JP4403964B2

JP4403964B2 - 光トランシーバ

Info

Publication number: JP4403964B2
Application number: JP2004379588A
Authority: JP
Inventors: 主鉉柳; 欣哉山嵜; 秀貴川内; 天平井上; 弘樹片山
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2004-12-28
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2024-12-28
Also published as: CN1797052A; US7347635B2; US20060140551A1; CN100460910C; JP2006184708A

Description

本発明は、光学サブアセンブリを用いた光トランシーバに係り、組み立て時の作業性を向上すると共に不具合が少なく、放熱性の良い光トランシーバに関する。

光通信に用いられる光トランシーバは、光送信モジュールと光受信モジュールとを１つの筐体に収容したものである。光送信モジュールと光受信モジュールは、電気的な機能が送受逆である他は機械的に類似の構造をしている。すなわち、これらの光送受信モジュールは、発光素子又は受光素子（以下、光素子と称す）を収容したパッケージにレンズ筒等の光学系を組み合わせたものである。上記パッケージに光素子冷却用のペルチェ素子を収容した光送受信モジュールもある。光素子やペルチェ素子は半導体チップの形で使用されているので、以下、チップと総称する。筐体には、通信路となる光ファイバの一端を挿入するための窓が形成され、この窓内に光ファイバを正しく光路に位置させるためのレセプタクルが設けられる。レセプタクルは単なる筒であるが、その内部空間に光素子に向かう光路を構成している重要な部品である。このレセプタクルをあらかじめ光送受信モジュールに一体化しておくことで、光トランシーバの組み立て工程を簡素化することができる。以下では、この種の一体化部品を光学サブアセンブリと呼ぶ。

図４に示されるように、従来の光学サブアセンブリ４１は、光送受信用のチップを内蔵して円筒形を呈するチップ内蔵部４１ａとそのチップ内蔵部４１ａの一端から延出された光路を構成しているレセプタクル部４１ｂとを一体的に形成したものである。この光学サブアセンブリ４１を筐体４３（一部のみ示す）の中に位置決めして固定するために、サブアセンブリ押さえ部材４４が用いられる。サブアセンブリ押さえ部材４４は、レセプタクル部４１ｂを挿入する穴を有する前規制部４４ｂと、チップ内蔵部４１ａを載置するベース（図示せず）とを一体的に形成したものである。レセプタクル部４１ｂには途中に経の太いフランジ４１ｃがあり、前規制部４４ｂの穴にはフランジ４１ｃを嵌め込む溝があるので、光学サブアセンブリ４１はサブアセンブリ押さえ部材４４に位置決めされると共に保持される。なお、ベースのより詳しい形状は、特許文献１に示されている。ベースには、円筒形を呈するチップ内蔵部４１ａを安定的に受け止めるために、丸く窪んだ受け止め部が形成される。また、ベースがなく前規制部４４ｂだけで構成するサブアセンブリ押さえ部材４４もある（図５、図６はこのタイプ）。

図４の構成では、サブアセンブリ押さえ部材４４の下面は光学サブアセンブリ４１の下面よりも低い位置にある。これは、光学サブアセンブリ４１をサブアセンブリ押さえ部材４４に保持させ、サブアセンブリ押さえ部材４４を筐体４３に固定するという考えによるものである。光学サブアセンブリ４１は筐体４３には直接接しない。

一方、光学サブアセンブリ４１には、チップ内蔵部４１ａのほうの端部に、チップの諸電極に導通するリード（図示せず）が露出されており、これらのリードは基板（図示せず）に半田付けして導通が図られている。

光トランシーバの組み立て順序としては、図５に示されるように、あらかじめ光学サブアセンブリ５１に基板２を接続しておき、その光学サブアセンブリ５１にサブアセンブリ押さえ部材５４を嵌め付け、これらを一緒にして筐体５３に組み込む。なお、サブアセンブリ押さえ部材５４は上下半割りになっており、レセプタクル部を挟むようにして光学サブアセンブリ５１を保持することができる。

