JP4461085B2 - 残留放射線画像消去装置及び消去方法 - Google Patents

Description

本発明は、放射線画像を蓄積記録した蓄積性蛍光体パネルに励起光を照射することで前記放射線画像を読み取った後、前記蓄積性蛍光体パネルに消去光を照射して残留放射線画像を消去する残留放射線画像消去装置及び消去方法に関する。

例えば、放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネルギの一部が蓄積され、その後、可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）が知られている。

この蓄積性蛍光体を利用して、人体等の被写体の放射線画像を蓄積性蛍光体層を備えてなる蓄積性蛍光体パネルに一旦記録し、この蓄積性蛍光体パネルにレーザ光等の励起光を照射して得られる輝尽発光光を光電的に読み取って得られた画像信号に基づき、写真感光材料等の記録媒体、ＣＲＴ等の表示装置に被写体の放射線画像を可視像として出力させる放射線画像記録再生システムが開発されている。放射線画像の読み取られた蓄積性蛍光体パネルは、消去光を照射することで残留する放射線画像を消去した後、再度、放射線画像の記録に供することができる。

ところで、蓄積性蛍光体パネルに残留する放射線画像を消去する際、紫外線を含まない消去光を用いると、可視光で消去し難い深層部にあるトラップ電子が残留してしまうおそれがある。一方、紫外線を多く含む消去光を用いた場合には、深層部にあるトラップ電子を除去することはできるものの、紫外線を含む消去光自身によって新たなトラップ電子が生成されてしまう。

そこで、このような不具合を解消するため、紫外線領域の波長成分を含む第１消去光を蓄積性蛍光体パネルに照射することで、深層部のトラップ電子を除去した後、第１消去光によって新たに生成された比較的浅い部分のトラップ電子を、紫外線を含まない波長成分からなる第２消去光を照射して除去するようにした技術が開発されている（特許文献１参照）。また、この技術では、第１消去光と第２消去光とを特定の光量比に設定することで、消去効率を向上できることが示されている。

特開平５−１１９４１２号公報

しかしながら、蓄積性蛍光体パネルにおけるトラップ電子の分布は、照射される放射線量に依存しており、例えば、放射線量が少ないと、蓄積性蛍光体パネルの表層部にトラップ電子が多く分布し、放射線量が多いと、蓄積性蛍光体パネルの深層部までトラップ電子が分布する。従って、蓄積性蛍光体パネルに残留する放射線画像を確実に消去するためには、照射される放射線量の影響も考慮する必要がある。

本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、蓄積性蛍光体パネルに残留する放射線画像を必要最小限の消去エネルギ及び消去時間で効率的且つ確実に消去することのできる残留放射線画像消去装置及び消去方法を提供することを目的とする。

本発明の残留放射線画像消去装置は、放射線画像を蓄積記録した蓄積性蛍光体パネルに励起光を照射することで前記放射線画像を読み取った後、前記蓄積性蛍光体パネルに消去光を照射して残留放射線画像を消去する残留放射線画像消去装置において、
短波長成分を含む第１消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射した後、長波長成分のみからなる第２消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射する消去ユニットと、
前記蓄積性蛍光体パネルに蓄積された放射線エネルギの蓄積量を検出する蓄積量検出手段と、
前記蓄積量に従い、前記蓄積性蛍光体パネルに照射する前記第１消去光及び前記第２消去光の照射時間の比率を設定する比率設定手段と、
を備え、設定した前記比率に従って前記消去ユニットを制御することを特徴とする。

また、本発明の残留放射線画像消去方法は、放射線画像を蓄積記録した蓄積性蛍光体パネルに励起光を照射することで前記放射線画像を読み取った後、前記蓄積性蛍光体パネルに消去光を照射して残留放射線画像を消去する残留放射線画像消去方法において、
前記蓄積性蛍光体パネルに蓄積された放射線エネルギの蓄積量を検出するステップと、
前記蓄積量に従い、前記蓄積性蛍光体パネルに照射する第１消去光及び第２消去光の照射時間の比率を設定するステップと、
短波長成分を含む前記第１消去光を前記比率に応じた照射時間だけ前記蓄積性蛍光体パネルに照射するステップと、
前記第１消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射した後、長波長成分のみからなる前記第２消去光を前記比率に応じた照射時間だけ前記蓄積性蛍光体パネルに照射するステップと、
からなることを特徴とする。

