JP4286076B2 - 再生ターゲット材およびターゲット材の再生方法 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は、スパッタリングに用いられるターゲット材およびその再生方法に関する。より詳しくは、相変化光記録膜用ターゲット、ならびに、原料の一部または全部として使用済みの合金ターゲット材スクラップを用い、これを構成する金属に分離精製することなく再利用するターゲット材の再生方法に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
従来、薄膜形成法の1つとしてスパッタリング法が知られており、スパッタリング法に用いられるターゲット材の材質としては、セラミック、金属、合金など多種多様な種類のものが知られている。
【0003】
しかしながら、スパッタリングによる成膜工程においては、ターゲット材の種類を問わず、ターゲット材の全重量に対して最大でも40%程度しか利用されず、残りの約60%の部分は利用されないまま使用を終わっている。これは、スパッタリング法(とくにマグネトロンスパッタリング法)の原理上はやむを得ないことであり、現状では回避することができないため、ターゲット材の再利用が望まれており、さまざまな方法でターゲット材の再利用が図られている。
【0004】
ところで、近年、CD−RWやDVD−RWなどの相変化光記録ディスクに用いられる記録膜材料(相変化光記録膜)として、SbおよびTeを主成分とする低融点合金(たとえば、Ge−Sb−Te、Ag−In−Sb−Teなど)が広く用いられるようになってきている。とりわけ、Ag−In−Sb−Teを主要な構成元素として有する合金は、優れた記録特性を持ち、CD−RWを中心に記録膜材料として幅広く用いられている。さらに最近では、この4元素に加えてGeなどを加えた合金も用いられている。
【0005】
このような相変化光記録ディスクは、前記低融点合金をターゲット材として用いて、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板上に、相変化光記録膜を、誘電体保護膜および反射膜とともに形成することによって得られ、この相変化光記録膜に所定の強度のレーザーを照射することで溶融急冷やアニールを行い、アモルファス状態と結晶質状態を作り出すことによって情報記録を行っている。具体的には、たとえば、特許文献1には、少なくともAg、In、Sb、Teを含む記録層を基板上に有し、記録時には一様なアモルファス相を形成し、消去時にはSb相が相分離して結晶化する光情報記録媒体が開示されている。
【0006】
このようにして製造された相変化光記録ディスクの性能は、一般に検査装置を用いて実際にディスクに情報を書き込み、繰り返し上書きを行って、信号記録の状態を測定し、いくつかのパラメーターで評価を行っている。そのなかでも、ジッター(記録マークの長さのばらつきを時間軸に対して表したパラメーター)やC1(信号を再生したとき、単位時間あたりに発生する訂正可能エラーの平均数)、CU(信号を再生したとき、ゲート時間あたりに発生する訂正不能エラーの総数)といったパラメーターが実際の使用上、相変化光ディスクの性能と強い相関があることから重視されている。原則的には、CUはゼロでなければならず、ジッターおよびC1の値は小さい方が好ましい。
【0007】
前記相変化光記録膜の形成に用いられる、低融点合金からなるターゲット材は、合金を構成する各金属原料を混合、溶融して合金インゴットを得て、その合金インゴットを粉砕し、さらに得られた合金粉末を焼結させることによって製造されている。
【0008】
しかしながら、上述したように、スパッタリング法による膜形成では、ターゲット材の全重量に対して40%程度しか使用されず、その60%程度が廃棄されることになるが、SbやTeはその有害性が指摘されている金属元素であり、簡単には廃棄することができない。
【0009】
そのため、従来から、SbやTeを含む使用済みターゲット材の再利用が検討され、使用済みターゲット材をSbやTeの精錬工程へ再投入することが行われている。この方法によれば、SbやTeを廃棄することなく、再精製して原料として再利用することができる。しかしながら、合金から一旦その原料である金属まで再精製した後、再び合金を作り直すことになるため、効率的でなく、コスト面からは必ずしも有利でないという問題点があった。
【0010】
本発明者らは、このような実情に鑑みて鋭意研究した結果、使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面をクリーニングし、不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、該合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させることにより、効率的かつ低コストでターゲット材を再生できることを見出して、本発明を完成するに至った。
