JP4329160B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4329160B2
JP4329160B2 JP14982199A JP14982199A JP4329160B2 JP 4329160 B2 JP4329160 B2 JP 4329160B2 JP 14982199 A JP14982199 A JP 14982199A JP 14982199 A JP14982199 A JP 14982199A JP 4329160 B2 JP4329160 B2 JP 4329160B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molecular weight
cresol
alkali
composition according
phenol compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP14982199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000338661A (ja
Inventor
佳幸 高田
淳 富岡
相昊 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP14982199A priority Critical patent/JP4329160B2/ja
Publication of JP2000338661A publication Critical patent/JP2000338661A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4329160B2 publication Critical patent/JP4329160B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有し、紫外線、遠紫外線(エキシマ・レーザー等を含む)、電子線、イオンビーム、X線等の放射線に感応して、半導体集積回路の微細加工に好適に用いられるポジ型感放射線性レジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の微細加工には通常、レジスト組成物を用いたリソグラフィープロセスが採用されており、レジスト組成物のなかでもポジ型のものは、一般に解像度に優れることから、多く用いられている。ポジ型レジストは、一般にアルカリ可溶成分と感放射線成分を含有するものである。具体的には、アルカリ可溶性のノボラック樹脂及び感放射線性のキノンジアジド化合物を含有し、アルカリ不溶性であるキノンジアジド化合物が放射線の作用により分解してカルボキシル基を生じ、アルカリ可溶性になることを利用するノボラック/キノンジアジド系のレジストが知られている。
【0003】
そして、集積回路については近年、高集積化に伴う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求されるようになっている。その結果、一層優れた解像度を示すポジ型レジスト組成物が求められている。このようなパターンの微細化に対して、酸発生剤による化学増幅作用を利用した、いわゆる化学増幅型のレジストも一部で採用されているが、ノボラック/キノンジアジド系レジストに対する需要も依然として根強い。
【0004】
ノボラック/キノンジアジド系ポジ型レジストの解像度を上げるためには、感放射線性キノンジアジド化合物の量を増やすことが考えられるが、キノンジアジド化合物の量を増やしすぎると、レジストの光吸収が大きくなってプロファイルが悪化し、矩形のパターン形状が得られなくなるという限界があった。また、特開平 1-105243 号公報などには、分別により高分子量分を多くしたノボラック樹脂に、m−クレゾールをホルムアルデヒドで縮合させた低分子量ノボラックオリゴマーを混合することにより、レジストの感度や耐熱性の改良を図った例が示されており(同公報の実施例5及び実施例8)、さらに特開平 2-2560 号公報や特開平 2-200253 号公報、特開平 3-259149 号公報、特開平 5-204144 号公報などには、ノボラック/キノンジアジド系のレジストにノボラック系の3核体多価フェノール化合物を配合することにより、感度や解像度などを改良することが記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有するポジ型レジストにおいて、他のレジスト諸性能をあまり犠牲にすることなく、解像度をより向上させることにある。研究の結果、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有するポジ型感放射線性レジスト組成物に、ある種の化合物を配合することにより、解像度が一層改良されることを見出し、本発明を完成した。
【0006】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有し、さらに、下式(I)
【0007】
Figure 0004329160
【0008】
(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及びR8 は各々独立して、水素、アルキル又はアルコキシを表し、Q1 及びQ2 は各々独立して、水素又はアルキルを表し、a及びbは各々独立して、1、2又は3を表し、c及びdは各々独立して、1又は2を表し、m及びnは各々独立して、1以上の整数を表し、m+n個存在する各単位の構造は同一でも異なってもよい)
で示される分子量1,000以下の多価フェノール化合物及び上記式(I)で示される多価フェノール化合物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーから選ばれる低分子量アルカリ可溶成分(ただし、当該低分子量アルカリ可溶成分が、m−クレゾールのみをホルムアルデヒドで縮合させた化合物又はオリゴマーのみであることはない)を含有するポジ型感放射線性レジスト組成物を提供するものである。ここでいう重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定される値である。
