JP4316453B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents

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Description

本発明は、複数のメモリセルに記憶されたデータを一括消去可能な半導体記憶装置に関する。
データを一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリが知られている。このNAND型フラッシュメモリは、カラム方向に配置された複数のメモリセル及び選択ゲートが直列接続されて1つのNANDセルを構成している。各NANDセルは選択ゲートにより対応するビット線に接続される。例えば隣接する2つのビット線は1つのデータ記憶回路に接続され、このデータ記憶回路は、データの書き込み時に外部から供給される書き込みデータを保持し、データの読み出し時にメモリセルから読み出されたデータを保持する。
データの書き込み時又は読み出し時において、ロウ方向に並んだ全てのセル又は半数のセルが一括して書き込み、又は読み出し動作される。また、消去動作において、メモリセルアレイが形成されたウェル領域に高電圧を印加し、選択セルのワード線をVss、非選択セルのワード線をフローティング状態にすると、選択セルにはゲート−ウェル領域間に高電圧が加わる。このため、浮遊ゲートから基板へ電子が抜けてセルの閾値電圧が負となる。また、消去動作時、非選択セルのゲートはフローティング状態である。このため、ウェル領域に高電圧を印加すると、カップリングによりワード線も高電圧となり、選択セルのゲート−ウェル領域間は、高電圧とならず、消去されない。
この消去動作において、メモリセルが形成されたウェル領域を高電圧とするため、メモリセルのドレインに接続されたビット線も高電圧となる。しかし、ビット線に接続されたデータ記憶回路やビット線に電位を供給するための周辺回路は、高電圧に耐えられない低電圧用トランジスタで構成されている。そこで、低電圧用トランジスタを保護するため、ビット線の一端とデータ記憶回路との間、及びビット線の他端と周辺回路との間に高電圧用トランジスタを接続し、消去動作時にこのトランジスタをオフとして高電圧がデータ記憶回路や周辺回路に供給されない構成としている。
素子の微細化が進むに従い低電圧用トランジスタも縮小される。しかし、高電圧用トランジスタは、微細化が難しい。また、半導体記憶装置の大容量化に伴い、ビット線の本数が増加し、ビット線に接続される高電圧用トランジスタの数が増大するという問題もある。例えば4GビットNANDフラッシュメモリは、32k個のデータ記憶回路を有しており、高電圧トランジスタは、その4倍の128k個存在する。高電圧トランジスタの数は、メモリ容量の増大に従って増加する。このため、高電圧トランジスタがチップに占める割合が大きくなり、チップ面積を縮小することが困難であった。
そこで、2本のビット線に対して2個の高電圧トランジスタを共通接続することにより、高電圧トランジスタの数を削減する技術が開発されている(例えば特許文献1参照)。この技術によれば、高電圧トランジスタの数を従来の半数とすることができる。しかし、この技術の場合も、メモリ容量が増大した場合、高電圧トランジスタの数が増大するという課題を有している。
特開平8−46159号公報
本発明は、上記課題を解決するものであり、高電圧トランジスタの数を大幅に削減でき、しかも、メモリ容量が増大した場合においても、高電圧トランジスタの数の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供しようとするものである。
本発明の半導体記憶装置の第1の態様は、ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と、前記データ記憶回路と制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタとを具備し、前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイは同一のウェル領域上に形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が前記ウェル領域に供給されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置の第2の態様は、複数のワード線、及び複数のビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶する複数のデータ記憶回路と、前記複数のデータ記憶回路と前記制御回路とを共通接続する複数の配線にそれぞれ挿入接続され、前記消去動作時にオフ状態とされる複数の高電圧トランジスタとを具備し、複数の前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイを同一のウェル領域上に形成し、前記メモリセルの消去動作時に前記ウェル領域に高電圧が印加されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置の第3の態様は、ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と、前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイが形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が供給されるウェル領域と、前記データ記憶回路と前記制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタとを具備することを特徴とする。