【0011】
【特許文献1】
特開平5−58047号公報
【0012】
【発明の目的】
本発明は、上記問題点を解決し、使用済みターゲット材の再利用方法を効率化し、使用済みの合金ターゲット材スクラップをその原料である各金属まで分離精製することなく再利用し、より低いコストでターゲット材を再生する方法を提供することを目的としている。また、本発明は、優れた記録特性を有する相変化光記録膜を形成しうるターゲット材を提供することをも目的としている。
【0013】
【発明の概要】
本発明に係るターゲット材の再生方法は、
(i)使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面をクリーニングし、
(ii)該合金ターゲット材スクラップを不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、
(iii)該合金インゴットを粉砕し、得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させ、再生されたターゲット材の酸素原子含有量が1000〜10000ppmとなるように前記クリーニング工程(i)を行うことを特徴としている。
【0014】
本発明では、前記クリーニング工程(i)のクリーニングは、希硝酸による酸処理であることが好ましい。前記酸処理は、希硝酸に前記合金ターゲット材スクラップを浸漬することにより行われることが好ましく、前記酸処理の後、水洗および乾燥を行うことが好ましい。前記酸処理の後、さらにブラスト処理を施すことがより好ましい。
【0015】
前記粉砕焼結工程(iii)においては、合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末に、これと異なる組成の合金粉末を加えて、所望の組成となるように調整した後、焼結させてもよく、あるいは、
(iii−a)前記合金インゴットに加えて、さらに、ターゲット材の構成成分である金属を添加して、所望の組成となるように調整し、
(iii−b)これらを再度、不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、この合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させてもよい。
【0016】
前記再生方法で再生されたターゲット材は、少なくともSbとTeを主成分として含有していることが好ましく、少なくともAg、In、SbおよびTeを主成分として含有していることがより好ましい。
【0017】
なお、前記再生方法で再生されたターゲット材は、相変化光記録膜用ターゲット材として好ましく用いることができる。
【0022】
【発明の具体的説明】
以下、本発明について具体的に説明する。
<ターゲット材の再生方法>
使用済みの合金ターゲット材スクラップをその合金の原料である各金属まで分離精製せずに再利用しようとする場合、該合金ターゲット材スクラップに付着している様々な不純物による汚染が危惧される。
【0023】
本発明は、このような問題を下記の構成によって解決したものである。すなわち、本発明に係るターゲット材の再生方法は、
(i)使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面をクリーニングし、
(ii)該合金ターゲット材スクラップを不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、
(iii)該合金インゴットを粉砕し、得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させることを特徴としている。
【0024】
本発明のターゲット材の再生方法では、まず、使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面をクリーニングする。このクリーニング工程(i)によって、該合金ターゲット材スクラップ表面に付着している不純物を除去することができる。
【0025】
使用済みの合金ターゲット材スクラップに付着している不純物としては、主に、バッキングプレートとのボンディングのために塗布されたハンダ材、取り扱いの過程で汚れた手袋などで触れたことによる付着汚れなどが挙げられる。これらのうち、ハンダ材については、通常、金属Inが用いられており、さらに、バッキングプレート材であるCuなどが相当の濃度で含まれていることが考えられる。また、後者の付着汚れについては、主に油類などの有機物であると考えられる。
【0026】
これらの不純物を除去するためのクリーニング手法としては、前記ハンダ材を溶解除去できる点からは、希釈した硝酸を用いて、これに合金ターゲット材スクラップを浸漬する酸処理が好ましい。この酸処理によれば、希硝酸に前記合金ターゲット材スクラップ表面の一部が溶解するため、油類などの付着汚れについても同時に除去することができる。なお、前記酸処理に使用される希硝酸の濃度は、用いる合金ターゲット材スクラップの材質により適宜決定することができるが、通常0.5〜3.0mol/Lである。