特開２００４−１０３７４３号公報

前述した組み立て手順から分かるように、光学サブアセンブリ５１と基板２は一緒にして筐体５３に組み込む。しかし、光学サブアセンブリ５１と基板２の両者は電気的接続を主目的とするリードと基板上の電極とが半田付けされているのみであり、決して剛に一体化されているわけではない。加えて、光学サブアセンブリ５１はレセプタクル部を有する関係でリードから遠ざかる方向に長く伸び、基板２もまた反対方向に長く伸びている。このため光学サブアセンブリ５１と基板２を一緒に移送して筐体５３に持ち込む間、両者の不安定な状態が続くことになる。この間の振動や重量バランスによる歪みの力が半田付け部分に集中するのは明らかである。

こうした歪みの力がリードを破損するようではもちろん不具合であり、光トランシーバの歩留まりが悪くなる。また、このような目に見える不具合に至らなくても、リードや半田にクラックが生じたりチップ内蔵部内のチップが無用な歪みを受けたりすると、通信性能や耐久性上に不具合が生じ、信頼性が悪くなる。

また、高速大容量通信にあってはチップの消費電力が大きくなるため発熱が大きくなり、光学サブアセンブリから筐体へ効率良く熱を排出する放熱部材を必要とすることがある。放熱部材として放熱シートが簡便に使用される。すなわち、図６のようにサブアセンブリ押さえ部材４４は直接筐体内底部６３ｅに接するのではなく、筐体内底部６３ｅとの間に放熱シート８を挟んでいる。光学サブアセンブリ４１はサブアセンブリ押さえ部材４４との下面の高さの違いにより放熱シート８には密には接しない。しかし、放熱シート８には有限の厚みがあり、また、多少の弾性も備えているので、図示しない筐体上蓋あるいはベースに対向する上部ベースでもってサブアセンブリ押さえ部材４４及び光学サブアセンブリ４１を上から下へ押しつけると、サブアセンブリ押さえ部材４４下の放熱シート８が潰れて光学サブアセンブリ４１が放熱シート８に強く接するようになる。すると、押しつける力のバランスにより筐体全体あるいはサブアセンブリ押さえ部材４４あるいは光学サブアセンブリ４１などに歪みが生じる。この歪みが、リード４６と基板２との接続部に伝わって力が半田付け部分に集中する。また、光学サブアセンブリ４１内部の光素子、光学系にも力が伝わり、光軸ズレによる光出力減少を招いてしまうため、信頼性が悪くなる。

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、組み立て時の作業性を向上すると共に不具合が少なく、放熱性の良い光トランシーバを提供することにある。

上記目的を達成するために本発明は、光送受信用のチップを内蔵したチップ内蔵部とそのチップ内蔵部の一端から延出された光路を構成しているレセプタクル部とを一体的に形成した光学サブアセンブリを、該光学サブアセンブリの上記チップ内蔵部の他端に電気的に接続された基板と共に、光トランシーバ用筐体に収容して形成される光トランシーバにおいて、
上記レセプタクル部を嵌め込む溝を有する前リブと上記基板を載置して固定するための後リブとこれら前後のリブを繋ぐ側リブとを一体的に形成した上記光学サブアセンブリの固定用部材を用い、上記光学サブアセンブリのレセプタクル部を上記固定用部材の前リブの溝に嵌め込み、上記基板を上記固定用部材の後リブに載置して固定することにより、上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とを一体化し、該一体化した上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とを上記光トランシーバ用筐体に収容したものである。

上記光トランシーバ用筐体に、上記前リブを光軸方向前方から動きを規制する前規制部と、上記後リブを光軸方向後方から動きを規制する後規制部とを形成してもよい。

上記光トランシーバ用筐体内の底部に放熱シートを敷き、上記放熱シートに上記固定用部材の下面を対向させて上記光トランシーバ用筐体に上記固定用部材を組み込むことにより、上記光学サブアセンブリの下面を上記固定用部材の下面と同じ位置に、または上記固定用部材の下面より突き出させ、上記放熱シートに上記光学サブアセンブリの下面を接させてもよい。

上記光トランシーバ用筐体の底部に上記固定用部材の下に位置して上に隆起するストッパを設け、上記光学アセンブリを固定した固定用部材が上記ストッパに接触することにより、上記光学サブアセンブリが下方に所定距離以上変位するのを規制してもよい。

