JP4438385B2 - 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス - Google Patents

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005053009A1 (ja) * 2003-11-28 2005-06-09 Nec Corporation 多孔質絶縁膜及びその製造方法並びに多孔質絶縁膜を用いた半導体装置
TW200527536A (en) 2004-02-13 2005-08-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method for forming organic/inorganic hybrid insulation film
JP2006024670A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
TW200730660A (en) * 2005-04-08 2007-08-16 Taiyo Nippon Sanso Corp Materials for an insulation film and a method for forming a film using the same
WO2007032261A1 (ja) * 2005-09-13 2007-03-22 Nec Corporation 多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置
JP5355892B2 (ja) * 2005-09-16 2013-11-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法
JP4618086B2 (ja) * 2005-09-30 2011-01-26 東ソー株式会社 Ｓｉ含有膜及びその製造方法等
JP5093479B2 (ja) * 2005-11-24 2012-12-12 日本電気株式会社 多孔質絶縁膜の形成方法
JP2007221039A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 National Institute For Materials Science 絶縁膜および絶縁膜材料
US7531458B2 (en) * 2006-07-31 2009-05-12 Rohm And Haas Electronics Materials Llp Organometallic compounds
WO2008020592A1 (en) 2006-08-15 2008-02-21 Jsr Corporation Film-forming material, silicon-containing insulating film and method for forming the same
WO2008029956A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Dispositif de circuit intégré semiconducteur et procédé de formation de câble
US20090278178A1 (en) * 2006-12-12 2009-11-12 Nec Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
KR20090119903A (ko) 2007-02-14 2009-11-20 제이에스알 가부시끼가이샤 규소 함유 막 형성용 재료, 및 규소 함유 절연막 및 그의 형성 방법
JP2008274365A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス
JP5015705B2 (ja) * 2007-09-18 2012-08-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置
JPWO2009119583A1 (ja) * 2008-03-26 2011-07-28 Jsr株式会社 化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法
JP2009277686A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 絶縁膜の成膜方法および絶縁膜
JP2012516286A (ja) * 2008-12-18 2012-07-19 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド 少なくとも２種類の異なるシクロアルキルメチコンを含有する組成物とその使用
JP4379637B1 (ja) 2009-03-30 2009-12-09 Ｊｓｒ株式会社 有機ケイ素化合物の製造方法
JP2011111635A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Tosoh Corp 炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜、及びその用途
JP6014971B2 (ja) 2010-06-18 2016-10-26 東ソー株式会社 典型金属含有ポリシロキサン組成物、その製造方法、およびその用途
JP5838744B2 (ja) * 2010-12-15 2016-01-06 東ソー株式会社 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途
JP2011116758A (ja) * 2010-12-22 2011-06-16 Tosoh Corp 有機シラン化合物、その製法、それを含むＳｉ含有膜形成材料、および成膜方法
JP6007662B2 (ja) 2011-09-05 2016-10-12 東ソー株式会社 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途
JP6131575B2 (ja) * 2011-12-22 2017-05-24 東ソー株式会社 環状シロキサン化合物の製造方法およびジシロキサン化合物
JP6032504B2 (ja) * 2012-07-17 2016-11-30 トヨタ自動車株式会社 リチウム二次電池およびその製造方法
JP2015155521A (ja) * 2014-01-14 2015-08-27 東ソー株式会社 環状シロキサン組成物、その製造方法、及びその用途
JP6862049B2 (ja) * 2017-03-31 2021-04-21 東ソー株式会社 環状シロキサン化合物、その製造方法、それを用いてなる電気絶縁膜の製造法及び膜
KR20240016956A (ko) * 2021-05-31 2024-02-06 도소 가부시키가이샤 평탄화막의 제조 방법, 평탄화막용 재료 및 평탄화막

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