【0009】
【発明の実施の形態】
上記式(I)において、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及びR8 は、それぞれ水素、アルキル又はアルコキシであり、Q1 及びQ2 は、それぞれ水素又はアルキルである。ここでのアルキル及びアルコキシは、それぞれ1〜5個程度の炭素原子を有することができるが、アルコキシの炭素数は1〜3程度で十分である。特に好ましいアルキルはメチルであり、特に好ましいアルコキシはメトキシである。Q1 及びQ2 は、原料面などからすると、それぞれ水素であるのが有利である。
【0010】
また式(I)において、a、b、c及びdは、各ベンゼン環上に位置する水酸基の数を表し、両端のベンゼン環上に位置する水酸基の数を表すa及びbは、それぞれ1〜3であることができ、中央部の複数のベンゼン環上に位置する各水酸基の数を表すc及びdは、それぞれ1又は2であることができるが、一般には、それぞれのベンゼン環上に1個ずつの水酸基を有するのが、すなわちa、b、c及びdがそれぞれ1であるのが有利である。
【0011】
本発明では、このような式(I)で示される分子量1,000以下の多価フェノール化合物自体を低分子量アルカリ可溶成分として用いるか、又は式(I)で示される多価フェノール化合物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーを低分子量アルカリ可溶成分として用いる。もちろん、多価フェノール化合物自体とオリゴマーとを併用することも可能である。
【0012】
まず、式(I)で示される多価フェノール化合物自体を低分子量アルカリ可溶成分として用いる態様について説明すると、この多価フェノール化合物は、ベンゼン環を4個又はそれ以上有する、すなわち4核体又はそれ以上のものでありうるが、一般には、4核体又は5核体、すなわちm+nが2又は3の化合物であるのが有利である。具体的に有利な4核体及び5核体多価フェノール化合物は、それぞれ下式(II)及び(III) で表すことができる。
【0013】
Figure 0004329160
【0014】
式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及びR8 は先に定義したとおりである。
【0015】
式(II)で示される4核体多価フェノール化合物には、例えば、下式(IIa) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕や、下式(IIb) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−(4−ヒドロキシベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕などが包含される。
【0016】
Figure 0004329160
【0017】
また、式(III) で示される5核体多価フェノール化合物には、例えば、 下式(IIIa)の構造を有する2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチルフェノールなどが包含される。
【0018】
Figure 0004329160
【0019】
なかでも、p−クレゾールから導かれるフェノール核を両末端に有する多核体フェノール化合物、とりわけ、p−クレゾールとキシレノール、特に2,5−キシレノールとをメチレンで結合した構造の化合物が有利である。上記式(IIa) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕や、上記式(IIIa)の構造を有する2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチルフェノールが、このような有利な化合物に該当する。
【0020】
式(I)で示される多価フェノール化合物は、例えば、特開平 6-167805 号公報や特開平 9-114093 号公報などの記載に準じて、以下に述べる方法により製造することができる。すなわち、下式(IV)
【0021】
Figure 0004329160
【0022】
(式中、R5 、R6 、R7 、R8 、Q1 、Q2 、c、d、m及びnは先に定義したとおりである)
で示される2価アルコールと、下式(V)及び(VI)
【0023】
Figure 0004329160
【0024】
(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、a及びbは先に定義したとおりである)
で示される単核フェノール化合物とを縮合させる方法や、下式 (VII)
【0025】
Figure 0004329160
【0026】
(式中、R5 、R6 、R7 、R8 、Q2 、c、d及びmは先に定義したとおりである)
で示される多核フェノール化合物と、下式(VIII)及び(IX)
【0027】
Figure 0004329160
【0028】
(式中、R1、R2、R3、R4、Q1、a及びbは先に定義したとおりである)
で示される1価アルコールとを縮合させる方法により、式(I)で示される多価フェノール化合物を製造することができる。これらの縮合反応は通常、p−トルエンスルホン酸や硫酸、蓚酸のような酸性触媒の存在下で行われる。
【0029】
