JP4360651B2 - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光モジュール及びその製造方法に関し、より詳しくは、光ファイバに光 結合される複数の光素子を有する光モジュール及びその製造方法に関する。

光伝送によるインターネットやＣＡＴＶなどの需要拡大傾向の中で、加入者端末装置、センター局端末機器などで使用される光トランシーバ等の光モジュールは小型化が求められている。

光モジュールとして、例えば下記の特許文献１、２には、レーザダイオード、フォトダイオード等の光素子アレイを搭載したモジュール本体に多芯のコネクタが接続される構造が記載されている。

そのようなコネクタに挿入される光ファイバとしてリボンタイプのものが多く使用され、その内部の光ファイバのピッチは２５０μｍであることから、そのピッチに合わせて光モジュール内の光素子アレイの複数の光素子はそのピッチを２５０μｍとして一列に形成されている。

光ファイバリボンは、近年、光伝送システム装置、電子機器などの内部の狭いスペースに巡らせるために、細くするとともにその曲げ径を小さくすることが要求され、例えばリボン内部の光ファイバの直径を８０μｍ、ピッチを１２５μｍにすることが提案されている。

そのような光ファイバリボンを従来構造の光素子アレイの各光素子に接続するために、例えば図１４に示すような構成を採用することが可能である。

図１４において、１２５μｍのピッチで光ファイバ１０１が配置されている光ファイバリボン１０２の両端には、それぞれ幅の異なる第１、第２のコネクタ１０３，１０４が接続されている。幅の狭い第１のコネクタ１０３の内部では、光ファイバ１０１の一方の端部を１２５μｍのピッチのままで保持する構造となっている。また、幅の広い第２のコネクタ１０４の内部では、光ファイバ１０１の他方の端部が挿入され、それらのピッチを１２５μｍから２５０μｍに広げるピッチ変換構造となっている。

また、光モジュール１０５内の光素子アレイ１０６は２５０μｍのピッチで複数の光素子（例えば半導体レーザ）１０７が一列に形成された構造を有している。第２の光コネクタ１０３内の光ファイバ１０１と光素子１０７の光結合については、図１４に示すように光ファイバ１０８を介して結合する他に、直接結合、反射ミラーによる結合や、レンズを介した結合などがある。そして、光素子１０７は、図示しない電気配線を介して半導体集積回路１０８に接続される。
特開２００１−３５００６０号公報 国際公開第２００４／０３６２８０号パンフレット

ところで、上記のように、光ファイバ１０１のピッチを変更する構造を有する第２の光コネクタ１０４では、光ファイバ１０１のピッチを変更する領域を確保する必要があり、ファイバピッチをそのままに保持する第１の光コネクタ１０３のような小型化が難しい。

これに対して、例えば、光ファイバリボン１０２における光ファイバ１０１のピッチに合わせて、光素子１０７のピッチを１２５μｍと狭くすることも考えられる。

しかし、光ファイバ素子アレイ１０６を構成する光素子１０７同士のピッチを狭くすると、光素子１０７同士の光信号及び電気信号、特に高周波信号おいては相互干渉（クロストーク）が増大するといった不都合がある。

本発明の目的は、狭ピッチの光伝搬路に光結合される光素子に発生し易いクロストークを抑制する光モジュール及びその製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するための本発明の第１の態様は、一端が所定の角度に研磨され、第１のピッチで平行に配列された複数の光ファイバと、前記光ファイバの光伝播方向と直交する方向に前記第１のピッチだけ間隔をあけ、かつ前記光伝播方向には隣接間で異なる位置とすることで前記第１のピッチより広い第２のピッチの間隔をあけて基板上に配置された複数の光素子と、前記基板の垂直方向で前記光素子のそれぞれと対向する位置に前記光ファイバの一端と当接可能に形成された当接面を有するファイバ位置決め部材と、を備え、前記複数の光ファイバは、それぞれの前記一端が前記当接面に当接することで前記複数の光素子と光結合するように位置決めされていることを特徴とする光モジュールである。

