JP4265542B2 - マイクロリレー - Google Patents

Description

本発明は、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーに関するものである。

特許文献１は、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーを開示している。このマイクロリレーは、電磁石装置の電磁力を利用して接点を開閉する電磁駆動型のマイクロリレーであって、電磁石装置を備えたベース基板と、スぺーサーを介してベース基板に固着されたフレームと、永久磁石を備えフレームの内側に配置されたアーマチュアとを備える。このような電磁駆動型のマイクロリレーは、クーロン力を用いて接点を開閉する静電駆動型のマイクロリレーに比べて駆動力を大きくできるため、接点圧を大きくできて、リレーの信頼性を向上できる。
特開平５−１１４３４７号公報

しかしながら、上記マイクロリレーは、上記アーマチュアに永久磁石を設けているため、上記アーマチュアと上記ベース基板との間隔を確保するために、比較的大きなスペーサーを介して上記ベース基板と上記フレームとを接続する必要がある。そのため、リレーの厚みが大きくなってしまうという問題があった。

本発明は上記の問題点を解決するために為されたものであって、薄型が可能で、且つ信頼性も向上できるマイクロリレーを提供することを目的とする。

本発明にかかるマイクロリレーは、ベース基板と、アーマチュアブロックと、カバーとを備える。ベース基板は、電磁石装置を備え、一表面に固定接点を有する。アーマチュアブロックは、前記ベース基板の前記一表面に固着されるフレームと、前記フレームの内側に配置され前記フレームに揺動自在に支持される可動基板と、前記可動基板に支持され可動接点を有する可動接点基台とを備える。前記可動基板は、表面に磁性体が備えられてアーマチュアを構成し、前記電磁石装置によって駆動されて前記可動接点と固定接点との間を接離する。カバーは前記フレームに固着され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた空間を形成し、この空間内に前記アーマチュアおよび前記固定接点を収容する。本発明の特徴とするところは、前記ベース基板は、前記電磁石装置を収納する収納凹部を備え、その収納凹部は、前記ベース基板の一表面からその裏面まで貫通した孔と、前記孔の開口を塞ぐように前記ベース基板の前記一表面に固着された薄膜の収納凹部用蓋とから形成され、前記電磁石装置は、ヨークと、前記ヨークに巻回され励磁電流に応じて磁束を発生させるコイルと、前記ヨークに固着され前記アーマチュアおよび前記ヨークを通る磁束を発生させる永久磁石とを備え、前記ベース基板は、前記固定接点と電気的に接続された配線パターンと、接地されたグランドパターンとを前記一表面に備え、前記グランドパターンは、前記配線パターンから離間して前記配線パターンと並行に走り、前記収納凹部用蓋は、シリコン基板上の絶縁層上に薄膜状のシリコン層が形成されたＳＯＩ基板からシリコン基板および絶縁層を選択的に除去することで残したシリコン層よりなる点にある。

本発明のマイクロリレーの場合、永久磁石はヨークに固着されているので、上記アーマチュアと上記ベース基板との間にスペーサーを設ける必要がなく、リレーをより薄型にできる。さらに、コイル等の有機物質を含む電磁石装置がベース基板の収納凹部に収納され、収納凹部用蓋によって電磁石装置と接点とが隔離されているので、接点の信頼性を向上させることができる。また、前記収納凹部が前記孔と前記収納凹部用蓋とで構成されているので、限られたベース基板の高さの中で、前記収納凹部の高さを最大限に大きくでき、より大きな電磁石装置を使用することができる。さらに、電磁石装置とアーマチュアとの磁気ギャップを小さくすることもできる。また、前記グランドパターンと前記配線パターンとの間の距離を適宜設計することにより、前記配線パターンの特性インピーダンスを所望の値に設計することができる。また、ベース基板の材料に関しては、ベース基板をガラス、収納凹部用蓋をシリコンで形成すれば、研磨やエッチングによって収納凹部用蓋を薄く加工できる。さらに、前記収納凹部用蓋を、シリコン基板上の絶縁層上に薄膜状のシリコン層が形成されたＳＯＩ基板からシリコン基板および絶縁層を選択的に除去することで残したシリコン層から形成すれば、前記収納凹部用蓋の厚みを薄く加工できるのはもちろん、収納凹部用蓋の厚みの精度も高めることもできる。

