JP4387576B2 - アクティブ・マトリックス発光ダイオード・ディスプレイ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブ・マトリックス・ディスプレイ装置に関するものであり、とりわけ、アクティブ・マトリックス・ディスプレイの各ピクセル内に配置された駆動回路要素に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
2次元フラット・パネル・ディスプレイを形成するために、有機発光ダイオード(OLED)のアレイが利用されている。化合物半導体から製造される従来の発光ダイオード(LED)と比較すると、OLEDのパターン形成は低コストで、容易であるため、コンパクトで、高解像度のアレイが実用的になる。OLEDは、モノクロまたはカラー・ディスプレイの形成にも適しており、透明基板または半導体基板に形成することも可能である。
【0003】
当該技術において既知のように、OLED及びLEDのアレイは、一般に、パッシブ・マトリックス・アレイまたはアクティブ・マトリックス・アレイとして分類される。パッシブ・マトリックス・アレイの場合、電流駆動回路が、アレイ外部にあり、アクティブ・マトリックス・アレイの場合、電流駆動回路には、各ピクセル内に形成された1つ以上のトランジスタが含まれている。パッシブ・マトリックス・アレイに対するアクティブ・マトリックス・アレイの利点は、アクティブ・マトリックス・アレイが、パッシブ・マトリックスほど大きいピーク電流を必要としないという点である。大ピーク電流は、利用可能なOLEDの発光効率を低下させるので、一般に望ましくない。アクティブ・マトリックスの透明導電層は、連続したシートとすることができるので、アクティブ・マトリックス・アレイの場合、パッシブ・マトリックスのパターン形成された透明導体の場合に生じる電圧降下問題も軽減される。
【0004】
図1及び2は、従来技術において既知のアクティブ・マトリックス・ピクセルを描いたものである。言うまでもなく、個々のアクティブ・マトリックス・ピクセルは、説明のために示されたものであるが、図1及び2に示された個々のアクティブ・マトリックス・ピクセルは、一般に、ディスプレイを形成するために、互いに近接して配置されたピクセル・アレイの一部である。図1及び2に示すように、アクティブ・マトリックス・ピクセルのそれぞれには、アドレス・ライン102及び202、データ・ライン104及び204、アドレス・トランジスタ106及び206、駆動トランジスタ108及び208、蓄積ノード110及び210、及び、OLED112及び212が含まれている。アドレス・ラインによって、ピクセルを個別にアドレス指定することが可能になり、データ・ラインによって、駆動トランジスタを起動するための電圧が得られる。アドレス・トランジスタは、データ・ラインから蓄積ノードへのデータの書き込みを制御する。蓄積ノードは、コンデンサによって表されているが、駆動トランジスタのゲート・キャパシタンス及びアドレス・トランジスタの接合キャパシタンスによって、蓄積ノードにとって十分なキャパシタンスを得ることができるので、独立したコンポーネントとする必要はない。図示のように、OLEDは、駆動電圧(VLED)に接続されており、OLEDを流れる電流は、駆動トランジスタによって制御される。電流が駆動トランジスタを通って流れるようにすると、OLEDは、矢印114及び214によって示すように、光束と呼ばれる光を放出する。
【0005】
図1を参照すると、OLED112のカソードが接地される場合は、PMOSトランジスタが望ましく、図2を参照すると、OLED212のアノードが電源電圧(VLED)に接続される場合は、NMOSトランジスタが望ましい。図1及び2に示すようにPMOS及びNMOSトランジスタを使用すると、駆動トランジスタ108及び208のゲート・ソース間電圧が、OLEDの両端における電圧降下に感応しなくなり(すなわち、影響をうけなくなり)、従って、OLEDによって放出される光114及び214の均一性が向上する。
【0006】
従来技術によるアクティブ・マトリックス・ピクセルの動作については、図2に示すアクティブ・マトリックス・ピクセル構成に関連して説明するが、同じ概念は、図1のアクティブ・マトリックス・ピクセルにも当てはまる。図2に示すアクティブ・マトリックス・ピクセルは、アナログ・ダイナミック・メモリ・セルの働きをする。アドレス・ライン202が高(ハイ)の場合、データ・ライン204によって、駆動トランジスタ208のゲートを含む、蓄積ノード210の電圧がセット(設定)される。蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタのしきい値電圧を超えると、駆動トランジスタが導通し、OLED212は、蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタのしきい値電圧未満に降下するか、あるいは、蓄積ノードの電圧が、アドレス・トランジスタ206によってリセットされるまで、光214を放出する。