JP4469854B2 - フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及びエッチング残渣を除去するのに好適な組成物、並びに、その使用 - Google Patents

フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及びエッチング残渣を除去するのに好適な組成物、並びに、その使用 Download PDF

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Description

本発明は、選択的にフォトレジスト、フォトレジストの副生成物及び残渣、並びに、エッチング残渣を基板から除去する方法に関し、特に上記フォトレジスト、フォトレジストの副生成物及び／又はフォトレジストの残渣及び／又はエッチング残渣を除去するために使用される組成物に同時に曝露される金属を侵食することなく、選択的に上記のものを除去するための方法である。さらに、本発明はこれらの物質を除去するのに好適な特定の組成物に関する。
マイクロエレクトロニクス用部品の組み立てにおいて、例えば集積回路チップやそのチップのパッケージング（チップを接続させるためのもの及びチップを保護するためのもの）の製造の際の多くのステップに関与しているのがエッチング工程である。従って、長年に渡り、物質を除去するため、時には選択された領域内において物質を除去するために、非常に多くの異なるタイプのエッチング方法が開発され、さまざまな程度に利用されている。さらに、例えば完成品の集積回路チップを構成する別々の層をエッチングする工程は、最も重要かつ厳密性を要するステップの一つである。
ポジ型レジストは、基板上にパターンを描写し、ビア（ｖｉａ）を形成するためのマスキング材料として幅広く使用されており、その後そのパターンをエッチングするか、そうでなければ基板にそのパターンの輪郭を定めるために使用されるものである。その後、基板を製造する際の最終ステップにおいて、露光されなかったレジスト材料が基板から除去される。しかしながら、基板にパターンを定め、ビアを形成するために、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングあるいはイオンミーリングが使用される機会はますます増加しており、その結果レジストマスクを除去することが非常に困難になっている。
例えば、回線相互接続（ライン・インターコネクト）用配線の多層型バックエンド層を備えた新型ＤＲＡＭや論理回路等の複雑な半導体装置において、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）は、層間絶縁膜を貫通するビアを形成することによって、ある層のケイ素、ケイ化物あるいは金属の配線を、隣接した層の配線と接続させるために使用される。このようなビアは、典型的には、Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ケイ素、又は、タングステン、チタン若しくはコバルトのケイ化物等のケイ化物を感光させる。ＲＩＥ工程後は、再スパッタされた酸化物を含んでいる可能性のある複合混合物の残渣が残る。また場合によってはビアを描くのに用いたレジスト由来の少量の有機物がその混合物に含まれていることもありうる。
また、アルミニウム、銅及びそれらの合金等からなる導電ラインを形成する際、エッチング残渣は導電ライン上から除去されなければならないにもかかわらずその導電ライン上に残存する可能性もある。
したがって、フォトレジスト、更にはエッチング、特にプラズマエッチング、ＲＩＥ又はイオンミーリングエッチングによって生じた残渣を除去できる、選択的処理手順を提供することは望ましいであろう。さらに、フォトレジストをエッチングした際に発生する残渣を除去することができ、かつ、清浄用組成物に同時に曝露される金属、ケイ素、ケイ化物及び／又は溶着酸化物等の層間絶縁膜用材料と比較して、上記残渣に対して高い選択性を発揮する選択的処理手順を提供することは望ましいであろう。
（発明の要約）
本発明は、組成物に同時に曝露される可能性のある金属を侵食することなく、基板からフォトレジスト、フォトレジスト副生成物、フォトレジスト残渣及び／又はエッチング残渣を選択的に除去することができる組成物を提供するものである。さらに、本発明は、金属のエッチング速度を最小限にする組成物を提供するものである。
より具体的には、本発明は、
ａ）約２５重量％〜７５重量％の、式：ＮＲ１Ｒ２Ｒ３
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、Ｈ、脂肪族基、エーテル基、アルキルモノアミン、アルキルジアミン、アルキルトリアミン並びにＮ、Ｏ及びＳからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を環内にさらに含んでいてもよいＮ原子含有複素環基からなる群から選択される基である。）によって表わされる少なくとも１つのアミンか、
又は、式：［ＮＲ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７］−ＯＨ
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、アルキル基である）
によって表わされる少なくとも１つの四級アンモニウム化合物と、
ｂ）約１０〜約２５重量％のヒドロキシルアミンと、
ｃ）約０〜約３２重量％の有機希釈剤と
ｄ）約１０〜約３０重量％の水と
