JP4345614B2 - 高分子組成物、コーティングワニス、樹脂膜および半導体装置 - Google Patents
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Description
1. アミノ基を有する化合物と、カルボキシ基を有する化合物とを含む高分子組成物であって、前記アミノ基を有する化合物と前記カルボキシ基を有する化合物とは、少なくとも一方が高分子であり、前記アミノ基を有する化合物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有するものであることを特徴とする高分子組成物、
3. 前記カルボキシ基を有する化合物は、下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有するものである、第1項又は第2項に記載の高分子組成物、
6. 第1項ないし第4項のいずれかに記載の高分子組成物または第5項に記載のコーティングワニスを加熱処理して得られる樹脂膜、
7. 前記樹脂膜は、前記アミノ基を有する化合物と前記カルボキシ基を有する化合物が反応することにより架橋していることを特徴とする第6項に記載の樹脂膜、
8. 前記樹脂膜は、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜およびエッチング保護膜の中から選ばれるものの一つである第6項または第7項に記載の樹脂膜、
9. 第6項または第7項に記載の樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置、
を提供するものである。
また、本発明によれば、耐熱性の高い高分子組成物、樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を得ることができる。
本発明の高分子組成物は、アミノ基を有する化合物とカルボキシ基を有する化合物とを含むものであり、少なくとも前記アミノ基を有する化合物とカルボキシ基を有する化合物の一方が高分子であることを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂膜は、上記高分子組成物より構成される。
また、本発明の半導体装置は、上記樹脂膜を有するものである。
本発明の高分子組成物は、少なくとも一方が高分子である、アミノ基を有する化合物とカルボキシ基を有する化合物を含むものであり、例えば、高分子のアミノ基を有する化合物と高分子でないカルボキシ基を有する化合物との組み合わせ、高分子でないアミノ基を有する化合物と高分子のカルボキシ基を有する化合物との組み合わせ、高分子のアミノ基を有する化合物と高分子のカルボキシ基を有する化合物との組み合わせ、あるいは、これらの混合体などが挙げられる。これらの組み合わせの中でも、高分子のアミノ基を有する化合物と高分子でないカルボキシ基を有する化合物との組み合わせ、または、高分子でないアミノ基を有する化合物と高分子のカルボキシ基を有する化合物との組み合わせを主として含むものが、高い反応率でカルボキシ基とアミノ基を反応させる上で好ましい。高温でも安定な高分子化合物と分子運動性に優れた高分子でない化合物との組み合わせは、アミノ基とカルボキシ基が十分に反応し、耐熱性や誘電率などの特性に優れた架橋高分子を形成することができる高分子組成物を得ることができる。一方、アミノ基を有する化合物とカルボキシ基を有する化合物とがいずれも高分子でない組み合わせでは、加熱などにより反応前に両化合物が飛散するなど不安定な状態となることがあることから、好ましいモル比での反応が起こらず、未反応のアミノ基またはカルボキシ基が残ることとなり、架橋高分子において優れた耐熱性や誘電率などの特性が得られないため、好ましくない。ここで高分子化合物の分子量としては、1,000〜40,000が好ましく、特に3,000〜20,000が好ましい。
さらに、本発明の高分子組成物は、前記アミノ基を有する化合物と前記カルボキシ基を有する化合物とが塩を形成して含むことにより、アミノ基とカルボキシ基とが、ほぼ1:1の反応モル比で、350℃以下の穏やかな加熱により均一に架橋反応させることができ、耐熱性に優れた架橋高分子を得ることができるので好ましい。
前記アミノ基を有する化合物において、芳香族基を含む化合物および芳香族基とアダマンタン構造を含む置換基とを有する化合物として、高分子であるアミノ基を有する化合物としては、例えば、前記一般式(1)で表される繰り返し単位を有するものが挙げられ、高分子でないアミノ基を有する化合物としては、例えば、前記一般式(2)で表される化合物が挙げられる。
前記カルボキシ基を有する化合物において、芳香族基を含む化合物および芳香族基とアダマンタン構造を含む置換基とを有する化合物として、高分子のカルボキシ基を有する化合物としては、例えば、前記一般式(3)で表される構造単位を有する化合物およびベンゾオキサゾール前駆体が挙げられ、高分子でないカルボキシ基を有する化合物としては、前記一般式(4)で表される化合物およびベンゾオキサゾール前駆体が挙げられる。また、アダマンタン構造を含む置換基を有する化合物として、前記一般式(5)で表される化合物が挙げられる。
ワニスとして調製する場合の溶媒使用量としては、高分子組成物を完全に溶解し得る量であればよく、特に制限されず、その用途に応じて適宜調整することができるが、一般的にはワニス中の溶媒含有量は、70〜95重量%程度が好ましい。