本発明の第２の態様は、前記第１の態様に係る光モジュールにおいて、前記光素子 は、面発光レーザであることを特徴とする。

本発明の第３の態様は、前記第１又は第２の態様に係る光モジュールにおいて、前 記光ファイバの一端は、前記光伝播方向に対して４５°に研磨された面が反射面とな るように形成されていることを特徴とする。

本発明の第４の態様は、前記第３の態様に係る光モジュールにおいて、前記反射面 には、金属膜または誘電体多層膜が形成されていることを特徴とする。

本発明の第５の態様は、前記第１又は第２の態様に係る光モジュールにおいて、前記 光ファイバの一端を前記ファイバ位置決め部材の当接面に当接することで、前記一端が 反射面となっていることを特徴とする。

本発明の第６の態様は、第１のピッチで平行に複数配列された光ファイバと、前記光 ファイバの光伝播方向と直交する方向に前記第１のピッチだけ間隔をあけ、かつ前記光 伝播方向には隣接間で異なる位置とすることで前記第１のピッチより広い第２のピッチ の間隔をあけて基板上に配置された複数の光素子と、前記基板の垂直方向で前記光素子 のそれぞれと対向する位置に前記光ファイバの一端と当接可能に形成された当接面を有 するファイバ位置決め部材と、を備えた光モジュールの製造方法であって、前記当接面 が前記光素子に対向するように前記ファイバ位置決め部材を位置決めする工程と、前記 一端が前記当接面に当接するように前記光ファイバを位置決めする工程とを有すること を特徴とする光モジュールの製造方法である。

本発明によれば、間隔をおいて並列に設定される複数の光伝搬路、例えば光ファイバによる光伝搬路に配置される複数の光素子を有し、しかも光素子の隣同士が光伝搬路の光伝搬方向にずれて配置されるように構成されている。
従って、隣接する光素子同士の間隔を光伝搬路に対して斜め方向に配置して、光素子の互いの間隔を光伝搬路同士の間隔よりも広くすることが可能になる。これにより、例えば、隣接する光素子のピッチが２５０μｍで配置される光素子にピッチが１２５μｍの光ファイバを接続することが可能になり、しかも、光素子同士のクロストークを抑制することが可能になる。

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールに光コネクタを接続した状態を示す平面図、図２は、本発明の第１実施形態を示す光モジュールの部分側断面図、図３は、図１のＩ−Ｉ線断面図である。

図１、図２及び図３に示す光モジュール１は、光素子支持基板２、半導体集積回路（ＩＣ）３及びその他の光部品、電子部品が搭載される絶縁基板４と、光素子支持基板２と絶縁基板４が下から嵌め込まれ且つ中央にキャビティ５を有する絶縁性の中枠６と、中枠６を上から覆う絶縁性の蓋体７とを有している。

中枠６の一端部の中央にはフェルール８が形成され、フェルール８内には１２５μｍピッチの間隔で複数のファイバ挿入孔９が設けられ、それらのファイバ挿入孔９には例えば直径８０μｍの光ファイバ１０が挿入されている。それらの光ファイバ１０は、フェルール８の端部又はその近傍から中枠６の中央寄りの光素子配置領域に至る長さとなっている。

中枠６における光素子配置領域及びその周辺領域では、複数の光ファイバ１０は図３に示すように下向のファイバ保持面６ａに平行に形成された断面Ω状の複数のファイバ保持溝１１内に挿入され、これによりファイバ保持溝１１の各両側部によって光ファイバ１０の抜けが防止されている。ファイバ保持溝１１は、フェルール８内のファイバ挿入孔９と同様に１２５μｍのピッチで形成されている。そのようなファイバ保持溝１１により、光ファイバ１０の外部観察による取り付けが可能となっている。

光素子配置領域に達する各光ファイバ１０の一端は、中枠６のキャビティ５内に取り付けられた光素子支持基板２の上方に位置し、さらに、光素子基板２上に搭載される光素子アレイ１２に形成された複数の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：vertical cavity surface emitting laser）１３の各々に光結合される。

光素子アレイ１２に複数形成された面発光レーザ１３は、結晶成膜時に光素子アレイ１２の基板面に対して垂直方向にミラー層と活性層が積層されて基板面に対して垂直方向の光共振器を有し、基板面に垂直方向に光を出射する構造を有している。

