JP2005247997A - ベンゾオキサゾール樹脂前駆体、ポリベンゾオキサゾール樹脂、樹脂膜および半導体装置 - Google Patents
ベンゾオキサゾール樹脂前駆体、ポリベンゾオキサゾール樹脂、樹脂膜および半導体装置 Download PDFInfo
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Abstract
また、本発明の目的は、微細孔が小さくかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基又はカルボキシル基を有する。また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記に記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を反応して得られることを特徴とするものである。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含む樹脂組成物で構成される。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有するものである。
【選択図】図1
Description
しかし、ポリイミド樹脂は、耐熱性が低い、誘電率が高い、吸湿性が高い等の問題があった。そのため、その用途は信頼性の上でバイポーラ半導体素子などの一部の半導体素子に限られていた。
また、本発明の目的は、微細孔が小さく均一でかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
1. 側鎖及び/又は主鎖に活性エステル基又はカルボキシル基を有するベンゾオキサゾール樹脂前駆体、
2. 活性エステル基が、下記一般式(1)で表されるものである、第1項に記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体、
3. 下記式(2)で表される繰り返し単位を有する、第1項または第2項に記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体、
4. 下記式(4)で表される繰り返し単位を有する、第1項ないし第3項のいずれかに記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体、
5. 第1項ないし第4項のいずれかに記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を脱水閉環反応させて得られることを特徴とするポリベンゾオキサゾール樹脂、
6. 第5項に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含んでなることを特徴とする樹脂膜、
7. 前記樹脂膜は、平均孔径10nm以下の微細孔を有するものである第6項に記載の樹脂膜、
8. 前記樹脂膜は、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜およびエッチング保護膜の中から選ばれるものの一つである第6項または第7項に記載の樹脂膜、
9. 第6項ないし第8項のいずれかに記載の樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置、
である。
また、本発明によれば、微細孔が小さく均一でかつ低誘電率である、樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を得ることができる。
また、微細な空孔を有するこの樹脂膜は、特に電気特性(特に誘電特性)、物理特性および機械特性にも優れることができる。
本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基又はカルボキシル基を有するものである。
また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体を脱水閉環反応して得られることを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂膜は、上記ポリベンゾオキサゾール樹脂を含んで構成される。
また、本発明の半導体装置は、上記樹脂膜を有するものである。
本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、側鎖および/または主鎖に活性エステル基又はカルボキシル基を有することにより、側鎖および/または主鎖にナノサイズの微細孔を形成する発泡剤(ポロジェン、ポア・ジェネレーター)を有するベンゾオキサゾール樹脂前駆体を得ることができる。さらに、前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の側鎖および/または主鎖に活性エステル基又はカルボキシル基を有することで、これらに結合するポロジェン量を増加させることができる。ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の側鎖に結合するポロジェン量を増加させると、かかるポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体またはこれを含む樹脂組成物を用いてナノサイズの微細孔を有する樹脂膜を得た場合に、前記微細孔が凝集する等の問題が発生すること無く、その形状を保持することが可能となり、樹脂膜の誘電率を低下させることができる。さらに、微細で均一なナノサイズの微細孔を容易に形成することができる。
前記式(1)中のRとしては、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基等のアルキル基:、
2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等のピリジル基:、
2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基等のキノリル基:、
フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等の芳香族基:、
1−ベンゾトリアゾール基等のベンゾトリアゾール基等が挙げられる。
さらに、本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、上記式(2)で表される繰り返し単位を有するものである。
2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等のピリジル基:、
2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基等のキノリル基:、
フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等の芳香族基:、
1−ベンゾトリアゾール基等のベンゾトリアゾール基を有する活性エステル基又はカルボキシル基が挙げられる。
さらに、本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、上記式(4)で表される繰り返し単位を有するものである。
2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等のピリジル基:、
2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基等のキノリル基:、
フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等の芳香族基:、
1−ベンゾトリアゾール基等のベンゾトリアゾール基を有する活性エステル基又はカルボキシル基が挙げられる。