本発明の残留放射線画像消去装置及び消去方法では、蓄積性蛍光体パネルに蓄積された放射線エネルギの蓄積量に従い、短波長成分を含む第１消去光と、長波長成分のみからなる第２消去光との照射時間の比率を調整して照射することにより、残留する放射線画像を確実に消去し、極めて良好な状態で再利用に供することができる。

また、残留する放射線画像を確実に消去することのできる適切な照射時間比率を設定できるため、消去に必要なエネルギを必要最小限とすることができるとともに、消去に要する時間の短縮にも貢献することができる。

図１は、本発明の残留放射線画像消去装置及び消去方法が適用される立位型撮影装置１０の構成を示す。

立位型撮影装置１０は、人体等の被写体１２の放射線画像を蓄積性蛍光体パネルＩＰに記録する機能に加えて、蓄積性蛍光体パネルＩＰから放射線画像を読み取る機能、及び、放射線画像の読み取られた蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留放射線画像を消去する機能を備える。

ここで、蓄積性蛍光体パネルＩＰは、例えば、ガラス等の硬質材料からなる支持基板に柱状の蓄積性蛍光体層を蒸着して形成される硬質のパネルを用いることができる。蓄積性蛍光体層は、真空容器内で蓄積性蛍光体を加熱して蒸発させ、これらを支持基板上に付着させる真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ、イオンフレーティング法を用いて形成することができる。このようにして形成される蓄積性蛍光体層は、蓄積性蛍光体が蓄積性蛍光体パネルＩＰの平面と略垂直な柱状をなし、それぞれが光学的に独立に構成されており、照射される放射線に対して高感度で、且つ、画像の粒状性を低下させることができるとともに、励起光の散乱を減少させて画質を鮮明にすることができる。

なお、蓄積性蛍光体パネルＩＰとしては、硬質材料からなる支持基板上に蓄積性蛍光体層を形成したものに限られるものではなく、蓄積性蛍光体をフレキシブルな支持基板に塗布してなるシート状のものを利用することもできる。また、本実施形態の立位型撮影装置１０では、透明な支持基板上に蓄積性蛍光体層が形成され、一方の面から放射線画像を記録し、他方の面から読取処理及び消去処理を行う蓄積性蛍光体パネルＩＰを使用する。なお、装置構成によっては、同一の面から放射線画像の記録、読取、消去の各処理を行う蓄積性蛍光体パネルＩＰを使用することもできる。

立位型撮影装置１０は、被写体１２の撮影部位を位置決めする撮影台１４と、撮影台１４とともに立位型撮影装置１０の内部を光密に保持するケーシング１６とを備える。なお、撮影台１４に対向して、被写体１２にＸ線１５を照射するＸ線源１８が配置される。

立位型撮影装置１０の内部には、撮影台１４と略平行に蓄積性蛍光体パネルＩＰが配設され、また、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積記録された放射線画像を読み取る読取ユニット２０と、放射線画像の読み取られた蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留放射線画像を消去する消去ユニット２２とが配設される。さらに、蓄積性蛍光体パネルＩＰと読取ユニット２０との間であって、読取ユニット２０による放射線画像の読取処理に支障を来すことのない部位には、蓄積性蛍光体パネルＩＰを透過したＸ線１５の線量を検出する線量検出センサであるフォトタイマ１７（放射線量検出部）が配設される。

読取ユニット２０は、ケーシング１６の内部に立設されたボールねじ２４に係合しており、下端部に配設された駆動モータ２６によりボールねじ２４を矢印方向に回転させることにより、蓄積性蛍光体パネルＩＰに沿って昇降可能に構成される。読取ユニット２０は、放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体パネルＩＰに対して、例えば、６００〜７５０ｎｍの波長成分からなる励起光Ｌを照射する励起光光源２８と、励起光Ｌが照射されることで蓄積性蛍光体パネルＩＰから放出される放射線画像に係る輝尽発光光Ｒを受光して電気信号に変換する光電変換部３０とを備える。