本発明によれば、高電圧トランジスタの数を大幅に削減でき、しかも、メモリ容量が増大した場合においても、高電圧トランジスタの数の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図2は、不揮発性半導体記憶装置、例えばNANDフラッシュメモリの構成を示している。
メモリセルアレイ1は複数のビット線と複数のワード線と共通ソース線を含み、例えばEEPROMセルからなる電気的にデータを書き換え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されている。このメモリセルアレイ1には、ビット線を制御するためのビット線制御回路2とワード線制御回路6が接続されている。
ビット線制御回路2は、後述するように複数のデータ記憶回路を含んでいる。このビット線制御回路2は、ビット線を介してメモリセルアレイ1中のメモリセルのデータを読み出したり、ビット線を介してメモリセルアレイ1中のメモリセルの状態を検出したり、ビット線を介してメモリセルアレイ1中のメモリセルに書き込み制御電圧を印加してメモリセルに書き込みを行なう。ビット線制御回路2には、カラムデコーダ3、データ入出力バッファ4が接続されている。ビット線制御回路2内のデータ記憶回路はカラムデコーダ3によって選択される。データ記憶回路に読み出されたメモリセルのデータは、前記データ入出力バッファ4を介してデータ入出力端子5から外部へ出力される。
また、外部からデータ入出力端子5に入力された書き込みデータは、データ入出力バッファ4を介して、カラムデコーダ3によって選択されたデータ記憶回路に入力される。
ワード線制御回路6は、メモリセルアレイ1に接続されている。このワード線制御回路6は、メモリセルアレイ1中のワード線を選択し、選択されたワード線に読み出し、書き込みあるいは消去に必要な電圧を印加する。
メモリセルアレイ1、ビット線制御回路2、カラムデコーダ3、データ入出力バッファ4、及びワード線制御回路6は、制御信号及び制御電圧発生回路7に接続され、この制御信号及び制御電圧発生回路7によって制御される。制御信号及び制御電圧発生回路7は、制御信号入力端子8に接続され、外部から制御信号入力端子8を介して入力される制御信号によって制御される。
前記ビット線制御回路2、カラムデコーダ3、ワード線制御回路6、制御信号及び制御電圧発生回路7は書き込み回路、及び読み出し回路を構成している。
図3は、図2に示すメモリセルアレイ1及びビット線制御回路2の構成を示している。メモリセルアレイ1には複数のNANDセルが配置されている。1つのNANDセルは、直列接続された例えば16個のEEPROMからなるメモリセルMCと、第1、第2の選択ゲートS1、S2とにより構成されている。第1の選択ゲートS1はビット線BL0に接続され、第2の選択ゲートS2はソース線SRCに接続されている。各ロウに配置されたメモリセルの制御ゲートはワード線WL1、WL2、WL3〜WL16に共通接続されている。また、第1の選択ゲートS1はセレクト線SG1に共通接続され、第2の選択ゲートS2はセレクト線SG2に共通接続されている。
ビット線制御回路2は複数のデータ記憶回路10を有している。各データ記憶回路10には、一対のビット線(BL0、BL1)、(BL2、BL3)…(BLi、BLi+1)、…(BLn−1、BLn)が接続されている。各データ記憶回路10は、後述するビット線選択回路10aを介して一対のビット線の一方に接続される。
メモリセルアレイ1は、破線で示すように、複数のブロックを含んでいる。各ブロックは、複数のNANDセルにより構成され、このブロック単位でデータが消去される。また、消去動作は、データ記憶回路10に接続されている2本のビット線について同時に行なわれる。
リード動作、プログラムベリファイ動作及びプログラム動作時において、データ記憶回路10に接続されている2本のビット線のうち、外部より指定されたアドレス信号に応じて1本のビット線が選択される。さらに、外部アドレスに応じて、1本のワード線が選択され、ページが選択される。このページの切り替えはアドレスによって行われる。
図1は、本発明の実施形態に係り、図3に示すメモリセルアレイ及びビット線制御回路の一例を示している。このデータ記憶回路10は、プライマリデータキャッシュ(PDC)、ダイナミックデータキャッシュ(DDC)、テンポラリデータキャッシュ(TDC)を有している。PDC、DDCは、書き込み時に入力データを保持し、読み出し時に読み出しデータを保持し、ベリファイ時に一時的にデータを保持し、データを記憶する際に内部データの操作に使用される。TDCは、データの読み出し時にビット線のデータを増幅し、一時的に保持するとともに、データを記憶する際に内部データの操作に使用される。