好ましくは、前記ヨークは、板状の横片と前記横片の両端から立ち上がる一対の脚片を備え、前記永久磁石は、高さを有し、高さ方向の両面が異極に着磁され、一方の磁極面が前記一対の脚片の間で前記横片の長手方向の中央部に固着され、前記コイルは、前記永久磁石の両側で前記横片に巻回され、前記コイルへの励磁電流によって各脚片の先端面が互いに異極に励磁される。この場合、永久磁石を横片の中心に配置しその両側にコイルを巻回したので、電磁石装置の高さを抑えることができる。また、前記アーマチュアは前記永久磁石を中心に揺動可能であり、耐衝撃性、耐振動性が向上する。

さらに好ましくは、前記横片は、前記永久磁石を配置する凹部を備える。凹部を設けることで、リレーをより薄型にできる。或いは、限られたスペースの中で、より大型の永久磁石を使用することが可能となり、リレーの信頼性をより向上できる。また、永久磁石の位置決めも容易に行うことができる。

好ましくは、前記横片は、コイルの脱落を防止する凸部を備える。凸部を設けることで、リレーの製造時にコイルが脚片側へ移動し脱落するのを防止できる。さらに好ましくは、前記凸部は、前記横片の下面の四隅に設けられる。この場合、マイクロリレーの組み立て工程において電磁石装置を搬送する際に、前記凸部を、電磁石装置の位置決め用に用いることができる。

好ましくは、前記ヨークの露出表面および永久磁石の表面を、樹脂コーティングする。この場合、ヨークおよび永久磁石の絶縁が図れると共に、ヨークおよび永久磁石に錆が発生するのを防ぐことができる。さらに、ヨークや永久磁石の縁部に発生した“ばり”から、コイルの巻き線を保護することができる。

好ましくは、前記脚片の先端面及び永久磁石の先端面の前記樹脂コーティングは研磨によって除去され、前記脚片の先端面と前記永久磁石の先端面は、同一平面上に位置する。この場合、前記電磁石装置と前記アーマチュアとの磁気ギャップが増加するのを防止することができる。

好ましくは、前記脚片の断面積を、前記横片の断面積よりも大きく形成する。この場合、ヨークの加工の際に脚片の角に丸みが生じても所定の磁路断面積を確保でき、所定の吸引力を確保できる。

好ましくは、前記カバーは、前記フレームに密接に接合され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた密閉空間を形成し、前記ベース基板は、前記ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通した固定接点用スルーホールと、前記ベース基板の裏面に形成された固定接点用電極と、前記固定接点用スルーホールの内周面に形成され前記固定接点用電極と前記固定接点とを電気的に接続する固定接点用導体層と、前記ベース基板の前記一表面に設けられ、前記スルーホールの開口を覆う薄膜のスルーホール用蓋とを備える。この場合、密閉式のマイクロリレーを構成でき、接点の信頼性をさらに向上できる。また、密閉空間を維持しながら固定接点と外部の回路とを容易に電気的に接続できる。また、前記スルーホール用蓋は、前記収納凹部用蓋と同一平面に設けられるので、前記スルーホール用蓋と前記収納凹部用蓋とを同時に形成することができる。前記スルーホール用蓋の代わりに、前記スルーホール内部に埋設され前記スルーホールを閉塞する金属を備えていても良い。この場合、前記固定接点と前記接続用電極との間の電気抵抗を低減できる。

密閉式マイクロリレーで前記グランドパターンを設けた場合、好ましくは、前記ベース基板は、ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通したグランド用スルーホールと、前記ベース基板の裏面に形成された接地用のグランド用電極と、前記グランド用スルーホールの内周面に形成され、前記グランド用電極と前記グランドパターンとを電気的に接続するグランド用導体層と、前記グランド用スルーホールを閉塞するグランド用スルーホール閉塞手段とを有する。この場合、密閉空間を維持しながら、グランドパターンを容易に接地できる。

