JP2009042398A - 半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法 - Google Patents

半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】管理データの保存容量の制限を解消し、大量の素材データを効率よく管理できるようにする。
【解決手段】半導体メモリ蓄積装置において、パケット化部１０は、複数の可変長フレームから成る音声データを受け取り、フレーム毎のフレームデータと管理データとを各固定長パケットに格納することにより、音声データをパケット化する。パケット化された音声データは、バッファ部２０で一時保存され、制御部３０の書き込み制御により、蓄積部４０に固定長パケット単位で蓄積される。また、パケット化された音声データは、制御部３０の読み出し制御により、蓄積部４０から固定長パケット単位で読み出され、バッファ部５０で一時保存され、パケット解除部６０でパケットを解除された後、出力される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体メモリに素材データ等を蓄積する半導体メモリ蓄積装置に係り、特に半導体メモリにおける素材データの管理方法に関する。
半導体メモリを記録媒体として使用する蓄積装置は、例えば、複数チャンネル同時マルチアクセスや高速ランダムアクセスが可能となることから、素材データ等の情報コンテンツの記録再生に広く普及されつつある。特に、この半導体メモリ蓄積装置は、稼働部分がないため信頼性が高く、また、半導体プロセスの向上によりその蓄積容量の大容量化が期待できる。
従来の半導体メモリ蓄積装置では、複数の可変長フレームからなる素材データを入力し、素材データのフレームデータを可変長データとしてＮＡＮＤ型半導体メモリに蓄積する。そして、このフレームデータの固有情報と、フレーム毎の保存位置とを管理データとしてＮＯＲ型半導体メモリに蓄積している。
近年、半導体プロセスの向上により、ＮＡＮＤ型半導体メモリは大容量化し、大量のフレームデータを蓄積することが可能になった。一方、ＮＡＮＤ型半導体メモリの容量を増加させることは容易だが、ＮＯＲ型半導体メモリの容量を増加させることは困難である。しかしながら、フレームデータのＮＡＮＤ型半導体メモリへの蓄積量の増加に伴い、ＮＯＲ型半導体メモリが蓄積すべき管理データも増加する。そのため、フレームデータを保存するメモリ容量に対し、管理データを保存するメモリ容量が不足するという問題があった。
なお、入力された画像データを所定データ単位で記憶媒体上に連続して記録することで、記憶媒体上の固定長区画サイズと符号化データサイズとの差異により発生する記憶媒体の未使用領域を削減する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、特許文献１は、画像データを画像データ領域へ、管理データを管理データ領域へと記録するようにしており、画像データ領域の大容量化に伴う管理データ領域のメモリ容量不足を解決するものではない。
特開２００６−３５１０８９号公報
以上のように、従来の半導体メモリ蓄積装置では、管理データの保存容量に制限があるため、フレームデータの保存容量が大容量化しても、効率よく大量の素材データを管理することは困難であった。
この発明は、上記事情によりなされたもので、その目的は、管理データの保存容量の制限を解消し、大量の素材データを効率よく管理することが可能な半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体メモリ蓄積装置は、複数の可変長フレームから成る素材データを入力し、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することによって、前記素材データをパケット化するパケット化部と、前記固定長パケット単位にパケット化された素材データの書き込み・読み出し時に、当該素材データを固定長パケット単位で一時的に保存するバッファ部と、不揮発性メモリを情報記憶媒体とし、前記バッファ部に一時的に保存されたデータを蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に対して前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを固定長パケット単位で書き込み・読み出し制御する制御部とを具備する。
また、本発明に係る半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法は、複数の可変長フレームから成る素材データを入力し、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することによって、前記素材データをパケット化し、前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを当該固定長パケット単位で一時的に保存し、不揮発性メモリを情報記憶媒体とした蓄積部に書き込み制御を施すことにより、前記一時的に保存されたデータを前記固定長パケット単位で蓄積し、前記蓄積部に、読み出し制御を施すことにより、当該蓄積部に蓄積された素材データを前記固定長パケット単位で読み出し、前記読み出した素材データを前記固定長パケット単位で一時的に保存する。
上記構成による半導体メモリ蓄積装置及びその素材管理方法では、複数の可変長フレームから成る素材データを、その素材データのフレーム毎のフレームデータと管理データとが固定長パケットに格納されるようパケット化する。そして、パケット化された素材データを固定長パケット単位で蓄積部に蓄積する。これにより、管理データとフレームデータとを同一の固定長パケットに格納して蓄積することが可能となるため、蓄積部における管理データの保存容量の制限を解消することが可能となる。
この発明によれば、管理データの保存容量の制限を解消し、大量の素材データを効率よく管理することが可能な半導体メモリ蓄積装置とその素材管理方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体メモリ蓄積装置の構成を示すブロック図である。図１に示す半導体メモリ蓄積装置は、複数の可変長フレームから成る音声データを、パケット化部１０でパケット化する。そして、バッファ部２０で一時保存し、制御部３０の書き込み制御により、蓄積部４０に書き込む。また、半導体メモリ蓄積装置は、蓄積部４０に蓄積された音声データを、制御部３０の読み出し制御により読み出す。そして、バッファ部５０で一時保存し、パケット解除部６０でパケット化を解除して出力する。
上記パケット化部１０は、複数の可変長フレームから成る音声データを受け取り、音声データの可変長フレーム毎のフレームデータに、このフレームデータの固有情報を示す管理データを付加する。ここで、固有情報とは、このフレームデータのデータサイズ、フレーム番号、他の装置による付加情報等である。そして、このフレームデータと管理データとを固定長パケットに格納することにより、音声データをパケット化する。
図２は、本発明の一実施形態に係る蓄積部４０に蓄積されるパケット化された音声データを示す概念図である。蓄積部４０は、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１と、ＮＯＲ型半導体メモリ４２とを備える。制御部３０は、パケット化部１０が出力する、フレームデータと管理データとが格納された固定長パケットを、固定長パケット単位でＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に書き込み制御する。これにより、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１には、パケット［０］に格納された管理データ［０］とフレームデータ［０］及び、パケット［１］に格納された管理データ［１］とフレームデータ［１］が書き込まれる。また、制御部３０は、音声データの固有情報、例えばフレーム数等、をＮＯＲ型半導体メモリ４２に書き込み制御する。
また、制御部３０は、ＮＯＲ型半導体メモリ４２に蓄積されている管理データを参照して、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に蓄積されている音声データを固定長パケット単位で読み出し制御する。
なお、本実施形態では、固定長パケットの容量を８キロバイトとしている。音声データのフレームデータの容量は、およそ６〜７キロバイトであり、管理データは、およそ１キロバイトである。このため、この固定長パケットにフレームデータ及び管理データを格納しても、固定長パケットの容量を超えることはない。
さらに、この固定長パケットの末端には、書き込み・読み出し時のエラーを補償するリード・ソロモン訂正符号が、パケット化部１０のパケット化の際に付加される。
上記バッファ部２０は、パケット化部１０から出力されるパケット化された素材データを、固定長パケット単位で一時的に保存する。また、バッファ部５０は、制御部３０により読み出されたパケット化された音声データを固定長パケット単位で一時的に保存する。
上記パケット解除部６０は、バッファ部５０から出力されるパケット化された音声データを受け取り、パケット化を解除して複数の可変長フレームからなるデータとして出力する。
以上のように、上記実施形態では、パケット化部１０は、複数の可変長フレームから成る音声データを受け取り、フレーム毎のフレームデータと管理データとを各固定長パケットに格納することにより、音声データをパケット化する。そして、蓄積部４０は、固定長パケットに格納された音声データをパケット単位でＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に蓄積し、音声データの固有情報をＮＯＲ型半導体メモリ４２に蓄積するようにしている。
すなわち、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１に、管理データが格納されたパケットを、固定長で、かつ、シーケンシャルに保存することができるため、ＮＯＲ型半導体メモリ４２に、フレーム毎の保存位置を管理データとして記録する必要がなくなる。また、パケットが固定長であるため、特定のフレームデータがどこの場所に格納されているかを、フレーム数とパケットの容量とから導き出すことができる。つまり、従来のＮＯＲ型半導体メモリと比較して、記録すべき管理データが少なくてすむ。