励起光光源２８は、例えば、多数のＬＤを蓄積性蛍光体パネルＩＰの主走査方向にライン状に配列して構成することができる。また、光電変換部３０は、励起光光源２８からの励起光Ｌが主走査方向に照射されることで蓄積性蛍光体パネルＩＰより放出された輝尽発光光Ｒを受光するＣＣＤラインセンサにより構成することができる。この場合、読取ユニット２０を蓄積性蛍光体パネルＩＰに沿って矢印方向に副走査搬送させることにより、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積記録された放射線画像を二次元的に読み取ることができる。

読取ユニット２０を介して蓄積性蛍光体パネルＩＰに対向配置される消去ユニット２２は、図２に示すように、消去光Ｑを出力する多数の消去光源３２ａ及び３２ｂを交互にマトリクス状に配列して構成される。

消去光源３２ａ（第１消去光源）は、例えば、波長が５００ｎｍよりも短い短波長成分を含む第１消去光Ｑ１を出力し、消去光源３２ｂ（第２消去光源）は、例えば、波長が５００ｎｍ以上の長波長成分のみからなる第２消去光Ｑ２を出力する。これらの消去光源３２ａ及び３２ｂは、ＬＥＤにより構成することができる。なお、消去光源３２ａ及び３２ｂは、短波長成分及び長波長成分の両方を含む消去光Ｑを出力可能なものとし、消去光源３２ｂの前面に短波長成分を除去するフィルタを配設して構成することもできる。

図３は、立位型撮影装置１０の制御回路ブロック図である。

立位型撮影装置１０は、制御部３４によって制御される。制御部３４は、撮影条件に従ってＸ線源１８を制御するとともに、読取ユニット２０及び消去ユニット２２の制御を行う。読取ユニット２０によって蓄積性蛍光体パネルＩＰから読み取られた放射線画像は、放射線画像記憶部３５に記憶される。

フォトタイマ１７は、被写体１２及び蓄積性蛍光体パネルＩＰを透過したＸ線１５の線量を検出し、その線量が撮影部位、撮影条件等によって決められている所定の上限線量を超過した場合、Ｘ線源１８に対する高電圧の供給を強制的に遮断し、被写体１２に対するＸ線１５の過剰曝射を事前に回避する処理を行うものである。また、フォトタイマ１７によって検出されたＸ線１５の線量は、蓄積量算出部３６に供給され、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積された放射線エネルギの蓄積量が算出される。なお、フォトタイマ１７及び蓄積量算出部３６は、蓄積量検出手段を構成する。

蓄積量算出部３６によって算出された放射線エネルギの蓄積量は、照射時間比率設定部３８（比率設定手段）に供給される。照射時間比率設定部３８は、蓄積量に対する第１消去光Ｑ１と第２消去光Ｑ２との最適な照射時間比率を照射時間比率記憶部４０から読み出し、消去ユニット２２に供給する。

この場合、照射時間比率記憶部４０には、蓄積性蛍光体パネルＩＰへの放射線エネルギの蓄積量に対する最適な第１消去光Ｑ１と第２消去光Ｑ２との照射時間比率が予め記憶されている。

ここで、本出願人は、蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射されるＸ線１５の線量と、４５０ｎｍの波長からなる第１消去光Ｑ１及び５３０ｎｍの波長からなる第２消去光Ｑ２の照射時間比率とを種々組み合わせ、所定の照射エネルギからなる第１消去光Ｑ１及び第２消去光を蓄積性蛍光体パネルＩＰに９０秒間照射した後、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留エネルギを測定した。その測定結果を図４〜図６に示す。なお、図４は、Ｘ線１５の線量が１０ｍＲ（≒２．５８×１０^-6Ｃ／ｋｇ）、図５は、Ｘ線１５の線量が１００ｍＲ（≒２．５８×１０^-5Ｃ／ｋｇ）、図６は、Ｘ線１５の線量が５００ｍＲ（≒１．２９×１０^-4Ｃ／ｋｇ）の場合における測定結果である。

これらの測定結果から、線量が少ない場合には（図４参照）、第１消去光Ｑ１の第２消去光Ｑ２に対する照射時間比率を小さく設定することにより、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留エネルギが少なくなり、効率的に残留放射線画像を消去できることが了解される。また、線量が多い場合には（図６参照）、第１消去光Ｑ１の第２消去光Ｑ２に対する照射時間比率を線量が少ない場合よりも多く設定することにより、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留エネルギが少なくなり、効率的に残留放射線画像を消去できることが了解される。

