JP3193626B2 - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
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Description
層法でセラミック多層基板を製造するセラミック多層基
板の製造方法に関するものである。
縮を小さくして基板寸法精度を向上させるために、特表
平5−503498号公報に示すように、セラミック基
板の絶縁層となるグリーンシートの上下両面に、当該グ
リーンシートの焼結温度では焼結しないダミーグリーン
シートを積層し、その上から加圧しながらグリーンシー
トを焼結した後、その焼結体の両面に付着した未焼結の
ダミーグリーンシートを除去してセラミック基板を製造
する方法がある。
基板は、グリーンシート積層法により複数枚のグリーン
シートを積層して多層基板として構成される場合が多
い。このセラミック多層基板は、内層に導体パターンが
形成されているため、図3に示すように、グリーンシー
ト11の積層体を2枚のダミーグリーンシート12で挟
んで圧着する場合に基板内層に導体パターン14が存在
する部分が凸となるように基板表面が変形してしまい、
基板表面の平坦度が悪くなってしまう欠点がある。この
ような基板表面の平坦度の低下は、基板表面に後付けす
る導体パターンの信頼性を低下させたり、基板表面に実
装するICチップの接合信頼性を低下させる原因とな
る。
たものであり、従ってその目的は、基板表面の平坦度を
向上できるセラミック多層基板の製造方法を提供するこ
とにある。
に、本発明の請求項1のセラミック多層基板の製造方法
は、導体パターンが形成された複数枚のグリーンシート
を重ね合わせて圧着する工程と、この圧着体の両面に、
前記グリーンシートより焼結温度が高いダミーグリーン
シートを圧着する工程と、この圧着体を加圧しながら前
記グリーンシートの焼結温度で焼結する工程と、この焼
結体の両面に付着した前記ダミーグリーンシートを除去
する工程とを順に実行してセラミック多層基板を製造す
る方法であって、前記グリーンシートを圧着する際の加
圧力を次工程以降(ダミーグリーンシート圧着及び加圧
焼成)で使用する加圧力よりも大きくしたものである。
板表面(表層のグリーンシートの表面)が加圧機の平坦
な金型でプレスされて平坦化されるため、次工程以降で
使用する加圧力によって、基板表面が内層導体パターン
部分で凸変形しないようにする必要がある。そのため
に、上記製造方法では、グリーンシートを圧着する際の
加圧力を次工程以降で使用する加圧力よりも大きくする
ことで、ダミーグリーンシート圧着時に基板表面が内層
導体パターン部分で凸変形することが防がれ、基板表面
の平坦度が確保される。
トを、圧着時の厚み変化率がグリーンシートのそれより
小さくなるように形成している。これにより、基板表面
が内層導体パターン部分で凸変形することが基板両面の
ダミーグリーンシートによって抑えられ、基板表面の平
坦度が確保される。
1000℃以下で焼成可能な低温焼成セラミックにより
形成している。この場合には、ダミーグリーンシートと
して比較的安価なアルミナグリーンシートを使用でき
る。
(8)の工程を経て製造する。
量%、Al2 O3 0〜30重量%、不純物0〜10重量
%、及び外掛けでB2 O3 5〜20重量%を含む混合物
を1450℃で溶融してガラス化した後、水中で急冷
し、これを粉砕して平均粒径が3.0〜3.5μmのC
aO−SiO2 −Al2 O3 −B2 O3 系ガラス粉末を
作製する。このガラス粉末50〜65重量%(好ましく
は60重量%)と不純物が0〜10重量%のアルミナ粉
末50〜35重量%(好ましくは40重量%)とを混合
して低温焼成セラミック粉末を作製し、この低温焼成セ
ラミック粉末に溶剤(例えばトルエン、キシレン)、バ
インダー(例えばアクリル樹脂)及び可塑剤(例えばD
OP)を加え、十分に混練して粘度2000〜4000
0cpsのスラリーを作製し、通常のドクターブレード
法を用いて例えば厚み0.1〜0.4mmのグリーンシ
ート11を作製する。
ナグリーンシート)の作製 Al2 O3 100重量%のアルミナ粉末を用い、このア
ルミナ粉末に上述と同様の溶剤、バインダー及び可塑剤
を加え、十分に混練してスラリーを作製し、通常のドク
