JP4441921B2 - 薄膜キャパシタの製造方法 - Google Patents
薄膜キャパシタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4441921B2 JP4441921B2 JP2007528208A JP2007528208A JP4441921B2 JP 4441921 B2 JP4441921 B2 JP 4441921B2 JP 2007528208 A JP2007528208 A JP 2007528208A JP 2007528208 A JP2007528208 A JP 2007528208A JP 4441921 B2 JP4441921 B2 JP 4441921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- firing
- green sheet
- thin film
- conductor
- film capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 87
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 129
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 89
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 12
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
2a、2b 導体グリーンシート
10 キャパシタ部
20a、20b 焼成補助用グリーンシート
21a、21b 焼成補助用部材
30 薄膜キャパシタ
31 誘電体層
32a、32b 導体層
50 積層体
51 積層体
(Ba,Ca)TiO3を主成分とする平均粒径0.2μmの誘電体セラミック粉末と、ポリビニルブチラール樹脂を主成分とする有機バインダと、トルエンとエタノールとを体積比で1:1に調合した有機溶剤とを混合、分散し、誘電体セラミックスラリーを作製した。誘電体セラミック粉末、有機バインダ、及び有機溶剤の混合比率は体積比で10:10:80とした。なお、誘電体セラミック粉末の体積は、誘電体セラミック粉末の重量を測定し、その理論密度で除することによって算出した。次に、ドクターブレード法によって誘電体セラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ2μmの誘電体グリーンシートを得た。
焼成補助用グリーンシート、導体グリーンシート、誘電体グリーンシート、導体グリーンシート、及び焼成補助用グリーンシートを順次積層し、温度50℃、加圧力100MPaの条件で30秒間圧着を行って積層体を形成した。
得られた積層体を窒素雰囲気中280℃で5時間の熱処理をして脱バインダ理を行った。次いで、Ni粉末の平衡酸素分圧よりも低い酸素分圧に設定して還元雰囲気とし、この還元雰囲気下、1150℃の温度で2時間保持して積層体に焼成処理を施した。その後、酸素分圧を平衡酸素分圧またはその近傍に上昇させて中性雰囲気とし、この中性雰囲気で焼成炉を常温まで降温させ、焼成処理を終了した。
Claims (5)
- 誘電体層の両主面に導体層が形成された薄膜キャパシタの製造方法であって、
誘電体セラミック粉末を含有した誘電体グリーンシートと、金属粉末を含有した導体グリーンシートと、酸化物無機材料粉末を含有した焼成補助用グリーンシートとをそれぞれ作製するグリーンシート作製工程と、
前記誘電体グリーンシートの両主面に前記導体グリーンシートをそれぞれ配してキャパシタ部を形成すると共に、前記キャパシタ部が前記焼成補助用グリーンシートで保持されるように前記焼成補助用グリーンシートを配して積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程とを有し、
前記焼成工程における焼成処理中に、前記導体グリーンシートと前記焼成補助用グリーンシートとの界面の接着強度を低下させ、かつ焼成雰囲気の酸素分圧を少なくとも1回以上変化させて、前記キャパシタ部の焼結体である薄膜キャパシタと前記焼成補助用グリーンシートの焼結体である焼成補助部材とを分離させることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。 - 前記金属粉末は、NiおよびNiを主成分とする合金のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記焼成補助用グリーンシートを枠状に形成し、該焼成補助用グリーンシートを前記導体グリーンシートの外周と接するように、または前記外周と近接するように配することを特徴とする請求項1または請求項2記載の薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記酸化物無機材料粉末は、Al2O3粉末であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記誘電体層の厚みと前記導体層の厚みの総計が100μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の薄膜キャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005137187 | 2005-05-10 | ||
JP2005137187 | 2005-05-10 | ||
JP2005206942 | 2005-07-15 | ||
JP2005206942 | 2005-07-15 | ||
PCT/JP2006/308563 WO2006120883A1 (ja) | 2005-05-10 | 2006-04-24 | 薄膜キャパシタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006120883A1 JPWO2006120883A1 (ja) | 2008-12-18 |
JP4441921B2 true JP4441921B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=37396393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007528208A Expired - Fee Related JP4441921B2 (ja) | 2005-05-10 | 2006-04-24 | 薄膜キャパシタの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7771552B2 (ja) |
JP (1) | JP4441921B2 (ja) |
KR (2) | KR100925656B1 (ja) |
CN (1) | CN101176171B (ja) |
WO (1) | WO2006120883A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007010768A1 (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-29 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
JPWO2008075504A1 (ja) * | 2006-12-19 | 2010-04-08 | 株式会社村田製作所 | 薄層コンデンサの製造方法、薄層コンデンサおよびコンデンサ内蔵配線基板の製造方法 |
JP5141046B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2013-02-13 | Tdk株式会社 | 積層型圧電素子 |
US8034666B2 (en) * | 2009-11-15 | 2011-10-11 | Microsemi Corporation | Multi-layer thick-film RF package |
WO2011148969A1 (ja) | 2010-05-26 | 2011-12-01 | 日本碍子株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
US9779874B2 (en) * | 2011-07-08 | 2017-10-03 | Kemet Electronics Corporation | Sintering of high temperature conductive and resistive pastes onto temperature sensitive and atmospheric sensitive materials |
KR101444616B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2014-09-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터, 그 제조 방법 및 적층 세라믹 커패시터용 압착 플레이트 |
US9809720B2 (en) * | 2015-07-06 | 2017-11-07 | University Of Massachusetts | Ferroelectric nanocomposite based dielectric inks for reconfigurable RF and microwave applications |
CN105006362B (zh) * | 2015-07-28 | 2018-06-19 | 桂林电子科技大学 | 一种可剥离衬底的薄膜电容器制备方法 |
CN105355431A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-02-24 | 淮安盛宇电子有限公司 | 一种薄膜电容器的制造方法 |
