JP4441921B2 - 薄膜キャパシタの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、電子回路に用いる薄膜キャパシタの製造方法に関する。
この種の薄膜キャパシタは、従来より、Si基板上に下部導体、誘電体薄膜、上部導体を順次成膜することによって形成されている。この方法で薄膜キャパシタを作製した場合、薄膜キャパシタの厚さは容量に貢献しないSi基板の厚さ以下にすることができず、したがって、小型化および薄型化を進めるためには基板を必要としない構造や製造方法を実現する必要がある。
例えば、特許文献1には、金属箔体と、金属箔体上に成膜された無機誘電体薄膜と、前記無機誘電体薄膜上に形成された金属体とを具備した薄膜キャパシタが提案されている。
特許文献1では、金属箔体上にRFマグネトロンスパッタ法や真空蒸着法などの真空プロセスを使用して誘電体薄膜、及び金属体を順次成膜することができ、したがってSi基板などの成膜用の基板を設ける必要がなく、薄膜キャパシタの小型化および薄型化が可能となる。
また、薄膜キャパシタに関する技術ではないが、特許文献2には、導体パターンが形成された複数枚のグリーンシートからなる圧着体の両面に、該グリーンシートより焼結温度が高いダミーグリーンシートを圧着して焼成し、焼結体の両面に付着しているダミーグリーンシートを除去するセラミック多層基板の製造方法が提案されている。
この特許文献2では、グリーンシートより焼結温度が高いダミーグリーンシートとしてアルミナグリーンシートが例示されている。
特開平8−78283号公報 特開平9−249460号公報
ところで、特許文献1には、製造プロセスの簡便化を図る観点からは、誘電体薄膜や金属体の成膜方法としては、真空プロセスで行うのが望ましいと記載されている。
しかしながら、この真空プロセスはプロセスコストが高く、しかも、金属箔体の材料コストも高いことから、製造コストの高騰化を招くおそれがある。
製造コスト低減のためには、誘電体層となる誘電体グリーンシートの両主面に、導体層となる導体グリーンシートを圧着して焼成することにより、薄膜キャパシタを製造する方法が考えられる。
ところが、誘電体グリーンシートと導体グリーンシートとで形成されるキャパシタ部の厚みは、通常、100μm以下の薄膜であるため、焼成中に発生する熱収縮によって反りやうねりが生じるおそれがある。
この反りやうねりを防止する方法として、上記特許文献2に記載されているようなアルミナグリーンシートをダミーグリーンシートとして積層体の両面に圧着させる方法が考えられる。この場合、ダミーグリーンシートに含まれるアルミナが焼成中に導体グリーンシートに固着してしまうため、焼成後に研磨処理等を行ってアルミナを除去する必要がある。
しかしながら、薄膜キャパシタの厚みは100μm以下であるため、研磨処理等によって誘電体層が損傷し、導体層同士が電気的に短絡してしまうおそれがある。しかも、研磨処理に起因した誘電体層の損傷は、誘電体層の厚みが薄くなればなるほど顕著となり、このため薄膜キャパシタの薄型化や大容量化に大きな障害が生じることとなる。
一方、アルミナの導体グリーンシートへの固着を防ぐためには、アルミナの粒径を大きくすることも考えられるが、その場合は導体グリーンシートの主面の表面粗さが大きくなるおそれがあるという問題が新たに生じる。
このため特許文献2に記載されたセラミック多層基板の製造方法を単純に薄膜キャパシタに適用しても、低コストで誘電体層に悪影響を与えることのない薄膜キャパシタを得るのは困難である。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、低コストで誘電体層に悪影響を与えることのない薄膜キャパシタを高効率で製造することができる薄膜キャパシタの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る薄膜キャパシタの製造方法は、誘電体層と、該誘電体層の両主面にそれぞれ形成された導体層とを有する薄膜キャパシタの製造方法であって、誘電体セラミック粉末を含有した誘電体グリーンシートと、金属粉末を含有した導体グリーンシートと、酸化物無機材料粉末を含有した焼成補助用グリーンシートとをそれぞれ作製するグリーンシート作製工程と、前記誘電体グリーンシートの両主面に前記導体グリーンシートをそれぞれ配してキャパシタ部を形成すると共に、前記キャパシタ部が前記焼成補助用グリーンシートで保持されるように前記焼成補助用グリーンシートを配して積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体を焼成する焼成工程とを有し、前記焼成工程における焼成処理中に、前記導体グリーンシートと前記焼成補助用グリーンシートとの界面の接着強度を低下させ、かつ焼成雰囲気の酸素分圧を少なくとも1回以上変化させて、前記キャパシタ部の焼結体である薄膜キャパシタと前記焼成補助用グリーンシートの焼結体である焼成補助部材とを分離させることを特徴としている。
なお、「前記薄膜キャパシタと前記焼成補助用部材とを分離する」とは、薄膜キャパシタの導体層と焼成補助用部材とが完全に分離している場合を含むほか、治具などで軽く触れただけで極めて容易に分離するような、非常に弱い結合力で接触している場合、すなわち実質的に分離していると評価できる場合を含む。
また、「酸素分圧を少なくとも1回以上変化させる」とは、内部電極の主成分である金属の酸化還元反応における平衡酸素分圧を基準として、還元雰囲気内や中性雰囲気内で酸素分圧の軽微な変化が生じる場合を含むが、還元雰囲気から中性雰囲気に変化させたり中性雰囲気から還元雰囲気に変化させるように顕著に酸素分圧を変化させることが好ましい。
また、本発明の薄膜キャパシタの製造方法は、前記金属粉末が、NiおよびNiを主成分とする合金のうちのいずれかであることを特徴としている。
また、本発明の薄膜キャパシタの製造方法は、前記焼成補助用グリーンシートを枠状に形成し、該焼成補助用グリーンシートを前記導体グリーンシートの外周と接するように、または前記外周と近接するように配することを特徴としている。
さらに、本発明の薄膜キャパシタの製造方法は、前記酸化物無機材料粉末は、Al粉末であることを特徴としている。
また、本発明の薄膜キャパシタの製造方法は、前記誘電体層の厚みと前記導体層の厚みの総計が100μm以下であることを特徴としている。
上記薄膜キャパシタの製造方法によれば、誘電体グリーンシート、導体グリーンシート、及び焼成補助用グリーンシートを作製するグリーンシート作製工程と、前記誘電体グリーンシートの両主面に前記導体グリーンシートをそれぞれ配してキャパシタ部を形成すると共に、前記キャパシタ部が前記焼成補助用グリーンシートで保持されるように前記焼成補助用グリーンシートを配して積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体を焼成する焼成工程とを有し、前記焼成工程における焼成処理中に、前記導体グリーンシートと前記焼成補助用グリーンシートとの界面の接着強度を低下させ、かつ焼成雰囲気の酸素分圧を少なくとも1回以上変化させて、前記キャパシタ部の焼結体である薄膜キャパシタと前記焼成補助用グリーンシートの焼結体である焼成補助部材とを分離させるので、焼成補助用グリーンシートによってキャパシタ部の焼結体である薄膜キャパシタに反りやうねりが生じるのを抑制することができる。しかも、導体グリーンシートと焼成補助用グリーンシートとの界面の接着強度を低下させ、かつ焼成雰囲気の酸素分圧を少なくとも1回以上変化させて、薄膜キャパシタと焼成補助部材とを分離させているので、研磨処理のような機械的加工が不要となり、したがって薄膜キャパシタが損傷することもなく、導体層間が電気的に短絡することもない。
また、前記金属粉末は、NiあるいはNiを主成分とする合金のうちのいずれかであり、比較的安価で融点の高いNi(融点:1455℃)を主要な導電成分として使用している。したがって、1000℃以上の焼成温度に耐えうることが可能となり、高誘電率の誘電体層を有する薄膜キャパシタを得ることが可能となる。
また、前記焼成補助用グリーンシートを枠状に形成し、該焼成補助用グリーンシートを前記導体グリーンシートの外周と接するように、または前記外周と近接するように配することにより、導体グリーンシートの一部が露出して炉内雰囲気に直接晒されることになり、キャパシタ部に対する焼成雰囲気の制御性が向上する。