【0027】
酸処理後の合金ターゲット材スクラップは、酸痕が残らないように充分水洗した後、乾燥させる。乾燥後、そのままこの合金ターゲット材スクラップを次のインゴット作成工程(ii)にまわしてもよいが、さらに、この合金ターゲット材スクラップ表面全面にサンドブラストなどのブラスト処理を施して、不純物の除去をより確実なものとすることが好ましい。ブラスト処理後は、ブラストのショット材を除去するために、純水中で超音波洗浄し、乾燥した後、次のインゴット作成工程(ii)にまわす。
【0028】
インゴット作成工程(ii)では、前記クリーニング工程(i)でクリーニングした合金ターゲット材スクラップを不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成する。不活性雰囲気としては、たとえば、窒素、Arなどが挙げられ、加熱温度は、ターゲット材の材質により適宜決定することができる。前記合金ターゲット材スクラップをインゴット作成用型に入れ、好適な加熱温度で溶融した後、そのまま放冷して温度を下げ、凝固させて、合金インゴットを作成する。
【0029】
次に粉砕焼結工程(iii)により、前記インゴット作成工程(ii)で作成した合金インゴットを粉砕し、得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させることにより、ターゲット材を再生することができる。
【0030】
前記不活性雰囲気としては、たとえば、窒素、Arなどが挙げられ、焼結手法は、とくに限定されないが、通常、ホットプレス法が用いられる。焼結温度およびプレス圧などは、ターゲット材の材質により適宜決定することができる。
【0031】
この際、所望の組成に調整する目的で、前記合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末に、これと異なる組成の合金粉末を加えた後で、焼結させてもよく、あるいは、(iii−a)前記合金インゴットに加えて、さらに、ターゲット材の構成成分である金属を添加して、(iii−b)これらを再度、不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを得て、この合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させてもよい。
【0032】
これは、前記クリーニング工程(i)で酸処理を行った際に、ターゲット材から合金の構成成分である金属(たとえば、Inなど)が溶け出すことがあるため、上記のように合金粉末あるいは金属原料を追加することで溶出分を補い、再生ターゲット材の組成を調節するものである。
【0033】
さらに、このような構成をとることにより、ターゲット材の組成調整のみならず、物理的な損失分をも補うことができる。具体的には、ターゲット材の使用(スパッタリング)による損失分、ターゲット材製造時の加工による損失分などを、通常の原料(未使用原料)で補うことが可能となる。
【0034】
なお、前記合金ターゲット材スクラップ表面は、前記クリーニング工程(i)の水洗、乾燥などの影響により、ある程度酸化しているため、再生されたターゲット材中の酸素原子含有量は、未使用の金属原料を溶融して、粉砕、焼結して、ターゲット材を製造した場合と比較して1桁程度高くなる。
【0035】
したがって、このような酸素原子を、ターゲット材に含まれる不純物として考えれば、該再生ターゲット材を用いて形成された相変化光記録膜の記録特性に悪影響を及ぼすことが懸念される。しかしながら、実際には、本発明者らの研究によれば、再生ターゲット材中に酸素原子がある程度含まれていても、該再生ターゲット材を用いて形成された相変化光記録膜を有する相変化光記録ディスクの記録性能が劣化することはなく、むしろエラー発生率C1が減少し、記録特性が向上する。
【0036】
なお、本発明のターゲット材の再生方法に用いることができるターゲット材としては、合金からなるターゲット材が好ましく挙げられる。本発明によれば、このような使用済みの合金ターゲット材スクラップを用いた場合に、合金の原料である各構成成分金属まで再精製することなく再利用することができるため、効率的かつ低コストでターゲット材を再生することができる。
【0037】
前記合金としては、具体的には、たとえば、Al−Mg、Al−Ti、Al−Nd、Al−Ta、Al−Zr、Ni−Fe、Ni−Cr、Fe−Co、Fe−Ta、Co−Cr、Co−Zr、Co−Pt、Co−Cr−Pt、Co−Cr−Ta、Co−Ni−Pt、Pt−Mn、Ir−Mn、Ti−W、Ag−Mg、Ag−Pd、Ag−Pd−Cu、Ag−In−Sb−Te、Ge−Sb−Te、Ge−Te−Se−Sbなどが挙げられる。
【0038】
