (ja) 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法
TWI278834B (en) Information storage medium storing multi angle data, and recording method and reproducing apparatus thereof
JP5057796B2 (ja) 半導体メモリ情報蓄積装置とその不良部位対処方法
JP2007184046A (ja) 回転円板形記憶装置および記録方法
JP4372168B2 (ja) 半導体メモリ情報蓄積装置とその蓄積データ処理方法
US20050105420A1 (en) Allocation of real time files
WO2010013437A1 (ja) 誤り訂正機能付きコントローラ、誤り訂正機能付き記憶装置、及び誤り訂正機能付きシステム
WO1999050849A1 (fr) Dispositifs et procedes de sortie de donnees, et d'entree/sortie de donnees
JP4719167B2 (ja) 半導体メモリ情報蓄積装置とその書き込み不良対策方法
JP3670210B2 (ja) 記録方法
JP4157884B2 (ja) 記録再生装置
JP5533141B2 (ja) 書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラム
JP4863681B2 (ja) 半導体記憶装置およびメモリコントローラ
JP2008234746A (ja) 不揮発性メモリ情報蓄積装置とそのサイクリック収録方法
JP4715645B2 (ja) バッファメモリ
EP1903572A2 (en) Method and system for fast format transformation
JP2021044673A (ja) ビデオサーバ装置及び映像データ書き込み／読み出し方法
JP4720152B2 (ja) 不揮発性メモリシステム
JP2006285327A (ja) デジタルデータ記録装置
JP2008299664A (ja) フォーマット装置及びフォーマット方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100301

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4469879

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305

Year of fee payment: 4