また、酸化物無機材料が、Al粉末であるので、Al粉末は比較的安価で入手が容易なうえ、焼成中に一部が導体グリーンシートや誘電体グリーンシートに拡散したとしても、キャパシタの特性にほとんど影響を与えることもなく、したがって、低コストで特性の良好な薄膜キャパシタを容易に製造することができる。
また、前記誘電体層の厚みと前記導体層の厚みの総計が100μm以下であるので、低コストで誘電体層に悪影響を与えることのない所望の薄膜キャパシタを高効率で製造することができる。
本発明の製造方法で製造された薄膜キャパシタの一実施の形態を模式的に示した断面図である。 本発明に係る薄膜キャパシタの製造方法の一実施の形態を示す工程図である。 積層体形成工程の一実施の形態を説明するための積層体の断面図である。 焼成工程の一実施の形態を説明するための断面図である。 本発明に係る薄膜キャパシタの製造方法の第2の実施の形態の要部平面図である。 図5のA−A断面図である。
符号の説明
1 誘電体グリーンシート
2a、2b 導体グリーンシート
10 キャパシタ部
20a、20b 焼成補助用グリーンシート
21a、21b 焼成補助用部材
30 薄膜キャパシタ
31 誘電体層
32a、32b 導体層
50 積層体
51 積層体
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
図1は本発明の製造方法によって製造された薄膜キャパシタの一実施の形態を模式的に示した断面図であって、該薄膜キャパシタ30は、誘電体セラミック材料を主成分とする誘電体層31の両主面に導体層32a、32bが形成されている。すなわち、該誘電体層31が上下一対の導体層32a、32bによって挟着され、これら各層の膜厚の総計、すなわち薄膜キャパシタ30の総厚みは100μm以下となるように形成されている。
以下、上記薄膜キャパシタの製造方法を詳述する。
図2は、本発明に係る薄膜キャパシタの製造方法の一実施の形態(第1の実施の形態)を示す製造工程図である。
グリーンシート作製工程11では、誘電体グリーンシート、導体グリーンシート、及び焼成補助用グリーンシートを作製する。
具体的には、誘電体セラミック粉末及びポリビニルブチラール樹脂等の有機バインダをトルエンやエタノール等の有機溶剤中で混合・分散させて誘電体セラミックスラリーを作製し、その後ドクターブレード法等を使用して誘電体セラミックスラリーに成形加工を施し、膜厚0.5〜10μmの誘電体グリーンシートを作製する。尚、誘電体セラミック粉末としては、誘電体層として高い誘電率が得られる強誘電体を用いることが好ましいが、常誘電体であってもよい。具体的には、(Ba,Ca)TiO、BaTiO、SrTiO、(Ba,Sr)TiO、Pb(Zr,Ti)Oなどのペロブスカイト型構造を有する金属酸化物等が好んで使用される。
次に、平均粒径0.2〜1.5μmの金属粉末及びポリビニルブチラール樹脂等の有機バインダをトルエンやエタノール等の有機溶剤中で混合・分散させて導体スラリーを作製し、その後ドクターブレード法等を使用して導体セラミックスラリーに成形加工を施し、膜厚1.0〜10μmの導体グリーンシートを作製する。
なお、本実施の形態では、後述するように導体層を構成する金属の酸化還元反応を利用することによって、導体グリーンシート(導電層)と焼成補助用グリーンシート(焼成補助用部材)とを分離させることができると考えられる。したがって、金属粉末材料としては熱処理によって酸化還元可能な金属、例えば、NiやCu、及びこれらを主成分とした合金を使用することができる。特に、NiまたはNiを主成分とする合金は、Niの融点が1455℃と高く、高誘電率の誘電体層を得るために望ましい焼成温度である1000℃以上での焼成処理に耐えることができ、しかも価格も比較的安価であることから、好んで使用することができる。なお、焼成処理を行っても酸化しにくい金属、例えばAuなどは好ましくないと考えられる。
次に、酸化物無機材料及びポリビニルブチラール樹脂等の有機バインダをトルエンやエタノール等の有機溶剤中で混合・分散させて導体スラリーを作製し、その後ドクターブレード法等の成形加工法を使用して導体セラミックスラリーに成形加工を施し、焼成補助用グリーンシートを作製する。