これらのうちでは、少なくともSbとTeを主成分として含有している合金からなるターゲット材が好ましく、少なくともAg、In、SbおよびTeを主成分として含有している合金からなるターゲット材がより好ましい。さらに、これらに加えてGe、Seなどを構成元素として含んでいてもよい。
【0039】
なお、本発明の再生方法によって得られた再生ターゲット材は、不純物(酸素原子を除く)による汚染がないため、相変化光記録膜用ターゲット材として、スパッタリングに好ましく用いることができる。
【0040】
<ターゲット材>
本発明に係るターゲット材は、少なくともAg、In、SbおよびTeを主成分として含み、酸素原子を1000ppm〜10000ppmの量で含有していることを特徴としている。
【0041】
前記ターゲット材は、使用済みの合金ターゲット材スクラップ、好ましくは、使用済みの相変化光記録膜用合金ターゲット材スクラップを、該合金ターゲット材スクラップを構成する金属に分離精製することなく原料の一部または全部として用いて得られた再生ターゲット材であってもよく、具体的には、上述した(i)〜(iii)の工程[(iii−a)(iii−b)を含む]によって製造することができる。
【0042】
すなわち、上述したようにして、使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面付着物を除去し、不活性雰囲気中で加熱溶融し、冷却凝固させて、合金インゴットを作成し、得られた合金インゴットを粉砕して、合金粉末を得て、該合金粉末をそのまま不活性雰囲気中で焼結するか、別に準備した組成の異なる合金粉末と混合して、組成を調整してから不活性雰囲気中で焼結する。あるいは、上記合金インゴットに合金の構成成分金属を加えて、組成を調節してから、再び不活性雰囲気中で加熱溶融し、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、これを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結する。これらの方法によって、本発明のターゲット材を製造することができる。
【0043】
該ターゲット材は、少なくともAg、In、SbおよびTeを主成分として含んでおり、これらに加えて、さらにGe、Seなどを構成元素として含んでいてもよい。該ターゲット材は、相変化光記録膜用ターゲット材として好適に用いることができ、相変化光記録膜用のターゲット材として用いる点からは、該ターゲット材中にSbが30モル%〜70モル%の量で含まれていることが好ましい。
【0044】
さらに、該ターゲット材は、酸素原子を通常1000ppm〜10000ppm、好ましくは2000ppm〜6000ppmの量で含有している。前記ターゲット材が上記範囲の量で酸素原子を含有していると、該ターゲット材を用いて形成された相変化光記録膜を有する相変化光記録ディスクのエラー発生率C1が減少し、記録特性が向上する傾向がある。
【0045】
この相変化光記録ディスクの記録特性の性能向上原因は、明らかではないが、微量の酸素原子の存在が記録膜の性能向上に寄与しているのではないかと推測される。
【0046】
前記ターゲット材における酸素原子含有量を上記の範囲内に確保する点からは、前記ターゲット材の原料として、使用済みの相変化光記録膜用合金ターゲット材スクラップからなる再利用原料を、原料全量に対して50〜100重量%、好ましくは60〜80重量%の量で用いることが望ましい。
【0047】
具体的には、再利用原料を原料全量に対して100重量%の量で用いる場合には、前記粉砕焼結工程(iii)において、合金インゴットを粉砕して、合金粉末を得て、該合金粉末をそのまま不活性雰囲気中で焼結する。
【0048】
それ以外の場合には、前記粉砕焼結工程(iii)において、合金インゴットを粉砕して得た合金粉末に、別に準備した組成の異なる合金粉末と混合してから不活性雰囲気中で焼結することによって、再利用原料と未使用原料(補充分)の使用量を調整し、再利用原料が上記範囲内の量で用いられるようにすることができる。あるいは、一旦上記合金インゴットを得て、該合金の構成成分金属を加えてから、再び不活性雰囲気中で加熱溶融し、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、これを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結することによって、再利用原料と未使用原料(補充分)の使用量を調整して、再利用原料が上記範囲内の量で用いられるようにすることができる。
【0049】
前記ターゲット材は、不純物(酸素原子を除く)による汚染がなく、さらには、これを用いて形成された薄膜の記録特性の向上が期待できることから、相変化光記録膜用のターゲット材として、スパッタリングに好適に用いることができる。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、合金からなる使用済みターゲット材スクラップを、該合金の原料である各構成成分金属まで再精製することなく再利用することができ、従来の再生方法と比較して、効率的かつ低コストで該ターゲット材を再生することができる。すなわち、本発明のターゲット材の再生方法によれば、不純物(酸素原子を除く)による汚染がない再生ターゲット材を効率的かつ低コストで得ることができる。