式(VII) で示される多核フェノール化合物は、市販品があればそれをそのまま用いることができるほか、例えば、単核フェノール化合物にアルデヒドを反応させ、単核フェノール化合物を順次つないでいくことによっても合成できる。出発原料となる単核フェノール化合物としては、例えば、フェノール、レゾルシノール、カテコール、クレゾール、キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、メトキシフェノール、エチルフェノール、2−メチルレゾルシノールなどが挙げられる。これらは、式(I)で示される多価フェノール化合物の末端フェノール核に導かれる前記式(V)又は式(VI)の単核フェノール化合物ともなりうるが、その他にピロガロールのような3価フェノール化合物も、式(V)又は式(VI)に相当する単核フェノール化合物となりうる。さらに、前記式(VII) で示される多核フェノール化合物をアルデヒドと反応させれば、式(IV)で示される2価アルコールを製造することができる。前述した特開平 6-167805 号公報や特開平 9-114093 号公報に記載される各種の4核体、5核体又は6核体多価フェノール化合物が、本発明における低分子量アルカリ可溶成分として用いられうる。
【0030】
次に、前記式(I)の多価フェノール化合物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーを低分子量アルカリ可溶成分として用いる態様について説明すると、このようなオリゴマーは、先に式(I)の多価フェノール化合物の出発原料として例示したような単核フェノール化合物を、蓚酸のような酸触媒の存在下に、アルデヒド、特にホルムアルデヒドと縮合させることにより製造できる。この際の反応条件は、一般的なノボラック樹脂を製造する場合と基本的に同じであるが、酸触媒を少なめに、例えば、単核フェノール化合物に対して0.001〜0.01モル倍程度用い、反応時間を短め、例えば、1〜5時間程度とすることにより、低分子量のオリゴマーを得ることができる。
【0031】
本発明におけるオリゴマータイプの低分子量アルカリ可溶成分としては、少なくとも2種類の単核フェノール化合物を用い、これらをホルムアルデヒドで縮合させたものが好ましい。なかでも、原料の単核フェノール化合物がm−又はp−クレゾールを含むのが有利であり、例えば、m−クレゾールとp−クレゾールとの組合せ、m−又はp−クレゾールと、2,3−、2,5−、3,4−又は3,5−キシレノールのようなキシレノールとの組合せなどが挙げられる。とりわけ好ましいものには、p−クレゾールとキシレノール、特に2,5−キシレノールとの組合せが包含される。
【0032】
本発明のレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分に加えて、以上説明したような低分子量アルカリ可溶成分を含有するものであるが、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分は、この分野で一般的に用いられているものでよい。アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ポリビニルフェノールやノボラック樹脂などが挙げられ、特にノボラック樹脂が好適に用いられている。ノボラック樹脂は、フェノール系化合物とアルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることにより得られる。
【0033】
ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノール系化合物としては、例えば、フェノール、o−、m−又はp−クレゾール、2,3−、2,5−、3,4−又は3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2−、3−又は4−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−又は−5−メチルフェノール、2−、4−又は5−メチルレゾルシノール、2−、3−又は4−メトキシフェノール、2,3−、2,5−又は3,5−ジメトキシフェノール、2−メトキシレゾルシノール、4−tert−ブチルカテコール、2−、3−又は4−エチルフェノール、2,5−又は3,5−ジエチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、キシレノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合により得られるポリヒドロキシトリフェニルメタン系化合物などが挙げられる。これらのフェノール系化合物は、それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
【0034】
ノボラック樹脂の製造に用いられるアルデヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ピバルアルデヒド及びヘキシルアルデヒドのような脂肪族アルデヒド類、シクロヘキサンアルデヒド、シクロペンタンアルデヒド及びフルフラールのような脂環式アルデヒド類、ベンズアルデヒド、o−、m−又はp−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、2,4−、2,5−、3,4−又は3,5−ジメチルベンズアルデヒド、o−、m−又はp−ヒドロキシベンズアルデヒド及びo−、m−又はp−アニスアルデヒドのような芳香族アルデヒド類、フェニルアセトアルデヒドのような芳香脂肪族アルデヒド類などが挙げられる。これらのアルデヒド類も、それぞれ単独で、又は所望により2種類以上組み合わせて用いることができる。これらのアルデヒド類のなかでは、工業的に入手しやすいことから、ホルムアルデヒドが好ましく用いられる。
【0035】
フェノール系化合物とアルデヒドとの縮合に用いられる酸触媒の例としては、塩酸、硫酸、過塩素酸及び燐酸のような無機酸、蟻酸、酢酸、蓚酸、トリクロロ酢酸及びp−トルエンスルホン酸のような有機酸、酢酸亜鉛、塩化亜鉛及び酢酸マグネシウムのような二価金属塩などが挙げられる。これらの酸触媒も、それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いることができる。縮合反応は常法に従って、例えば、60〜120℃の範囲の温度で2〜30時間程度行われる。
【0036】