尚、焼成補助用グリーンシートの膜厚としては、焼成処理によって薄膜キャパシタに反りやうねりが生じない範囲であれば特に限定されるものではないが、生産コスト等を考慮すると25〜500μmが好ましい。
また、酸化物無機材料としては、誘電体層の焼結温度で焼結しない酸化物を好んで使用することができ、Al、ZrO、CeO、ZnOなどを使用することができる。そしてこれらの中では、焼成処理中にその一部が導体グリーンシートや誘電体グリーンシートに拡散しても、薄膜キャパシタの特性にほとんど影響を与えず、しかも比較的安価に入手できるAlを使用するのが特に好ましい。
また、酸化物無機材料は 導体層の表面粗さが酸化物無機材料の粒径に影響を受けるため、平均粒径は小さいほど好ましく、具体的には2.0μm以下が好ましい。
なお、各グリーンシートの作製工程で、消泡剤や可塑剤等の添加剤を必要に応じて適宜添加するのも好ましい。
このようにグリーンシート作製工程11で誘電体グリーンシート、導体グリーンシート及び焼成補助用グリーンシートを作製した後、積層体形成工程12に進む。
積層体形成工程12では、図3に示すように、焼成補助用グリーンシート20a、導体グリーンシート2a、誘電体グリーンシート1、導体グリーンシート2b、及び焼成補助用グリーンシート20bを順次積層し、所定温度で所定時間加圧処理を行って圧着させ、これにより積層体50を作製する。これにより、誘電体グリーンシート1の両主面が導体グリーンシート2a、2bで挟持されたキャパシタ部10が形成され、積層体50はキャパシタ部10の上面及び下面が焼成補助用グリーンシート20a、20bによって保持された形態とされる。
次に、このように積層体50を作製した後、焼成工程13に進む。
この焼成工程13では、まず、積層体50を窒素雰囲気中、温度250〜400℃で所定時間熱処理を施して脱バインダ処理を行う。
次いで、酸素分圧を、金属の酸化還元反応が生じる基準となる平衡酸素分圧よりも低く設定した還元雰囲気とする。そして、該還元雰囲気中、最高温度1050〜1300℃で2時間程度保持して積層体50に焼成処理を施し、次いで、酸素分圧を、平衡酸素分圧又はその近傍まで上昇させて中性雰囲気とする。そして、該中性雰囲気で焼成炉を常温まで降温させ、焼成処理を終了する。
すると、図4に示すように、誘電体グリーンシート1は焼結されて誘電体層31となり、導体グリーンシート2a、2bは焼結されて導体層32a、32bとなり、これら誘電体層31及び導体層32a、32bで薄膜キャパシタ30が形成されると共に、焼結補助用グリーンシート20a、20bは、薄膜キャパシタ30から分離して焼結補助用部材21a、21bとなる。
このように研磨処理等の機械的加工を要することなく、焼結補助用部材21a、21bを導体層32a、32bから分離できるのは、以下のような理由によるものと考えられる。
金属粉末と酸化物無機材料とでは、線膨張係数に比較的大きな差があることから焼成工程13中における焼成炉の降温時に熱収縮量に差が生じ、焼成補助用グリーンシート20a、20b(焼成補助用部材21a、21b)と導体グリーンシート2a、2b(導体層32a、32b)との界面に応力が発生する。さらに、焼成工程13中に還元雰囲気から中性雰囲気に酸素分圧を変化させることにより、導体グリーンシート2a、2bに含まれるNi粉末の表面の酸化状態が変化して体積変化を生じる。そして、この体積変化によって、焼成補助用グリーンシート20a、20b(焼成補助用部材21a、21b)と導体グリーンシート2a、2b(導体層32a、32b)との界面の応力が更に増加する。すなわち、線膨張係数の差に起因する界面の応力と、金属粉末の表面の酸化状態の変化に起因する応力とが相俟って、焼成補助用グリーンシート20a、20b(焼成補助用部材21a、21b)と導体グリーンシート2a、2b(導体層32a、32b)との界面のおける接着強度を大きく低下させることができ、これにより機械的加工を要することなく容易に焼成補助用部材21a、21bと導体層32a、32bとを分離させることができるものと考えられる。