【0051】
さらに、本発明のターゲット材は、相変化光記録膜用ターゲット材として、スパッタリングに好適に用いることができ、これによれば、エラー発生率C1が低減され、記録特性がより向上した、相変化光記録膜および該記録膜を有する相変化光記録ディスクを得ることができる。
【0052】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0053】
【実施例1】
スパッタリングによる成膜に使用した後のAg−In−Sb−Teスパッタリングターゲットから、バッキングプレートを剥離して得た使用済みのAg−In−Sb−Teターゲット材スクラップ(使用前の組成;3−5−61−31モル%)を、市販の濃硝酸(濃度65重量%)を水で20倍に希釈した希硝酸に室温で20時間浸漬して、表面に付着したInハンダ材などを溶解除去した。これを流水中で20時間洗浄した後、60℃で乾燥し、表面クリーニング済み合金ターゲット材スクラップを得た。
【0054】
次に、これを石英製容器(内径100mm、高さ180mm)に入れ、Ar雰囲気中で650℃まで加熱して溶融させ、そのままこの容器内で冷却して凝固させ、合金インゴットを得た。
【0055】
得られた合金インゴットを、有機溶媒中で振動粉砕(粉砕メディア;WC超硬合金)して、100メッシュ以下のAg−In−Sb−Te合金粉末を得た。得られた合金粉末を黒鉛製ダイスに装入し、Ar雰囲気中、500℃で200kgf/cm2の圧力をかけてホットプレスし、合金焼結体(再生ターゲット材)を製造した。
【0056】
このようにして得られた合金焼結体の組成および酸素以外の不純物含有量を、セイコー電子製SPS-3000を用いてICP-AES法で分析し、酸素含有量を、堀場製作所製EMGA520を用いた不活性ガス中溶融抽出−赤外吸収法で分析した。
その結果を表1に示す。
【0057】
【実施例2】
実施例1と同様にして得られた表面クリーニング済み合金ターゲット材スクラップをサンドブラスト装置(ショット材;アルミナ#60)を用いて、表面全面をブラスト処理し、純水中で超音波洗浄した後、60℃で乾燥して、表面ブラスト済み合金ターゲット材スクラップを得た。
【0058】
これを実施例1と同様にして、Ar雰囲気中で溶融して合金インゴットを得て、有機溶媒中で振動粉砕し、100メッシュ以下のAg−In−Sb−Te合金粉末を得た。得られた合金粉末を実施例1と同様にしてホットプレスし、合金焼結体(再生ターゲット材)を製造した。
【0059】
得られた合金焼結体の組成および不純物含有量を、実施例1と同様にして分析した。その結果を表1に示す。
【0060】
【実施例3】
実施例2と同様にして得られた合金インゴットを1cm角程度の粒状に粗く粉砕し、そのなかからランダムにサンプルを採取して、セイコー電子製SPS-3000を用いてICP-AES法により組成分析を実施し、合金インゴットの組成を決定した。この分析値をもとにして、所望のAg−In−Sb−Te合金組成(使用前のターゲット材の組成と同じ3−5−61−31モル%)になるように未使用の金属材料(Ag、In、Sb、Te)を、粗く粉砕した合金インゴットに加えた。なお、この際、加えた未使用の金属材料の合計量と合金インゴットとの重量比が1:1となるようにした。これらを実施例1と同様に、石英製容器に入れ、Ar雰囲気中、650℃で溶融し、冷却凝固させて合金インゴットを得た。
【0061】
得られた合金インゴットを全量用いて、実施例1と同様にして、有機溶媒中で振動粉砕し、100メッシュ以下の合金粉末を得た。得られた合金粉末を実施例1と同様にしてホットプレスし、合金焼結体(再生ターゲット材)を製造した。
【0062】
得られた合金焼結体の組成および不純物含有量を、実施例1と同様にして分析した。その結果を表1に示す。
【0063】
【比較例1】
コントロールとして、実施例1で用いた使用済みAg−In−Sb−Teターゲット材スクラップの使用前のターゲット材組成および不純物含有量を、実施例1と同様にして分析した。その結果を表1に示す。
【0064】
【比較例2】
合金インゴットに、希硝酸による酸処理をしないほかは実施例1と同様にして合金焼結体を得た。
【0065】
得られた合金焼結体の組成および不純物含有量を、実施例1と同様にして分析した。その結果を表1に示す。
【0066】
【表1】
【0067】
【試験例1】
実施例3で得られた合金焼結体(再生ターゲット材;O原子含有量3000ppm)を加工して、Cu製バッキングプレートとInハンダでボンディングし、スパッタリングターゲットAを作製した。
【0068】