ターブレード法を用いて例えば厚み0.1〜0.4mm
のアルミナグリーンシートを作製し、これをダミーグリ
ーンシート22として用いる。このダミーグリーンシー
ト22は、1550〜1600℃まで加熱しないと焼結
しない。このダミーグリーンシート22の圧着時の厚み
変化率は、バインダー(樹脂)の種類・性質、可塑
剤の混合量、アルミナ粒子の粒度(生密度)や凝集粒
の砕け易さによって調整できる。一般に、可塑剤の混合
量が多くなるほど、グリーンシート21が柔らかくな
り、圧着時の厚み変化率が大きくなる。
ート21を所定寸法に切断すると共に、グリーンシート
21の所定位置にビアホールを打抜き形成する。また、
ダミーグリーンシート22も、グリーンシート21と同
じ寸法若しくはそれより大きな寸法に切断する。
d、Au、Ag/Pt、Cu等の導体ペーストを充填
し、内層に積層されるグリーンシート21には、上述と
同じ組成の導体ペーストを使用して配線用の導体パター
ン23をスクリーン印刷する。
ば80〜150℃、50〜250kg/cm2 の条件で
加熱圧着して一体化する。この際、グリーンシート21
を圧着する加圧力を次工程以降(後述するダミーグリー
ンシート圧着及び加圧焼成)で使用する加圧力よりも大
きくする。グリーンシート21の圧着時には、基板表面
(表層のグリーンシート21の表面)が加圧機(図示せ
ず)の平坦な金型でプレスされて平坦化される。尚、図
1は、グリーンシート21の積層枚数が2枚であるが、
3枚以上積層しても良いことは言うまでもない。
の両面に、該グリーンシート21より焼結温度が高いダ
ミーグリーンシート22を加熱圧着する。この際、ダミ
ーグリーンシート22を圧着する加圧力を前工程でグリ
ーンシート21を圧着する際の加圧力よりも小さくす
る。これにより、ダミーグリーンシート22の圧着時に
基板表面が内層導体パターン23部分で凸変形すること
が防がれ、基板表面の平坦度が確保される。
ベルト炉を使用して、基板焼結温度である800〜10
00℃(好ましくは900℃)で焼成し、セラミック多
層基板を焼成する。この際、内層の導体パターン23と
してCuを用いた場合には、酸化防止のため還元雰囲気
中で焼成する必要があるが、Ag、Ag/Pd、Au、
Ag/Ptを用いた場合には、酸化雰囲気(空気)中で
焼成することが可能である。この焼成中は、グリーンシ
ート21の圧着時の加圧力より小さい圧力(例えば2〜
20Kgf/cm2 )で基板を加圧しながら焼成する。
これにより、焼成時に基板表面が内層導体パターン23
部分で凸変形することが防がれ、基板表面の平坦度が確
保されると共に、焼成時の基板の反りや剥離(デラミネ
ーション)も防止される。
リーンシート22(アルミナグリーンシート)は155
0〜1600℃まで加熱しないと焼結しないので、80
0〜1000℃で焼成すれば、ダミーグリーンシート2
2は未焼結のまま残される。但し、焼成の過程で、ダミ
ーグリーンシート22中の溶剤やバインダーが飛散して
アルミナ粉体として残る。
(アルミナ粉体)を研磨等により除去した後、必要に応
じて、基板表面に、Ag、Ag/Pd、Au、Ag/P
t、Cu等の導体ペーストを用いて表層導体パターンを
スクリーン印刷し、これを1000℃以下で焼成する。
は、グリーンシート21を圧着する加圧力を次工程以降
(ダミーグリーンシート圧着及び加圧焼成)で使用する
加圧力よりも大きくすることで、基板表面の平坦度を確
保するようにしたが、第2の実施形態では、ダミーグリ
ーンシート22を、圧着時の厚み変化率がグリーンシー
ト21のそれより小さくなるように形成することで、基
板表面が内層導体パターン23部分で凸変形することが
基板両面のダミーグリーンシート22によって抑えら
れ、基板表面の平坦度が確保される。ダミーグリーンシ
ート22の圧着時の厚み変化率は、バインダー(樹
脂)の種類・性質、可塑剤の混合量、アルミナ粒子
の粒度(生密度)や凝集粒の砕け易さによって調整でき
る。
シート22の圧着時の厚み変化率をグリーンシート21
のそれより小さくすることで、グリーンシート21を圧
着する加圧力がダミーグリーンシート22を圧着する加
圧力と同等若しくは小さくても、基板表面の平坦度を確
保できる。
リーンシート21を圧着する加圧力を次工程以降(ダミ