このように本実施の形態では、Alを含有した焼結補助用グリーンシート20a、20bでキャパシタ部10を保持させた状態で焼成処理を施し、かつ焼成処理中に還元雰囲気から中性雰囲気となるように酸素分圧を変化させているので、焼成補助用グリーンシート20a、20bの焼結体である焼成補助用部材21a、21bと導体グリーンシート2a、2bの焼結体である導体層32a、32bとを容易に分離させることができ、したがって焼成補助用部材21a、21bを薄膜キャパシタ10から除去するための研磨処理等の機械的加工が不要になり、誘電体層31が損傷することもなく、導体層32a、32b同士の電気的短絡が生じることのない薄膜キャパシタを得ることが可能となる。しかも、焼成補助グリーンシート20a、20bでキャパシタ部10を保持させているので、焼成後の薄膜キャパシタ30に反りやうねりが発生するのを抑制することができる。
そして、前記誘電体層と前記導体層との厚みの総計が100μm以下であることから、機械的な損傷のない良好な特性を有する信頼性の優れた所望の薄膜キャパシタを得ることができる。
なお、焼成工程13後に研磨処理等の機械加工を行なう場合は、誘電体層31の厚みを薄くするほど、誘電体層31に与える機械的、電気的な特性の低下が著しくなるが、上記実施の形態では機械加工を行う必要がないので、誘電体層31を薄く形成することができる。すなわち、薄膜キャパシタ30の容量は誘電体層31の厚みに反比例することから、大容量を得るためには誘電体層31の厚みを10μm以下とするのが好ましいが、本実施の形態では、研磨処理などの機械加工が不要であることから、誘電体層31の厚みを1μm以下にすることも可能である。
図5は本発明に係る薄膜キャパシタの製造方法の第2の実施の形態の主要部を示す平面図であり、図6はA−A断面図である。
本第2の実施の形態では、焼成補助用グリーンシート22a、22bは中央部が空洞52を有する枠状に形成されている。そして焼成補助用グリーンシート22a、22bは、導体グリーンシート2a、2bの外周と接するように導体グリーンシート2aの上面及び導体グリーンシート2bの下面に配され、これら焼成補助用グリーンシート22a、22b及びキャパシタ部10とで積層体51を形成している。
そして、このような積層体51に焼成処理を施すと、導体グリーンシート2a、2bの一部が焼成炉内の雰囲気に直接晒されることとなるため、キャパシタ部10に対する雰囲気制御性を向上させることができる。また、焼成補助用グリーンシート22a、22bが導体グリーンシート2a、2bの外周を拘束しているので、上記第1の実施の形態と同様、キャパシタ部10における焼成中の面内収縮を抑制することができ、反りやうねりの発生を防止することができる。
なお、上記第2の実施の形態では、焼成補助用グリーンシート22a、22bの外周と導体グリーンシート2a、2bの外周とが完全に一致するように焼成補助用グリーンシート22a、22bを配しているが、焼成補助用グリーンシート22a、22bの外周が導体グリーンシート2a、2bの外周と必ずしも完全に一致していなくてもよく、キャパシタ部10の反りやうねりを十分に抑制できるのであれば、導体グリーンシート2の外周に近接する形態で焼成補助用グリーンシート22a、22bを配してもよい。
また、上記第2の実施の形態では、焼成補助用グリーンシート22a、22bは、外周、内周ともに矩形形状に形成されているが、円形形状や楕円形形状であってもよく、例えば、外周が矩形形状で内周が円形形状のように外周と内周の形状が異なっていてもよい。また、焼成補助用グリーンシート22a、22bの空洞を格子状に形成してもよい。
また、上記第2の実施の形態においては、導体グリーンシート2a、2bが焼成補助用グリーンシート22a、22bに接しない部分と導体グリーンシート2a、2bが焼成補助用グリーンシート22a、22bに接する部分とでは、焼成雰囲気に直接晒される部分と直接晒されなかった部分とが生じるため、薄膜キャパシタの特性に差が生じる場合があり得る。そのような場合には、前記焼成補助用グリーンシート22a、22bに接していなかった部分と前記焼成補助用グリーンシート22a、22bに接していた部分とを焼成後にダイシングソー等によって切断し、いずれか一方を製品として使用するようにしてもよい。