を含み、ｐＨ値が７より大きい組成物に関する。
本発明の別の態様は、上述の組成物を基板と接触させることからなる、基板からエッチング後の残渣、残留フォトレジスト及び／又はフォトレジスト副生成物を除去する方法に関する。
本発明のさらに別の態様は、上述の組成物を基板と接触させることからなる、基板からフォトレジストを除去する方法に関する。
本発明の他の目的及び他の有利な点は、当業者であれば、以下の詳細な説明から容易に理解できるであろう。なお、詳細な説明は、発明を行なう場合の最良の形態と考えられる例を簡潔に例示することによって、発明の好ましい実施形態を示し、説明したものに過ぎない。理解される通り、本発明は他の異なる実施形態によっても実施することが可能であり、細部については、本発明から逸脱しない限りにおいて、種々の明白な観点から改良することができる。従って、図面と詳細な説明は本質的に例証として考えられるべきものであり、本発明を限定するものとして考えられるべきものではない。
（図面の要約）
図１は、側壁にポリマーが付着した金属の、清浄化前のＳＥＭ図である。
図２は、本発明の組成物を用いて図１の金属線を清浄化した後のＳＥＭ図である。
図３は、エッチング残渣が付着したエッチング後のビアの、清浄化前のＳＥＭ図である。
図４は、本発明の組成物を用いて図３のエッチング後のビアを清浄化した後のＳＥＭ図である。
本発明はフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を選択的に除去する方法に関し、限定されるわけではないが、特にリアクティブイオンエッチングによって生じる残渣を除去する方法に関する。さらに、フォトレジスト及び／又はエッチング残渣は、金属、ケイ素、ケイ酸塩、及び／又は溶着させた酸化ケイ素等の層間絶縁材料をも含んでいる物の中あるいは表面上に存在する。この場合、フォトレジスト及び／又は残渣と、金属、ケイ素、ケイ化物及び／又は層間絶縁材料は、いずれも清浄用組成物に接するであろうと考えられる。金属は、典型的には銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、アルミニウム及び／又はアルミニウム合金である。本発明によって除去される残渣は、限定されないが、好ましくはリアクティブイオンエッチングによって処理されたものである。
本発明の組成物は、典型的には約２５〜約７５重量％、より典型的には約２５〜約４０重量％、好ましくは約２５重量％〜約３０重量％の、式：ＮＲ１Ｒ２Ｒ３
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、Ｈ、脂肪族基、エーテル基、アルキルモノアミノ基、アルキルジアミノ基、アルキルトリアミノ基並びにＮ、Ｏ及びＳからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子をさらに含んでいてもよいＮ原子含有複素環基からなる群から選択される基である。）によって表わされる少なくとも１つのアミンか、
又は、式：［ＮＲ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７］−ＯＨ
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立にアルキル基である）
によって表わされる少なくとも１つの四級アンモニウム化合物
を含有するものである。
好適な脂肪族基には、直鎖若しくは枝分かれ鎖を有するアルキル基、アルキレン基、アルキン、アリール基、アリール−アルキル基、アルキル−アリール基及び置換アリール基が含まれる。
エーテル基には、典型的には炭素原子数が１〜１２のアクリル系エーテルが含まれる。
アミンには、１級、２級及び３級アミンの他、ジアミン及びトリアミン等の多官能アルキルアミンも含まれる。
以下に示したものは、本発明を説明するために使用される種々の用語の定義である。これらの定義は、別途個別に、又はまとまった群のうちの一部として特定の例において限定されていない限り、本明細書を通して、使用されている用語にそのまま適用されるものである。
「アルキル（基）」という用語は、炭素原子数が１〜２０の、好ましくは炭素原子数が１〜８の直鎖又は枝分かれ鎖の無置換炭化水素基を指す。「低級アルキル（基）」という表現は、炭素原子数が１〜４のアルキル基を指す。
「アルケニル（基）」及び「アルキニル（基）」という用語は、直鎖又は枝分かれ鎖の不飽和炭化水素基を指し、典型的には炭素原子数が２〜８のものをいう。
「アリール（基）」という用語は、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びジフェニル基等の、環部位の炭素原子数が６〜１２の単環式又は二環式の芳香族炭化水素基を指す。それぞれの基は置換基を有していても良い。
単環式の複素環基は、例えば、典型的には環に５又は６つの原子を含むものであり、その例としては、モルホリノ（基）、ピペラジン（基）、イソチアゾール（基）、イミダゾリン（基）、ピラゾリン（基）、ピラゾリジン（基）、ピリミジン（基）、ピラジン（基）等が挙げられる。
エーテル基の例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ− ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基がある。
好適なアルキル基の例には、メチル基、エチル基及びプロピル基が含まれる。
好ましいアリール基はフェニル基である。
「アラルキル(基）」又は「アルキルアリール（基）」という用語は、ベンジル基又はフェネチル基等の、アルキル基に直接結合したアリール基を指す。「置換アリール（基）」又は「置換アルキルアリール（基）」という用語は、例えばアルキル基、置換アルキル基、ハロゲン（基）、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アジド基、シクロアルキルオキシ基、ヘテロシクロオキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、アジドアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アレニル基、シクロアルキルアミノ基、ヘテロシクロアミノ基、ジアルキルアミノ基、チオール基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、ヘテロシクロチオ基、ウレイド基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボキシアルキル基、カルバミル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオノ基、アリールチオノ基、アルキルスルホニル基、スルホンアミド、アリールオキシ基等の置換基のうちの１〜４つの置換基によって置換されたアリール基又はアルキルアリール基を指す。上記置換基は、ハロゲン（基）、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、置換アリール基、置換アルキル基あるいはアラルキル基によってさらに置換されていてもよい。「置換ベンジル基」は、例えば、置換アリール基の説明にて列挙した基のいずれかによって置換されたベンジル基をいう。
本発明において使用されるアミンのうち好ましいものは、アミノプロピルモルホリン等のアミノアルキルモルホリン類、及び、アミノエチルピペラジン等のアミノアルキルピペラジン類である。
本発明の組成物は、典型的には約５重量％〜２５重量％、より典型的には約１０重量％〜約２０重量％、好ましくは約１２重量％〜約１８重量％のヒドロキシルアミンもさらに含んでいる。ここでヒドロキシルアミンとは式ＮＨ２ＯＨの構造を有するものである。
本発明の組成物は、典型的には約０〜３２重量％、より典型的には約１０重量％〜約３０重量％、好ましくは約１５重量％〜約３０重量％、最も好ましくは約２０重量％〜約３０重量％の有機希釈剤をさらに含んでいる。前記有機希釈剤は水混和性のものである。本発明において使用される典型的な有機希釈剤はアルコール類であり、より典型的には、下記式のうちの少なくとも１つによって表わされるアルコールである。
Ｒ１１−(ＣＨＯＨ) ｎ−Ｒ１２；
Ｒ１１ −(ＣＨＯＨ)ｎ−Ｒ１２−(ＣＨ２ＯＨ)ｍ−Ｒ１３；及び、
Ｒ１１−(ＣＨＯＨ)ｎ (ＣＲ１２ＯＨ)ｍＲ１３
（式中、ｎは１〜２０、好ましくは１〜４の整数である。ｍは１〜２０、好ましくは１〜４の整数である。またＲ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立にＨ、アルキル基、アリール基又はアルコキシ基である。）
好適なアルキル基の例は、炭素原子数が１〜２０の、好ましくは炭素原子数が１〜８の、最も好ましくは炭素原子数が１〜４の直鎖又は枝分かれ鎖の無置換炭化水素基である。
好適なアリール基には、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びジフェニル基等の、環部位の炭素原子数が６〜１２の単環式又は二環式の芳香族炭化水素基が含まれる。好ましいアリール基はフェニル基である。
好適なアルキル基の例にはメチル基、エチル基及びプロピル基が含まれる。
典型的なアルコキシ基は、炭素原子数が１〜１２のものである。アルコキシ基の例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ− ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基がある。
典型的な有機希釈剤の例としては、プロピレングリコール、トリプロピレングリコール＝メチルエーテル、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール＝プロピルエーテル、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（例えば商品名Ｄｏｗａｎｏｌ ＤＢの下で市販されているもの等）、ヘキシルオキシプロピルアミン、ポリ（オキシエチレン）ジアミン及びテトラヒドロフルフリルアルコール(ＴＨＦＡ)がある。好ましい希釈剤はアルコール類である。
必要であれば、希釈剤の混合物を使用することができる。
本発明の組成物は、必要に応じてさらに腐食防止剤を含んでもよい。組成物が金属基板上で使用するためのものである場合、腐食防止剤を含有するのが好ましい。
腐食防止剤の例としては、芳香族ヒドロキシル化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその酸無水物、並びに、トリアゾール化合物が挙げられる。
典型的な芳香族ヒドロキシル化合物としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ −アミノフェノール、 ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸及び３，５−ジヒドロキシ安息香酸が挙げられる。