PDCは、ラッチ回路を構成するクロックドインバータ回路21a、21b、及びトランジスタ21cにより構成されている。クロックドインバータ回路21aは、相補信号SEN1n、SEN1により制御され、クロックドインバータ回路21は、相補信号LAT1n、LAT1により制御される。トランジスタ21cはクロックドインバータ回路21aの入力端と、クロックドインバータ回路21bの入力端の間に接続されている。このトランジスタ21cのゲートには信号EQが供給されている。トランジスタ21dはクロックドインバータ回路21bの出力端と接地間に接続されている。このトランジスタ21dのゲートには信号PRSTが供給されている。PDCのノードN1aは、カラム選択トランジスタ21eを介して入出力データ線IOに接続され、ノードN1bは、カラム選択トランジスタ21fを介して入出力データ線IOnに接続される。これらトランジスタ21e、21fのゲートにはカラム選択信号CSLiが供給されている。このカラム選択信号CSLiはカラムデコーダ3から出力される。カラムデコーダ3の入力端は複数のアドレス線ALiに接続されている。
PDCのノードN1aは、DDCに接続されている。DDCは、トランジスタ21g、21hにより構成されている。トランジスタ21gの電流通路の一端はノードN1aに接続され、他端はトランジスタ21hのゲートに接続されている。トランジスタ21gのゲートには信号DTGが供給されている。トランジスタ21hの一端には信号VREGが供給され、他端はトランジスタ21iを介してノードN2に接続されている。このトランジスタ21iのゲートには信号REGが供給されている。さらに、前記トランジスタ21gの電流通路の一端はトランジスタ21jを介してノードN2に接続されている。このトランジスタ21jのゲートには信号BLC1が供給されている。
また、前記TDCは、例えばMOSキャパシタ21kにより構成されている。このキャパシタ21kは、前記ノードN2とN+領域間に接続されている。
さらに、前記接続ノードN2にはトランジスタ21l、21mの電流通路の一端が接続されている。トランジスタ21lの電流通路の他端には信号VPREが供給され、ゲートには信号BLPREが供給されている。前記トランジスタ21mのゲートには信号BLCLAMPが供給されている。
トランジスタ21mの電流通路の他端は、前述したビット線選択回路10aを構成するトランジスタ21n、21oの電流通路の一端が接続されている。トランジスタ21nの電流通路の他端は、ビット線BLoの一端に接続され、トランジスタ21oの電流通路の他端は、ビット線BLeの一端に接続されている。トランジスタ21nのゲートには、信号BLSoが供給され、トランジスタ21oのゲートには、信号BLSeが供給されている。トランジスタ21n、21oは、信号BLSo、BLSeに応じてオンし、ビット線BLo、BLeをデータ記憶回路10に選択的に接続する。
ビット線BLoの他端はトランジスタ21pの電流通路の一端に接続されている。このトランジスタ21pのゲートには信号BIASoが供給されている。ビット線BLeの他端はトランジスタ21qの電流通路の一端に接続されている。このトランジスタ21qのゲートには信号BIASeが供給されている。これらトランジスタ21p、21qの電流通路の他端には、信号BLCRLが供給されている。トランジスタ21p、21qは、信号BIASo、BIASeに応じてオンとされ、非選択のビット線に信号BLCRLの電位を供給する。
上記データ記憶回路10のクロックドインバータ回路21a、21b、トランジスタ21c〜21m、ビット線選択回路10aとしてのトランジスタ21n、21o、トランジスタ21p、21q、及びカラムデコーダ3は、低電圧トランジスタにより構成されている。データ記憶回路10、ビット線選択回路10a、トランジスタ21p、21q、及びカラムデコーダ3は、メモリセルアレイ1と同一のウェル領域内に形成される。
上記データ記憶回路10、ビット線選択回路10a、及びトランジスタ21p、21qに供給される各種信号及び電圧は、図2に示す制御信号及び制御電圧発生回路7により生成される。制御信号及び制御電圧発生回路7により発生された各種信号及び電圧は、高電圧トランジスタを介してデータ記憶回路10、ビット線選択回路10a、及び前記トランジスタ21p、21qに供給される。
すなわち、前記クロックドインバータ回路21a、21bに電源電圧Vddを供給する電源線L1、及び接地電圧Vssを供給する電源線L2は高電圧トランジスタ31a、31bを介して制御信号及び制御電圧発生回路7に接続される。これらトランジスタ31a、31bのゲートには、信号SW_Vdd、SW_Vssがそれぞれ供給されている。また、クロックドインバータ回路21a、21bを制御する相補信号SEN1n、SEN1、LAT1n、LAT1も図示せぬ高電圧トランジスタを介してクロックドインバータ回路21a、21bに供給される。さらに、信号EQ、信号PRSTも図示せぬ高電圧トランジスタを介してトランジスタ21cのゲート、トランジスタ21dのゲートにそれぞれ供給される。
また、前記DDCにおいて、信号DTGは、高電圧トランジスタ31cを介してトランジスタ21gのゲートに供給され、信号VREGは高電圧トランジスタ31dを介してトランジスタ21hの電流通路に供給される。これらトランジスタ31c、31dのゲートには、SW_DTG、SW_VREGがそれぞれ供給されている。また、信号REG、信号BLC1も図示せぬ高電圧トランジスタを介してトランジスタ21iのゲート、トランジスタ21jのゲートにそれぞれ供給される。