上記光トランシーバ用筐体内の前規制部と上記固定用部材の前リブとの間に、弾性を有するシールド部材を挟み込んでもよい。

上記光学サブアセンブリと上記基板とがリードによって接続されており、上記光学サブアセンブリが上記放熱シートを自然厚の状態から圧縮する方向に所定の距離だけ変位させて実装される位置を上記光学サブアセンブリの基準位置とし、上記光トランシーバ用筐体に上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とが実装された実装状態において、上記光学サブアセンブリが基準位置にあるとしたときに上記リードがあるべき位置から実装状態における上記リードの位置までの上記リードの上記放熱シートの厚み方向への変位量が±０．１ｍｍ以下であってもよい。

本発明は次の如き優れた効果を発揮する。

（１）光学サブアセンブリを保持している固定用部材に基板が固定されるので、組み立て時の不具合が少なくできる。

（２）光学サブアセンブリ等に歪みが生じないので、信頼性が高まる。

以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示されるように、本発明に係る光トランシーバは、光送受信用のチップを内蔵したチップ内蔵部１ａとそのチップ内蔵部１ａの一端から延出された光路を構成しているレセプタクル部１ｂとを一体的に形成した光学サブアセンブリ１を、該光学サブアセンブリ１のチップ内蔵部１ａの他端に電気的に接続された基板２と共に光トランシーバ用筐体（以下、単に筐体という）３に収容して形成される光トランシーバにおいて、上記レセプタクル部１ｂを嵌め込む溝４ａを有する前リブ４ｂと上記基板２が固定される後リブ４ｃとこれら前後のリブ４ｂ，４ｃを繋ぐ側リブ４ｄとを一体に形成した固定用部材４を設けたものである。

固定用部材４は、前リブ４ｂの両端と後リブ４ｃの両端とを２つの側リブ４ｄで繋いでおり、これら４つのリブが枠のようになり、枠で囲まれた内側がチップ内蔵部１ａを入れる空間となっている。あるいは３つのリブでアーム構造、すなわち枠の一方が開放された形状としてもよい。レセプタクル部１ｂの途中にフランジ１ｃがあるため、前リブ４ｂの溝４ａにはフランジを収容する径の広い部分４ｆが形成されている。なお、この図では前リブ４ｂの高さはレセプタクル部１ｂの下面に届かない程度である。これは前リブ４ｂの上方より半割になった前リブの片割れ（図示せず）を後で被せる方式だからである（図５のサブアセンブリ押さえ部材５４を参照）。

後リブ４ｃの上面は平坦になっており、この上面に基板２が載せられ、ネジ５を使って基板２が固定されている。

筐体３は、筐体３の外殻をなす底板３ａおよび図示しない側板を有し、上部は図示しない上蓋で閉じられるようになっている。この筐体３には、前リブ４ｂを光軸方向前方から動きを規制する壁状の前規制部３ｂと、後リブ４ｃを光軸方向後方から動きを規制するべく底板３ａから立ち上げた突起状の後規制部３ｃとを形成してある。後規制部３ｃの個数や配置は後リブ４ｃが光軸方向後方にずれないようにすることができれば何箇所でもどこに配置してもよい。

筐体３の底部３ｅには、上に隆起したストッパ３ｆが形成されている。このストッパ３ｆは、固定用部材４の前リブ４ｂの下に位置する。

光学サブアセンブリ１と基板２との電気的接続とは、背景技術で述べたように、リード６を基板２上に半田付けすることである。なお、この図ではリード６がリードフォーミングしてあるが、これには限定されず、光学サブアセンブリ１からリード６が出ている高さと基板２の高さが一致していればリードフォーミングしなくても半田付けすることができる。

次に、本発明に係る光トランシーバの組み立ての様子を説明する。

図２の光トランシーバは、底板がなく上板２３ａと側板２３ｂからなる筐体２３に対し、底の開口から光学サブアセンブリ１等の部品を筐体２３に組み込んで、図示しない底蓋で閉じる形態である。図１のものとは上下逆になるが本発明に関しては同等のものである。

組み立て順に説明すると、レセプタクル部１ｂを前リブ４ｂに嵌め込み、前リブの片割れ（図示せず）を被せて光学サブアセンブリ１を固定用部材４に固定する。次いで、基板２を後リブ４ｃに載せ、ネジ（図示せず）を使って固定する。以上により、光学サブアセンブリ１と基板２が共に固定用部材４に固定されたことになる。そこで、光学サブアセンブリ１から出ているリード（図示せず）を基板２上に半田付けする。これを中間アセンブリ２７と呼ぶことにする。

この中間アセンブリ２７を移送して筐体２３に持ち込む。筐体２３には前リブ４ｂを光軸方向前方から規制する前規制部と、後リブ４ｃを光軸方向後方から規制する後規制部とを形成してある（この図の形態では後規制部は筐体２３の内部において上板２３ａから下方向に突き出ている。）ので、中間アセンブリ２７は前規制部と後規制部とに挟み込まれることになる。その後、筐体２３を図示しない底蓋で閉じる。

この組み立て手順から分かるように、光学サブアセンブリ１と基板２は剛に一体化して中間アセンブリ２７にしてから筐体２３に組み込む。よって、中間アセンブリ２７を移送して筐体２３に持ち込む間、振動や重量バランスによる歪みの力が半田付け部分に集中することがなくなり、リードの破損がなくなって歩留まりが向上することはもちろん、リードや半田にクラックが生じたりチップ内蔵部内のチップが無用な歪みを受けたりすることがなくなるので、通信性能や耐久性を高く維持して信頼性を高めることができる。

次に、放熱シートを設ける形態について説明する。図１（ｂ）に示されるように、筐体内の底部３ｅに放熱シート８を敷く。このとき、図３に示されるように、光学サブアセンブリ１の下面１ｅを固定用部材４の下面４ｅより低い位置に突き出させる。このためには、レセプタクル部１ｂのフランジ１ｃを位置決め保持する前リブ４ｂの溝４ａ（図１参照）の深さを決めておけばよい。これにより、レセプタクル部１ｂの高さが固定用部材４の所定の位置に来ることで光学サブアセンブリ１の所定の面である下面１ｅを固定用部材４の外側表面である下面４ｅと同じ位置、または低い位置に持ってくることができる。その結果、放熱シート８に光学サブアセンブリ１の下面１ｅが接することになる。放熱シート８の下は筐体３内の底部となっているから、固定用部材４の下面４ｅと筐体３内の底部との隙間が光学サブアセンブリ１の下面１ｅと筐体３内の底部との隙間と同じかまたは大きい。

この状況を図６と比較すると、図３の場合は、図示しない筐体上蓋でもって固定用部材４または光学サブアセンブリ１を上から下へ押しつけると、光学サブアセンブリ１の下面１ｅが固定用部材４の下面４ｅより少し下側に突き出した構造であって、一方、筐体内の底部３ｅにストッパ３ｆ（図５参照）がある。この位置関係を図７に詳しく示す。

図７（ａ）に示されるように、筐体３の上蓋３ｇの下面３ｈから底部３ｅまでの間には、上部放熱シート１０、光学サブアセンブリ１のチップ内蔵部１ａ、放熱シート８がそれぞれ密着して重なっている。上部放熱シート１０はこれまで説明をしていなかったが、放熱シート８と同様に光学サブアセンブリ１から筐体３へ効率良く熱を排出する放熱部材である。固定用部材４は底部３ｅに接していない。また、基板２はリード６を介してチップ内蔵部１ａに接続されている。

図７（ｂ）に示されるように、ストッパ３ｆは筐体３の側壁内面３ｋに沿ったところに設けられている。放熱シート８は、ストッパ３ｆに当たらないよう、ストッパ周辺部８ａが切り欠いてある。

ここで、ストッパ高さ（底部３ｅからストッパ３ｆの上面までの距離）をｔ１、ストッパ間隔（ストッパ３ｆの上面から光学サブアセンブリ１の下面１ｅまでの距離）をｔ２、下部間隔（底部３ｅから光学サブアセンブリ１の下面１ｅまでの距離）をｔ３、上部間隔（光学サブアセンブリ１の上面から上蓋３ｇの下面３ｈまでの距離）をｔ４とする。

具体的な数値として、
ストッパ高さｔ１＝０．３ｍｍ
放熱シート８の厚さ（自然厚）＝０．５ｍｍ
下部間隔ｔ３の目標値＝０．４ｍｍ
上部間隔ｔ４の目標値＝０．３５ｍｍ
上部放熱シート１０の厚さ（自然厚）＝０．５ｍｍ
を与えて考える。

筐体３に放熱シート８と光学サブアセンブリ１と上部放熱シート１０を収納して、まだ上蓋３ｇを載せない状態では放熱シート８が自然厚であり、その上に光学サブアセンブリ１が載り、さらにその上にやはり自然厚の上部放熱シート１０が載った状態（自然厚状態という）である。放熱シート８が自然厚であるから下部間隔ｔ３は目標値０．４ｍｍよりも０．１ｍｍ広い０．５ｍｍである。この自然厚状態（つまり放熱シート８が自然厚０．５ｍｍ）から光学サブアセンブリ１を放熱シート８に押しつけて、光学サブアセンブリ１の高さ位置（下部間隔ｔ３）が目標値である０．４ｍｍになる位置を光学サブアセンブリ１の基準位置とする。実際の実装状体において光学サブアセンブリ１が基準位置より変位していれば、その変位の大きさを変位量と呼ぶことにする。

その後、上蓋３ｇを載せ、図示しないネジ等により上蓋３ｇを筐体３に固定するとき、光学サブアセンブリ１は上部放熱シート１０を介して上から押しつけられて下方変位する。放熱シート８ももちろん光学サブアセンブリ１によって上から押しつけられて圧縮される。光学サブアセンブリ１がちょうど０．１ｍｍ変位したとき、下部間隔ｔ３は目標値０．４ｍｍとなり、光学サブアセンブリ１は基準位置にくる。

しかし、実際には、各部品の寸法誤差などにより、光学サブアセンブリ１がぴったり基準位置にくるとは限らず、基準位置よりも上方（＋方向とする）又は下方（−方向とする）へ変位することがある。

このとき、ストッパ３ｆがあることで、光学サブアセンブリ１の変位量が制限される。具体的には、
ｔ２＝下部間隔ｔ３の目標値−ストッパ高さｔ１
＝０．４ｍｍ−０．３ｍｍ
＝０．１ｍｍ
である。ストッパ間隔ｔ２がこのように０．１ｍｍであるとき、光学サブアセンブリ１の変位量の最大値も０．１ｍｍとなる。つまり、光学サブアセンブリ１は０．１ｍｍ以上変位しない。このことから、光学サブアセンブリ１の変位量は０．１ｍｍ以下に制限される。

一方、各部品の寸法誤差などにより、上部放熱シート１０のみが圧縮されて、放熱シート８が圧縮されない場合もある。この場合、光学サブアセンブリ１は基準位置よりも上方向に０．１ｍｍ変位していることになる。詳しく説明すると、理想的には放熱シート８が自然厚０．５ｍｍから下部間隔ｔ３の目標値０．４ｍｍへ、つまり０．１ｍｍ圧縮され、上部放熱シート１０が自然厚０．５ｍｍから上部間隔ｔ４の目標値０．３５ｍｍへ０．１５ｍｍ圧縮される。このように、上部放熱シート１０が０．１５ｍｍ圧縮されても放熱シート８が０．１ｍｍ以上圧縮されない理由は、放熱シートの材質の違いによる。すなわち、放熱シート８は上部放熱シート１０より硬い材料からなる。また、放熱シート８は上部放熱シート１０より熱伝導率が高い。例えば、上部放熱シート１０を０．１ｍｍ圧縮するのに０．３ｋｇｆ／ｃｍ²を要するのに対して、放熱シート８を０．１ｍｍ圧縮するのに１．１ｋｇｆ／ｃｍ²を要する。このように、放熱シート８と上部放熱シート１０との硬さの違いにより、上蓋３ｇが押し下げられる力は主として上部放熱シート１０を圧縮することに働く。このとき、放熱シート８が全く圧縮されないとしても、光学サブアセンブリ１は上部放熱シート１０が自然厚状態のときより下に位置するから、光学サブアセンブリ１が基準位置より＋０．１ｍｍ以上変位することが防止される。