ーグリーンシート22圧着及び加圧焼成)で使用する加
圧力よりも大きくすることで、ダミーグリーンシート2
2の圧着時の厚み変化率がグリーンシート21のそれと
同等若しくは大きくても、基板表面の平坦度を確保でき
る。
の製造方法について、ダミーグリーンシート22の圧
着、加圧焼成による効果を評価するために、下記の実験
を行ったので、以下、これについて説明する。
21は上述したCaO−SiO2 −Al2 O3−B2 O
3 系ガラス粉末50〜65重量%とアルミナ粉末50〜
35重量%との混合物からなる低温焼成セラミックによ
り形成したものである。このグリーンシート21を30
mm角に打ち抜いて、その表面に図2に示すように10
mm角の導体パターン23を印刷した。この導体パター
ン23の印刷厚みは100μmである。そして、図1に
示すように、導体パターン23が印刷されたグリーンシ
ート21に、導体パターン23が印刷されていないグリ
ーンシート21を重ね合わせて圧着し、その圧着体を2
枚のダミーグリーンシート22でサンドイッチしたもの
を試験サンプルとして用いた。尚、ダミーグリーンシー
ト22はAl2 O3100重量%のアルミナグリーンシ
ートを用いた。
ーンシート21の厚み変化率との関係は下記の表1に示
されている。
たものである。 厚み変化率=(加圧前の厚み寸法−加圧後の厚み寸法)
/加圧前の厚み寸法×100 (%)
1の実施形態の製造方法を用いた例であり、100Kg
f/cm2 の加圧力でグリーンシート21を圧着した
後、その圧着体の両面に50Kgf/cm2 の加圧力で
ダミーグリーンシート22を圧着した場合のダミーグリ
ーンシート22の厚み変化率、焼成前の基板表面の凹
凸、焼成後の基板表面の凹凸の測定結果を示したもので
ある。
合には、グリーンシート21の厚み変化率が10%であ
る(表1参照)。サンプルNo.1〜4は、グリーンシ
ート21を圧着する加圧力がダミーグリーンシート22
を圧着する加圧力よりも大きいため、ダミーグリーンシ
ート22の圧着時の厚み変化率がグリーンシート21の
それと同等若しくは大きくても、ダミーグリーンシート
22の圧着時に基板表面が内層導体パターン23部分で
凸変形することが防がれ、焼成の前後で基板表面が平坦
になる。これにより、基板表面に後付けする導体パター
ンの信頼性や基板表面に実装するICチップの接合信頼
性を向上することができる。
力でグリーンシート21を圧着した後、その圧着体の両
面に100Kgf/cm2 の加圧力でダミーグリーンシ
ート22を圧着した場合のダミーグリーンシート22の
厚み変化率、焼成前の基板表面の凹凸、焼成後の基板表
面の凹凸の測定結果を示したものである。サンプルN
o.5は第2の実施形態に相当し、サンプルNo.6〜
8は比較例である。
場合には、グリーンシート21の厚み変化率が13%で
ある(表1参照)。サンプルNo.5は、ダミーグリー
ンシート22の厚み変化率がグリーンシート21の厚み
変化率(13%)より小さいため、グリーンシート21
を圧着する加圧力がダミーグリーンシート22を圧着す
る加圧力より小さくても、基板表面が内層導体パターン
23部分で凸変形することが基板両面のダミーグリーン
シート22によって抑えられ、基板表面の平坦度が確保
される。
ミーグリーンシート22の厚み変化率がグリーンシート
21の厚み変化率(13%)より大きいため、圧着時に
導体パターン23が存在する部分が凸となるように基板
表面(ダミーグリーンシート22)が変形してしまい、
基板表面に0.04〜0.06mm程度の凹凸が出来
た。このような基板表面の凹凸は、基板表面に後付けす
る導体パターンの信頼性を低下させたり、基板表面に実
装するICチップの接合信頼性を低下させる原因とな
る。
21は、MgO10〜55重量%、SiO2 45〜70
重量%、Al2 O3 0〜30重量%、不純物0〜10重
量%、及び外掛けでB2 O3 5〜20重量%を含むMg
O−SiO2 −Al2 O3 −B2 O3 系ガラス粉末50
〜65重量%と不純物が0〜10重量%のアルミナ粉末
50〜35重量%との混合物からなる低温焼成セラミッ
クにより形成したものである。これ以外の試験条件は上
述した実験1と同じである。
ーンシート21の厚み変化率との関係は下記の表4に示
されている。
第1の実施形態の製造方法を用いた例であり、100K