蓄積ノードの電圧は、一般に、アドレス・トランジスタの接合、及び、駆動トランジスタのゲート誘電体からの漏洩のために降下する。しかし、アドレス及び駆動トランジスタにおける漏洩が十分に少なく、蓄積ノードにおけるキャパシタンスが大きければ、OLEDを通る電流は、蓄積ノードに次の電圧がセットされるまで、比較的一定に保たれる。例えば、電圧は、一般に、当該技術において既知の一定のリフレッシュ間隔でリセットされる。蓄積ノードは、リフレッシュ間隔における漏洩を見込んで、十分な電荷を蓄積ノードに蓄積しなければならないことを示すため、コンデンサとして表されている。上述のように、駆動トランジスタのゲート・キャパシタンス及びアドレス・トランジスタの接合キャパシタンスで十分な可能性があるので、コンデンサは、必ずしも独立したコンポーネントを表すとは限らない。
【0007】
図2のアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合、蓄積ノード210の電圧によって、OLED212によって発生する光214の強度が決まる。OLEDの強度−電流関係と駆動トランジスタ208のゲート電圧−電流関係が既知の場合、方法の1つによれば、蓄積ノードに対応する電圧を加えることによって、所望の光強度が生じる。蓄積ノードにおける電圧のセッティングは、一般に、デジタル・アナログ変換器を利用して、対応するデータ・ライン204に電圧を確立することによって実施される。代替方法の場合、まず、データ・ラインを接地することによって、蓄積ノードの放電が行われ、次に、データ・ラインがCMOS供給電圧(Vdd)にセットされる。後者の方法を利用すると、アドレス・トランジスタ202は、電流源として機能し、アドレス・ラインを低(ロー)にセットすることによって蓄積ノードが分離されるまで、蓄積ノードに充電を行う。後者の方法によれば、各データ・ライン毎にデジタル・アナログ変換器を必要としなくてすむという利点が得られる。しかし、後者の方法の欠点の1つは、単一ピクセル内の蓄積ノード・キャパシタンスが、トランジスタのゲート及び接合によって供給される場合、電圧の非線形関数になるという点である。もう1つの欠点は、各ピクセルの蓄積ノード・キャパシタンスが、アレイのピクセル間において変動するという点である。
【0008】
上述のように、図2のOLED212から所望の光束を得るため、データ・ライン204の電圧を調整して、駆動トランジスタ208を流れる電流が制御される。あいにく、駆動トランジスタを流れる電流は、駆動トランジスタのしきい値電圧及び相互コンダクタンスといった、駆動トランジスタの特性によっても左右される。高解像度ディスプレイを製作するために必要とされるような、駆動トランジスタの大規模なアレイでは、しきい値電圧及び相互コンダクタンスに変動が生じ、これによって、同じ制御電圧に対してOLEDの駆動電流が異なる場合がしばしばあり、このため、さらに、表示が不均一に見えることになる。さらに、同じ電流で駆動しても、OLEDが異なれば、放出される光の強度も異なる。さらにまた、指定の駆動電流に対する光の強度は、OLEDの経年変化につれて降下するが、OLEDが異なれば、劣化速度も異なる可能性があり、やはり、表示が不均一に見えるようになる。
【0009】
透明誘電体基板は、トランジスタを薄膜デバイスとして製作することが必要になるので、アクティブ・マトリックス・ピクセルは、透明誘電体電極基板ではなく、シリコン基板によって実施されるのが望ましい。とりわけ、大規模アレイをなす薄膜トランジスタでは、各ピクセルからの光束が、しきい値の変動に感応しなくなるようにするのに、より多くのトランジスタが必要とされるため、しきい値電圧の厳密な分布を得ることは困難である。シリコン基板については、基板及びプロセスが、CMOSテクノロジに適合する場合に特に、アドレス指定、駆動、及び、その他の回路機能を容易に統合することが可能である。既知のアクティブ・マトリックス・ピクセル・テクノロジは、より古いCMOSテクノロジに適合するが、OLEDは、高密度CMOSが耐えることが可能な電圧より高い電圧を必要とし、一方、高密度COMOSは、高解像度のカラー・ディスプレイに必要とされる小形ピクセルにとって望ましい。
【0010】
他のLED用途において均一な光束を生じさせるために利用されてきたある技法では、フォトセンサを用いて、LEDにフィードバックを行うことが必要とされる。既知の技法を用いて、LEDにフィードバックを行うには、一般に、増幅器とコンパレータが必要とされるが、これは、例えば、高解像度のカラー・ディスプレイの単一ピクセルに適合させることが可能な回路をはるかに超える要求である。
【0011】