典型的なアセチレンアルコールには、２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール及び２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオールが含まれる。
カルボキシル基含有有機化合物及びその酸無水物の例には、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸及びサリチル酸が含まれる。
トリアゾール化合物の例には、ベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール及びジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾールを含んでいます。
好ましい防止剤は、カテコール、没食子酸、ピロガロール、４−メチルカテコール、フマル酸及びジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）である。
腐食防止剤を使用する場合、その量は、典型的には約１〜２５重量％、より典型的には約１〜約７重量％、好ましくは約３〜約５重量％である。
上記組成物はさらに水を含んでいる。上記水の量は、典型的には約１０重量％〜約３０重量％である。
本発明の組成物は、典型的にはそのｐＨ値が７を超えるものであり、より典型的にはｐＨ値が約７．５〜約１３の組成物である。
本発明の組成物は、アルカノールアミン類を含有していないか、少なくとも実質的に含有していないものである（換言すれば、アルカノールアミン類を最大でも１０％未満しか含まないものである）。
本発明の組成物は、エステル又はオルト−ナフトキノンとノボラック型結合剤を含有するフォトレジストや、ブロックポリヒドロキシスチレン又はポリヒドロキシスチレンと光酸発生剤の共重合体を含有する化学増幅レジスト等の様々なポジ型フォトレジストを除去するのに有効である。本発明の剥離用組成物を用いた剥離用組成物によって効率よく基板から除去される市販のフォトレジスト用組成物としては、例えばクラリアント（Ｃｌａｒｉａｎｔ）コーポレーションのＡＺ １５１８、ＡＺ ４６２０、シップリー（Ｓｈｉｐｌｅｙ）社のフォトレジストであるＳ１４００、ＡＰＥＸ−Ｅ（商標）ポジ型ＤＵＶ、ＵＶ５（商標）ポジ型ＤＵＶ、メガポジット（Ｍｅｇａｐｏｓｉｔ）（商標） ＳＰＲ（商標）２２０シリーズ、ジェイエスアール（ＪＳＲ）社のマイクロエレクトロニクス・フォトレジストＫＲＦ（登録商標）シリーズ、ＡＲＦ（登録商標）シリーズ、及び東京応化工業株式会社のフォトレジストＴＳＣＲシリーズ及びＴＤＵＲ−Ｐ／Ｎシリーズ等が含まれる。
本発明の組成物によって、基板そのものが侵食されることなくフォトレジスト及び／又はエッチング後の残渣が除去される基板には、アルミニウム／チタン／タングステン、及び、アルミニウム／ケイ素、アルミニウム／ケイ素／銅等の金属製基板、並びに、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びガリウム／ヒ化物等の基板が含まれる。
本発明の、フォトレジスト及び／又はエッチング後の残渣を除去する方法には、
基板上にフォトレジストを塗布することにより、フォトレジスト層を形成する工程、
塗布されたフォトレジスト層を、マスクパターンを通して露光し、露光後のフォトレジスト層を、通常の方法で現像することによりフォトレジストパターンを形成する工程;
フォトレジストパターンを介して公知の手順により基板をエッチングする工程、
必要に応じて灰化（アッシング）又はイオン注入等の別の変性処理を行う工程、
及び浸漬などの適当な手段により、本発明のレジスト組成物を備えた基板と接触させる工程、
を含むことができる。
本発明の組成物は、組成物に同時に曝露される可能性のある金属を侵食することなく、基板からフォトレジスト、フォトレジスト副生成物、フォトレジスト残渣及び／又はエッチング残渣を選択的に除去することができる。さらに、本発明は、金属のエッチング速度を最小限にする。
下記例は、本発明をさらに例証する目的で示すものであるが決して同一の態様のみに限定することを意図したものではない。
（実施例１）
成分 配合
プロピレングリコール ２０．００％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ３９．２０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３６．１０％
カテコール ４．７０％
（実施例２）
成分 配合
プロピレングリコール ２０．００％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ３６．５０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３２．００％
水 １０．００％
没食子酸 １．５０％
（実施例３）
成分 配合
トリ−プロピレングリコールモノメチルエーテル
（ｔ−ＰＧＭＥ） ２０．００％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ３６．５０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３２．００％
水 １０．００％
没食子酸 １．５０％
（実施例４）
成分 配合