gf/cm2 の加圧力でグリーンシート21を圧着した
後、その圧着体の両面に50Kgf/cm2 の加圧力で
ダミーグリーンシート22を圧着した場合のダミーグリ
ーンシート22の厚み変化率、焼成前の基板表面の凹
凸、焼成後の基板表面の凹凸の測定結果を示したもので
ある。
合には、グリーンシート21の厚み変化率が15%であ
る(表4参照)。サンプルNo.9〜12は、グリーン
シート21を圧着する加圧力がダミーグリーンシート2
2を圧着する加圧力よりも大きいため、ダミーグリーン
シート22の圧着時の厚み変化率がグリーンシート21
のそれと同等若しくは大きくても、ダミーグリーンシー
ト22の圧着時に基板表面が内層導体パターン23部分
で凸変形することが防がれ、焼成の前後で基板表面が平
坦になる。
力でグリーンシート21を圧着した後、その圧着体の両
面に100Kgf/cm2 の加圧力でダミーグリーンシ
ート22を圧着した場合のダミーグリーンシート22の
厚み変化率、焼成前の基板表面の凹凸、焼成後の基板表
面の凹凸の測定結果を示したものである。サンプルN
o.13,14は第2の実施形態に相当し、サンプルN
o.15,16は比較例である。
場合には、グリーンシート21の厚み変化率が21%で
ある(表4参照)。サンプルNo.13,14は、ダミ
ーグリーンシート22の厚み変化率がグリーンシート2
1の厚み変化率(21%)より小さいため、グリーンシ
ート21を圧着する加圧力がダミーグリーンシート22
を圧着する加圧力より小さくても、基板表面が内層導体
パターン23部分で凸変形することが基板両面のダミー
グリーンシート22によって抑えられ、基板表面の平坦
度が確保される。
は、ダミーグリーンシート22の厚み変化率がグリーン
シート21の厚み変化率(21%)より大きいため、圧
着時に導体パターン23が存在する部分が凸となるよう
に基板表面(ダミーグリーンシート22)が変形してし
まい、基板表面に0.06mm程度の凹凸が出来た。
の材料として、CaO−SiO2 −Al2 O3 −B2 O
3 系又はMgO−SiO2 −Al2 O3 −B2 O3 系の
ガラス粉末とAl2 O3 粉末との混合物を用いたが、こ
れ以外にSiO2 −B2 O3系ガラスとAl2 O3 系、
PbO−SiO2 −B2 O3 系ガラスとAl2 O3 系、
コージェライト系結晶化ガラス等の1000℃以下で焼
成できるセラミック材料を用いても良い。
iO3 系化合物、BaTiO3 系化合物、CaTiO3
系化合物等の誘電体セラミックを用いてグリーンシート
を形成し、これを基板内層に積層してコンデンサを内蔵
させるようにしても良い。また、基板内層に、例えばR
uO2 系ペーストで形成した抵抗を内蔵させるようにし
ても良い。
層基板に限定されず、アルミナ、窒化アルミニウム等の
セラミック多層基板の製造にも適用可能である等、要旨
を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
の請求項1のセラミック多層基板の製造方法によれば、
グリーンシートを圧着する際の加圧力を次工程以降(ダ
ミーグリーンシート圧着及び加圧焼成)で使用する加圧
力よりも大きくしたので、基板表面の平坦度を向上する
ことができて、基板表面に後付けする導体パターンの信
頼性や基板表面に実装するICチップの接合信頼性を向
上することができる。
トを、圧着時の厚み変化率がグリーンシートのそれより
小さくなるように形成しているので、基板表面が内層導
体パターン部分で凸変形することを基板両面のダミーグ
リーンシートによって防止することができて、基板表面
の平坦度を向上することができる。
1000℃以下で焼成可能な低温焼成セラミックにより
形成したので、ダミーグリーンシートとして、比較的安
価なアルミナグリーンシートを使用でき、製造コスト低
減の要求も満たすことができる。
明する図
平面図
23…導体パターン。
Claims (3)
- 【請求項1】 導体パターンが形成された複数枚のグリ
ーンシートを重ね合わせて圧着する工程と、 この圧着体の両面に、前記グリーンシートより焼結温度
が高いダミーグリーンシートを圧着する工程と、 この圧着体を加圧しながら前記グリーンシートの焼結温
度で焼結する工程と、 この焼結体の両面に付着した前記ダミーグリーンシート