JP2018137311A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
US10839992B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-11-17 | Raytheon Company | Thick film resistors having customizable resistances and methods of manufacture |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3879509A (en) * | 1971-09-07 | 1975-04-22 | Gilbert James Elderbaum | Method of producing thin ceramic sheets with minimal distortion |
JPS5950079A (ja) | 1982-09-10 | 1984-03-22 | 株式会社村田製作所 | セラミツク薄板の製造方法 |
DE69034034T2 (de) * | 1989-10-18 | 2003-10-16 | Tdk Corp | Keramischer Mehrschicht-Chipkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5085720A (en) * | 1990-01-18 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies |
US5470412A (en) * | 1992-07-30 | 1995-11-28 | Sumitomo Metal Ceramics Inc. | Process for producing a circuit substrate |
JPH06140279A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-05-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の焼成方法 |
JPH0878283A (ja) | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Toshiba Corp | 薄膜キャパシタ |
JP3193626B2 (ja) | 1996-03-13 | 2001-07-30 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | セラミック多層基板の製造方法 |
JPH1095677A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック基板の製造方法 |
JP3685656B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2005-08-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP4535576B2 (ja) | 2000-07-31 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
JP2003238259A (ja) | 2002-02-21 | 2003-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック部品の製造方法 |
JP2004304113A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 多層セラミックパッケージ |
JP4434617B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2010-03-17 | 京セラ株式会社 | 焼失性シートおよびそれを用いたセラミック積層体の製造方法 |
JP3924286B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2007-06-06 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-24 KR KR1020077026026A patent/KR100925656B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-24 JP JP2007528208A patent/JP4441921B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-24 KR KR1020097019187A patent/KR100944101B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-24 CN CN2006800163750A patent/CN101176171B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-24 WO PCT/JP2006/308563 patent/WO2006120883A1/ja active Application Filing
-
2007
- 2007-10-30 US US11/928,287 patent/US7771552B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006120883A1 (ja) | 2006-11-16 |
KR100944101B1 (ko) | 2010-02-24 |
KR20080002944A (ko) | 2008-01-04 |
CN101176171A (zh) | 2008-05-07 |
CN101176171B (zh) | 2011-03-16 |
KR100925656B1 (ko) | 2009-11-09 |
KR20090101515A (ko) | 2009-09-28 |
US20080060743A1 (en) | 2008-03-13 |
JPWO2006120883A1 (ja) | 2008-12-18 |
US7771552B2 (en) | 2010-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4441921B2 (ja) | 薄膜キャパシタの製造方法 | |
KR101141372B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품, 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 | |
JP4362079B2 (ja) | 積層型チップコンデンサおよびその製造方法 | |
JP5012899B2 (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
JP5527404B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP4135443B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
JP6301629B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
JP5527405B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2005347288A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP6144757B2 (ja) | 多層デバイスの製造方法およびこの方法によって製造される多層デバイス | |
JP5527403B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527400B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527401B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2007134561A (ja) | 多層圧電素子の形成方法 | |
JP4231653B2 (ja) | 積層型の圧電アクチュエータの製造方法 | |
JP5429393B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JPH1126285A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2003347730A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
JP3586258B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4993056B2 (ja) | 積層型圧電素子の製造方法及び酸素供給方法 | |
JP2003249416A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法および積層セラミックコンデンサ | |
JP5527402B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2007288146A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2004262741A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091218 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091231 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |