JP4316453B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
Claims (7)
- ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と、
前記データ記憶回路と制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタとを具備し、
前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイは同一のウェル領域上に形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が前記ウェル領域に供給されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記高電圧トランジスタは、前記データ記憶回路と前記制御回路とを接続する配線に挿入接続され、前記消去動作時にオフ状態とされることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記高電圧トランジスタは、データの読み出し及び書き込み動作時に、ゲートに昇圧した電圧が供給され、オン状態とされることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 前記データ記憶回路は、複数の低電圧トランジスタを有し、これら低電圧トランジスタのドレイン又はソースがアノードに接続され、カソードが前記ウェル領域に接続されたダイオードを具備することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記ダイオードは、アノードが前記低電圧トランジスタの前記消去動作時に高電圧に充電される前記ウェル領域に接続され、カソードの電圧が消去動作時に消去電圧とされ、通常動作時に消去電圧より低い電圧に設定されることを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
- 複数のワード線、及び複数のビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶する複数のデータ記憶回路と、
前記複数のデータ記憶回路と前記制御回路とを共通接続する複数の配線にそれぞれ挿入接続され、前記消去動作時にオフ状態とされる複数の高電圧トランジスタとを具備し、
複数の前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイを同一のウェル領域上に形成し、前記メモリセルの消去動作時に前記ウェル領域に高電圧が印加されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数ワード線、及びビット線に接続され、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する制御回路と、
前記ビット線に接続され、前記制御回路の制御に応じてデータを記憶するデータ記憶回路と、
前記データ記憶回路と前記メモリセルアレイが形成され、前記メモリセルの消去動作時に高電圧が供給されるウェル領域と、
前記データ記憶回路と前記制御回路との間に設けられた高電圧トランジスタと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
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