図７（ｂ）のように、放熱シート８は、ストッパ３ｆに当たらないよう、ストッパ周辺部８ａが切り欠いてあるので、ストッパ３ｆは放熱シート８に当たることがない。

ストッパ３ｆの目的は、光学サブアセンブリ１の変位量を制限することである。しかし、図７（ａ）のように、ストッパ３ｆは固定用部材４の前リブ４ｂの下に配置されている。これは、光学サブアセンブリ１において、チップ内蔵部１ａとレセプタクル部１ｂとを調心する際に高さ方向のズレを生じるので、レセプタクル部１ｂの位置を光学サブアセンブリ１の位置の基準として決めているからである。よって、ストッパ３ｆは光学サブアセンブリ１の下ではなく、前リブ４ｂの下に配置されている。

光学サブアセンブリ１のレセプタクル部１ｂが固定用部材４に固定されており、光学サブアセンブリ１のチップ内蔵部１ａから出ているリード６に基板２が半田付けされており、その基板２は固定用部材４にネジ５により固定されている。つまり、光学サブアセンブリ１と基板２とが一体なので、光学サブアセンブリ１の下方変位に伴い基板２も下方変位するが、光学サブアセンブリ１の変位量（下方変位の大きさ）が０．１ｍｍ以下であるということは、基板２の変位量も０．１ｍｍ以下であり、もちろん光学サブアセンブリ１の一部であるリード６の変位量も０．１ｍｍ以下となる。このような実装構造により、リード６にかかる応力を小さくすることができる。

本発明は、光学サブアセンブリ１が基準位置にあるとしたときにリード６があるべき位置から実装上体におけるリード６の位置まで、リード６の変位量が０．１ｍｍ以下であることが好ましい。なぜなら、各部品１ａ，１ｃ，２，４，６には、それぞれ寸法誤差があり、光学サブアセンブリ１あるいは中間アセンブリ２７（図２）を組み立てたとき、光学サブアセンブリ１あるいは中間アセンブリ２７は個体ごとに寸法が異なる。従って、中間アセンブリ２７を筐体３に実装すると、それぞれの部品１ａ，１ｃ，２，４，６にそれぞれ異なる変位量が発生する。しかし、リード６の変位量が上方向または下方向に０．１ｍｍ以下であれば、光トランシーバの電気的な性能に関する信頼性を高めることができる。

次に、シールド部材を設ける形態について説明する。図２に示されるように、シールド部材９は、金属あるいは導電性樹脂などの導電性を有する材料からなり、かつ弾性を有する材料（ゴムなど）または構造（バネなど）で形成されたものである。シールド部材９は、固定用部材４の前リブ４ｂの前面に設けられる。シールド部材９には、前リブ４ｂから突き出ているレセプタクル部１ｂを通すための２つの穴が形成されているので、この穴にレセプタクル部１ｂを通し、シールド部材９を前リブ４ｂに当てることにより、前リブ４ｂの前面は隅までシールド部材９で覆われる。図２に示されるように、筐体２３には光ファイバ側のコネクタ（図示せず）を挿入するための断面角形の通路２３ｆが形成されるため、この通路２３ｆが不要輻射の通り道になってしまうが、前リブ４ｂの前面が隅までシールド部材９で覆われることにより、可能な極限まで（レセプタクル部１ｂの内側は不可能）電磁遮蔽が達成される。よって、高速大容量通信などにおいて通電部からの不要輻射が外部に漏れないようにすることができる。

図１にはシールド部材を示さなかったが、シールド部材は筐体３内の前規制部３ｂと固定用部材４の前リブ４ｂとの間に挟み込まれることになる。このときシールド部材が弾性を有することにより、シールド部材と筐体３内の前規制部３ｂとが密に接するようになり、遮蔽効果がいっそう高まる。