光素子アレイ１２における複数の面発光レーザ１３は、それぞれ光伝搬路である光ファイバ１０の下方に別々に配置され、かつ隣同士が光ファイバ１０の光伝搬方向に交互にずれるように２列に配置されている。

光素子アレイ１２における複数の面発光レーザ１３は、図４、図５に示すように、光伝搬方向から見たピッチＬ₀、即ち光伝搬方向に直交する方向でのピッチＬ₀が例えば１２５μｍであり、光伝搬方向に対して斜め方向ではそのピッチＬ₀以上、例えば２５０μｍのピッチＬ_１で隣り合うように２次元的に配置されている。

なお、光素子アレイ１２の上には、面発光ダイオード１３のｐ側電極、ｎ側電極（不図示）のそれぞれに電気的に接続される電極パッド１４が形成され、電極パッド１４は金属ワイヤ１８を介して、又は光素子支持基板２上の電気配線（不図示）にフリップチップ実装され、半導体集積回路３に電気的に接続されている。

そのような光素子アレイ１２が搭載された光素子支持基板２の上方では、各光ファイバ１０のそれぞれの一端が面発光レーザ１３の光出射面の上方に位置するようにジグザグに配置される。

光ファイバ１０の端部は、図２に示すように、光伝搬方向に対して斜めの角度で研磨された反射面１０ａを有しており、その反射面１０ａの向きは面発光レーザ１３に対して斜め上方となっている。また、反射面１０ａの上には、金などの高反射率の金属膜や、アモルファスシリコンや酸化シリコンなどからなる誘電体多層膜反射膜のように反射率が１００％に近い反射膜を形成してもよいし、或いは、ファイバの屈折率１．４６よりも大きな屈折率、例えば１．９〜２．０の無機又は有機の材料を塗布して反射率を上げるようにしてもよい。

これにより、面発光レーザ１３の上面から出射された光は、光ファイバ１０の側部からその内部に入射し、さらに反射面１０ａにより反射されて光ファイバ１０内を外部に向けて伝搬することになる。
ところで、複数の光ファイバ１０の端部は、例えば図６に示すようなファイバ位置決め部品１５を用いて位置決めされる。

ファイバ位置決め部品１５においては、複数の面発光レーザ１３のそれぞれの光出射面の上方に光ファイバ１０の反射面１０ａが位置する状態で光ファイバ１０の端部に当接する当接面１５ａを持つ突起１５ｂが複数形成されている。
ファイバ位置決め部品１５の突起１５ｂは、図１に示すように、中枠６のうちの光素子アレイ１２の上方に形成された穴６ｂに嵌め込まれて固定される。そして、そのファイバ当接面１５ａは、光ファイバ１０の反射面１０ａに重ね合わすことが可能な斜面であり、その斜面は金メッキなどを施すことにより反射面としてもよい。ファイバ当接面１５ａが光反射面であれば、光ファイバ１０の端部の反射面１０ａ上に反射膜や反射材料を形成しなくてもよい。

そのようなファイバ位置決め部品１５のファイバ当接面１５ａを光素子アレイ１２の面発光レーザ１３の上方に配置し、さらにその状態で、ファイバ保持溝１１内に挿入された光ファイバ１０の端部の反射面１０ａをファイバ当接面１５ａに当接させるように光ファイバ１０の位置を調整すると、光ファイバ１０の反射面１０ａが面発光レーザ１３の上方に位置することになる。

図１に示す多心光ファイバリボン２０は、１２５μｍのピッチで複数本の光ファイバ２１が配置され、その両端には、同一構造のコネクタ２２，２３が接続され、それらのうちの一方は光モジュール１のフェルール８に接続される。２つのコネクタ２２，２３の内部は、それぞれ光ファイバ１０を１２５μｍのピッチのままで保持する構造となっている。また、コネクタ２２，２３の端部に取り付けられたアライメントピン２４，２５は、光モジュール１のフェルール８に設けられたピン孔１９に嵌め込まれる形状となっている。

上記の光モジュール１によれば、フェルール８内に挿入される光ファイバ１０のピッチは、光ファイバリボン２０内の光ファイバ２１のピッチに合わせて１２５μｍとなっている。