さらに、信号VPREは高電圧トランジスタ31eを介してトランジスタ21lの電流通路に供給され、信号BLCLAMPは高電圧トランジスタ31fを介してトランジスタ21mのゲートに供給される。また、信号BLSo、BLSe、BIASo、BIASeも図示せぬ高電圧トランジスタを介してトランジスタ21n、21o、21p、21qのゲートにそれぞれ供給される。
また、カラムデコーダ3の入力信号は高電圧トランジスタ31g1〜31gnを介して供給され、さらに、カラムデコーダ3の電源電圧も図示せぬ高電圧トランジスタを介して制御信号及び制御電圧発生回路7から供給される。これらトランジスタ31g1〜31gnのゲートには、信号SW_AD1〜SW_ADnがそれぞれ供給される。
さらに、入出力データ線IO、IOnにも高電圧トランジスタ31h、31iがそれぞれ挿入接続されている。これらトランジスタ31h、31iのゲートには、信号SW_IO、SW_IOnが供給される。また、前記トランジスタ21dと接地間にも高電圧トランジスタ31jが挿入接続される。このトランジスタ31jのゲートには、信号SW_VSSが供給されている。
また、データ記憶回路10を構成する低電圧Nチャネルトランジスタのうち、P+領域に接続されないソース/ドレイン領域(N+領域)は、ダイオードを介して後述するN型ウェル領域(N−well)に接続される。すなわち、例えば前記DDCを構成するトランジスタ21gのソース領域はダイオード41aのアノードに接続され、このダイオード41aのカソードはN型ウェル領域に接続される。さらに、トランジスタ21hとトランジスタ21iの接続ノードはダイオード41bを介してN型ウェル領域に接続され、接続ノードN2はダイオード41cを介してN型ウェル領域に接続される。また、トランジスタ21lのドレイン領域は、ダイオード41dを介してN型ウェル領域に接続される。
さらに、前記PDCを構成するクロックドインバータ回路21a、21bの電源線L1はダイオード41eを介してN型ウェル領域に接続され、電源線L2はダイオード41fを介してN型ウェル領域に接続される。また、入出力線IO、IOnはダイオード41g、41hをそれぞれ介してN型ウェル領域に接続される。さらに、トランジスタ21dとトランジスタ31jの接続ノードはダイオード41iを介してN型ウェル領域に接続される。
また、電源線L1、L2は、通常使用時、大きな電流を流す必要がある。このため、高電圧トランジスタ31a,31bのゲートに供給される信号SW_Vdd、SW_Vssは、昇圧された電圧とされている。具体的には、例えばVdd+Vthn(VthnはNチャネルトランジスタの閾値電圧)の電圧が高電圧トランジスタのゲートに供給される。これにより、Nチャネルトランジスタの閾値電圧の影響が抑制される。尚、その他の高電圧トランジスタのゲートに供給される信号も昇圧された電圧としてもよい。
図4は、この実施形態に対応する半導体記憶装置の断面図を示している。例えばP型半導体基板51内には、N型ウェル領域52、53、54、P型ウェル領域55が形成されている。N型ウェル領域52内にはP型ウェル領域56が形成され、このP型ウェル領域56内にメモリセルアレイ1、データ記憶回路10、図示せぬカラムデコーダ3を構成する低電圧NチャネルトランジスタLVNTrが形成されている。さらに、前記N型ウェル領域53内に、データ記憶回路10を構成する低電圧PチャネルトランジスタLVPTr、前記ダイオード41a〜41gのアノードを構成するP+領域57、及びN型ウェル領域53に電位を供給するためのN+領域58が形成されている。前記基板51内には、データ記憶回路10の各種信号線、電圧線に接続された高電圧NチャネルトランジスタHVNTrが形成されている。また、前記N型ウェル領域54、P型ウェル領域55内に例えば制御信号及び制御電圧発生回路7等を構成する周辺回路の低電圧PチャネルトランジスタLVPTr、低電圧NチャネルトランジスタLVNTrがそれぞれ形成されている。図4に示すように、高電圧トランジスタHVNTrは、低電圧トランジスタLVNTr、LVPTrに比べて例えば厚いゲート絶縁膜を有している。
図5は、図4に示す各部の通常動作時、及び消去動作時の動作電圧を示している。通常動作時において、N型ウェル領域52、P型ウェル領域56は、接地電位Vssに設定され、消去動作時に消去電圧Veraに設定される。また、ダイオードのカソードとしてのN型ウェル領域53は、消去動作時に消去電圧Veraに設定され、通常動作時に消去電圧Veraより低い電源電圧Vddに設定される。
上記構成において、図1に示す高電圧トランジスタ31a〜31i及びダイオード41a〜41hの動作について説明する。
データの書き込み、読み出しに係る通常動作時において、高電圧トランジスタ31a〜31iは、オン状態とされる。この状態において、高電圧トランジスタ31a〜31iを介して各種制御信号、電源電圧、アドレス信号がデータ記憶回路10、ビット線選択回路10a、カラムデコーダ3等にそれぞれ供給され、入出力線IO、IOnによりデータ記憶回路10に対してデータが入出力される。
一方、データの消去動作時、高電圧トランジスタ31a〜31iは、そのゲートに供給される信号に応じてオフ状態とされる。このため、ウェル領域に高電圧が印加され、データ記憶回路10の各配線が高電圧となった場合においても、制御信号及び制御電圧発生回路2に高電圧が印加されない。