本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を得る方法としては、例えば、前記活性エステル基又はカルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物、前記活性エステル基及びカルボキシル基を有しない芳香族ジアミン化合物、前記活性エステル基を有するジカルボン酸、及び前記活性エステル基を有しないジカルボン酸を、従来の酸クロリド法、活性化エステル法、ポリリン酸やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法で反応させる方法が挙げられる。
前記活性エステル基又はカルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物とは、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子内に発泡剤(ポロジェン、ポア・ジェネレーター)と反応可能な活性エステル基又はカルボキシル基を有するものである。前記活性エステル基を有するジカルボン酸とは、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子内に発泡剤(ポロジェン、ポア・ジェネレーター)と反応可能な活性エステル基を有するものである。
前記活性エステル基を有する芳香族ジアミン化合物及びジカルボン酸において、該活性エステル基としては、例えばアルキル基、ピリジル基、キノリル基、芳香族基、又はベンゾトリアゾール基等を有する活性エステル基が挙げられる。前記活性エステル基として、前記一般式(1)で表されるものを有することにより、活性エステル基とポロジェンとの反応性を向上させることができる。
具体的に、活性エステル基を有する芳香族ジアミン化合物としては、
3,5−ジアミノ安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ジアミノ安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ジアミノ安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、3,5−ジアミノ安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノ安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノ安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノ安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノ安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
3,5−ビス(4−アミノフェニル)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェニル)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェニル)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−アミノフェニル)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
4−(3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
4−(3,5−ジアミノフェニル)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェニル)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェニル)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、4−(3,5−ジアミノフェニル)安息香酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、
9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体、および9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸ベンゾトリアゾールエステルとその構造異性体、などが挙げられる。
具体的に、カルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物としては、
3,5−ジアミノ安息香酸とその構造異性体、2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノ安息香酸とその構造異性体、
3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸とその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸とその構造異性体、
3,5−ビス(4−アミノフェニル)安息香酸とその構造異性体、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)安息香酸とその構造異性体、
4−(3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸とその構造異性体、4−(2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノフェノキシ)安息香酸とその構造異性体、
4−(3,5−ジアミノフェニル)安息香酸とその構造異性体、4−(2,6−ジヒドロキシ−3,5−ジアミノフェニル)安息香酸とその構造異性体、
9,9−ビス(3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−1−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
9,9−ビス(3−アミノフェニル)−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−アミノフェニル)フェニル−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)フェニル−4−フルオレンカルボン酸とその構造異性体、
2,5−ビス(4−アミノフェノキシ)テレフタル酸とその構造異性体、2,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)テレフタル酸とその構造異性体、
2,4−ビス(4−アミノフェノキシ)イソフタル酸とその構造異性体、2,4−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)イソフタル酸とその構造異性体、などが挙げられる。
具体的に、活性エステル基を有するジカルボン酸としては、
5−(3−ピリジルオキシカルボニル)イソフタル酸とその構造異性体、5−(8−キノリルオキシカルボニル)イソフタル酸とその構造異性体、5−(フェニルオキシカルボニル)イソフタル酸とその構造異性体、
3,5−ビス(4−カルボキシフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−カルボキシフェノキシ)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−カルボキシフェノキシ)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、