上述のように、OLEDによって発生する光の強度は、蓄積ノードに供給される電圧、及び、ピクセル毎に異なる可能性のある、駆動トランジスタ及びOLEDの特性によって影響される。ピクセルの特性の相違によって、不均一な光の強度が生じる可能性がある。さらに、OLEDの経年変化につれて、不均一度が変動する可能性がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、均一な光束を発生し、同時に、アクティブ・マトリックス・ディスプレイのサイズの制限を満たす、アクティブ・マトリックス・アレイの各ピクセルを個別に駆動するためのシステム及び方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
アクティブ・マトリックス・ディスプレイ内のアクティブ・マトリックス・ピクセルには、発光ダイオードによって発生する光束の一部を検出するため、ピクセル内の発光ダイオードに光学的に接続されたフォトダイオードが含まれる。フォトダイオードは、検出された光束の一部に応答して、ピクセル内の余剰電荷を放電する。余剰電荷が放電されると、発光ダイオードは、発光を停止する。1実施態様では、駆動トランジスタのゲートが、蓄積ノードの電荷によって制御される。蓄積ノードの電荷によって、駆動トランジスタのしきい値電圧を超える電圧がセットされると、駆動トランジスタは導通する。しきい値電圧をセットするのに必要な電荷を超える蓄積ノードの電荷量は、余剰電荷(または、過剰電荷:excess charge)と呼ばれれる。
【0014】
余剰電荷が存在する限り、駆動トランジスタは導通し、発光ダイオードは、光束を放出する。しかし、余剰電荷が、蓄積ノードから放電されると、蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタのしきい値電圧未満に降下し、駆動トランジスタは、導通を停止し、発光ダイオードは、光束の放出を停止する。発光ダイオードによって発生する光束量は、蓄積ノードに存在する余剰電荷の量を制御することによって制御可能である。蓄積ノードの余剰電荷は、フォトダイオードによって受光された光束の量に比例して放電されるので、ピクセルの光束は、駆動トランジスタ及び発光ダイオードの特性の変動に感応しない。アクティブ・マトリックス・ピクセル・アレイの各ピクセル内における変動に感応しないことによって、アクティブ・マトリックス・ピクセル・アレイは、ディスプレイ全域にわたってより均一な光束を提供することが可能になる。
【0015】
1実施態様では、アクティブ・マトリックス・ピクセルには、アドレス・ライン、データ・ライン、アドレス・トランジスタ、駆動トランジスタ、蓄積ノード、OLED、及び、フォトダイオードが含まれる。アドレス・ラインによって、ピクセルを個別にアドレス指定することが可能になり、データ・ラインによって、駆動トランジスタを起動するための電圧が供給される。コンデンサは、必ずしも、独立した物理的コンポーネントを表すとは限らず、蓄積ノードに接続されたゲート及び接合(junction)のキャパシタンスを表す場合もある。蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタの対応するしきい値電圧を超える限り、駆動トランジスタは導通する。単一アクティブ・マトリックス・ピクセルについて説明しているが、単一ピクセルは、一般に、ディスプレイを形成するために互いに近接して配置されたアレイをなすピクセルの一部であることを理解されたい。
【0016】
フォトダイオードは、OLEDに光学的に結合されているので、フォトダイオードは、OLEDによって発生する光の一部を検出することが可能である。フォトダイオードは、OLEDによって発生する光束に比例した割合で、蓄積ノードに存在する余剰電荷を放電する。フォトダイオードは、OLEDの光束に比例して蓄積ノードの余剰電荷を放電するので、駆動トランジスタ及びOLEDは、フォトダイオードによって検出された積分光束(integrated flux)が、データ・ラインに存在する余剰電荷と同等の値に達すると、オフになる。
【0017】
動作時、アクティブ・マトリックス・ピクセルのアドレス・ラインは、蓄積ノードに所望の量の余剰電荷を充電する時間期間にわたって高(ハイ)にセットされる。蓄積ノードが十分に充電されると、アドレス・ラインは低(ロー)にセットされ、蓄積ノードがデータ・ラインから有効に分離される。駆動トランジスタは、駆動トランジスタのしきい値電圧を超えるとすぐに、電流の導通を開始する。駆動トランジスタを通して電流が流れると、OLEDは光束を放出する。光束の一部は、フォトダイオードによって検出され、フォトダイオードは、これに応答して、フォトダイオードによって検出される光束に正比例した割合で、蓄積ノードの電荷を放電する。検出された光束の積分値が、蓄積ノードの余剰電荷に等しくなる時点で、蓄積ノードの電圧は、蓄積ノードのしきい値電圧未満に降下する。蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタのしきい値未満に降下すると、電流は、駆動トランジスタを流れなくなり、OLEDは光の発生を中止する。