縮合により得られるノボラック樹脂は、例えば分別などの操作を施して、低分子量分を少なくしておくのが好ましい。具体的には、ノボラック樹脂をGPCで分析したときに、分子量1,000以下の範囲の面積比が、未反応のフェノール系化合物を除く全パターン面積に対して25%以下、さらには20%以下となるようにしておくのが好ましい。ここでパターン面積は、254nmのUV検出器を用いて測定したものを意味し、分子量はポリスチレンを標準品とする値である。分別を行う場合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えば、メタノールやエタノールのようなアルコール類、アセトンやメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、エチルセロソルブのようなグリコールエーテル類、エチルセロソルブアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、テトラヒドロフランのようなエーテル類などに溶解し、この溶液を水中に注いで高分子量分を沈殿させる方法、あるいはこの溶液を、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合して分液する方法などが採用できる。
【0037】
また、感放射線成分としては通常、キノンジアジド化合物、具体的には、フェノール性水酸基を有する化合物のo−キノンジアジドスルホン酸エステルが用いられる。好ましくは、フェノール性水酸基を少なくとも3個有するポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−5−若しくは−4−スルホン酸エステル又は1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステルである。このような感放射線性キノンジアジド化合物は、それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
【0038】
これらのエステルは、上記のフェノール性水酸基を有する化合物を、適当な溶媒中、トリエチルアミンのような塩基の存在下に、o−キノンジアジドスルホン酸ハライドと反応させることにより製造できる。反応後は、適当な後処理を施して、目的物であるキノンジアジドスルホン酸エステルを取り出すことができる。例えば、反応マスを水と混合して目的物を析出させ、濾過、乾燥することにより粉体の形で得る方法や、反応マスに2−ヘプタノン等のレジスト溶剤を加え、水洗、分液後、蒸留や平衡フラッシュ蒸留により反応溶媒を除去し、レジスト溶剤溶液の形で得る方法などがある。ここでいう平衡フラッシュ蒸留とは、連続蒸留操作の一種であって、液体混合物の一部を蒸発させ、発生した蒸気相と液相とを十分に接触させて、平衡に達したときに気体と液体を分離する蒸留法である。蒸発の効率が非常によく、ほとんど瞬間的に蒸発が起こり、気相と液相はすぐに平衡状態に達するので、気相と液相をすぐに分離しても十分に濃縮されており、加熱時間が短くてすむことから、熱に弱い物質の濃縮に適している。
【0039】
本発明では、以上説明したようなアルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分に加えて、前記式(I)で示される多価フェノール化合物及び/又はその多価フェノール化合物を含有するオリゴマーを、低分子量アルカリ可溶成分として配合する。特に、前述したように低分子量分を少なくしたノボラック樹脂をアルカリ可溶性樹脂とし、これに、本発明による低分子量アルカリ可溶成分を添加することで、高い効果が発揮される。また、本発明で特定する低分子量アルカリ可溶成分以外に、分子量1,000以下のアルカリ可溶性フェノール系化合物を、追加の低分子量アルカリ可溶成分として併用することもできる。併用されるアルカリ可溶性フェノール系化合物は、分子構造中にフェノール性水酸基を少なくとも2個有するのが好ましく、例えば、特開平 2-275955 号公報や特開平 2-2560 号公報、特開平 3-191351 号公報に記載のものなどが挙げられる。また、本発明の必須成分からは除外されているm−クレゾールのみをホルムアルデヒドで縮合させた低分子量の化合物又はオリゴマーを、追加の低分子量アルカリ可溶成分とすることももちろん可能である。
【0040】
本発明のレジスト組成物においては、レジストのタイプによっても異なるが、一般に、アルカリ可溶成分、すなわち、アルカリ可溶性樹脂及び低分子量アルカリ可溶成分の合計100重量部に対して、感放射線成分が10〜100重量部程度の範囲で用いられる。感放射線成分の好ましい含有量は、上記アルカリ可溶成分100重量部に対して10〜50重量部程度である。また、低分子量アルカリ可溶成分は、アルカリ可溶性樹脂と当該低分子量アルカリ可溶成分の合計量を基準に、3〜40重量%の範囲で存在させるのが好ましい。さらに、本発明で規定する式(I)の多価フェノール化合物又はそれを含むオリゴマーは、低分子量アルカリ可溶成分のうちの少なくとも10重量%を占めるようにするのが有利である。
【0041】
本発明のレジスト組成物は、以上説明したアルカリ可溶性樹脂、感放射線成分及び低分子量アルカリ可溶成分を必須に含有するものであるが、その他必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂以外の樹脂や、染料、界面活性剤など、この分野で慣用されている各種の添加物を少量含有することもできる。また、アルカリ分解性の化合物、例えば、特開平 10-213905号公報で提案されているような、アルカリ現像液の作用により分解して酸を生じる酸発生剤を加えることも有効である。このようなアルカリ分解性の化合物を含有させれば、パターンプロファイルの向上に寄与しうる。
【0042】