3,5−ビス(4−カルボキシフェニル)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−カルボキシフェニル)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、3,5−ビス(4−カルボキシフェニル)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、
4−(3,5−ジカルボキシフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジカルボキシフェノキシ)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジカルボキシフェノキシ)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、
4−(3,5−ジカルボキシフェニル)安息香酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジカルボキシフェニル)安息香酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、4−(3,5−ジカルボキシフェニル)安息香酸フェニルエステルとその構造異性体、
9,9−ビス(4−カルボキシフェニル)−4−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス(4−カルボキシフェニル)−4−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス(4−カルボキシフェニル)−4−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェノキシ)フェニル−4−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェノキシ)フェニル−4−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェノキシ)フェニル−4−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体、
9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェニル)フェニル−4−フルオレンカルボン酸(3−ピリジル)エステルとその構造異性体、9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェニル)フェニル−4−フルオレンカルボン酸(8−キノリル)エステルとその構造異性体および9,9−ビス−4−(4−カルボキシフェニル)フェニル−4−フルオレンカルボン酸フェニルエステルとその構造異性体
などが挙げられる。
具体的に、活性エステル基及びカルボキシル基を有しない芳香族ジアミン化合物としては、
2,4−ジアミノ−レゾルシノール、2,5−ジアミノ−1,4−ジヒドロキシルベンゼン等のジヒドロキシルベンゼンを有する化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ビフェニル、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノ−ビフェニル等のジヒドロキシ−ビフェニルを有する化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルエーテル等のジヒドロキシ−ジフェニルエーテルを有するビスアミノフェノール化合物:、
9,9−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ)−フェノキシ−フェニル)フルオレン等のフルオレン骨格を有する化合物:、
2,2’−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−フェノキシ)−1,1’−ビナフタレン等のビナフタレン骨格を有する化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルスルホン、ビス(4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ)−フェノキシ−フェニル)スルホン、ビス(4−(4−ヒドロキシ−3−アミノ)フェノキシ−フェニル)スルホン等のスルホン基を有する化合物:、
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のフッ素またはフッ素化アルキル基を有する化合物:
2,2’−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−6,6’−ビス−エチニル−1,1’−ビナフタレン、2,2'−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−6,6’−ビス−フェニルエチニル−1,1’−ビナフタレン等のエチニル(フェニルエチニル)−ビナフタレンを有するビスアミノフェノール化合物:、
1,5−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−2,6−ビス−エチニル−ナフタレン、1,5−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−2,6−ビス−フェニルエチニル−ナフタレン)、1,5−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−2−フェニルエチニルナフタレン、1,5−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−3−フェニルエチニルナフタレン等のエチニル(フェニルエチニル)−ナフタレンを有するビスアミノフェノール化合物:、
9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−2,7−ビス−エチニル−フルオレン、9,9−ビス−4−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル−2,7−ビス−フェニルエチニル−フルオレン、9,9−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−フェニル)−2,7−ビス−エチニル−フルオレン、9,9−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−フェニル)−2,7−ビス−フェニルエチニル−フルオレン等のエチニル(フェニルエチニル)−フルオレンを有するビスアミノフェノール化合物:、