１，４−ブタンジオール ２９．６０％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ２９．６０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３６．１０％
カテコール ４．７０％
（実施例５）
成分 配合
Ｄｏｗａｎｏｌ ＤＢ ２９．６０％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ２９．６０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３６．１０％
カテコール ４．７０％
（実施例６）
成分 配合
プロピレングリコールプロピルエーテル（ＰＧＰＥ） ２０．００％
アミノプロピルモルホリン ３９．２０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３６．１０％
カテコール ４．７０％
（実施例７）
成分 配合
プロピレングリコール ２０．００％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ３５．００％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３２．００％
水 １０．００％
ピロガロール ３．００％
（実施例８）
成分 配合
プロピレングリコール ２８．００％
アミノプロピルモルホリン（ＡＰＭ） ２８．００％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３１．００％
水 ９．００％
没食子酸 ２．００％
カテコール ２．００％
（実施例９）
成分 組成比
プロピレングリコール ２８．５０％
アミノエチルピペリジン ２８．５０％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３１．００％
水 ８．００％
４−メチルカテコール ４．００％
（実施例１０）
成分 組成比
プロピレングリコール ２８．００％
ジエチレントリアミン ２８．００％
ヒドロキシルアミン（５０％） ３１．００％
水 ８．００％
没食子酸 ２．５０％
カテコール ２．５０％
上記の調合物のエッチング速度をテストする。本発明による調合物に曝露された際に腐食防止剤が腐食を防ぐ能力を、ＡＳＴＭ Ｆ５３３−０２ａ（ケイ素ウェーハの厚み及び厚み変化の標準試験方法）に準拠した手順によって測定した。
アルミニウムとチタンのエッチング速度の結果を以下に示す。
Figure 0004469854
エッチング後の残渣を有した状態の構造物を本発明の組成物と接触させる清浄化試験を行い、その後脱イオン水で洗浄し、Ｎ２乾燥した。図１及び２は、金属線の走査型電子顕微鏡写真を清浄化前後で比較したものである。図１は本発明の組成物を用いて清浄化する前の、側壁にポリマーが付着した金属線の写真であり、図２は実施例２の組成物を用いて６５℃で１５分清浄化した後の金属線の写真である。
図３と４は、エッチング後のビアの走査型電子顕微鏡写真を清浄化前後で比較したものである。図３は本発明の組成物を用いて清浄化する前の、エッチングによる残渣が付着した状態でのエッチング後のビアの写真であり、図４は実施例２の組成物を用いて７５℃で１５分間清浄化したのちの、エッチング後のビアの写真である。
上記発明の詳細な説明は、本発明を例証し、説明するためのものである。さらに、開示内容は、発明の好ましい実施形態のみを示し、説明するものであるが、上述の通り、本発明は種々の他の組み合わせ、変更及び環境において使用できるものであって、ここに表された発明の概念を逸脱しない範囲で、上記の教示及び／又は関連する技術のスキル若しくは知識と相応する改変又は変更ができることは理解されるはずである。さらに上述の実施形態は、本発明を実施する上で知られている最良の形態を説明することを意図したものであり、また当業者が本発明を上記の通り、又は、本発明の特定の用途又は使用によって要求される種々の変更を伴う他の実施形態において利用できるよう意図したものである。従って、本願の詳細な説明は、ここに開示された形式に本発明が限定されることを意図したものではない。さらに添付の特許請求の範囲は、代替可能な実施形態を含むものとして解釈されるよう意図したものである。
フォトレジスト、更にはエッチング、特にプラズマエッチング、ＲＩＥ又はイオンミーリングエッチングによって生じた残渣を除去できる、選択的処理手順を提供する。また、フォトレジストをエッチングした際に発生する残渣を除去することができ、かつ、清浄用組成物に同時に曝露される金属、ケイ素、ケイ化物及び／又は溶着酸化物等の層間絶縁膜用材料と比較して、上記残渣に対して高い選択性を発揮する選択的処理手順を提供する。
側壁にポリマーが付着した金属の、清浄化前のＳＥＭ図である。 本発明の組成物を用いて図１の金属線を清浄化した後のＳＥＭ図である。 エッチング残渣が付着したエッチング後のビアの、清浄化前のＳＥＭ図である。 本発明の組成物を用いて図３のエッチング後のビアを清浄化した後のＳＥＭ図である。

Claims (14)

  1. アルカノールアミンを含有していない組成物であって、前記組成物は、
    ａ）２５重量％〜７５重量％の、アミノアルキルモルホリン及び／又はアミノアルキルピペラジンと、
    ｂ）１０〜２５重量％のヒドロキシルアミンと、
    ｃ）０〜３２重量％の有機希釈剤と
    ｄ）１０〜３０重量％の水と
    ｅ）１〜２５重量％の腐食防止剤と
    を含み、ｐＨ値が７より大きい組成物。
  2. ａ）成分がアミノアルキルモルホリンを含有する請求項１記載の組成物。