【0018】
1実施態様では、分離トランジスタと呼ばれる追加トランジスタが、論理的に相補性の(すなわち、相補関係にある)アドレス・ラインに接続される。論理的に相補性のアドレス・ラインに分離トランジスタを接続すると、蓄積ノードに対するデータ・ラインからの書き込み中に、分離トランジスタにより、駆動トランジスタがオンになるのが阻止される。分離トランジスタを所定位置につけると、フォトダイオードの働きによって、駆動トランジスタ及びOLEDを通る電流の流れが制御され、OLEDは、アドレス・ラインが低になるまで発光しない。
【0019】
1実施態様では、アクティブ・マトリックス・ピクセルは、駆動トランジスタとして、バイポーラ・トランジスタを利用することが可能である。バイポーラ・トランジスタの役割は、ただ単にVLEDに耐えることであり、バイポーラ・トランジスタは、高利得をもたらす必要もないし、あるいは、高周波数で動作する必要もない。
【0020】
【発明の実施の形態】
図3には、フォトダイオード316を組み込んだアクティブ・マトリックス・ピクセルの実施態様が示されている。説明のために、単一のアクティブ・マトリックス・ピクセルが示されているが、単一ピクセルは、一般に、ディスプレイを形成するために、互いに近接して配置されるアレイをなすピクセルの一部であることを理解されたい。アクティブ・マトリックス・ピクセルには、アドレス・ライン302、データ・ライン304、アドレス・トランジスタ306、駆動トランジスタ308、蓄積ノード310、有機発光ダイオード(OLED)312、及び、フォトダイオードが含まれる。図2に関連して説明したように、アドレス・ラインによって、ピクセルを個別にアドレス指定することが可能になり、データ・ラインによって、駆動トランジスタを起動するための電圧が供給される。コンデンサは、必ずしも、独立した物理的コンポーネントを表すとは限らず、蓄積ノードに接続されたゲート及び接合のキャパシタンスを表す場合もある。図2の回路の場合のように、蓄積ノードの電荷が、駆動トランジスタの対応するしきい値電圧を超えるのに十分なほど高い限り、図3の駆動トランジスタは導通する。駆動トランジスタのしきい値電圧を超えるまで蓄積ノードの電圧を上昇させる蓄積ノードの電荷は、余剰電荷と呼ばれる。1実施態様では、各ピクセル内の回路は、高密度低電圧CMOSプロセスによって製作される。
【0021】
図2の回路と図3の回路の相違は、フォトダイオード316が図3の回路に追加されている点である。フォトダイオードは、OLEDによって発生する光318の一部を検出できるように、OLED312に光学的に結合されている。フォトダイオードは、OLEDによって発生する光束に比例した割合で、蓄積ノード310に存在する電荷を放電する。フォトダイオードは、OLEDの光束に比例して、蓄積ノードの電荷を放電するので、フォトダイオードによって検出される積分光束が、データ・ラインに加えられた余剰電荷に相当する値に達すると、駆動トランジスタ308及びOLEDはオフになる。
【0022】
動作時、蓄積ノード310に所望の量の余剰電荷を充電する時間期間にわたって、図3のアクティブ・マトリックス・ピクセルのアドレス・ライン302が、高にセットされる。蓄積ノードが十分に充電されると、アドレスラインが低にセットされ、蓄積ノードがデータ・ライン304から有効に分離される。駆動トランジスタ308は、駆動トランジスタのしきい値電圧を超えるとすぐに、電流の導通を開始する。駆動トランジスタに電流が導通すると、OLED312は、OLEDから発する光314によって表される光束を放出する。光318によって表される光束の一部が、フォトダイオードによって検出され、フォトダイオードは、これに応答して、フォトダイオードによって検出された光束に正比例する割合で、蓄積ノードの電荷を放電し始める。検出された光束の積分値が、蓄積ノードの余剰電荷に等しくなる時点において、蓄積ノードの電圧は、蓄積ノードのしきい値電圧未満に降下する。蓄積ノードの電圧が、駆動トランジスタのしきい値電圧未満まで降下すると、電流は、駆動トランジスタを通って流れるのを中止し、OLEDは、発光を中止する。駆動電流と放電の割合を適正に選択し、蓄積ノードの余剰電荷を制御することによって、駆動トランジスタのターン・オフ時間が、ディスプレイのリフレッシュ間隔内に生じるようにセットすることが可能になる。OLEDの効率またはトランジスタの駆動が変化する場合は、一定の光束が維持されるように、蓄積ノードの余剰電荷の量を調整することが可能である。
【0023】