1,3−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−4−エチニル−ベンゼン、1,3−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−4−フェニルエチニル−ベンゼン、1,4−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−3−エチニル−ベンゼン、1,4−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)−3−フェニルエチニル−ベンゼン等のエチニル(フェニルエチニル)−ベンゼンを有するビスアミノフェノール化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−2−フェニルエチニル−ジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−5−フェニルエチニル−ジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−6−フェニルエチニル−ジフェニルエーテル等のエチニル(フェニルエチニル)−ジフェニルエーテルを有するビスアミノフェノール化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−2−フェニルエチニル−ビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−5−フェニルエチニル−ビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−6−フェニルエチニル−ビフェニル等のエチニル(フェニルエチニル)−ビフェニルを有するビスアミノフェノール化合物:、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−6,6’−ジフェニルエチニル−ジフェニルスルホン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノ−6,6’−ジフェニルエチニル−ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−2,2’−ジフェニルエチニル−ジフェニルスルホン等のエチニル(フェニルエチニル)−ジフェニルスルホンを有するビスアミノフェノール化合物:、
2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−エチニル−フェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−フェニルエチニル−フェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−6−フェニルエチニル−フェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−フェニルエチニル−フェニル)−プロパン等のエチニル(フェニルエチニル)−フェニル−プロパンを有するビスアミノフェノール化合物:、
2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−エチニル−フェニル)−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−フェニルエチニル−フェニル)−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−6−フェニルエチニル−フェニル)−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−フェニルエチニル−フェニル)−ヘキサフルオロプロパン等のエチニル(フェニルエチニル)−フェニル−ヘキサフルオロプロパンを有するビスアミノフェノール化合物等が挙げられる。
具体的に、活性エステル基を有しないジカルボン酸としては、
イソフタル酸、テレフタル酸、2−フルオロイソフタル酸、2,3,5,6−テトラフルオロテレフタル酸等のフタル酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,3’−ビフェニルジカルボン酸、4,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ビフェニル等のビフェニルジカルボン酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、2,3−ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等のナフタレンジカルボン酸、4,4’−スルホニルビス安息香酸、3,4’−スルホニルビス安息香酸、3,3’−スルホニルビス安息香酸、4,4’−オキシビス安息香酸、3,4’−オキシビス安息香酸、3,3’−オキシビス安息香酸等のビス安息香酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のビス−カルボキシフェニル−プロパン(ヘキサフルオロプロパン)、9,9−ビス(4−(4−カルボキシフェノキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(3−カルボキシフェノキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス−(2−カルボキシ−フェニル)フルオレン、9,9−ビス−(3−カルボキシ−フェニル)フルオレン等のフルオレン骨格を有するジカルボン酸、4,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)−p−ターフェニル、4,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)−m−ターフェニル等のビス−カルボキシフェニル−ターフェニル、
3−エチニルフタル酸、4−エチニルフタル酸、5−エチニルイソフタル酸等のエチニルイソフタル酸、2−エチニルテレフタル酸、3−エチニルテレフタル酸等のエチニルテレフタル酸等のエチニルフタル酸:、
2−エチニル−1,5−ナフタレンジカルボン酸、3−エチニル−1,5−ナフタレンジカルボン酸等のエチニル−ナフタレンジカルボン酸:、
4,4'−ジエチニル−2,2'−ビフェニルジカルボン酸、5,5'−ジエチニル−2,2'−ビフェニルジカルボン酸等のジエチニル−ビフェニルジカルボン酸:、
2,2−ビス(2−カルボキシ−3−エチニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(2−カルボキシ−4−エチニルフェニル)プロパン等のビス(カルボキシ−エチニルフェニル)プロパン:、
2,2−ビス(2−カルボキシ−4−エチニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−カルボキシ−5−エチニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のビス(カルボキシ−エチニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン:、
4−エチニル−1,3−ジカルボキシシクロプロパン、5−エチニル−2,2−ジカルボキシシクロプロパン、1,3−ビス(4−カルボキシ−フェノキシ)−5−エチニル−ベンゼンの構造異性体、1,3−ビス(4−カルボキシ−フェニル)−5−エチニル−ベンゼンの構造異性体、5−(3−エチニル−フェノキシ)−イソフタル酸等の(エチニル−フェノキシ)イソフタル酸、2−(1−エチニル−フェノキシ)テレフタル酸等の(エチニル−フェノキシ)テレフタル酸等の(エチニル−フェノキシ)フタル酸:、
5−(1−エチニル−フェニル)−イソフタル酸等の(エチニル−フェニル)−イソフタル酸、2−(1−エチニル−フェニル)−テレフタル酸等の(エチニル−フェニル)−テレフタル酸等の(エチニル−フェニル)−フタル酸:、
3−フェニルエチニルフタル酸、5−フェニルエチニルイソフタル酸等のフェニルエチニルフタル酸、2−フェニルエチニルテレフタル酸、3−フェニルエチニルテレフタル酸等のフェニルエチニルテレフタル酸等のフェニルエチニルフタル酸:、
2−フェニルエチニル−1,5−ナフタレンジカルボン酸等のフェニルエチニル−ナフタレンジカルボン酸、
3,3'−ジフェニルエチニル−2,2'−ビフェニルジカルボン酸等のジフェニルエチニル−ビフェニルジカルボン酸、2,2−ビス(2−カルボキシ−3−フェニルエチニルフェニル)プロパン等のビス(カルボキシ−フェニルエチニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(2−カルボキシ−4−フェニルエチニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のビス(カルボキシ−フェニルエチニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