  3. ａ）成分がアミノプロピルモルホリンを含有する請求項１記載の組成物。
  4. 前記有機希釈剤が水混和性アルコールを含有する請求項１記載の組成物。
  5. 前記アルコールが、下記式
    Ｒ１１−（ＣＨＯＨ） ｎ−Ｒ１２；
    Ｒ１１ −（ＣＨＯＨ）ｎ−Ｒ１２−（ＣＨ２ＯＨ）ｍ−Ｒ１３；及び、
    Ｒ１１−（ＣＨＯＨ）ｎ （ＣＲ１２ＯＨ）ｍＲ１３
    （式中、
    ｎは１〜２０の整数であり、
    ｍは１〜２０の整数であり、
    またＲ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル基、アリール基又はアルコキシ基である。）
    のうちの少なくとも１つによって表わされるアルコールである請求項４記載の組成物。
  6. 前記アルコールが、プロピレングリコール、トリプロピレングリコール＝メチルエーテル、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール＝プロピルエーテル、ジエチレングリコール＝ｎ−ブチルエーテル、及び、テトラヒドロフルフリルアルコールからなる群から選択される少なくとも一つである請求項４記載の組成物。
  7. 前記腐食防止剤が、カテコール、４−メチルカテコール、フマル酸、没食子酸及びピロガロールからなる群から選択される少なくとも一つである請求項１記載の組成物。
  8. ｐＨ値が７．５〜１３である請求項１記載の組成物。
  9. エッチング後の残渣、残留フォトレジスト及びフォトレジスト副生成物からなる群から選択される少なくとも一つを表面上に有する基板と、アルカノールアミン類を含有していない組成物を接触させることからなり、
    前記組成物は
    ａ）２５重量％〜７５重量％の、アミノアルキルモルホリン及び／又はアミノアルキルピペラジンと、
    ｂ）１０〜２５重量％のヒドロキシルアミンと、
    ｃ）０〜３２重量％の有機希釈剤と
    ｄ）１０〜３０重量％の水と
    ｅ）１〜２５重量％の腐食防止剤と
    を含み、ｐＨ値が７より大きい組成物である、
    基板からエッチング後の残渣、残留フォトレジスト及び／又はフォトレジスト副生成物を除去する方法。
  10. フォトレジストを表面上に有する基板とアルカノールアミン類を含有していない組成物を接触させることからなり、
    前記組成物は、
    ａ）２５重量％〜７５重量％の、アミノアルキルモルホリン及び／又はアミノアルキルピペラジンと、
    ｂ）１０〜２５重量％のヒドロキシルアミンと、
    ｃ）０〜３２重量％の有機希釈剤と
    ｄ）１０〜３０重量％の水と
    ｅ）１〜２５重量％の腐食防止剤と
    を含み、ｐＨ値が７より大きい組成物である、
    基板からフォトレジストを除去する方法。
  11. 前記有機希釈剤は、ヘキシルオキシプロピルアミン、ポリ（オキシエチレン）ジアミン、及び、これらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１記載の組成物。
  12. アルカノールアミンを含有していない組成物であって、
    ａ）アミノアルキルモルホリンを含む少なくとも１つのアミンと、
    ｂ）ヒドロキシルアミンと、
    ｃ）有機希釈剤と
    ｄ）水と
    ｅ）腐食防止剤と
    を含み、ｐＨ値が７より大きい組成物。
  13. ａ）成分がアミノアルキルピペラジンを含有する請求項１記載の組成物。
  14. ａ）成分がさらにジエチレントリアミンを含有する請求項１記載の組成物。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7129199B2 (en) * 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7543592B2 (en) * 2001-12-04 2009-06-09 Ekc Technology, Inc. Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
KR101082018B1 (ko) * 2004-05-07 2011-11-10 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 제거용 조성물
JP2007536566A (ja) * 2004-05-07 2007-12-13 ドウジン セミケム カンパニー リミテッド （フォト）レジスト除去用組成物
US20060094613A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Lee Wai M Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
US20060116313A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Denise Geitz Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor
DE602006017559D1 (de) * 2005-08-13 2010-11-25 Techno Semichem Co Ltd Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung
US7879782B2 (en) * 2005-10-13 2011-02-01 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition and method for using same
US7674755B2 (en) 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
US7858572B2 (en) 2005-12-26 2010-12-28 Liquid Technology Co., Ltd. Composition for removing polymer residue of photosensitive etching-resistant layer
KR100752446B1 (ko) * 2005-12-26 2007-08-24 리퀴드테크놀로지(주) 감광성 내식각막의 잔사제거용 조성물
US20070179072A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Rao Madhukar B Cleaning formulations
KR20070114038A (ko) * 2006-05-26 2007-11-29 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP4499751B2 (ja) * 2006-11-21 2010-07-07 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド フォトレジスト、エッチ残留物及びｂａｒｃを除去するための配合物及び同配合物を含む方法
US8357646B2 (en) * 2008-03-07 2013-01-22 Air Products And Chemicals, Inc. Stripper for dry film removal
US20100151206A1 (en) 2008-12-11 2010-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material
KR20100082109A (ko) * 2009-01-08 2010-07-16 최호성 감광성 내식각막의 잔사제거용 조성물
JP5890306B2 (ja) * 2009-07-29 2016-03-22 東友ファインケム株式会社Ｄｏｎｇｗｏｏ Ｆｉｎｅ−Ｃｈｅｍ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 洗浄液組成物及びこれを用いたパネルの洗浄方法
CN102051283B (zh) * 2009-10-30 2014-11-05 安集微电子（上海）有限公司 一种含羟胺的清洗液及其应用
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
JP5508158B2 (ja) * 2010-06-22 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び、半導体装置の製造方法
CN102540776B (zh) * 2010-12-30 2013-07-03 苏州瑞红电子化学品有限公司 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液
KR101983202B1 (ko) * 2011-06-01 2019-05-28 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
US20140100151A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Air Products And Chemicals Inc. Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist
US10189712B2 (en) 2013-03-15 2019-01-29 International Business Machines Corporation Oxidation of porous, carbon-containing materials using fuel and oxidizing agent
HUE043499T2 (hu) 2013-03-28 2019-09-30 Procter & Gamble Poliéteramin-tartalmú tiszítószerek
ES2728011T3 (es) 2013-08-26 2019-10-21 Procter & Gamble Composiciones de limpieza que contienen una polieteramina
KR102573354B1 (ko) 2013-12-06 2023-08-30 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
JP6275864B2 (ja) 2014-03-27 2018-02-07 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー ポリエーテルアミンを含有する洗浄組成物
MX2016012563A (es) 2014-03-27 2016-12-14 Procter & Gamble Composiciones de limpieza que contienen una polieteramina.