この理由は、蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射されるＸ線１５の線量が少ない場合、蓄積性蛍光体パネルＩＰの深層部に分布するトラップ電子が少ないため、エネルギの高い短波長成分を含む第１消去光Ｑ１をさほど必要とすることなく、長波長成分のみからなる第２消去光Ｑ２を主として蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射することにより、トラップ電子を十分に除去できるものと考えられる。一方、蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射されるＸ線１５の線量が多い場合、蓄積性蛍光体パネルＩＰの深層部に分布するトラップ電子が多くなるため、エネルギの高い短波長成分を含む第１消去光Ｑ１を長めに照射して深層部のトラップ電子を除去した後、長波長成分のみからなる第２消去光Ｑ２を照射することで、トラップ電子を十分に除去できるものと考えられる。

そこで、上記の結果に基づき、照射時間比率記憶部４０には、蓄積性蛍光体パネルＩＰに対するＸ線１５の線量に応じて蓄積される放射線エネルギの蓄積量に対応させて、残留エネルギを最も少なくすることのできる第１消去光Ｑ１と第２消去光Ｑ２との照射時間比率が記憶される。

本実施形態の立位型撮影装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、その動作及び作用効果について説明する。

先ず、残留放射線画像が完全に消去された蓄積性蛍光体パネルＩＰが立位型撮影装置１０に設定されているものとし、この状態において、被写体１２を撮影台１４の所定部位に位置決めした後、撮影部位、撮影条件等に応じてＸ線源１８を制御し、Ｘ線１５を被写体１２に照射する。

被写体１２に照射されたＸ線１５の一部は、被写体１２を透過して蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射されることで、放射線画像が蓄積記録される。また、蓄積性蛍光体パネルＩＰを透過したＸ線１５は、フォトタイマ１７によって検出される。フォトタイマ１７は、検出したＸ線１５の線量が撮影条件等に対して設定された規定値を超過したことを検出すると、Ｘ線源１８からのＸ線１５の出力を遮断する信号をＸ線源１８に出力し、Ｘ線１５の出力を遮断する。

一方、フォトタイマ１７により検出されたＸ線１５の線量は、蓄積量算出部３６に供給され、この線量から蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積された放射線エネルギの蓄積量が算出される。算出された蓄積量は、照射時間比率設定部３８に供給される。照射時間比率設定部３８は、蓄積量に対応する第１消去光Ｑ１と第２消去光との照射時間比率を照射時間比率記憶部４０から読み出し、消去ユニット２２に供給する。

蓄積性蛍光体パネルＩＰに放射線画像が蓄積記録された後、読取ユニット２０が駆動され、読取処理が開始される。駆動モータ２６が駆動されると、ボールねじ２４が回転し、読取ユニット２０が蓄積性蛍光体パネルＩＰに沿って副走査方向（矢印方向）に移動する。このとき、蓄積性蛍光体パネルＩＰの主走査方向に対して、励起光光源２８から出力された励起光Ｌがライン状に照射されることにより、蓄積された放射線画像に応じた輝尽発光光Ｒが蓄積性蛍光体パネルＩＰから放出される。放出された輝尽発光光Ｒは、光電変換部３０によって電気信号に変換され、放射線画像として放射線画像記憶部３５に記憶される。このようにして、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積記録された放射線画像が二次元的に読み取られることになる。

読取ユニット２０による読取処理が終了した後、消去ユニット２２が駆動され、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する放射線画像の消去処理が行われる。この場合、消去ユニット２２には、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積された放射線エネルギの蓄積量に従い、照射時間比率設定部３８により第１消去光Ｑ１と第２消去光Ｑ２との照射時間比率が設定されている。

そこで、先ず、図２に示す消去光源３２ａが駆動され、波長が５００ｎｍよりも短い短波長成分を含む所定の照射エネルギからなる第１消去光Ｑ１のみが、設定された照射時間比率に従った照射時間だけ蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射される。この場合、照射されたＸ線１５によって蓄積性蛍光体パネルＩＰの深層部に残留しているトラップ電子を、必要最小限の第１消去光Ｑ１により確実に除去することができる。