5−(1−フェニルエチニル−フェノキシ)−イソフタル酸、5−(2−フェニルエチニル−フェノキシ)−イソフタル酸、5−(3−フェニルエチニル−フェノキシ)イソフタル酸等の(フェニルエチニル−フェノキシ)−イソフタル酸、2−(1−フェニルエチニル−フェノキシ)テレフタル酸等の(フェニルエチニル−フェノキシ)テレフタル酸等の(フェニルエチニル−フェノキシ)フタル酸等のフェニルエチニル骨格を有するジカルボン酸:、
3−ヘキシニルフタル酸、2−へキシニルテレフタル酸、2−へキシニル−1,5−ナフタレンジカルボン酸、3,3'−ジへキシニル−2,2'−ビフェニルジカルボン酸、2,2−ビス(2−カルボキシ−3−へキシニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−カルボキシ−5−へキシニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4−へキシニル−1,3−ジカルボキシシクロプロパン、1,3−ビス(4−カルボキシ−フェノキシ)−5−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、5−(3−ヘキシニル−フェノキシ)−イソフタル酸等のアルキル基エチニル基を有するジカルボン酸:、
4,4'−トランジカルボン酸、3,4'−トランジカルボン酸等のトランジカルボン酸等の分子内にアセチレン骨格を有するジカルボン酸:、
1,2−ビフェニレンジカルボン酸、1,3−ビフェニレンジカルボン酸等のビフェニレン骨格を有するジカルボン酸:、等が挙げられる。
本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体の製造方法として、酸クロリド法による例としては、N,N'−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下で、前記ジカルボン酸と過剰量の塩化チオニルとを、室温ないし130℃程度で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した後、残査をヘキサン等の溶媒で再結晶化してジカルボン酸クロリドを得る。
次に、このジカルボン酸クロリドと、前記芳香族ジアミン化合物とをN−メチル−2−ピロリドン、N,N'−ジメチルアセトアミド等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、−30℃ないし室温程度で反応させることにより、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体を得ることができる。
本発明において、一般式(2)で表される繰り返し単位を有するベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基を有する芳香族ジアミン化合物(3−1−2)及び/又はカルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物(3−1−3)の内、式(3)で表される基を有する芳香族ジアミン化合物と、活性エステル基を有しないジカルボン酸化合物(3−3)を含むジカルボン酸化合物とを用いて、上記同様の反応により合成することができる。
本発明において、一般式(4)で表される繰り返し単位を有するベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基及びカルボキシル基を有しない芳香族ジアミン化合物(3−2)を含む芳香族ジアミン化合物と、活性エステル基を有するジカルボン酸化合物(3−1−4)の内、式(3)で表される基を有するジカルボン酸化合物とを用いて、上記同様の反応により合成することができる。
次にポリベンゾオキサゾール樹脂について説明する。
本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上述したようなベンゾオキサゾール樹脂前駆体を反応させ脱水閉環して得られる。前記反応は、例えば縮合反応および架橋反応である。
ポリベンゾオキサゾール樹脂を得るには、例えば、前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体を150〜425℃×5(分)〜24(時間)で反応する方法、UV照射する方法、電子線照射する方法等が挙げられる。
前記活性エステル基と反応し得る置換基としては、例えばアミノ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
前記カルボキシル基と反応し得る置換基としては、例えばアミノ基、ヒドロキシル基、イソシアネート基等が挙げられる。
次に、樹脂膜について説明する。
本発明の樹脂膜は、前述したようなポリベンゾオキサゾール樹脂で構成されるものである。これにより、密着性および寸法安定性に優れる。
前記樹脂膜としては、例えば半導体用の層間絶縁膜や表面保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜、エッチング保護膜(エッチングストッパー)、接着剤等が挙げられる。これらの中でも、半導体用の層間絶縁膜および表面保護膜、エッチング保護膜として好適に用いられる。
また、前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体またはその樹脂には、必要に応じて、界面活性剤、シランカップリング剤に代表されるカップリング剤、加熱により酸素ラジカルやイオウラジカルを発生するラジカル開始剤、ジスルフィド類等の触媒等の各種添加剤を添加して、樹脂組成物として用いることができる。
また、前記樹脂組成物に感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物等を添加することにより、感光性を有する表面保護膜として用いることもできる。
また、前記樹脂組成物にナノサイズの微細孔を形成する発泡剤(ポロゲン、ポア・ジェネレーター)を添加しても良い。
前記発泡剤としては、例えば、中空構造を有するカーボンナノチューブやフラーレン、かご型シルセスキオキサン、シクロデキストリン、融点の高い有機化合物、界面活性剤、アゾビス化合物、有機化酸化物、デンドリマー、ハイパーブランチポリマー等が挙げられる。これらの中でも、界面活性剤またはハイパーブランチポリマーが好ましい。これにより、発泡剤をポリベンゾオキサゾール樹脂中に均一に分散することが可能となる。発泡剤を均一に分散できると、更に加熱、抽出処理により、微細孔を得ることができる。
前記微細孔の平均孔径は、特に限定されないが、前記半導体用の層間絶縁膜の場合、10nm以下が好ましく、より6nm以下が好ましく、最も3nm以下が好ましい。平均孔径が前記範囲内であると、特に半導体の製造プロセス中での適合性が高く、層間絶縁膜の誘電特性に優れる。
次に、半導体装置について好適な実施の形態に基づいて説明する。
図1は、本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置100は、素子が形成された半導体基板1と、半導体基板1の上側(図1上側)に設けられた窒化珪素膜2と、窒化珪素膜2の上に設けられた層間絶縁膜3およびバリア層6で覆われた銅配線層4を有している。
層間絶縁膜3には、配線すべきパターンに対応した凹部が形成されており、その凹部内には銅配線層4が設けられている。
層間絶縁膜3は、ナノフォーム(微細孔)31が形成されている。
また、層間絶縁膜3と、銅配線層4との間には、改質処理層5が設けられている。
また、層間絶縁膜3の上側(窒化珪素膜2と反対側面)には、ハードマスク層7が形成されている。