ポリカーボネート基板(厚さ1.2mm、直径120mm)上に、スパッタリング法により、基板側誘電体保護層(ZnS−SiO2;膜厚950Å)、記録層(Ag−In−Sb−Te;膜厚190、200、210、220Åの4種類)、反射層側誘電体保護層(ZnS−SiO2;膜厚350Å)、反射層(Al−Ti;膜厚1900Å)を順次積層し、さらにUV硬化性樹脂(大日本インキ製;ダイキュアクリアSD−318)をスピンコートして、4種類のCD−RWディスクを作製した。なお、記録層の作製の際には、上記スパッタリングターゲットAを用いた。
【0069】
上記のようにして得られた4種類のCD−RWディスクを、日立コンピュータ機器製POP120−5Bを用いて初期化し、パルステック工業製RDC−12Xを用いてオーバーライト特性の評価を行った。
【0070】
初期化は、初期化モードCLVで、線速度3.5m/sec、レーザーパワー700mW、送り幅48μm/回転で行い、オーバーライト特性の評価にあたっては、書き込み速度4X、読み出し速度4Xでサンヨー製ドライブCRD−RW2を用いて行った。ダイレクトオーバーライト0回と5回の場合の性能評価結果をそれぞれ表2および表3に示す。
【0071】
【表2】
【0072】
【表3】
【0073】
【比較試験例1】
試験例1との比較として、未使用の金属原料のみを用いて製造したAg−In−Sb−Te合金焼結体(O原子含有量450ppm)を記録層用のスパッタリングターゲットとして用いたほかは試験例1と同様にして、記録層の膜厚の異なる4種類のCD−RWディスクを作製した。
【0074】
これらのCD−RWディスクを試験例1と同様にして性能評価した。その結果を表4および表5に示す。
【0075】
【表4】
【0076】
【表5】
【0077】
表2〜5より、本発明のターゲット材を用いて形成された相変化光記録膜を記録層として有するCD−RWディスクでは、エラー発生率C1が低下し、その記録特性が向上していることが分かる。
Claims (10)
- (i)使用済みの合金ターゲット材スクラップの表面をクリーニングし、
(ii)該合金ターゲット材スクラップを不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、
(iii)該合金インゴットを粉砕し、得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させるターゲット材の再生方法であって、
再生されたターゲット材の酸素原子含有量が1000〜10000ppmとなるように前記クリーニング工程(i)を行うことを特徴とするターゲット材の再生方法。 - 前記クリーニング工程(i)のクリーニングが、希硝酸による酸処理であることを特徴とする請求項1に記載のターゲット材の再生方法。
- 前記クリーニング工程(i)における酸処理が、希硝酸に前記合金ターゲット材スクラップを浸漬することにより行われることを特徴とする請求項2に記載のターゲット材の再生方法。
- 前記クリーニング工程(i)において、前記酸処理の後、水洗および乾燥を行うことを特徴とする請求項2または3に記載のターゲット材の再生方法。
- 前記クリーニング工程(i)において、前記酸処理の後、さらにブラスト処理を施すことを特徴とする請求項4に記載のターゲット材の再生方法。
- 前記粉砕焼結工程(iii)において、合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末に、これと異なる組成の合金粉末を加えて、所望の組成となるように調整した後、焼結させることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のターゲット材の再生方法。
- 前記粉砕焼結工程(iii)において、
(iii−a)前記インゴットに加えて、さらに、ターゲット材の構成成分である金属を添加して、所望の組成となるように調整し、
(iii−b)これらを再度、不活性雰囲気中で加熱溶融させた後、冷却凝固させて合金インゴットを作成し、この合金インゴットを粉砕して得られた合金粉末を不活性雰囲気中で焼結させることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のターゲット材の再生方法
。 - 再生されたターゲット材が、少なくともSbとTeを主成分として含有していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のターゲット材の再生方法。
- 再生されたターゲット材が、少なくともAg、In、SbおよびTeを主成分として含有していることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のターゲット材の再生方法。
- 再生されたターゲット材が、相変化光記録膜用ターゲット材であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のターゲット材の再生方法。
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