次に、前記接着性コーティング膜の上に、本発明のコーティングワニスを、前記同様の方法により、積層するように塗布して、塗膜を形成する。次いで、塗膜を、通常、80〜200℃の範囲の温度で加熱して、前記コーティングワニス中の有機溶剤を蒸発乾燥し、更に、上記温度条件で加熱処理することにより、アミノ基とカルボキシ基の反応により架橋し、層間絶縁膜を形成することができる。
さらに、ナノフォームを形成する場合、前記反応性オリゴマーを含んだ高分子組成物より得られた前記層間絶縁膜を、さらに加熱処理することにより、微細孔を有する層間絶縁膜とすることもできる。
同様にして、樹脂膜を形成して半導体用表面保護膜とすることもできる。
図1は、本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置100は、素子が形成された半導体基板1と、半導体基板1の上側(図1上側)に設けられた窒化珪素膜2と、窒化珪素膜2の上に設けられた層間絶縁膜3およびバリア層6で覆われた銅配線層4を有している。
層間絶縁膜3には、配線すべきパターンに対応した凹部が形成されており、その凹部内には銅配線層4が設けられている。
層間絶縁膜3は、ナノフォーム(微細孔)31が形成されていても良い。
また、層間絶縁膜3と、銅配線層4との間には、改質処理層5が設けられている。
また、層間絶縁膜3の上側(窒化珪素膜2と反対側面)には、ハードマスク層7が形成されている。
また、上述したような層間絶縁膜は、配線層との密着性に優れるので、半導体装置の接続信頼性をさらに向上できる。
また、上述したような層間絶縁膜は、誘電特性に優れているので、半導体装置の信号損失を低下することができる。
また、上述したような層間絶縁膜は、誘電特性に優れているので、配線遅延を低下することができる。
(アミノ基を有する化合物の合成)
ポリ(ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=3000、Mn=980)12.9g(122mmol/1単位ユニット)、3−フルオロ−6−ニトロフェニル ベンジル エーテル36.2g(146mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド100mLの溶液に、炭酸カリウム42.1g(304mmol)を添加した。135℃で12時間攪拌した後、反応液を濾過した。濾液をメタノール2000mLに滴下した。析出した固体をイオン交換水2000mLおよびメタノール2000mLでそれぞれ1回ずつ洗浄し、50℃で2日間減圧乾燥することにより、黄色固体のポリ((3−ベンジルオキシ−4−ニトロフェノキシ)フェニレンメチレン)29.9gを得た(収率73%)。
得られたポリ((3−ベンジルオキシ−4−ニトロフェノキシ)フェニレンメチレン)29.6g(88.8mmol/1単位ユニット)および、10%パラジウム活性炭4.96g(4.66mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド100mLを、水素雰囲気下、室温で36時間攪拌した後、反応液を濾過した。濾液をメタノール200mLおよびイオン交換水2000mLの混合液に滴下した。析出した固体をメタノール200mLおよびイオン交換水2000mLの混合液で3回洗浄し、50℃で2日間減圧乾燥することにより、褐色固体のポリ((4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニレンメチレン)14.6gを得た(収率77.1%)。
この高分子化合物の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いて、ポリスチレン換算により求めたところ、重量平均分子量Mw=5230、数平均分子量Mn=1980であった。
上記で得たポリ((4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニレンメチレン)2.0gとイソフタル酸0.773gおよびジメチルホルムアミド11.2gを室温で2時間攪拌した後、溶液をイオン交換水100mLに滴下した。析出した固体をイオン交換水100mLで1回洗浄し、50℃で2日間乾燥させることにより、褐色固体の高分子組成物2.19gを得た。
上記で得た高分子組成物を、N−メチル−2−ピロリドンに溶解し、テフロン(登録商標)フィルターで濾過して、コーティング用のワニスを得た。
シリコンウエハ上にスピンコーターを用いて上記コーティング用ワニスを塗布して、350℃で1時間加熱処理し、樹脂膜を得た。
(カルボキシ基を有する化合物の合成)
ポリ(ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=3000、Mn=980)12.9g(122mmol/1単位ユニット)、4−フルオロ安息香酸メチル37.6g(244mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド100mLの溶液に、炭酸カリウム42.1g(304mmol)を添加した。135℃で24時間攪拌した後、反応液を濾過した。濾液をメタノール2000mLに滴下した。析出した固体をイオン交換水2000mLおよびメタノール2000mLでそれぞれ1回ずつ洗浄し、50℃で2日間減圧乾燥することにより、緑色固体のポリ(1−(メトキシカルボニル)フェノキシフェニレンメチレン)15.83gを得た(収率54%)。
