JP4468408B2 - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記コンタクトホールを形成する工程では、前記メモリセル領域のコンタクトホールを形成するためのマスクパターンと、前記メモリセル領域から所定距離離れた位置の前記スペーサを除去する位置までの間に対応した解像不能な半透明の補助パターンとを備えたフォトマスクを用いてパターンニングするところに特徴を有する。
図1は、NAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域と周辺回路領域を模式的に示す平面図である。
図16(a)は、図2中、切断線B−Bで示す部分の模式的な断面図である。すなわち、メモリセル領域MAの活性領域3における選択ゲートトランジスタのゲート電極SG部分を中心として示したものである。この図16(a)において、シリコン基板1上に形成されたメモリセルトランジスタのゲート電極MGは、ゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜5を介してフローティングゲート電極用の多結晶シリコン膜6、ONO膜などからなるゲート間絶縁膜7、コントロールゲート電極用の多結晶シリコン膜8が順次積層された構成となっている。なお、図示はしていないが、多結晶シリコン膜8の上部は、配線抵抗を低減するために、シリサイド層例えばコバルトシリサイド(Si2Co)膜などを形成した構成とすることが好ましい。
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
ビット線コンタクトを形成するためのマスクパターンには、補助パターンによるコンタクトホールが形成される端部のみにスペーサを除去する領域を設定しているが、補助パターンを配置する領域全体のスペーサを除去するようにしてもよい。
Claims (4)
- メモリセル領域と、前記メモリセル領域に隣接して設けられ通常のデータ記憶には使用されないダミーセルが形成されたダミーセル領域と、周辺回路領域とを有する半導体基板と、
前記メモリセル領域の素子形成領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する複数のメモリセルトランジスタと、
前記メモリセルトランジスタが所定個数並んだ端部の前記メモリセル領域の素子形成領域に設けられ前記ゲート絶縁膜を介して形成された選択ゲート電極を有する選択ゲートトランジスタと、
前記周辺回路領域の素子形成領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する周辺回路用トランジスタと、
前記メモリセル領域、前記ダミーセル領域、前記周辺回路領域にわたり形成され、前記選択ゲートトランジスタを前記周辺回路用トランジスタに電気的に接続する選択ゲート線と、
前記選択ゲート電極に隣接する前記メモリセル領域の前記素子形成領域に電気的に接続されたコンタクトプラグと、
前記ダミーセル領域の前記選択ゲート線に隣接する素子形成領域に形成されたダミーコンタクトプラグと、
前記周辺回路用トランジスタのゲート電極の側壁に形成されたスペーサ絶縁膜とを備え、
前記選択ゲート電極の側壁にはスペーサ絶縁膜は形成されず、かつ前記ダミーセル領域中の前記ダミーコンタクトプラグが形成される領域に面した前記選択ゲート線の側壁を除く前記選択ゲート線の側壁にはスペーサ絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 所定方向に延出する素子形成領域が素子分離領域を介して複数形成され前記素子形成領域にメモリセルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタが形成されたメモリセル領域と、周辺回路トランジスタが形成された周辺回路領域と、前記メモリセル領域に隣接して設けられ通常のデータ記憶には使用されないダミーセルが形成されたダミーセル領域とを有する半導体基板と、
前記所定方向に交差して、メモリセル領域、前記ダミーセル領域、前記周辺回路領域にわたり形成され、前記選択ゲートトランジスタを前記周辺回路トランジスタに電気的に接続する選択ゲート線と、
前記選択ゲートトランジスタの選択ゲート電極に隣接する前記メモリセル領域の前記素子形成領域に電気的に接続されたコンタクトプラグと、
前記ダミーセル領域の前記選択ゲート線に隣接する素子形成領域に形成されたダミーコンタクトプラグと、
前記周辺回路用トランジスタのゲート電極の側壁に形成されたスペーサ絶縁膜とを備え、
前記スペーサ絶縁膜は、前記メモリセル領域の選択ゲート線の側壁を除くと共に前記ダミーセル領域中の前記ダミーコンタクトプラグが形成される領域に面した前記選択ゲート線の側壁を除いて、前記ダミーセル領域中の前記選択ゲート線の側壁にも形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2記載の半導体記憶装置において、
前記ダミーセル領域は、前記メモリセル領域と前記周辺回路領域との間に配置された第1の領域と、前記メモリセル領域の前記第1の領域とは反対側に配置された第2の領域からなり、前記ダミーコンタクトプラグは前記第1および前記第2の領域それぞれに設けられたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極層を積層形成すると共に、当該半導体基板の表層に溝を形成して絶縁膜を埋め込むことにより素子分離領域を形成し、その後メモリセル領域のセルゲート電極、選択ゲート電極、周辺回路領域のトランジスタのゲート電極および前記メモリセル領域の外側に通常のデータ記憶には使用されないダミーゲート電極を形成する工程と、
前記メモリセルゲート電極間に絶縁膜を埋め込むと共に、前記選択ゲート電極および前記ダミーゲート電極の側壁が対向する部分と前記周辺回路領域のトランジスタのゲート電極の側壁部分とに前記絶縁膜によりスペーサを形成する工程と、
前記選択ゲート電極が隣接する部分の前記半導体基板の表面と電気的に接続をとるためのコンタクトホールを形成する部分の当該選択ゲート電極側壁に形成されている前記スペーサを除去すると共に、前記ダミーゲート電極の前記メモリセル領域から所定距離離れた位置であって後工程でダミーコンタクトホールが形成される部分の前記スペーサを除去する工程と、
前記スペーサを除去した部分の前記半導体基板へコンタクトホールを形成する工程と
を備え、
前記コンタクトホールを形成する工程では、前記メモリセル領域のコンタクトホールを形成するためのマスクパターンと、前記メモリセル領域から所定距離離れた位置の前記スペーサを除去する位置までの間に対応した解像不能な半透明の補助パターンとを備えたフォトマスクを用いてパターンニングすることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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