JP4316469B2 - 自動設計装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態に係る自動設計装置は、図1に示すように、操作者からのデータや命令などの入力を受け付ける入力装置4と、レイアウト設計等の種々の演算を実行する演算処理部(CPU)1と、レイアウト結果等を出力する出力装置5と、半導体集積回路のレイアウト設計に必要な所定のデータ等を記憶したデータ記憶装置2と、半導体集積回路のレイアウトプログラム等を記憶したプログラム記憶装置6とを備える。
次に、実施の形態に係る自動設計方法を用いて製造可能な半導体集積回路の一例を、図8の平面図及び図9の断面図に示す。実施の形態に係る半導体集積回路は、図9に示すように、基板30と、基板30上の複数の素子31a,31bと、複数の素子31a,31b上の第1絶縁膜40を有する。第1絶縁膜40には、第1優先方向に対して平行に延伸する複数の第1配線41a,41b,・・・41l,・・・を含む第1配線領域401、及び第1配線41a,41b,・・・41l,・・・に接続され、第1優先方向に対して斜めに延伸する複数の第1斜め配線42d,42e,42f,・・・を含む第1斜め配線領域402を含む第1配線層400を有する。
本発明は、上述の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
図8及び図9に示す半導体集積回路以外にも、様々な半導体集積回路が製造可能である。例えば、図31に示すように、基板30の厚さ方向に順次成膜された第2絶縁膜50上の第2ストッパ膜57,第3絶縁膜60上の第3ストッパ膜67,第4絶縁膜70上の第4ストッパ膜77の一部にそれぞれ穴を開け、O2アッシャにより、第2絶縁膜50,第3絶縁膜60,第4絶縁膜70にそれぞれ空洞58,68,78を形成する。この結果、第2〜第4斜め配線52f,52g,62e,62f,62g,72g,72hは空中配線となるため、絶縁層間の比誘電率が低くなり、信号伝達遅延を更に抑制することも可能である。
図35は、図31に示す配線構造を図9に示す集積回路の第1〜第4層に応用した例を示している。また、図36は、第2斜め配線52fの上面、第3斜め配線62e及び第3配線62gの上面、及び第4斜め配線72gの上面に拡散防止膜(ストッパ膜)を配置した例を示している。この場合、第2絶縁膜50a,50bの膜の材料は同種も異種でも構わない。第3絶縁膜60a,60bの膜の材料は同種も異種でも構わない。第4絶縁膜70a,70bの膜の材料は同種も異種でも構わない。
2…データ記憶装置
4…入力装置
5…出力装置
6…プログラム記憶装置
10…情報抽出部
14…第1層配線部
15…第2層配線部
17…上(k+1)層配線部
21…セル情報記憶部
22…配線情報記憶部
24…第1層情報記憶部
25…第2層情報記憶部
27…上(k+1)層情報記憶部
30…基板
35e,35f,35l,35x…第1ビアプラグ
40…第1絶縁膜
41a,41b,・・・41l,・・・…第1配線
42a,42b,・・・,42f,42g,・・・…第1斜め配線
45f,45g,45x…第2ビアプラグ
50…第2絶縁膜
51a,51b,・・・…第2配線
52a,52b,・・・…第2斜め配線
58,68,78…空洞
141…チップ領域情報抽出部
142…第1格子領域設定部
143…第1斜め格子領域設定部
144…第1配線部
145…第1置換領域設定部
146…第1再配線部
171…下(k)層情報抽出部
172…第k+1格子領域設定部
173…第k+1斜め格子領域設定部
174…第k+1配線部
400,400a…第1配線層
401…第1配線領域
401a…第1格子領域
402…第1斜め配線領域
402a…第1斜め格子領域
403a,403c,403d,403e,403p…第1置換領域
500a…第2配線層
501…第2配線領域
501a…第2格子領域
502…第2斜め配線領域
502a…第2斜め格子領域
Claims (3)
- 第1線群及び前記第1線群に直交する第2線群により定義される第1格子領域、及び前記第1及び第2線群に接続され、前記第1線群に斜めに延伸する第3線群及び前記第3線群に直交する第4線群により定義される第1斜め格子領域を第1配線層にそれぞれ設定し、前記第1〜第4線群を基準として、前記第1格子領域に第1配線を配置すると共に、前記第1斜め格子領域に前記第1配線の長手方向に斜めに延伸する第1斜め配線を配置する第1層配線部と、
前記第1格子領域及び第1斜め格子領域上に重なる位置に、前記第1及び第2線群により定義される第2格子領域及び前記第3及び第4線群により定義される第2斜め格子領域をそれぞれ第2配線層に設定し、前記第1〜第4線群を基準として、前記第2格子領域に第2配線を配置すると共に、前記第2斜め格子領域に前記第2配線の長手方向に斜めに延伸する第2斜め配線を配置する第2層配線部と、
前記第2格子領域及び前記第2斜め配線格子領域に重なる位置に、前記第1及び第2線群により定義される上層格子領域及び前記第3及び第4線群により定義される上層斜め格子領域を、それぞれ前記第2層配線層上のすべての上層配線層上に設定する上層配線部と
を含むことを特徴とする自動設計装置。 - 前記第1層配線部が、前記第1配線層の下層に配置されるマクロセルの配置情報に基づいて、前記マクロセル上に重ね合わせるように前記第1斜め格子領域を設定することを特徴とする請求項1に記載の自動設計装置。
- 前記第1配線及び前記第1斜め配線の配線結果に基づいて、前記第1配線及び前記第1斜め配線のいずれかを引きはがし、引きはがした配線の延伸方向に斜めに延伸する第5線群及び第5線群に直交する第6線群により定義される第1置換領域を、前記第1配線層上に設定する第1置換領域設定部と、
前記第5及び第6線群を基準として、前記第1置換領域に前記第1配線及び前記第1斜め配線のいずれかを再配線する再配線部
を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の自動設計装置。
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US6004835A (en) * | 1997-04-25 | 1999-12-21 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, conductive lines, a conductive grid, a conductive network, an electrical interconnection to anode location and an electrical interconnection with a transistor source/drain region |
US7388260B1 (en) | 2004-03-31 | 2008-06-17 | Transmeta Corporation | Structure for spanning gap in body-bias voltage routing structure |
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US7305647B1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-12-04 | Transmeta Corporation | Using standard pattern tiles and custom pattern tiles to generate a semiconductor design layout having a deep well structure for routing body-bias voltage |
US7721235B1 (en) * | 2006-06-28 | 2010-05-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for implementing edge optimization on an integrated circuit design |
US8018070B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-09-13 | Qimonda Ag | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor devices and mask systems used in the manufacturing of semiconductor devices |
US7861204B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-12-28 | International Business Machines Corporation | Structures including integrated circuits for reducing electromigration effect |
JP5301879B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-09-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2011014576A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体チップ、半導体ウエハ、及び半導体チップの製造方法 |
US8203212B2 (en) | 2010-04-01 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same |
KR20130143586A (ko) * | 2010-10-12 | 2013-12-31 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP5603768B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路の配線方法、半導体回路配線装置および半導体集積回路 |