以上説明したように、図3の回路は、蓄積ノード310に加えられる余剰電荷を制御することによって、光束の制御を行う。対照的に、図1及び2の回路は、デジタル・アナログ変換器を用いて、データ・ライン104及び204を介して蓄積ノード110及び210に供給される電圧を制御することによって、光束の制御を行う。
【0024】
図3のアクティブ・マトリックス・ピクセルの実施態様において、フォトダイオード316は、アドレス・ライン302が低になる瞬間、上述のように、OLED312からの発光を調整し始める。しかし、アドレス・ラインが高であって、電流がデータ・ライン304を通って蓄積ノード310に流れている期間中、OLEDは、フォトダイオードのフィードバック作用によって調整されない光を放出する。アドレス時間が、リフレッシュ間隔のほんの一部であれば、調整を受けない発光を問題にならない程度に小さくすることができる。
【0025】
図4には、アドレス・ラインが高である期間中、調整を受けない発光を最小限に抑えるアクティブ・マトリックス・ピクセルの1実施態様が示されている。図4のアクティブ・マトリックスのコンポーネントは、図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルに、追加トランジスタ420及び追加抵抗器422が含まれている点を除けば、図3のアクティブ・マトリックス・ピクセルのコンポーネントと同じである。図3のコンポーネントと一致する図4のコンポーネントには、同様の番号が付いている。1実施態様では、分離トランジスタと呼ばれる追加トランジスタが、そのゲートで蓄積ノード410に接続され、そのソースで論理的に相補性のアドレスライン424に接続されている。別の実施態様では、分離トランジスタは、そのソースにおいてVddに接続することが可能である。図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合、蓄積ノードの電荷によって、分離トランジスタのゲートが制御される。蓄積ノードの電荷が、分離トランジスタのしきい値電圧を超えて、蓄積ノードの電圧を上昇させるのに十分である場合、分離トランジスタは導通可能になる。分離トランジスタを論理的に相補性のアドレス・ラインに接続すると、データライン404から蓄積ノードへの書き込み中に、分離トランジスタにより駆動トランジスタ408がオンになるのが阻止される。分離トランジスタを図4に示すように実施すると、フォトダイオード416によって、駆動トランジスタ及びOLED412を通る電流の流れが制御され、OLEDは、アドレス・ライン402が低になるまで発光しない。すなわち、蓄積ノードにおける余剰電荷がフォトダイオードによって放電されると、分離トランジスタは、導通を中止し、駆動トランジスタのゲートは低になる。図4に示すように、抵抗器をアースに接続して、分離トランジスタがオープン状態になった後、駆動トランジスタをオフにできるようにすることが必要になる。図4には抵抗器として示されているが、代わりに、当該技術者に既知の方法に従って、適切な抵抗をもたらすように構成されたMOSトランジスタとすることも可能である。
【0026】
図3及び4に示す回路のOLED312及び412を駆動するのに必要な電圧(VLED)は、一般に、高密度CMOSプロセスにおいて許容される最高電圧を超える。高電圧の結果として、OLEDがオフになると、VLEDが、各駆動トランジスタ308及び408のドレインに生じる可能性がある。1実施態様では、駆動トランジスタのチャネルの延長及び/または駆動トランジスタのドレインと他のデバイスとの間隔の増加によって、高VLEDの悪影響を軽減することが可能である。別の実施態様では、より高いVLEDが必要になる場合、駆動トランジスタにさらにホウ素を注入することが、駆動トランジスタの空乏長(depletion length)を短くすることに有効であり、これによって、突き抜け現象のない、トランジスタの高密度パッキングが可能になる。別の実施態様では、さらに高いVLEDによって、ゲート酸化物の破壊が生じる場合、さらに厚い酸化物層が必要になる場合がある。基盤となるシリコン基板ではなく、非晶質または多結晶シリコンの薄膜に駆動トランジスタを製作することによって、高VLEDの悪影響を軽減することも可能である。VLEDは、薄膜デバイスのドレインによって分離されるので、VLEDに適応するために、残りの回路の密度を低下させる必要はない。
【0027】
図3のアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合、駆動トランジスタのしきい値電圧によって、回路のダイナミック・レンジの下限が設定される。しかし、図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合は、分離トランジスタ420のしきい値によって、回路のダイナミック・レンジの下限が設定される。分離トランジスタによって、ダイナミック・レンジの下限がセットされるので、Vddを超える電圧に適応するために、分離トランジスタのしきい値電圧を上げる必要はない。しきい値がより高いか、変動性がより大きい駆動トランジスタを使用することが必要な場合には、図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルによって、図3のアクティブ・マトリックス・ピクセルよりも広いダイナミック・レンジを得ることができる。
【0028】
図5には、図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルと同様のフォトダイオード516及び分離トランジスタ520を組み込んだアクティブ・マトリックス・ピクセルの1実施態様が示されている。図3及び図4のコンポーネントと一致する図5のコンポーネントには、同様の番号が付けられている。図5のアクティブ・マトリックス・ピクセルは、バイポーラ・トランジスタが駆動トランジスタ508として使用されている点において、図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルと異なっている。図5のバイポーラ・トランジスタは、図4のNMOSトランジスタと抵抗器の組み合わせに取って代わるものである。バイポーラ・トランジスタは、CMOSプロセスへの追加が容易である。図3及び図4のアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合と同様、蓄積ノード510に加えられた余剰電荷によって、OLED512によって生じる光束が制御される。バイポーラ・トランジスタに関連した電流利得及び他の変数が光束に及ぼす影響はごくわずかである。バイポーラ・トランジスタの役割は、ただ単にVLEDに耐えることだけであって、バイポーラ・トランジスタは、高利得をもたらす必要もないし、あるいは、高周波数で動作する必要もない。高性能または厳密な制御が要求されないので、CMOSプロセスに対するバイポーラ・トランジスタの追加は有利である。1実施態様では、駆動トランジスタのnウェルが、コレクタとして使用され、エミッタが、NMOSソース及びドレイン注入によって形成される。唯一の追加処理ステップには、ベースを形成するための注入を含めることができる。
【0029】
図3〜5に関連して説明したように、フォトダイオード316、416、及び、516を使用して、ピクセル・アレイにおける各ピクセルの光の強度を制御するためには、各フォトダイオードが、その対応するOLEDからの光を集めるが、アレイ内の他のピクセルからの光は集めないということが必要になる。さらに、フィードバック回路によって必要とされる光量を最小限に抑え、ディスプレイの集光効率を最高にすることが望ましい。図6は、図3〜5に関連して説明したフォトダイオードを含むアクティブ・マトリックス・ピクセルの一部の断面図である。この断面図には、OLED602、透明絶縁体604、反射金属層606、フォトダイオード、及び、アドレス・トランジスタが含まれる。OLEDは、反射金属層の上に重ねられた透明絶縁層上に位置している。OLEDからの光が、n+拡散層610及びp基板612によって形成されるフォトダイオードまで通過できるようにするため、金属層には、小さい開口部608がパターン形成されている。図6に示すように、フォトダイオードは、アドレス・トランジスタ306、406、及び、506の単純な拡張部とすることが可能である。図6には、ゲート614及びアドレス・トランジスタに対する相互接続616が示されている。反射金属層の厚さ対開口部の直径の比は、基板の照射をフォトダイオードに限定するように選択することが可能である。反射層及び開口部は、隣接ピクセルからの光を遮り、光がピクセル内のトランジスタの動作に影響するのを阻止する働きをする。例えば、赤、緑、及び、青のOLEDを用いたカラー・ディスプレイの場合、異なる色には、異なる開口部の大きさを選択することが可能である。開口部の大きさによって、フォトダイオードによって集光されるのが全光束のうちのどれだけの部分になるかが決まるので、色が異なるとサイズが異なるようにすれば、OLED及びフォトダイオードの量子効率の差を補償することが可能になる。こうして、OLED材料の異なる効率、及び、フォトダイオードの波長依存性にもかかわらず、同じ回路設計及び電圧レベルが、各色のピクセルに適合することになる。
【0030】
図7は、アクティブ・マトリックス・アレイの各ピクセルから放出される光を制御するための方法に関するプロセスフロー図である。この方法によれば、蓄積ノードには、トランジスタのしきい値電圧を超える(蓄積ノードの)電圧をセットする電荷が充電される(ステップ702)。次に、光束が、ピクセルの一部をなす発光ダイオードから発生する。光束は、蓄積ノードの電荷がトランジスタのしきい値電圧を超える電圧を維持している間、発生する(ステップ704)。次に、発光ダイオードによって発生された光束の一部が検出される(ステップ706)。次に、蓄積ノードの電荷が、光束の検出部分に応答して放電される(ステップ708)。蓄積ノードの電荷によって、トランジスタのしきい値電圧より低い電圧がセットされると、発光ダイオードによる光束の発生が中止される(ステップ710)。さらなるステップにおいて、蓄積ノードの電荷が、光束の検出部分を表す値に比例して放電される(ステップ712)。