また、本実施の形態では、層間絶縁膜3を用いた半導体装置100について説明したが、本発明はこれに限定されない。
また、上述したような層間絶縁膜は、配線層との密着性に優れるので、半導体装置の接続信頼性をさらに向上できる。
また、上述したような層間絶縁膜は、誘電特性に優れているので、半導体装置の信号損失を低下することができる。
また、上述したような層間絶縁膜は、誘電特性に優れているので、配線遅延を低下することができる。
(実施例)
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン2.747g(7.5mmol)、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)を、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン30mLに溶解し、この溶液に、5−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド2.274g(7.5mmol)、5−エチニルイソフタル酸ジクロリド0.568g(2.5mmol)を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間撹拌した。攪拌後、10℃でトリエチルアミン2.024g(20.2mmol)を添加し、次いで、γ−ブチロラクトン10mLに、アルドリッチ社製ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)8.000g(2.0mmol、数平均分子量4,000)を溶解した溶液を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて、20℃で20時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水1Lとイソプロパノール0.1Lの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体12.10gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量40,300であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を、N−メチル−2−ピロリドンに溶解し、テフロン(登録商標)フィルターで濾過して、コーティング用のワニスを得た。
半導体基板の上に窒化珪素層を形成し、該窒化珪素層上に上記コーティング用ワニスを塗布して、250℃で1時間および420℃で1時間加熱処理して、厚さ0.3μmの層間絶縁膜を形成した。
次に、前記層間絶縁膜に所定のパターンを形成するように金属配線を形成して、半導体装置を得た。
実施例1において、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)を0.668g(1.5mmol)とする以外は実施例1と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体11.20gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例1において、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)を0.446g(1.0mmol)とする以外は実施例1と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体7.10gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量55,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例1において、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)を0.223g(0.5mmol)とする以外は実施例1と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体7.06gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量61,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン3.479g(9.5mmol)を、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン30mLに溶解し、この溶液に、5−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド1.819g(6.0mmol)、5−エチニルイソフタル酸ジクロリド0.454g(2.0mmol)、5−(3−フェニルオキシカルボニル)イソフタル酸ジクロリド0.646g(2.0mmol)を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間撹拌した。攪拌後、10℃でトリエチルアミン2.024g(20.2mmol)を添加し、次いで、γ−ブチロラクトン10mLに、アルドリッチ社製ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)8.000g(2.0mmol、数平均分子量4,000)を溶解した溶液を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて、20℃で20時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水1Lとイソプロパノール0.1Lの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体12.01gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例5において、5−(3−フェニルオキシカルボニル)イソフタル酸ジクロリド0.646g(2.0mmol)を0.485g(1.5mmol)とする以外は実施例5と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体11.20gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例5において、5−(3−フェニルオキシカルボニル)イソフタル酸ジクロリド0.646g(2.0mmol)を0.323g(1.0mmol)とする以外は実施例5と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体10.20gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例5において、5−(3−フェニルオキシカルボニル)イソフタル酸ジクロリド0.646g(2.0mmol)を0.162g(0.5mmol)とする以外は実施例5と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体7.20gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例5において、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン3.479g(9.5mmol)を、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン2.747g(7.5mmol)、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)とする以外は実施例5と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体7.10gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