次いで、図２に示す消去光源３２ｂが駆動され、波長が５００ｎｍ以上の長波長成分のみからなる所定の照射エネルギからなる第２消去光Ｑ２のみが、設定された照射時間比率に従った照射時間だけ蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射される。この場合、蓄積性蛍光体パネルＩＰの比較的浅い部分に残留しているトラップ電子を、必要最小限の第２消去光Ｑ２により確実に除去することができる。

以上のようにして、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留放射線画像が確実且つ効率的に除去されるため、当該蓄積性蛍光体パネルＩＰに対して再度放射線画像を蓄積記録する際、残留放射線画像の影響を受けることなく、放射線画像を蓄積性蛍光体パネルＩＰに高精度に蓄積記録することができる。

なお、上述した実施形態では、蓄積性蛍光体パネルＩＰに蓄積された放射線エネルギの蓄積量をフォトタイマ１７で検出したＸ線１５の線量から算出するようにしているが、例えば、読取ユニット２０により読み取った放射線画像に基づいて蓄積量を算出することも可能である。この場合、放射線画像の最大値から最大の蓄積量を算出し、この最大の蓄積量を基準として第１消去光Ｑ１及び第２消去光Ｑ２の照射時間比率を設定すればよい。

また、例えば、図２に示すように、消去ユニット２２を構成する消去光源３２ａ及び３２ｂを、複数のブロック４２ａ〜４２ｐに分割し、各ブロック４２ａ〜４２ｐに対応する蓄積性蛍光体パネルＩＰの領域毎に放射線エネルギの蓄積量を算出し、各蓄積量から各消去時間比率を設定し、各ブロック４２ａ〜４２ｐ毎に消去光源３２ａ及び３２ｂを制御して消去処理を行うようにすれば、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留放射線画像を、必要最小限の消去エネルギを用いてむらなく消去することができる。なお、蓄積性蛍光体パネルＩＰの各領域の蓄積量は、蓄積性蛍光体パネルＩＰに沿って二次元的に配置したフォトタイマ１７により検出した線量、あるいは、読取ユニット２０により各領域から読み取った放射線画像から算出することができる。

図７は、消去ユニット４４の他の構成を示す。この消去ユニット４４は、短波長成分から長波長成分までの消去に必要な全波長範囲の消去光Ｑを出力することのできる、例えば、キセノン管、冷陰極管等の消去光源４６をケーシング４８に収納し、消去光Ｑを出力するケーシング４８の開口部にＬＣＤ（液晶）パネル５０及びフィルタ５２を配設して構成される。なお、ＬＣＤパネル５０及びフィルタ５２は、フィルタリング機構を構成する。

図８に示すように、ＬＣＤパネル５０は、多数のＬＣＤ素子５４（液晶シャッタ）をマトリクス状に配置して構成される。また、フィルタ５２は、消去に必要な全波長範囲の消去光Ｑ（第１消去光Ｑ１）を透過させるフィルタ素子５６ａと、短波長成分を除去した消去光Ｑ（第２消去光Ｑ２）を透過させるフィルタ素子５６ｂ（短波長成分除去フィルタ）とを各ＬＣＤ素子５４に対応してマトリクス状に配置して構成される。なお、フィルタ素子５６ａを省略してもよい。

このように構成される消去ユニット４４は、照射時間比率設定部３８によって設定された照射時間比率に従ってＬＣＤ制御部５８を制御し、フィルタ素子５６ａに対応するＬＣＤ素子５４を透過状態に設定して、短波長成分を含む第１消去光Ｑ１を照射時間比率に基づく所定時間だけ蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射する。次いで、ＬＣＤ制御部５８は、フィルタ素子５６ｂに対応するＬＣＤ素子５４を透過状態に設定して、短波長成分を除去した第２消去光Ｑ２を照射時間比率に基づく所定時間だけ蓄積性蛍光体パネルＩＰに照射する。この結果、蓄積性蛍光体パネルＩＰに残留する残留放射線画像を確実に消去することができる。なお、図２に示す消去ユニット２２の場合と同様に、ＬＣＤ素子５４を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に照射時間比率を設定して制御すれば、必要最小限の消去エネルギにより蓄積性蛍光体パネルＩＰの残留放射線画像をむらなく消去することができる。