【0031】
図3〜6のアクティブ・マトリックス・ピクセルは、OLEDを使用するものとして説明されているが、図3〜6に関連して説明したのと同様にして、他のタイプのLEDを実施することが可能である。図3〜6に関連して説明したアクティブ・マトリックス・ピクセルは、OLEDのカソードが接地される、図1と同様の構成で実施することが可能であることが理解されよう。
【0032】
図3〜6に関連して説明したアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合、約1.5ボルトまで動作するCMOSプロセスに、薄膜MOSトランジスタまたはバイポーラ・トランジスタを追加することによって、約3〜10ボルトでOLEDを駆動することが可能になる。図3〜6に関連して説明したアクティブ・マトリックス・ピクセルの場合は、各ピクセルの駆動回路にフォトセンサを追加することによって、各ピクセルからの光束の調整も可能になる。フォトセンサは、各ピクセルにおける光束の変動、及び、駆動素子の特性変動を補償する。フォトセンサがない場合は、光束は不均一になるであろう。すなわち、フォトセンサによって、OLEDから生じる光束は、薄膜MOSトランジスタの相互コンダクタンス、または、電圧問題を解決するために追加されるバイポーラ・トランジスタの電流利得に影響されなくなる。このように影響を受けないこと、及び、高周波応答を必要としないため、余分な処理及びコストを最小限に抑えて、バイポーラ・トランジスタを利用することが可能になる。
【0033】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
1.アクティブ・マトリックス・アレイの各ピクセルから放出される光を制御する方法において、
トランジスタのしきい値電圧を超える電圧を蓄積ノードに設定する電荷を、該蓄積ノードに充電するステップ(702)であって、前記蓄積ノードと前記トランジスタが、前記アクティブ・マトリックス・アレイのピクセルに組み込まれている、ステップと、
前記蓄積ノードの前記電荷が、前記トランジスタの前記しきい値電圧を超える前記電圧を維持している間、前記ピクセルの一部をなす発光ダイオードから光束を発生するステップ(704)と、
前記発光ダイオードによって発生された前記光束の一部を検出するステップ(706)と、
前記光束の前記検出部分に応答して、前記蓄積ノードの前記電荷を放電するステップ(708)と、
前記蓄積ノードの前記電荷によって、前記トランジスタの前記しきい値電圧より低い電圧が前記蓄積ノードに設定されると、前記発光ダイオードによる前記光束の前記発生を中止するステップ(710)
とからなる、方法。
2.前記蓄積ノードを充電する前記ステップ(702)が、測定時間間隔にわたって、アドレス・トランジスタを高に設定するステップを含む、上項1の方法。
3.前記電荷を放電する前記ステップ(708)が、前記光束の検出部分を表す値に比例して電荷を放電するステップ(712)である、上項1の方法。
4.前記中止するステップ(710)が、前記光束の検出部分を表す値が、前記放電された電荷を表す値を超えると、前記発光ダイオードによる前記光束の発生を中止するステップを含む、上項3の方法。
5.アクティブ・マトリックス・ディスプレイ内のアクティブ・マトリックス・ピクセルであって、
アドレス・ライン(302、402、502)と、
データ・ライン(304、404、504)と、
電荷を蓄積するための蓄積ノード(310、410、510)と、
前記アドレス・ラインから起動されるゲート、前記データ・ラインに接続されたソース、及び、前記蓄積ノードに接続されたドレインを備えるアドレス・トランジスタ(306、406、506)と、
前記蓄積ノードに応答するゲートを備える駆動トランジスタ(308、408、508)と、
前記駆動トランジスタを含む回路に接続され、前記駆動トランジスタによって、前記回路が完成すると光束を放出する発光ダイオード(312、412、512)と、
前記発光ダイオードから放出される前記光束の一部を受光するために、前記発光ダイオードに光学的に接続されたフォトダイオードであって、該フォトダイオードが受光する前記光束の前記一部に比例して、前記蓄積ノードの電荷を放電するために、前記蓄積ノードに電気的に接続されたフォトダイオード(316、416、516)
からなる、アクティブ・マトリックス・ピクセル。
6.前記駆動トランジスタ(308、408、508)の前記ゲートが、前記蓄積ノードに直接接続されている、上項5のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