上記の各成分は、溶剤に溶解してレジスト液とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、常法に従ってスピンコーティングなどの方法で塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で通常用いられているものであることができる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノエチルエーテルのようなグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
【0043】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのために放射線が照射され、次いで必要によりポストエキスポジャーベークが施された後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で知られている各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が用いられることが多い。
【0044】
【実施例】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す%、部及び割合は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品としてGPCにより測定した値である。
【0045】
参考例1(ノボラック樹脂の製造)
還流管、攪拌装置及び温度計を備えた5リットル四つ口フラスコに、m−クレゾール含量61.6%のm−/p−混合クレゾール702.1g、p−クレゾール379.2g、蓚酸二水和物25.5g、90%酢酸水溶液337.9g、メチルイソブチルケトン1,008g及び水123gを仕込んで80℃まで昇温し、そこに37%ホルムアルデヒド水溶液492.9gを1時間かけて滴下した。その後還流温度まで昇温し、その状態で12時間保温した。得られた反応液をメチルイソブチルケトンで希釈し、水洗及び脱水を行って、ノボラック樹脂を40.1%含むメチルイソブチルケトン溶液を得た。この樹脂溶液200gを5リットルの底抜きフラスコに仕込み、メチルイソブチルケトン335gで希釈し、さらにヘプタン412gを仕込んで60℃で攪拌し、静置後分液した。下層のノボラック樹脂溶液を2−ヘプタノンで希釈してから濃縮し、ノボラック樹脂を36.0%含む2−ヘプタノン溶液を得た。このノボラック樹脂を樹脂A1とする。この樹脂の重量平均分子量は約9,800、GPCパターンにおける分子量1,000以下の範囲の面積比は約3.8%であった。
【0046】
参考例2(別のノボラック樹脂の製造)
還流管、攪拌装置及び温度計を備えた5リットル四つ口フラスコに、m−クレゾール含量61.6%のm−/p−混合クレゾール1,448.3g、p−クレゾール38.62g、蓚酸二水和物35.11g、90%酢酸水溶液464.4g、メチルイソブチルケトン1,386g及び水169.23gを仕込んで80℃まで昇温し、そこに37%ホルムアルデヒド水溶液711.2gを1時間かけて滴下した。その後還流温度まで昇温し、その状態で12時間保温した。得られた反応液をメチルイソブチルケトンで希釈し、水洗及び脱水を行ってノボラック樹脂を43.3%含むメチルイソブチルケトン溶液を得た。この樹脂溶液2,487.4gを底抜き容器に仕込み、メチルイソブチルケトン6,129.0gで希釈し、さらにヘプタン5,572.5gを仕込んで60℃で攪拌し、静置後分液した。下層のノボラック樹脂溶液を2−ヘプタノンで希釈してから濃縮し、ノボラック樹脂を33.82%含む2−ヘプタノン溶液を得た。このノボラック樹脂を樹脂A2とする。この樹脂の重量平均分子量は約7,900、GPCパターンにおける分子量1,000以下の範囲の面積比は約4.5%であった。
【0047】
参考例3(m−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製造)
還流管、攪拌装置及び温度計を備えた3リットルの四つ口フラスコに、m−クレゾール1,081g及び蓚酸二水和物2.52gを仕込んで80℃まで昇温し、そこに37%ホルムアルデヒド水溶液242.2gを1時間かけて滴下した。その後還流温度まで昇温し、その状態で3時間保温した。得られた反応液を200torrの減圧下に110℃まで加熱して濃縮した後、さらに、15torrの減圧下で145℃まで加熱して濃縮した。これを2−ヘプタノンで希釈し、水洗及び濃縮を行って、ノボラックオリゴマーを36.1%含む2−ヘプタノン溶液を得た。このオリゴマーは、下式の構造を有するものであり(ただし、式中のpは、重合度に見合う繰り返し数を意味する)、その重量平均分子量は約510であった。これをオリゴマーBXとする。
【0048】
Figure 0004329160
【0049】
参考例4(p−クレゾール/2,5−キシレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製造)
200mlの四つ口フラスコに、p−クレゾール73.0g、2,5−キシレノール27.26g及び蓚酸二水和物0.227gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温した。そこに37%ホルムアルデヒド水溶液36.53gを20分かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して4時間保温した。得られた反応液を200torrの減圧下に110℃まで加熱して濃縮した後、さらに、15torrの減圧下で145℃まで加熱して濃縮した。濃縮マスに室温で2−ヘプタノンを120g仕込んで溶解させ、イオン交換水60gで4回洗浄した。水洗後のマスを40torrまで減圧し、80℃まで昇温して脱水した。その結果、ノボラックオリゴマーを58.12%含む2−ヘプタノン溶液を104.11g得た。このオリゴマーは、下式の各単位がメチレンで結合し、末端がp−クレゾール又は2,5−キシレノール単位となったものであり、その重量平均分子量は約750であった。これをオリゴマーB1とする。
【0050】
Figure 0004329160
【0051】
参考例5(m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製造)