JP5554303B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法 |
US10068834B2 (en) | 2013-03-04 | 2018-09-04 | Cree, Inc. | Floating bond pad for power semiconductor devices |
CN104199586B (zh) * | 2014-09-16 | 2018-04-13 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、内嵌式触摸屏和触控显示装置 |
JP2017135308A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路装置及びそのレイアウト設計方法、並びに、電子機器 |
KR102521222B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2023-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
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Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5739579A (en) * | 1992-06-29 | 1998-04-14 | Intel Corporation | Method for forming interconnections for semiconductor fabrication and semiconductor device having such interconnections |
JPH0653320A (ja) | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US5723908A (en) * | 1993-03-11 | 1998-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multilayer wiring structure |
JP3185540B2 (ja) | 1994-06-10 | 2001-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
US6340435B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated low K dielectrics and etch stops |
US6262487B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit wiring method, and cell arranging method |
US6849923B2 (en) | 1999-03-12 | 2005-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US6696712B1 (en) * | 2000-08-11 | 2004-02-24 | Seiko Epson Corporation | Semicustom IC having adjacent macrocells |
US6504202B1 (en) * | 2000-02-02 | 2003-01-07 | Lsi Logic Corporation | Interconnect-embedded metal-insulator-metal capacitor |
JP3822009B2 (ja) | 1999-11-17 | 2006-09-13 | 株式会社東芝 | 自動設計方法、露光用マスクセット、半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、および自動設計プログラムを記録した記録媒体 |
US7262130B1 (en) * | 2000-01-18 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods for making integrated-circuit wiring from copper, silver, gold, and other metals |
US7055120B2 (en) * | 2000-12-06 | 2006-05-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for placing circuit modules |
US20050240893A1 (en) * | 2000-12-07 | 2005-10-27 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and arrangement for layout and manufacture of nonmanhattan semiconductor integrated circuit using simulated euclidean wiring |
US6858928B1 (en) * | 2000-12-07 | 2005-02-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Multi-directional wiring on a single metal layer |
US6900540B1 (en) * | 2000-12-07 | 2005-05-31 | Cadence Design Systems, Inc. | Simulating diagonal wiring directions using Manhattan directional wires |
JP3586190B2 (ja) | 2000-12-26 | 2004-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7096449B1 (en) * | 2002-01-22 | 2006-08-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Layouts with routes with different widths in different directions on the same layer, and method and apparatus for generating such layouts |
JP2004031830A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
US7080342B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-07-18 | Cadence Design Systems, Inc | Method and apparatus for computing capacity of a region for non-Manhattan routing |
US7480885B2 (en) * | 2002-11-18 | 2009-01-20 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing with independent goals on different layers |
JP4245418B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-03-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 斜め方向配線を有する半導体集積回路装置及びそのレイアウト方法 |
US6905909B2 (en) * | 2003-10-22 | 2005-06-14 | Lsi Logic Corporation | Ultra low dielectric constant thin film |
JP2005141679A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置のレイアウト方法および半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム |
US20050173799A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect structure and method for its fabricating |
JP4178242B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2008-11-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 斜め配線を有するlsiの配線容量の抽出方法およびその抽出プログラム |
JP4694801B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-06-08 | 三洋電機株式会社 | Led制御回路 |
JP4316469B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 自動設計装置 |
US8373355B2 (en) * | 2006-11-09 | 2013-02-12 | Apple Inc. | Brightness control of a status indicator light |
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