さらに、上記第1の実施の形態では、材料の選択によっては、焼成処理中に焼成補助用グリーンシート21a、21b中の酸化物無機材料が導体グリーンシート2a、2bや誘電体グリーンシート1の内部に拡散し、薄膜キャパシタの特性に影響を及ぼすおそれがあるが、上記2の実施の形態では、焼成補助用グリーンシート22a、22bを枠状に形成しているので、導体グリーンシート2a、2aが焼成補助用グリーンシート22a、22bに接していない部分では酸化物無機材料が導体グリーンシート2a、2bや誘電体グリーンシート1の内部に拡散することもなく、したがって導体グリーンシート2a、2aが焼成補助用グリーンシート22a、22bと接していない部分のみを製品化できるように、ダイシングソー等によって切断することにより、所望の特性を有する薄膜キャパシタを得ることができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。上記実施の形態では、金属粉末の酸化還元反応における平衡酸素分圧を基準とし、焼成雰囲気を還元雰囲気から中性雰囲気へと変化させているが、これに限定されるものではなく、還元雰囲気、中性雰囲気、酸化雰囲気の順に変化させたり、還元雰囲気、中性雰囲気、還元雰囲気の順に変化させるなど、金属粉末の表面における酸化状態が変化するように焼成雰囲気を適宜変化させることのも好ましい。
また、上記実施の形態では、薄膜キャパシタは、導体層が誘電体層の両主面の全面に形成されているが、導体層は誘電体層の主面の一部のみに形成されていてもよい。その場合、例えば焼成後にエッチング等によって導体層の一部を除去すればよい。
また、焼成後に機械的補強や耐湿性改善等の目的で導体層の少なくとも一部を覆うような樹脂層を設けてもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を具体的に説明する。
(1)グリーンシート作製工程
(Ba,Ca)TiOを主成分とする平均粒径0.2μmの誘電体セラミック粉末と、ポリビニルブチラール樹脂を主成分とする有機バインダと、トルエンとエタノールとを体積比で1:1に調合した有機溶剤とを混合、分散し、誘電体セラミックスラリーを作製した。誘電体セラミック粉末、有機バインダ、及び有機溶剤の混合比率は体積比で10:10:80とした。なお、誘電体セラミック粉末の体積は、誘電体セラミック粉末の重量を測定し、その理論密度で除することによって算出した。次に、ドクターブレード法によって誘電体セラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ2μmの誘電体グリーンシートを得た。
次に、平均粒径0.5μmの金属粉末としてのNi粉末と、ポリビニルブチラール樹脂を主成分とする有機バインダと、トルエンとエタノールとを体積比で1:1に調合した有機溶剤とを混合、分散し、導体スラリーを作製した。Ni粉末、有機バインダ、及び有機溶剤の混合比率は体積比で10:10:80とした。なお、Ni粉末の体積は、Ni粉末の重量を測定し、その理論密度で除することによって算出した。次に、ドクターブレード法によって導体スラリーをシート状に成形し、厚さ9μmの導体グリーンシートを得た。
次いで、酸化物無機材料として平均粒径1.0μmのAl粉末を用意し、このAl粉末と、ポリビニルブチラール樹脂を主成分とする有機バインダと、トルエンとエタノールとを体積比で1:1に調合した有機溶剤とを混合、分散し、焼成補助用セラミックスラリーを作製した。Al粉末、有機バインダ、及び有機溶剤の混合比率は体積比で10:10:80とした。なお、Al粉末の体積は、Al粉末の重量を測定し、その理論密度で除することによって算出した。次に、ドクターブレード法によって焼成補助用セラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ100μmの焼成補助用グリーンシートを得た。
(2)積層体形成工程
焼成補助用グリーンシート、導体グリーンシート、誘電体グリーンシート、導体グリーンシート、及び焼成補助用グリーンシートを順次積層し、温度50℃、加圧力100MPaの条件で30秒間圧着を行って積層体を形成した。
(3)焼成工程