得られたポリ((1−メトキシカルボニル)フェノキシフェニレンメチレン)15.83g(66mmol/1単位ユニット)、2mol/L水酸化カリウム水溶液99mL、THF200mLの溶液を2時間還流した後、反応液を氷浴で冷却しながら、5mol/L塩酸63mLを滴下した。室温で1時間攪拌した後、分液漏斗を用いて上層のTHF溶液を回収し、イオン交換水1500mLに滴下した。イオン交換水1500mLで2回洗浄し、50℃で2日間減圧乾燥することにより、ポリ(1−カルボキシフェノキシフェニレンメチレン)11.35gを得た(収率76%)。この分子量は、Mw=6330、Mn=2110であった。
上記で得たポリ((4−カルボニルフェノキシ)フェニレンメチレン)2.0gと2,4−ジアミノレゾルシノール0.620gを実施例1と同様の方法で混合し、高分子組成物を得た。
上記で得た高分子組成物を実施例1と同様にして樹脂膜を製造した。
(アミノ基を有する化合物の合成)
実施例1において、ポリ(ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=3000、Mn=980)12.9g(122mmol/1単位ユニット)をポリ(4−アダマンチル−1−ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=4940、Mn=2740)29.3g(122mmol/1単位ユニット)とした以外は、実施例1と同様にして、ポリ(4−アダマンチル−1−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニレンメチレン)を23.7g得た。この分子量は、Mw=7100、Mn=3960であった。
上記で得たポリ(4−アダマンチル−1−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニレンメチレン)2.0gとイソフタル酸0.478gを実施例1と同様の方法で混合し、高分子組成物を得た。
上記で得た高分子組成物を実施例1と同様にして樹脂膜を製造した。
(カルボキシル基を有する化合物の合成)
実施例2において、ポリ(ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=3000、Mn=980)12.9g(122mmol/1単位ユニット)をポリ(4−アダマンチル−1−ヒドロキシフェニレンメチレン)(Mw=4940、Mn=2740)29.3g(122mmol/1単位ユニット)とした以外は、実施例2と同様にして、ポリ(4−アダマアンチル−1−カルボキシフェノキシフェニレンメチレン)21.1gを得た。この分子量は、Mw=7470、Mn=4160であった。
上記で得たポリ(4−アダマアンチル−1−カルボキシフェノキシフェニレンメチレン)2.0gと2,4−ジアミノレゾルシノール0.389gをN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、テフロン(登録商標)フィルターで濾過して、コーティング用のワニスを得た。
シリコンウエハ上にスピンコーターを用いて上記コーティング用ワニスを塗布して、350℃で1時間加熱処理し、樹脂膜を得た。
[ポリ(メチレン−2,6−(1−ヒドロキシ)フェニレン)から、ポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)の合成]
ポリ(メチレン−2,6−(1−ヒドロキシ)フェニレン)22.3g(210mmol/1単位ユニット)、臭化プロパルギル50.5g(425mmol)、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム1.45g(6.37mmol)、テトラヒドロフラン120mLを、乾燥窒素雰囲気下、50℃で撹拌しながら、水酸化カリウム60.7g(1.08mol)をイオン交換水60.0mLに溶解させたものを加えた。反応液を60℃で6時間した。反応液を減圧下で加熱し、臭化プロパルギルとテトラヒドロフランを除去した。析出固体を酢酸エチル200mLで抽出し、有機層をイオン交換水500mLで2回洗浄後、メタノール2000mLに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を60℃で減圧乾燥させることで、ポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)を14.7g得た。
上記で得たポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)2.0gをN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、テフロン(登録商標)フィルターで濾過して、コーティング用のワニスを得た。
シリコンウエハ上にスピンコーターを用いて上記コーティング用ワニスを塗布して、350℃で1時間加熱処理し、樹脂膜を得た。
[ポリ((2−プロピノキシ)フェニレンメチレン)から、ポリ((3−フェニル−2−プロピノキシ)フェニレンメチレン)の合成]