また、固定用部材４を用いることにより、シールド部材が容易に、かつ前方からの力をリードに集中させることなく取り付けられる。

さらに、弾力性を有するシールド部材を用いることで発生する応力を小さくすることができる。

なお、実施の形態では、筐体３の底面３ｅに光学サブアセンブリ１を固定するものとしたが、筐体３の上面や側面に光学サブアセンブリ１を固定することも可能であり、その場合でも筐体３の上面や側面に放熱シートを敷き、その放熱シートに光学サブアセンブリ１の上面や側面が接するようにすれば、本発明は実施できる。

本発明の一実施形態を示す光トランシーバの図であり、（ａ）は筐体を省略した上面図、（ｂ）は筐体も含めた側断面図である。本発明の一実施形態を示す光トランシーバの分解組み立て斜視図である。本発明の一実施形態を示す光トランシーバの側断面図である。背景技術の光トランシーバの側断面図である。背景技術の光トランシーバの分解組み立て斜視図である。背景技術の光トランシーバの側断面図である。（ａ）は本発明の光トランシーバにおいて筐体内で光学サブアセンブリが占める上下位置を示した図、（ｂ）は筐体内の放熱シートを上から見た図である。

符号の説明

１光学サブアセンブリ
１ａチップ内蔵部
１ｂレセプタクル部
２基板
３筐体
４固定用部材
４ａ溝
４ｂ前リブ
４ｃ後リブ
４ｄ側リブ

Claims

光送受信用のチップを内蔵したチップ内蔵部とそのチップ内蔵部の一端から延出された光路を構成しているレセプタクル部とを一体的に形成した光学サブアセンブリを、該光学サブアセンブリの上記チップ内蔵部の他端に電気的に接続された基板と共に、光トランシーバ用筐体に収容して形成される光トランシーバにおいて、
上記レセプタクル部を嵌め込む溝を有する前リブと上記基板を載置して固定するための後リブとこれら前後のリブを繋ぐ側リブとを一体的に形成した上記光学サブアセンブリの固定用部材を用い、上記光学サブアセンブリのレセプタクル部を上記固定用部材の前リブの溝に嵌め込み、上記基板を上記固定用部材の後リブに載置して固定することにより、上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とを一体化し、該一体化した上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とを上記光トランシーバ用筐体に収容したことを特徴とする光トランシーバ。
上記光トランシーバ用筐体に、上記前リブを光軸方向前方から動きを規制する前規制部と、上記後リブを光軸方向後方から動きを規制する後規制部とを形成したことを特徴とする請求項１記載の光トランシーバ。
上記光トランシーバ用筐体内の底部に放熱シートを敷き、上記放熱シートに上記固定用部材の下面を対向させて上記光トランシーバ用筐体に上記固定用部材を組み込むことにより、上記光学サブアセンブリの下面を上記固定用部材の下面と同じ位置に、または上記固定用部材の下面より突き出させ、上記放熱シートに上記光学サブアセンブリの下面を接させたことを特徴とする請求項１又は２記載の光トランシーバ。
上記光トランシーバ用筐体の底部に上記固定用部材の下に位置して上に隆起するストッパを設け、上記光学アセンブリを固定した固定用部材が上記ストッパに接触することにより、上記光学サブアセンブリが下方に所定距離以上変位するのを規制することを特徴とする請求項３記載の光トランシーバ。
上記光トランシーバ用筐体内の前規制部と上記固定用部材の前リブとの間に、弾性を有するシールド部材を挟み込んだことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の光トランシーバ。
上記光学サブアセンブリと上記基板とがリードによって接続されており、上記光学サブアセンブリが上記放熱シートを自然厚の状態から圧縮する方向に所定の距離だけ変位させて実装される位置を上記光学サブアセンブリの基準位置とし、上記光トランシーバ用筐体に上記光学サブアセンブリと上記基板と上記固定用部材とが実装された実装状態において、上記光学サブアセンブリが基準位置にあるとしたときに上記リードがあるべき位置から実装状態における上記リードの位置までの上記リードの上記放熱シートの厚み方向への変位量が±０．１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の光トランシーバ。