7.前記蓄積ノードに接続されたゲートと、前記駆動トランジスタのゲートに接続されたドレインを有する分離トランジスタ(420、520)をさらに備える、上項5のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
8.前記分離トランジスタ(420、520)のソースが、前記アドレス・ライン(402、502)と相補関係にあるアドレスラインに接続されている、上項7のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
9.前記駆動トランジスタ(308、408、508)がバイポーラ・トランジスタである、上項5のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
10.前記駆動トランジスタ(508)が、薄膜MOSトランジスタである、上項5のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
【0034】
【発明の効果】
本発明のアクティブ・マトリックス・アレイのピクセル駆動手段によれば、駆動トランジスタ及びOLEDの特性の相違や変動による影響を除去し、かつ、アクティブ・マトリックス・ディスプレイの大きさを妥当な範囲に収めつつ、均一な光束を発生することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術において既知のPMOSトランジスタを利用したアクティブ・マトリックス・ピクセルを示す図である。
【図2】従来技術において既知のNMOSトランジスタを利用したアクティブ・マトリックス・ピクセルを示す図である。
【図3】本発明の1実施態様に従ってフォトダイオードを組み込んだアクティブ・マトリックス・ピクセルを示す図である。
【図4】本発明の1実施態様に従って、フォトダイオードを組み込んだアクティブ・マトリックス・ピクセルを示す図であり、データ・ラインが、追加トランジスタによってOLEDから分離されている。
【図5】本発明の1実施態様に従って、フォトダイオードによって制御されるアクティブ・マトリックス・ピクセルを示す図であり、データ・ラインが、追加トランジスタによってOLEDから分離されている。
【図6】図3〜5に関連して説明したフォトダイオードを含む、アクティブ・マトリックス・ピクセルの一部の断面図である。
【図7】アクティブ・マトリックス・アレイの各ピクセルから放出される光を制御するための方法を示すプロセスフロー図である。
【符号の説明】
302、402、502 アドレス・ライン
304、404,504 データ・ライン
306、406、506 アドレス・トランジスタ
308、408、508 駆動トランジスタ
310、410、510 蓄積ノード
312、412、512 発光ダイオード
316、416、516 フォトダイオード
420、520 分離トランジスタ
Claims (3)
- アクティブ・マトリックス・ディスプレイ内のアクティブ・マトリックス・ピクセルであって、
アドレス・ライン(402、502)と、
データ・ライン(404、504)と、
電荷を蓄積するための蓄積ノード(410、510)と、
前記アドレス・ラインから起動されるゲート、前記データ・ラインに接続されたソース、及び、前記蓄積ノードに接続されたドレインを備えるアドレス・トランジスタ(406、506)と、
前記蓄積ノードに応答するゲートを備える駆動トランジスタ(408、508)と、
前記駆動トランジスタに接続された発光ダイオード(412、512)であって、前記駆動トランジスタがオンになると電流が流れて光束を放出する発光ダイオード(412、512)と、
前記発光ダイオードから放出される前記光束の一部を受光するために、前記発光ダイオードに光学的に接続されたフォトダイオードであって、該フォトダイオードが受光する前記光束の前記一部に比例して、前記蓄積ノードの電荷を放電するために、前記蓄積ノードに電気的に接続されたフォトダイオード(416、516)と、
前記蓄積ノードに接続されたゲート、前記駆動トランジスタのゲートに接続されたドレイン、及び、前記アドレス・ライン(402、502)と信号レベルが論理的に相補関係にあるアドレスラインに接続されたソースを有する分離トランジスタ(420、520)
を備える、アクティブ・マトリックス・ピクセル。 - 前記駆動トランジスタ(408、508)がバイポーラ・トランジスタである、請求項1のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
- 前記駆動トランジスタ(408、508)が、薄膜MOSトランジスタである、請求項1のアクティブ・マトリックス・ピクセル。
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