図９は、消去ユニット６０のさらに他の構成を示す。この消去ユニット６０は、消去ユニット４４の場合と同様に、消去に必要な全波長範囲の消去光Ｑを出力することのできる消去光源４６をケーシング４８に収納し、消去光Ｑを出力するケーシング４８の開口部に切替可能な状態でフィルタ６２ａ、６２ｂを配設して構成される。フィルタ６２ａは、消去に必要な全波長範囲の消去光Ｑ（第１消去光Ｑ１）を透過させ、フィルタ６２ｂ（短波長成分除去フィルタ）は、短波長成分を除去した消去光Ｑ（第２消去光Ｑ２）を透過させる。

このように構成される消去ユニット６０は、照射時間比率設定部３８によって設定された照射時間比率に従ってフィルタ６２ａ、６２ｂを矢印方向に移動させて切り替えることにより、残留放射線画像を確実に消去することができる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で自由に変更できることは勿論である。

本発明の残留放射線画像消去装置及び消去方法が適用される立位型撮影装置の構成図である。 図１に示す消去ユニットを構成する消去光源の説明図である。 図１に示す立位型撮影装置の制御回路ブロック図である。 線量を１０ｍＲとしたときの照射時間比率と残留エネルギとの関係説明図である。 線量を１００ｍＲとしたときの照射時間比率と残留エネルギとの関係説明図である。 線量を５００ｍＲとしたときの照射時間比率と残留エネルギとの関係説明図である。 消去ユニットの他の実施形態の説明図である。 図７に示す消去ユニットを構成するフィルタリング機構の説明図である。 消去ユニットのさらに他の実施形態の説明図である。

符号の説明

１０…立位型撮影装置 １２…被写体
１５…Ｘ線 １７…フォトタイマ
１８…Ｘ線源 ２０…読取ユニット
２２、４４、６０…消去ユニット ３２ａ、３２ｂ、４６…消去光源
３５…放射線画像記憶部 ３６…蓄積量算出部
３８…照射時間比率設定部 ４０…照射時間比率記憶部
４２ａ〜４２ｐ…ブロック ５０…ＬＣＤパネル
５２、６２ａ、６２ｂ…フィルタ ５４…ＬＣＤ素子
５６ａ、５６ｂ…フィルタ素子 ５８…ＬＣＤ制御部

Claims (15)