さらに、固定長パケットの末端にリード・ソロモンを付加するようにしているため、ＮＡＮＤ型半導体メモリ４１における書き込み・読み出し時のエラーを補償することが可能となる。
したがって、ＮＯＲ型半導体メモリ４２への管理データの蓄積容量を抑えることが可能となるため、大量の素材データを効率よく管理することができ、今後さらに大容量化が見込まれる半導体メモリ蓄積装置に対応することができる。
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではない。例えば上記一実施形態では、素材データとして音声データを入力する例について説明したが、音声データ以外、例えば映像データ、である場合であっても同様に実施可能である。
さらに、この発明は実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
本発明に係る半導体メモリ蓄積装置の一実施形態の構成を示すブロック図。 上記一実施形態の蓄積部に蓄積されるパケット化された音声データを示す概念図。
符号の説明
１０…パケット化部、２０，５０…バッファ部、３０…制御部、４０…蓄積部、４１…ＮＡＮＤ型半導体メモリ、４２…ＮＯＲ型半導体メモリ、６０…パケット解除部。

Claims (8)

  1. 複数の可変長フレームから成る素材データを入力し、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することによって、前記素材データをパケット化するパケット化部と、
    前記固定長パケット単位にパケット化された素材データの書き込み・読み出し時に、当該素材データを固定長パケット単位で一時的に保存するバッファ部と、
    不揮発性メモリを情報記憶媒体とし、前記バッファ部に一時的に保存されたデータを蓄積する蓄積部と、
    前記蓄積部に対して前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを固定長パケット単位で書き込み・読み出し制御する制御部と
    を具備することを特徴とする半導体メモリ蓄積装置。
  2. 前記蓄積部から前記素材データを読み出す際、前記固定長パケット単位にパケット化されている素材データをパケット解除するパケット解除部をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  3. 前記蓄積部は、第１のメモリと第２のメモリとを備え、前記第１のメモリに前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを蓄積し、前記第２のメモリに前記複数の可変長フレームから成る素材データの固有情報を蓄積することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  4. 前記パケット化部は、前記固定長パケットの末尾に誤り訂正符号を挿入することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ蓄積装置。
  5. 複数の可変長フレームから成る素材データを入力し、前記各可変長フレームのフレームデータに当該フレームデータの固有情報を示す管理データを付加し、当該フレームデータと管理データとを前記可変長フレーム毎に各固定長パケットに格納することによって、前記素材データをパケット化し、
    前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを当該固定長パケット単位で一時的に保存し、
    不揮発性メモリを情報記憶媒体とした蓄積部に書き込み制御を施すことにより、前記一時的に保存されたデータを前記固定長パケット単位で蓄積し、
    前記蓄積部に、読み出し制御を施すことにより、当該蓄積部に蓄積された素材データを前記固定長パケット単位で読み出し、
    前記読み出した素材データを前記固定長パケット単位で一時的に保存することを特徴とする半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  6. 前記蓄積部から前記素材データを読み出す際、前記固定長パケット単位にパケット化されている素材データをパケット解除することを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  7. 前記蓄積部は、第１のメモリと第２のメモリとを備え、前記第１のメモリに前記固定長パケット単位にパケット化された素材データを蓄積し、前記第２のメモリに前記複数の可変長フレームから成る素材データの固有情報を蓄積することを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
  8. 前記パケット化により、前記固定長パケットの末尾に誤り訂正符号を挿入することを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ蓄積装置の素材管理方法。
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