US9617502B2 (en) 2014-09-15 2017-04-11 The Procter & Gamble Company Detergent compositions containing salts of polyetheramines and polymeric acid
US9752101B2 (en) 2014-09-25 2017-09-05 The Procter & Gamble Company Liquid laundry detergent composition
US9631163B2 (en) 2014-09-25 2017-04-25 The Procter & Gamble Company Liquid laundry detergent composition
JP6396583B2 (ja) 2014-09-25 2018-09-26 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー ポリエーテルアミンを含有する洗浄組成物
CA2959431C (en) 2014-09-25 2019-10-22 The Procter & Gamble Company Fabric care compositions containing a polyetheramine
US9388368B2 (en) 2014-09-26 2016-07-12 The Procter & Gamble Company Cleaning compositions containing a polyetheramine
JP6486652B2 (ja) * 2014-10-31 2019-03-20 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液、及び基板の洗浄方法
US9401336B2 (en) 2014-11-04 2016-07-26 International Business Machines Corporation Dual layer stack for contact formation
US20170275565A1 (en) 2016-03-24 2017-09-28 The Procter & Gamble Company Compositions containing an etheramine
KR102113189B1 (ko) * 2016-08-23 2020-06-03 오씨아이 주식회사 식각 후 식각 용액의 후처리 방법
JP2020508369A (ja) * 2017-02-10 2020-03-19 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 洗浄用調合物
SG11202005387XA (en) * 2018-02-14 2020-07-29 Merck Patent Gmbh Photoresist remover compositions
CN111902379B (zh) 2018-03-28 2023-02-17 富士胶片电子材料美国有限公司 清洗组合物
EP3613835A1 (en) 2018-08-24 2020-02-26 The Procter & Gamble Company Treatment compositions comprising a surfactant system and an oligoamine
EP3613834A1 (en) 2018-08-24 2020-02-26 The Procter & Gamble Company Treatment compositions comprising low levels of an oligoamine
JP6858209B2 (ja) * 2019-02-20 2021-04-14 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液、及び基板の洗浄方法
CN114114835B (zh) * 2021-12-13 2024-05-28 陕西彩虹新材料有限公司 一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791043A (en) * 1983-12-20 1988-12-13 Hmc Patents Holding Co., Inc. Positive photoresist stripping composition
US4824763A (en) * 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JPH05259136A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP2911792B2 (ja) * 1995-09-29 1999-06-23 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
WO1998022568A1 (en) * 1996-11-22 1998-05-28 Advanced Chemical Systems International, Inc. Stripping formulation including catechol, hydroxylamine, non-alkanolamine, water for post plasma ashed wafer cleaning
KR100248113B1 (ko) * 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
JP3773227B2 (ja) * 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
IL138654A0 (en) * 1998-03-25 2001-10-31 Mayo Foundation Methods and materials for treating inflammatory diseases
JP2000056480A (ja) * 1998-08-10 2000-02-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
US6475966B1 (en) * 2000-02-25 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Plasma etching residue removal
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition

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