得られた積層体を窒素雰囲気中280℃で5時間の熱処理をして脱バインダ理を行った。次いで、Ni粉末の平衡酸素分圧よりも低い酸素分圧に設定して還元雰囲気とし、この還元雰囲気下、1150℃の温度で2時間保持して積層体に焼成処理を施した。その後、酸素分圧を平衡酸素分圧またはその近傍に上昇させて中性雰囲気とし、この中性雰囲気で焼成炉を常温まで降温させ、焼成処理を終了した。
焼成処理中、焼成補助用グリーンシートは有機バインダ、有機溶剤等の有機物の揮発および消失によって板状の焼成補助用部材となり、該焼成補助用部材は機械的加工を要することなく薄膜キャパシタから分離し、これにより誘電体層の両主面に導体層が形成された薄膜キャパシタが得られた。
得られた薄膜キャパシタは総厚みが13μmで、面内方向の収縮量を光学式測長器で測定したところ、1%以下であり、また反りやうねりが生じていないことが確認された。また、導体層の表面粗さRaを原子間力顕微鏡で測定したところ、約200nmであり、十分な平滑性が得られることも確認された。さらに、誘電率の面内分布をLCRメータで測定したところ3%以下に抑制されることが確認された。
比較例
上記実施例と同一の方法・手順で作製した積層体を、窒素雰囲気中280℃で5時間の熱処理をして脱バインダ処理を行い、さらに、上記実施例と同様の還元雰囲気となるように酸素分圧を調整し、該還元雰囲気下、1150℃で2時間保持して積層体に焼成処理を施し、その後も同一の焼成雰囲気、すなわち前記還元雰囲気下で焼成炉を常温まで降温させ、焼成処理を終了した。
得られた焼結体は、焼成補助用グリーンシートに含有されているAlが薄膜キャパシタの導体層に密着し、容易にはAlを除去できない状態であった。このため研磨処理を行ってAlを除去したが、誘電体層が損傷し、薄膜キャパシタの導体層同士が電気的に短絡してしまった。
本比較例では、焼成工程中に酸素分圧を変化させず、酸素分圧が略一定の還元雰囲気で焼成処理を行ったため、導体グリーンシートと焼成補助用グリーンシートとの界面に十分な応力が発生せず、このためキャパシタ部と焼成補助部とを分離させることができなかったものと考えられる。

Claims (5)

  1. 誘電体層の両主面に導体層が形成された薄膜キャパシタの製造方法であって、
    誘電体セラミック粉末を含有した誘電体グリーンシートと、金属粉末を含有した導体グリーンシートと、酸化物無機材料粉末を含有した焼成補助用グリーンシートとをそれぞれ作製するグリーンシート作製工程と、
    前記誘電体グリーンシートの両主面に前記導体グリーンシートをそれぞれ配してキャパシタ部を形成すると共に、前記キャパシタ部が前記焼成補助用グリーンシートで保持されるように前記焼成補助用グリーンシートを配して積層体を形成する積層体形成工程と、
    前記積層体を焼成する焼成工程とを有し、
    前記焼成工程における焼成処理中に、前記導体グリーンシートと前記焼成補助用グリーンシートとの界面の接着強度を低下させ、かつ焼成雰囲気の酸素分圧を少なくとも1回以上変化させて、前記キャパシタ部の焼結体である薄膜キャパシタと前記焼成補助用グリーンシートの焼結体である焼成補助部材とを分離させることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。
  2. 前記金属粉末は、NiおよびNiを主成分とする合金のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の薄膜キャパシタの製造方法。
  3. 前記焼成補助用グリーンシートを枠状に形成し、該焼成補助用グリーンシートを前記導体グリーンシートの外周と接するように、または前記外周と近接するように配することを特徴とする請求項1または請求項2記載の薄膜キャパシタの製造方法。
  4. 前記酸化物無機材料粉末は、Al粉末であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の薄膜キャパシタの製造方法。
  5. 前記誘電体層の厚みと前記導体層の厚みの総計が100μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の薄膜キャパシタの製造方法。
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