200mlの四つ口フラスコに、 m−クレゾール73.0g、p−クレゾール73.0g及び蓚酸二水和物0.34gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温した。そこに38%ホルムアルデヒド水溶液32.84gを1時間かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して4.5時間保温した。その後、参考例4と同様に後処理を施して、ノボラックオリゴマーを60.59%含む2−ヘプタノン溶液を92.46g得た。このオリゴマーは、下式の各単位がメチレンで結合し、末端がm−クレゾール又はp−クレゾール単位となったものであり、その重量平均分子量は約680であった。これをオリゴマーB2とする。
【0052】
Figure 0004329160
【0053】
参考例6(m−クレゾール/2,5−キシレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製造)
200mlの四つ口フラスコに、m−クレゾール73.0g、2,5−キシレノール27.26g及び蓚酸二水和物0.227gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温した。そこに39%ホルムアルデヒド水溶液21.92gを30分かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して4.5時間保温した。その後、参考例4と同様に後処理を施して、ノボラックオリゴマーを57.16%含む2−ヘプタノン溶液を74.80g得た。このオリゴマーは、下式の各単位がメチレンで結合し、末端がm−クレゾール又は2,5−キシレノール単位となったものであり、その重量平均分子量は約490であった。これをオリゴマーB3とする。
【0054】
Figure 0004329160
【0055】
実施例1〜3、参考例7〜9及び比較例1
参考例1及び2のようにして得られたノボラック樹脂A1及びA2の各溶液を固形分割合5/95又は2.5/97.5で混合して、以下の物性を有する樹脂A11 及び樹脂A12 の各溶液とした。
【0056】
樹脂A11 :A1/A2=5/95、重量平均分子量約 7,950、
GPCパターンにおける分子量 1,000以下の範囲の面積比約 4.4%。
樹脂A12 :A1/A2=2.5/97.5、重量平均分子量約 7,930、
GPCパターンにおける分子量 1,000以下の範囲の面積比約 4.5%。
【0057】
また感放射線成分として、下式
【0058】
Figure 0004329160
【0059】
の構造を有する4−(7−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチル−2−クロマニル)レゾルシノールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの反応モル比1:2.6の縮合物を用いた。
【0060】
さらに、低分子量アルカリ可溶成分(1) として、参考例3〜6で得た以下に再掲するオリゴマーBX及びB1〜B3、並びに以下に示す多核体多価フェノール化合物C1〜C3を用いた。
【0061】
BX: 参考例3で得られたm−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平均分子量約510)。
B1: 参考例4で得られたp−クレゾール/2,5−キシレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平均分子量約750)。
B2: 参考例5で得られたm−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平均分子量約680)。
B3: 参考例6で得られたm−クレゾール/2,5−キシレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平均分子量約490)。
C1: 前記式(IIa) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕。
C2: 前記式(IIIa)の構造を有する2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチルフェノール。
C3: 前記式(IIb) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−(4−ヒドロキシベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕。
【0062】
さらにまた、別の低分子量アルカリ可溶成分(2) として、下式
【0063】
Figure 0004329160
【0064】
の構造を有する4−(1′,2′,3′,4′,4′a,9′a−ヘキサヒドロ−6′−ヒドロキシスピロ[シクロヘキサン−1,9′−キサンテン]−4′a−イル)レゾルシノールを用いた。
【0065】
これらの各成分を、溶剤とともに以下の組成で混合し、溶解した。
【0066】
Figure 0004329160
【0067】
それぞれの溶液をフッ素樹脂フィルターで濾過してレジスト液を調製し、そのレジスト液を、ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコンウェハーにスピンコートし、ダイレクトホットプレート上にて90℃で60秒間のプリベークを行って、膜厚1.06μmのレジスト膜を形成させた。こうしてレジスト膜が形成されたウェハーに、i線ステッパー〔(株)ニコン製の“NSR-2005 i9C”、NA=0.57 、σ=0.60 〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。次にホットプレート上にて、110℃、60秒の条件でポストエキスポジャーベークを行った後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、それぞれの実効感度及び解像度を以下のようにして評価し、結果を表1に示した。