1. 放射線画像を蓄積記録した蓄積性蛍光体パネルに励起光を照射することで前記放射線画像を読み取った後、前記蓄積性蛍光体パネルに消去光を照射して残留放射線画像を消去する残留放射線画像消去装置において、
   短波長成分を含む第１消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射した後、長波長成分のみからなる第２消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射する消去ユニットと、
   前記蓄積性蛍光体パネルに蓄積された放射線エネルギの蓄積量を検出する蓄積量検出手段と、
   前記蓄積量に従い、前記蓄積性蛍光体パネルに照射する前記第１消去光及び前記第２消去光の照射時間の比率を設定する比率設定手段と、
   を備え、設定した前記比率に従って前記消去ユニットを制御することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
2. 請求項１記載の消去装置において、
   前記消去ユニットは、
   前記第１消去光を出力する第１消去光源と、
   前記第２消去光を出力する第２消去光源と、
   を備え、前記比率に従い、前記第１消去光源及び前記第２消去光源の点灯時間を制御することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
3. 請求項２記載の消去装置において、
   前記第１消去光源及び前記第２消去光源は、
   前記蓄積性蛍光体パネルに対向してマトリックス状に配列される多数の発光素子からなり、前記比率に従い、前記第１消去光源を構成する前記発光素子の点灯時間と、前記第２消去光源を構成する前記発光素子の点灯時間とを制御することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
4. 請求項３記載の消去装置において、
   前記蓄積量検出手段は、前記蓄積性蛍光体パネルの所定領域毎の前記蓄積量を検出し、
   前記比率設定手段は、前記各領域の前記蓄積量から前記各領域に対する前記比率を設定し、
   前記各領域に対応する前記発光素子は、前記各領域に設定される前記比率に従い、前記第１消去光源を構成する前記発光素子の点灯時間と、前記第２消去光源を構成する前記発光素子の点灯時間とが制御されることを特徴とする残留放射線画像消去装置。
5. 請求項１記載の消去装置において、
   前記消去ユニットは、
   前記第１消去光及び前記第２消去光を出力する消去光源と、
   前記消去光源と前記蓄積性蛍光体パネルとの間に配設され、設定した前記比率に従って前記第１消去光及び前記第２消去光を選択的に透過させるフィルタリング機構と、
   を備えることを特徴とする残留放射線画像消去装置。
6. 請求項５記載の消去装置において、
   前記フィルタリング機構は、
   前記消去光源と前記蓄積性蛍光体パネルとの間に配設され、前記第１消去光及び前記第２消去光の透過、非透過を制御可能な多数の液晶シャッタと、
   所定の前記液晶シャッタに配設され、少なくとも前記第１消去光の短波長成分の光の透過を阻止する短波長成分除去フィルタと、
   を備え、前記短波長成分除去フィルタの配設されていない透過状態に設定された前記液晶シャッタを介して前記第１消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射した後、前記短波長成分除去フィルタの配設されている透過状態に設定された前記液晶シャッタを介して前記第２消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
7. 請求項６記載の消去装置において、
   前記蓄積量検出手段は、前記蓄積性蛍光体パネルの所定領域毎の前記蓄積量を検出し、
   前記比率設定手段は、前記各領域の前記蓄積量から前記各領域に対する前記比率を設定し、
   前記各領域に対応する前記液晶シャッタは、前記各領域に設定される前記比率に従い、前記第１消去光の照射時間と、前記第２消去光の照射時間とを制御することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
8. 請求項５記載の消去装置において、
   前記フィルタリング機構は、
   前記消去光源と前記蓄積性蛍光体パネルとの間に挿入可能であり、前記短波長成分の光の透過を阻止する短波長成分除去フィルタを備え、前記短波長成分除去フィルタを、前記比率に従って前記消去光源と前記蓄積性蛍光体パネルとの間に入出することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
9. 請求項１記載の消去装置において、
   前記蓄積量検出手段は、
   前記蓄積性蛍光体パネルに照射される放射線量を検出する放射線量検出部を備え、前記放射線量から前記蓄積量を算出することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
10. 請求項１記載の消去装置において、
    前記蓄積量検出手段は、前記蓄積性蛍光体パネルから読み取った前記放射線画像より前記蓄積量を算出することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
11. 請求項１記載の消去装置において、
    前記比率設定手段は、
    前記蓄積量と前記比率との関係を記憶する比率記憶部を備え、前記蓄積量に対応する前記比率を前記比率記憶部から読み出して設定することを特徴とする残留放射線画像消去装置。
12. 請求項１記載の消去装置において、
    前記比率は、前記蓄積量の増加に従い、前記第１消去光の前記第２消去光に対する割合が大きくなるように設定されることを特徴とする残留放射線画像消去装置。
13. 請求項１記載の消去装置において、
    前記第１消去光は、波長が５００ｎｍよりも短い短波長成分を含み、前記第２消去光は、波長が５００ｎｍ以上の長波長成分のみからなることを特徴とする残留放射線画像消去装置。
14. 放射線画像を蓄積記録した蓄積性蛍光体パネルに励起光を照射することで前記放射線画像を読み取った後、前記蓄積性蛍光体パネルに消去光を照射して残留放射線画像を消去する残留放射線画像消去方法において、
    前記蓄積性蛍光体パネルに蓄積された放射線エネルギの蓄積量を検出するステップと、
    前記蓄積量に従い、前記蓄積性蛍光体パネルに照射する第１消去光及び第２消去光の照射時間の比率を設定するステップと、
    短波長成分を含む前記第１消去光を前記比率に応じた照射時間だけ前記蓄積性蛍光体パネルに照射するステップと、
    前記第１消去光を前記蓄積性蛍光体パネルに照射した後、長波長成分のみからなる前記第２消去光を前記比率に応じた照射時間だけ前記蓄積性蛍光体パネルに照射するステップと、
    からなることを特徴とする残留放射線画像消去方法。
15. 請求項１４記載の消去方法において、
    前記第１消去光は、波長が５００ｎｍよりも短い短波長成分を含み、前記第２消去光は、波長が５００ｎｍ以上の長波長成分のみからなることを特徴とする残留放射線画像消去方法。

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