を除去する工程とを順に実行してセラミック多層基板を
製造する方法であって、 前記グリーンシートを圧着する際の加圧力を次工程以降
で使用する加圧力よりも大きくしたことを特徴とするセ
ラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項2】 導体パターンが形成された複数枚のグリ
ーンシートを重ね合わせて圧着する工程と、 この圧着体の両面に、前記グリーンシートより焼結温度
が高いダミーグリーンシートを圧着する工程と、 この圧着体を加圧しながら前記グリーンシートの焼結温
度で焼結する工程と、 この焼結体の両面に付着した前記ダミーグリーンシート
を除去する工程とを順に実行してセラミック多層基板を
製造する方法であって、 前記ダミーグリーンシートを、圧着時の厚み変化率が前
記グリーンシートのそれより小さくなるように形成した
ことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項3】 前記グリーンシートを、1000℃以下
で焼成可能な低温焼成セラミックにより形成したことを
特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック多層基板
の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05564696A JP3193626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | セラミック多層基板の製造方法 |
US08/810,089 US6042667A (en) | 1996-03-13 | 1997-03-03 | Method of fabricating ceramic multilayer substrate |
DE19710187A DE19710187B4 (de) | 1996-03-13 | 1997-03-12 | Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats |
DE19758797A DE19758797B4 (de) | 1996-03-13 | 1997-03-12 | Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP05564696A JP3193626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | セラミック多層基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09249460A JPH09249460A (ja) | 1997-09-22 |
JP3193626B2 true JP3193626B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=13004594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05564696A Expired - Lifetime JP3193626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3193626B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4441921B2 (ja) | 2005-05-10 | 2010-03-31 | 株式会社村田製作所 | 薄膜キャパシタの製造方法 |
KR100748238B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-08-09 | 삼성전기주식회사 | 무수축 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP05564696A patent/JP3193626B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH09249460A (ja) | 1997-09-22 |
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