また、フェルール８内に挿入された複数の光ファイバ１０の一端に光接続される複数の面発光レーザ１３は、光伝搬方向から見たピッチが光ファイバ１０と同じとなっている一方、１つおきに光伝搬方向にずれるように２列で配置されて隣同士を光伝搬路に対して斜め方向になるように配置されている。

これにより、面発光レーザ１３の互いの間隔が光ファイバ１０のピッチよりも広く、例えば２５０μｍ以上に広く離すことが可能になり、これにより、面発光レーザ１３同士のクロストークは従来同様に抑制される。この場合、１つおきの面発光レーザ１３のピッチは２５０μｍとなるので、それらの間のクロストークも抑制されることになる。

（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る光モジュールの部分側断面図、図８は、本発明の第２の実施形態に係る光モジュール内において光素子アレイと光ファイバの光結合状態を示す平面図、図９は、本発明の第２の実施形態に係る光モジュール内に取り付けられる光素子アレイを示す平面図である。なお、図７、図８及び図９において、図１〜図６と同じ符号は同じ要素を示している。

図７において、絶縁基板４上に搭載され且つ中枠６に嵌め込まれる光素子支持基板２の上には、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂが取り付けられている。それらの光素子アレイ１１２Ａ，１２Ｂは、図８に示すように、中枠６のファイバ保持溝１１内に挿入された複数の光ファイバ１０の長さ方向に沿って配置されている。

また、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂには、図９に示すように、それぞれ光ファイバ１０の配置ピッチＬ_０の２倍のピッチＬ_２で面発光レーザ１３が一列に形成されている。面発光レーザ１３のピッチは、例えば光ファイバ１０が１２５μｍのピッチで取り付けられている場合には、２５０μｍとなる。また、光素子アレイ１２Ａの上には、面発光レーザ１３の電極（不図示）に電気的に接続される電極パッド１４が形成されている。電極パッド１４は、導電性ワイヤ１８ａ，１８ｂ又は光素子支持基板２上の電気配線（不図示）を介して半導体集積回路３に電気的に接続されている。

２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂは、それぞれの面発光レーザ１３が複数の光ファイバ１０による光伝搬方向で重ならないように、互いに光伝搬方向に直交する方向にずれて配置されている。しかも、光ファイバ１０のそれぞれの端部の下方には面発光レーザ１３が１つ位置するように、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂが配置される。

これにより、複数の面発光レーザ１３は、第１実施形態と同様に、隣同士が光ファイバ１０の光伝搬方向にずれて２列に形成された状態となり、光伝搬方向に対して斜め方向に隣接して配置される面発光レーザ１３のピッチＬ₁は、光伝搬方向から見た面発光レーザ１３のピッチＬ₀よりも大きくなっている。

そのような光素子アレイ１２Ａが搭載された光素子基板２の上方では、各光ファイバ１０の端部が異なる面発光レーザ１３の光出射面の上方に位置するようにジグザグに配置される。

光ファイバ１０の端部は、第１実施形態と同様に、反射面１０ａを有しており、その反射面１０ａの向きは光素子アレイ１２に対して斜め上方となり、その上には反射膜が形成され、或いは反射材料が塗布されてもよい。

複数の光ファイバ１０の端部は、第１実施形態と同様に、ファイバ位置決め部品１５を用いて位置決めされる。
以上のような光モジュール１によれば、第１実施形態と同様に、フェルール８内に挿入される光ファイバ１０のピッチが光ファイバリボン２０の光ファイバ２１のピッチに合わせて狭ピッチとなっている。

また、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂのそれぞれの複数の面発光レーザ１３は２５０μｍ以上のピッチで形成され、しかも、これと同じかそれ以上の間隔となるように、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂ同士の面発光レーザ１３を光伝搬方向に斜めに配置している。さらに、光伝搬方向から見て、一方の光素子アレイ１２Ａの面発光レーザ１３が他方の光素子アレイ１２Ｂの面発光レーザ１３の隣接する間の領域に位置するように、２つの光素子アレイ１２Ａ，１２Ｂを配置している。