実施例1において、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸(3−ピリジル)エステル0.891g(2.0mmol)を、3,5−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)安息香酸0.736g(2.0mmol)とする以外は実施例1と同様にして、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体6.90gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量50,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
1)ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の製造
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン34.8g(0.095mol)を、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン330mLに溶解し、この溶液に5−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド30.3g(0.1mol)を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて、20℃で1時間撹拌した。10℃にした後、トリエチルアミン22.3g(0.22mol)を添加し、次いで、γ−ブチロラクトン100mLにアルドリッチ社製ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)40g(0.01mol、数平均分子量4000)を溶解した溶液を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて20℃で20時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水6.6Lとイソプロパノール6.6Lの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体87.9gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量25,000であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
1)ベンゾオキサゾール樹脂前駆体の製造
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン34.8g(0.095mol)を、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン330mLに溶解し、この溶液に、2,7−ビフェニレンジカルボン酸ジクロリド27.6g(0.1mol)を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて20℃で1時間撹拌した。10℃にした後、トリエチルアミン22.3g(0.22mol)を添加し、次いで、γ−ブチロラクトン100mLにアルドリッチ社製ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)40g(0.01mol、数平均分子量4000)を溶解した溶液を、乾燥窒素下10℃で添加した。添加後、10℃で1時間、続いて、20℃で20時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過してトリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水6.6Lとイソプロパノール6.6Lの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体87.7gを得た。
得られたベンゾオキサゾール樹脂前駆体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量25,300、分子量分布2.21であった。
上記で得たベンゾオキサゾール樹脂前駆体を用いて、実施例1と同様に行った。
1. 溶解性
ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体1gと、N−メチル−2−ピロリドン3gを、ふた付きのガラス製サンプル容器に精秤し、撹拌子で1時間撹拌後の不溶物の有無により判断した。
耐熱性は、ガラス転移温度および熱分解温度で評価した。ガラス転移温度は、得られた樹脂膜を動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメンツ(株)製DMS6100)で窒素ガス300mL/min.フロー下、昇温速度3℃/min.、周波数1Hzの条件により測定し、tanδのピークトップ温度をガラス転移温度とした。
また、熱分解温度は、得られた樹脂膜をTG/DTA測定装置(セイコーインスツルメンツ(株)製TG/DTA220)を用いて、窒素ガス200mL/min.フロー下、昇温速度10℃/min.の条件により測定し、重量の減少が5%に到達した温度を熱分解温度とした。
JIS−K6911に準拠し、周波数100kHzで、ヒューレットパッカード社製HP−4284A Precision LCRメーターを用いて半導体用接着フィルムの容量測定を行い下記計算式により比誘電率を算出した。
比誘電率=(容量測定値×フィルムの厚み)/(真空の誘電率×測定面積)
小角X線散乱法を用いた。
また、実施例1〜10は溶剤に溶解可能であり、作業性に優れていた。また、実施例1〜10は誘電率が低く、誘電特性に優れていることが示された。
実施例1〜10の層間絶縁膜を用いて得られた半導体装置と、この半導体装置と同様な構成でSiO2絶縁膜を有する半導体装置との配線遅延の程度を比較した。評価の基準には、リングオシュレータの発信周波数から換算して求めた信号遅延時間を採用した。両者を比較した結果、本発明で得られた半導体装置では、配線遅延が少なく、約20%の速度の向上があることが確認された。
2 窒化珪素膜
3 層間絶縁膜
31 ナノフォーム(微細孔)
4 銅配線層
5 改質処理層
6 バリア層
7 ハードマスク層
100 半導体装置
Claims (9)
- 側鎖及び/又は主鎖に活性エステル基又はカルボキシル基を有するベンゾオキサゾール樹脂前駆体。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を脱水閉環反応させて得られることを特徴とするポリベンゾオキサゾール樹脂。
- 請求項5に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含んでなることを特徴とする樹脂膜。
- 前記樹脂膜は、平均孔径10nm以下の微細孔を有するものである請求項6に記載の樹脂膜。
- 前記樹脂膜は、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜およびエッチング保護膜の中から選ばれるものの一つである請求項6または7に記載の樹脂膜。
- 請求項6ないし8のいずれかに記載の樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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