消去動作時において、例えば高電圧トランジスタ31fがオフ状態とされることにより、トランジスタ21mのゲートはフローティング状態となる。この後、ウェル領域が高電圧となるとカップリングによりトランジスタ21mのゲートも高電圧となる。したがって、トランジスタ21mのゲート絶縁膜には高電圧が印加されないため、ゲート絶縁膜の破壊を防止できる。
一方、消去動作から復帰する消去リカバリー時において、高電圧トランジスタ31fをオフとしておくことにより、トランジスタ21mのゲートはフローティング状態に保持される。このため、ウェル領域の電圧を消去電圧Veraから下げるとカップリングによりトランジスタ21mのゲート電圧も低下する。
また、トランジスタ21lに関して、消去動作時に高電圧トランジスタ31eがオフ状態とされると、トランジスタ21lのドレインがフローティング状態とされる。この状態において、ウェル領域が消去電圧Veraとされると、トランジスタ21lは順方向にバイアスされることになり、トランジスタ21lのドレインも高電圧となる。しかし、消去リカバリー時において、ウェル領域の電圧を消去電圧VeraからVddに下げても、トランジスタ21lのドレイン領域は逆方向にバイアスされるため、ドレイン領域の電圧は下がらなくなる。これを防止するため、ダイオード41dがトランジスタ21lのドレイン領域に接続されている。このダイオード41dはウェル領域の電圧が消去電圧VeraからVddに下がると順方向にバイアスされるため、トランジスタ21lのドレイン領域の電圧はダイオード41dを介して放電される。
また、ダイオード41aもダイオード41dと同様の動作により、消去リカバリー時にトランジスタ21gとトランジスタ21hの接続ノードの電圧を放電させている。ダイオード41bも消去リカバリー時にトランジスタ21hとトランジスタ21iの接続ノードの電圧を放電させている。
さらに、前記TDCが接続されたノードN2は、Nチャネルトランジスのソース/ドレイン領域に接続されている。つまり、ノードN2は、N+拡散層に接続されているが、Pチャネルトランジスタに接続せれていない。このため、消去動作時において、ノードN2は順方向バイアスされて高電圧となる。しかし、消去リカバリー時において、ウェル領域の電圧を消去VeraからVddに下げても、トランジスタ21lが逆方向にバイアスされているため、ノードN2の電位が下がらなくなる。ダイオード41cは、消去リカバリー時に順方向バイアスされ、ノードN2の電圧を放電させる。
一方、消去動作時、高電圧トランジスタ31a、31bはオフ状態とされ、電源線L1、L2はフローティング状態とされる。また、消去リカバリー時、ダイオード41e、41fを介して電源線L1、L2の電圧は放電される。
このように、Vdd、Vssなどの電源線L1、L2、入出力線IO、IOn、アドレス線ALiも含め、データ記憶回路10に接続される信号線の全てに高電圧トランジスタを挿入接続する。消去動作に、これら高電圧トランジスタをオフとして全ての配線をフローティング状態とし、NチャネルトランジスタのN+拡散層を高電圧とする。これにより、低電圧トランジスタのみによって構成されたデータ記憶回路10の破壊を防止できる。
また、消去リカバリー時において、N+拡散層の高電圧をP+拡散層に放電させる。このため、データ記憶回路10において、P+拡散層に接続されていないノードにダイオードを接続し、ダイオードを介して高電圧を放電できる。
上記実施形態によれば、データ記憶回路10をメモリセルアレイと同一のウェル領域内に形成し、データ記憶回路10及びカラムデコーダ3と制御信号及び制御電圧発生回路7等の周辺回路との間に複数の高電圧トランジスタを設け、消去動作時にデータ記憶回路10を構成する低電圧トランジスタの破壊を防止すると共に、ウェル領域に供給される高電圧が周辺回路に伝わらないようにしている。このため、従来のように、ビット線とデータ記憶回路10との間にビット線と同数又はビット線の数の半数の高電圧トランジスタを配置する必要がない。したがって、高電圧トランジスタの数を大幅に削減することが可能である。
しかも、これら高電圧トランジスタは、複数のデータ記憶回路10に共有できる。このため、半導体記憶装置の記憶容量が増大した場合においても、高電圧トランジスタの数が変わらない利点を有している。したがって、高電圧トランジスタの数を従来に比べて大幅に削減することが可能であり、チップ面積の増大を抑制することが可能である。
因みに、例えば4Gビットの容量を有する半導体記憶装置において、従来、128k個の高電圧トランジスタを必要としていたのに対して、本実施形態の場合、30個程度となる。この数値は半導体記憶装置の容量が増大した場合においても変わらないため、チップサイズの低減効果が顕著である。
また、データ記憶回路内のトランジスタのP+拡散層に接続されていないN+拡散層は、ダイオードを介して半導体基板に接続されている。このため、消去リカバリー時において、高電圧に充電されたN+拡散層の電圧を確実に放電することが可能である。
さらに、データ記憶回路10とメモリセルアレイ1を同一のウェル領域内に形成している。したがって、データ記憶回路10をメモリセルアレイ1と別のウェル領域に形成する場合に比べてウェル領域の面積及びウェル領域の相互間隔を削減できるため、チップの面積を削減できる利点を有している。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