従って、それらの面発光レーザ１３は、狭ピッチで配置された光ファイバ１０の端部に個々に光結合することが可能になる一方、互いの間隔を光ファイバ１０のピッチよりも広くすることができ、これによりクロストークの発生が抑制される。

（その他の実施の形態）
図１０、図１１は、本発明の実施形態に係る光モジュール１内の光ファイバを位置決めするためのファイバ位置決め部品の他の例を示す斜視図である。

図１０に示すファイバ位置決め部品１５Ａは、第１、第２の実施形態に示した面発光レーザ１３のそれぞれの光出射面の上方で光ファイバ１０の端部の反射面１０ａが位置する状態となるように、その端部に当接する当接面１５ｃを持つ突起１５ｄを有している。当接面１５ｃは、第１実施形態に示したファイバ位置決め部品１５の当接面１５ｃとは異なって光伝搬方向に対して垂直面となっているので、反射面としては使用できない構造となっている。

そして、第１、第２実施形態で説明したように、断面Ω状のファイバ保持溝１１内に挿入された光ファイバ１０は、図１１に示すように、その先端を、下向きのファイバ保持面６ａ側（Ω溝の開口部側）からファイバ保持溝１１内に挿入されたファイバ位置決め部品１５Ａの当接面１５ｃの先端に当接させた状態でその位置が保持される。この場合、ファイバ位置決め部品１５Ａは治具として機能し、光ファイバ１０をフェルール８に固定した後は除去される。これにより、光ファイバ１０の反射面１０ａはファイバ保持溝１１内にあって、面発光レーザ１３の上方に位置することになる。
これにより、光ファイバ１０の端部がファイバ保持溝１１内に収納されるので、中枠６のフェルール８から突き出ないことになり、光ファイバ１０の端部付近の強度が増し、光ファイバ１０から入出力する光の外的環境の環境による変化を受けにくくなる。

ところで、光ファイバ１０の端部に当接する当接面を持つ突起は、図１２に示すファイバ位置決め部品１５Ｂのように四角の突起１５ｅであってもよい。また、そのようなファイバ位置決め部品１５Ｂは、第１実施形態のように反射面を持っていないので、光ファイバ１０を位置決めした後に、光モジュール１から取り去るようにしてもよい。この場合、図１３に示すように、ファイバ位置決め部品１５Ｂの上部を中枠６の上方に突出させて取り外しを容易にしてもよい。取り外し可能なファイバ位置決め部品１５Ｂは治具として用いられる。

なお、上記実施形態では、主に光ファイバのピッチが１２５μｍの場合に、隣接する面発光レーザのピッチが２５０μｍとなるものについて述べたが、光ファイバのピッチがより広い場合にも本発明の構成を用いることができる。たとえば、光ファイバのピッチが２５０μｍである従来構成の光ファイバリボンに本発明の構成を用いた場合には、面発光レーザのピッチを５００μｍと、更に広くすることができる。そのため、光素子アレイが光導波方向に垂直に一列に形成された場合に比べ、光学的・電気的なクロストークを更に抑制することができる。

また、上記実施形態において、２列に配置された面発光レーザ１３の互いに隣接した３つの光素子が正三角形をなすように配置すると、全ての光素子が等間隔に並ぶため、光学的・電気的なクロストークを均一にし、ばらつきのないチャネル特性を得ることができる。

ところで、上記した実施形態では、光素子アレイ１２に形成された光素子は面発光レーザであるが、種々の面型受発光素子を用いることができる。たとえば、面発光型ＬＥＤ、面型のフォトダイオード、その他の光素子であってもよい。また、光伝搬路として、光ファイバではなく光導波路を用いてもよい。

そのような光素子の配置は、上記したように光ファイバによる光伝搬方向に２列に並べることに限定されるものではなく、複数列であってもよいが、この場合にも隣り合う光素子は光伝搬方向にずれるように配置する必要がある。

また、上記した実施形態では光ファイバの先端に斜めの反射面を形成して光ファイバと光素子の光軸を一致させるようにしたが、光ファイバの先端を垂直面にするとともに、第１実施形態に示したファイバ位置決め部品１５の当接面１５ａを反射面として光ファイバ１０と光素子アレイ１２内の光素子とを光結合してもよい。