【0068】
実効感度: 1.00μmラインアンドスペースパターンの断面幅が1:1となる露光量で表示した。
【0069】
解像度: 実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小線幅で表示した。
【0070】
【表1】
――――――――――――――――――――――――――――――――
例No. 樹脂 低分子量アルカリ可溶成分(1) 実効感度 解像度
――――――――――――――――――――――――――――――――
実施例1 A11 C1 0.5部+BX 0.5部 65msec 0.50μm
〃 2 A11 C2 0.5部+BX 0.5部 70msec 0.475μm
〃 3 A11 C3 0.5部+BX 0.5部 60msec 0.525μm
参考例7 A12 B1 1.0部 51msec 0.55μm
A12 B2 1.0部 48msec 0.55μm
A12 B3 1.0部 48msec 0.525μm
――――――――――――――――――――――――――――――――
比較例 A11 BX 1.0部 50msec 0.575μm
――――――――――――――――――――――――――――――――
【0071】
表1に示したように、実施例のものは、比較例のものに比べて解像度が向上している。
【0072】
【発明の効果】
本発明のポジ型レジスト組成物は解像度に優れており、またプロファイル、感度、耐熱性、焦点深度などのレジスト諸性能のバランスにも優れている。したがってこの組成物は、半導体集積回路の一層の微細化に有効である。

Claims (10)

  1. アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有し、さらに、下式(I)
    Figure 0004329160
    (式中、R、R、R、R、R、R、R及びRは各々独立して、水素、アルキル又はアルコキシを表し、Q及びQは各々独立して、水素又はアルキルを表し、a及びbは各々独立して、1、2又は3を表し、c及びdは各々独立して、1又は2を表し、m及びnは各々独立して、1以上の整数を表し、m+n個存在する各単位の構造は同一でも異なってもよい)
    で示される分子量1,000以下の多価フェノール化合物及び上記式(I)で示される多価フェノール化合物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーから選ばれる低分子量アルカリ可溶成分(ただし、当該低分子量アルカリ可溶成分が、m−クレゾールのみをホルムアルデヒドで縮合させた化合物又はオリゴマーのみであることはない)を含有するポジ型感放射線性レジスト組成物であり、
    前記低分子量アルカリ可溶成分が、下式(II)又は(III)
    Figure 0004329160
    (式中、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 及びR は請求項1に定義したとおりである)
    で示される4核体又は5核体多価フェノール化合物を含有し、
    前記多価フェノール化合物が、p−クレゾールとキシレノールをメチレンで結合した構造であり、p−クレゾールから導かれるフェノール核を両末端に有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
  2. 式(I)中のQ及びQがそれぞれ水素である請求項1に記載の組成物。
  3. 式(I)中のa、b、c及びdがそれぞれ1である請求項1又は2に記載の組成物。
  4. 低分子量アルカリ可溶成分が、式(I)中のm+nが2又は3である多価フェノール化合物を含有する請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。
  5. 多価フェノール化合物が、4,4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕又は2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチルフェノールである請求項に記載の組成物。
  6. 低分子量アルカリ可溶成分が、少なくとも2種類の単核フェノール化合物をホルムアルデヒドで縮合させたオリゴマーを含有する請求項1に記載の組成物。
  7. オリゴマーの原料である単核フェノール化合物が、m−又はp−クレゾールを含有する請求項に記載の組成物。
  8. 単核フェノール化合物が、m−クレゾールとp−クレゾールである請求項に記載の組成物。
  9. 単核フェノール化合物が、m−又はp−クレゾールとキシレノールである請求項に記載の組成物。
  10. アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂であって、それをゲル浸透クロマトグラフィーで分析したときに、ポリスチレンを標準品とする分子量1,000以下の範囲の面積比が、未反応の原料フェノール系化合物を除く全パターン面積に対して25%以下のものである請求項1〜のいずれかに記載の組成物。
JP14982199A 1999-05-28 1999-05-28 ポジ型レジスト組成物 Expired - Lifetime JP4329160B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14982199A JP4329160B2 (ja) 1999-05-28 1999-05-28 ポジ型レジスト組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14982199A JP4329160B2 (ja) 1999-05-28 1999-05-28 ポジ型レジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000338661A JP2000338661A (ja) 2000-12-08