比較例1で得たポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)3.43g(23.8mmol/1単位ユニット)、ヨウ化ベンゼン6.38g(31.3mmol)、ピリジン20.0mLを、乾燥窒素雰囲気下で撹拌し、溶解させた。続けて、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.0837g(0.119mmol)、トリフェニルホスフィン0.0956g(0.364mmol)、ヨウ化銅0.0452g(0.237mmol)、トリエチルアミン20mLを加えた後、70℃で3時間加熱した。反応液を濾過後、メタノール1.00Lに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を60℃で減圧乾燥させることで、ポリ(メチレン−2,6−(1−(3−フェニル−2−プロピノキシ))フェニレン)を4.10g得た。
上記で得たポリ(メチレン−2,6−(1−(3−フェニル−2−プロピノキシ))フェニレン)を比較例1と同様にして樹脂膜を製造した。
[3−エチニルフェノールから、ポリ((3−エチニル−1−ヒドロキシ)フェニレン)の合成]
3−エチニルフェノール5.00g(42.3mmol)とメタノール10.0mLを室温で撹拌しながら、西洋ワサビペルオキシダーゼ2.00gをpH=7のリン酸緩衝液10.0mLを加えた。続けて、5重量%過酸化水素を28.8mL(42.3mmol)を3時間かけて滴下し、更に室温で3時間撹拌した。析出物を反応液より遠心分離し、メタノール50mL及びイオン交換水50mL中で撹拌し、洗浄した。得られた固体を減圧乾燥させることで、ポリ((3−エチニル−1−ヒドロキシ)フェニレン)が3.25g得られた。
(樹脂膜の製造)
上記で得たポリ((3−エチニル−1−ヒドロキシ)フェニレン)を比較例1と同様にして、樹脂膜を製造した。
1. 熱重量分析
製造した樹脂膜をセイコ−インスツルメンツ(株)製TG/DTA6200型を用いて、200mL/分の乾燥窒素気流下、昇温速度+10℃/分の条件により、室温から400℃まで昇温後、400℃で30分間保持した際の重量減少量を測定した。
JIS−K6911に準拠し、周波数100kHzで、ヒューレットパッカード社製HP−4284A Precision LCRメーターを用いて半導体用接着フィルムの容量測定を行い下記計算式により比誘電率を算出した。
比誘電率=(容量測定値×フィルムの厚み)/(真空の誘電率×測定面積)
半導体基板の上に窒化珪素層を形成し、該窒化珪素層上に実施例1で得られたコーティング用ワニスを塗布して、250℃で1時間および420℃で1時間加熱処理して、厚さ0.3μmの層間絶縁膜を形成した。
次に、前記層間絶縁膜に所定のパターンを形成するように金属配線を形成して、半導体装置を得た。
実施例2で得られたコーティング用ワニスを用いて、実施例5と同様にして、層間絶縁膜および半導体装置を製造した。
実施例3で得られたコーティング用ワニスを用いて、実施例5と同様にして、層間絶縁膜および半導体装置を製造した。
実施例4で得られたコーティング用ワニスを用いて、実施例5と同様にして、層間絶縁膜および半導体装置を製造した。
実施例5〜8の層間絶縁膜を用いて得られた半導体装置と、この半導体装置と同様な構成でSiO2絶縁膜を有する半導体装置との配線遅延の程度を比較した。評価の基準には、リングオシュレータの発信周波数から換算して求めた信号遅延時間を採用した。両者を比較した結果、本発明で得られた半導体装置では、配線遅延が少なく、約10%の速度の向上があることが確認された。
2 窒化珪素膜
3 層間絶縁膜
31 ナノフォーム(微細孔)
4 銅配線層
5 改質処理層
6 バリア層
7 ハードマスク層
100 半導体装置
Claims (9)
- アミノ基を有する化合物と、カルボキシ基を有する化合物とを含む高分子組成物であって、前記アミノ基を有する化合物と前記カルボキシ基を有する化合物とは、少なくとも一方が高分子であり、前記アミノ基を有する化合物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有するもの又は下記一般式(2)で表されるものであることを特徴とする高分子組成物。
- 前記アミノ基を有する化合物が、アダマンチル基を有するものである、請求項1に記載の高分子組成物。
- 前記カルボキシ基を有する化合物は、下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有するものである、請求項1又は2に記載の高分子組成物。
- 前記カルボキシ基を有する化合物は、下記一般式(4)で表されるものである、請求項1〜3のいずれかに記載の高分子組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の高分子組成物と、該高分子組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒を含むことを特徴とする、コーティングワニス。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の高分子組成物または請求項5に記載のコーティングワニスを加熱処理して得られる樹脂膜。
- 前記樹脂膜は、前記アミノ基を有する化合物と前記カルボキシ基を有する化合物が反応することにより架橋していることを特徴とする請求項6に記載の樹脂膜。
- 前記樹脂膜は、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜およびエッチング保護膜の中から選ばれるものの一つである請求項6または7に記載の樹脂膜。
- 請求項6または7に記載の樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
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