さらに、光モジュール１の中枠６のファイバ保持溝１１内に挿入した光ファイバ１０を内部のみに配置するのではなく、外部に出す構造にしてもよい。

図１は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールとこれに接続される光コネクタを示す平面図である。 図２は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールの一部を示す側断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールにおいて図１のＩ−Ｉ線からみた断面図である。 図４は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールの光ファイバと光素子の結合状態を示す平面図である。 図５は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールに使用される光素子アレイを示す平面図である。 図６は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールにおける光ファイバの位置決めに用いられるファイバ位置決め部品を示す斜視図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係る光モジュールの一部を示す側断面図である。 図８は、本発明の第２実施形態に係る光モジュールの光ファイバと光素子の結合状態を示す平面図である。 図９は、本発明の第２実施形態に係る光モジュールに使用される光素子アレイを示す平面図である。 図１０は、本発明のその他の実施形態に係る光モジュールにおける光ファイバの位置決めに用いられるファイバ位置決め部品を示す斜視図である。 図１１は、本発明のその他の実施形態に係る光モジュールにおける光ファイバをファイバ位置決め部品により位置決めする状態を示す正面図である。 図１２は、本発明のその他の実施形態に係る光モジュールにおける光ファイバの位置決めに用いられるファイバ位置決め部品の別の例を示す斜視図である。 図１３は、本発明のその他の実施形態に係る光モジュールにおける光ファイバを別のファイバ位置決め部品により位置決めする状態を示す側断面図である。 図１４は、従来の光モジュールにコネクタを介して光ファイバを接続した状態を示す平面図である。

符号の説明

１：光モジュール
２：光素子支持基板
３：半導体集積回路
４：絶縁基板
５：キャビティ
６：中枠
７：蓋体
８：フェルール
１０：光ファイバ
１１：ファイバ保持溝
１２，１２Ａ，１２Ｂ：光素子アレイ
１３：面発光レーザ
１４：電極パッド
１５、１５Ａ、１５Ｂ：ファイバ位置決め部品
１５ａ、１５ｃ、１５ｄ：当接面

Claims (6)

1. 一端が所定の角度に研磨され、第１のピッチで平行に配列された複数の光ファイ バと、
   前記光ファイバの光伝播方向と直交する方向に前記第１のピッチだけ間隔をあけ、かつ前記光伝播方向には隣接間で異なる位置とすることで前記第１のピッチより広い第２のピッチの間隔をあけて基板上に配置された複数の光素子と、
   前記基板の垂直方向で前記光素子のそれぞれと対向する位置に前記光ファイバの一端と当接可能に形成された当接面を有するファイバ位置決め部材と、を備え、
   前記複数の光ファイバは、それぞれの前記一端が前記当接面に当接することで前記複数の光素子と光結合するように位置決めされている
   ことを特徴とする光モジュール。
2. 前記光素子は、面発光レーザである
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記光ファイバの一端は、前記光伝播方向に対して４５°に研磨された面が反射 面となるように形成されている
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光モジュール。
4. 前記反射面には、金属膜または誘電体多層膜が形成されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
5. 前記光ファイバの一端を前記ファイバ位置決め部材の当接面に当接することで、 前記一端が反射面となっている
   ことを特徴とする請求項１又は請求２に記載の光モジュール。
6. 第１のピッチで平行に複数配列された光ファイバと、
   前記光ファイバの光伝播方向と直交する方向に前記第１のピッチだけ間隔をあけ、かつ前記光伝播方向には隣接間で異なる位置とすることで前記第１のピッチより広い第２のピッチの間隔をあけて基板上に配置された複数の光素子と、
   前記基板の垂直方向で前記光素子のそれぞれと対向する位置に前記光ファイバの一端と当接可能に形成された当接面を有するファイバ位置決め部材と、を備えた光モジュールの製造方法であって、
   前記当接面が前記光素子に対向するように前記ファイバ位置決め部材を位置決めする工程と、
   前記一端が前記当接面に当接するように前記光ファイバを位置決めする工程とを有する
   ことを特徴とする光モジュールの製造方法。

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