JP4329160B2 true JP4329160B2 (ja) 2009-09-09

Family

ID=15483444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14982199A Expired - Lifetime JP4329160B2 (ja) 1999-05-28 1999-05-28 ポジ型レジスト組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4329160B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI263864B (en) 2001-01-17 2006-10-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive photoresist composition
KR101737798B1 (ko) 2010-03-24 2017-05-30 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
JP6238845B2 (ja) * 2014-03-10 2017-11-29 日本化薬株式会社 フェノール樹脂、フェノール樹脂混合物、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およびそれらの硬化物
CN107844028B (zh) * 2017-11-07 2021-04-30 潍坊星泰克微电子材料有限公司 一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000338661A (ja) 2000-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2929684B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH05181270A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2629990B2 (ja) ポジ型レジスト用組成物
JPH03294861A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3796982B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JP3063148B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2629403B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH0411260A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP2814721B2 (ja) ポジ型感放射線性レジスト組成物
JP4329160B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH05249666A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP3931486B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JP3424341B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP4429546B2 (ja) ノボラック樹脂の製造方法、およびこれを用いたポジ型ホトレジスト組成物
GB2360600A (en) Positive resist composition
JP3319092B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH11349654A (ja) フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法
JP2830197B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH06242599A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0572728A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP3600375B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JP3258384B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3799635B2 (ja) 多価フェノール化合物、その製法および用途
JP3443935B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH09194415A (ja) フェノール系2核体化合物、その製法および用途

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060411

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20080125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090526

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090608

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626

Year of fee payment: 4

EXPY Cancellation because of completion of term