本発明の実施形態に係るメモリセルアレイ及びビット線制御回路の一例を示す回路図。 不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示す図。 図2の要部を示す回路図。 本発明の実施形態に係る半導体記憶装置を示す断面図。 本発明の実施形態の動作を説明するために示す図。
符号の説明
1…メモリセルアレイ、2…ビット線制御回路、7…制御信号及び制御電圧発生回路、10…データ記憶回路、21c〜21q…低電圧トランジスタ、31a〜31i…高電圧トランジスタ、41a〜41h…ダイオード、51…半導体基板、52〜53…N型ウェル領域、55、56…P型ウェル領域、57…ダイオードのアノード、LVNTr…低電圧Nチャネルトランジスタ、LVPTr…低電圧Pチャネルトランジスタ、HVNTr…高電圧Nチャネルトランジスタ。

Claims (7)

  1. ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
    入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
    前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と
    前記データ記憶回路と制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタとを具備し、
    前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイは同一のウェル領域上に形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が前記ウェル領域に供給されることを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 前記高電圧トランジスタは、前記データ記憶回路と前記制御回路とを接続する配線に挿入接続され、前記消去動作時にオフ状態とされることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  3. 前記高電圧トランジスタは、データの読み出し及び書き込み動作時に、ゲートに昇圧した電圧が供給され、オン状態とされることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
  4. 前記データ記憶回路は、複数の低電圧トランジスタを有し、これら低電圧トランジスタのドレイン又はソースがアノードに接続され、カソードが前記ウェル領域に接続されたダイオードを具備することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  5. 前記ダイオードは、アノードが前記低電圧トランジスタの前記消去動作時に高電圧に充電される前記ウェル領域に接続され、カソードの電圧が消去動作時に消去電圧とされ、通常動作時に消去電圧より低い電圧に設定されることを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
  6. 複数のワード線、及び複数のビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
    入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
    前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶する複数のデータ記憶回路と、
    前記複数のデータ記憶回路と前記制御回路とを共通接続する複数の配線にそれぞれ挿入接続され、前記消去動作時にオフ状態とされる複数の高電圧トランジスタとを具備し、
    複数の前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイを同一のウェル領域上に形成し、前記メモリセルの消去動作時に前記ウェル領域に高電圧が印加されることを特徴とする半導体記憶装置。
  7. 複数ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
    入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
    前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と、
    前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイが形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が供給されるウェル領域と、
    前記データ記憶回路と前記制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタと
    を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
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