接点構成としては、ベース基板の長手方向の両端に固定接点対を設け、アーマチュアに前記固定接点対に対応する二つの可動接点を設けることで、常開接点と常閉接点とを１極づつ備えた双極単投型のマイクロリレーを構成できる。この基本構成を基に、前記固定接点対のうち一方の固定接点対を接地すれば、１極の常開接点または１極の常閉接点を備えた単極単投型のマイクロリレーを構成できる。この時、２つの可動接点を導電路により互いに電気的に接続しておけば、接地されていない固定接点対が開かれた時に可動接点が接地されるので、高周波特性（アイソレーション特性）を改善することができる。

好ましくは、前記可動基板は、弾性変形可能な支持ばね片を介して前記フレームに支持され、前記可動接点基台は、前記可動接点に接点圧を与える接圧ばね片によって前記可動基板に支持され、前記フレーム、および、前記可動基板、前記可動接点基台、前記支持ばね片、前記接圧ばね片は、１枚の半導体基板から形成される。この場合、半導体微細加工技術によってアーマチュアやフレームを容易に小型化でき、またアーマチュアとフレームなどの物理的な接続部の寿命も向上させることができる。

好ましくは、前記可動基板は、可動基板のベース基板側の面の長手方向の中間部に、先端がベース基板に当接した支点突起を有し、前記可動基板は、前記支点突起を支点として揺動動作をし、前記可動基板は、可動基板のベース基板側の面の長手方向の両端に、前記可動基板が揺動動作をした時に先端が前記ベース基板と当接し前記可動基板の揺動を規制するストッパー突起とを備える。前記支点突起を設けることで、前記可動基板が揺動し易くなる。また、前記ストッパーを設けることで、アーマチュアのストロークを精度良く管理することができる。

好ましくは、前記支点突起の先端面と前記ストッパ突起の先端面は、同一平面上に位置する。この場合、前記支点突起と前記ストッパーとを同時に且つ同条件で形成することができる。前記支点突起と前記ストッパ突起と前記可動接点基台の各先端面が、同一平面上に位置するように形成してもよい。この場合、さらに加工が容易になる。

好ましくは、前記支点突起から前記可動接点基台までの距離は、前記支点突起から前記電磁石装置に吸引される前記アーマチュアの部位までの距離よりも長い。この場合、前記可動接点基台のストロークが大きくなり、可動接点の接点圧を確保しやすくなる。

好ましくは、前記支点突起から前記可動接点基台までの距離は、前記支点突起から前記ストッパ突起までの距離よりも長い。この場合、可動接点が固定接点に接触した後に、ストッパ突起によりアーマチュアの移動を規制できる。

好ましくは、前記接圧ばね片は、蛇行して進む蛇行部を有する。前記蛇行部により、前記接圧ばね片の長さが延長され、接圧ばね片に作用する応力を緩和することができる。

好ましくは、前記可動基板は半導体基板から形成され、上面から下面まで貫通した孔を有し、前記磁性体は前記孔の一方の開口を覆うように前記可動基板の表面に配置され、前記アーマチュアブロックは、さらに、第２の磁性体または金属を有し、第２の磁性体または金属は前記孔の他方の開口を覆うように配置され、
前記磁性体と、前記第２磁性体または金属とは、レーザー溶接によって前記孔の内部で接合され、前記可動基板は、前記磁性体と前記第２磁性体または金属とによって狭持されている。この場合、前記可動基板と前記磁性体との熱膨張係数の違いにより生じる可動基板の反りなどを抑制することができる。

以下、添付の図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１に、本発明の第１の実施形態に係るマイクロリレーを示す。このマイクロリレーは、電磁石装置１と、ベース基板３と、アーマチュアブロック５と、カバー７とを備える。図２示すように、ベース基板３は、下面側に電磁石装置１を収納する収納凹部４１を有し、図３に示すように、上面に固定接点対３０，３１を備える。アーマチュアブロック５は、ベース基板３の上面に固着されるフレーム５０と、フレーム５０の内側に配置され支持ばね片５４によってフレーム５０に揺動自在に支持される可動基板５１ａと、可動接点５３を下面に有し接圧ばね片５５によって可動基板５１ａに支持される可動接点基台５２とを備える。図４に示すように、可動基板５１ａは下面に磁性体５１ｂが備えられてアーマチュア５１を構成し、電磁石装置１によって駆動されて可動接点５３と固定接点対３０，３１との間を接離する。カバー７は、フレーム５の上面に密接に接合される。本実施形態のマイクロリレーは、ベース基板３とフレーム５０とカバー７とによって囲まれた密閉空間内にアーマチュア５１および可動接点５３、固定接点対３０，３１が収容された密閉式のマイクロリレーである。

電磁石装置１は、ヨーク１０と、ヨーク１０に巻回され励磁電流に応じて磁束を発生させるコイル１１と、ヨーク１０に固着されアーマチュア５１およびヨーク１０を通る磁束を発生させる永久磁石１２とを備える。より詳細には、図５に示すように、ヨーク１０は略Ｕ字形で、コイル１１が巻回される板状の横片１０ａと、横片１０ａの両端から立ち上がる一対の脚片１０ｂとを備える。ヨークは、電磁軟鉄などの鉄板から、曲げ加工、鋳造加工、プレス加工等によって形成される。両脚片１０ｂ，１０ｂの断面は、矩形状である。横片１０ａは、横片１０ａの長手方向の中心に、永久磁石１２を配置する凹部１０ｃを備える。永久磁石１２は、直方体で高さを有し、高さ方向の両面が異極に着磁され、図６に示すように、一方の磁極面１２ｂが凹部１０ｃに接着等により固着される。凹部１０ｃを設けたことにより、電磁石装置１の高さを抑えることができる。或いは、凹部１０ｃの深さ分だけ厚い大型の永久磁石１２を使用することができ、吸引力の増大化を図ることができる。コイル１１は、コイル１１への励磁電流によって各脚片１０ｂの先端面が互いに異極に励磁されるように、永久磁石１２の両側で横片１０ａに直接巻回される。この時、脚片１０ｂと永久磁石１２の側面は、コイルボビンの鍔部として機能する。横片１０ａは、横片１０ａの長手方向に沿った両側面の両端に、コイル１１がヨーク１０から脱落するのを防止する凸部１０ｄを備えている。この凸部１０ｄにより、リレーの製造時にコイル１１がヨーク１０から脱落し、不良品が発生するのを防止することができる。

ヨーク１０および永久磁石１２は、永久磁石１２をヨーク１０に固着した後に、樹脂（例えばポリイミド、フッ素樹脂、ポリアミドイミド、ポリパラキシリレン、更にはこれら樹脂の混合樹脂）によってコーティングされており、これによって絶縁が図られている。このコーティングによって、ヨーク１０及び永久磁石１２の錆の発生を防ぐこともできる。さらにコーティングによってヨーク１０や永久磁石１２の表面にできる“ばり”が被覆されるので、コイル１１の巻回時に巻線が“ばり”に引っかかって断線するのを防止できる。予め永久磁石１２の上面側の四隅の角部やヨーク１０の角部に丸みを持たせて、コイル１１の巻線の断線を防止してもよい。尚、ヨーク１０の角部に丸みを持たせる場合にはケミカルエッチング等を用いる。

さらに、脚片１０ｂの先端面および永久磁石１２の磁極面１２ａは同時に研磨され、脚片１０ｂの先端面および永久磁石１２の磁極面１２ａの３つの面は、同一面上に位置している。これにより、電磁石装置１とアーマチュア５１との間の磁気ギャップの増加を防ぎ、さらに磁気ギャップを安定させて吸引力を安定させることができる。

また、図６に示すように、脚片１０ｂの断面積が横片１０ａの断面積よりも大きくなるように、脚片１０ｂの板厚ｔ２は、横片１０ａの板厚ｔ１よりも厚く形成されている。これにより、ヨーク１０の加工の際に脚片１０ｂの角に丸みが生じても、脚片１０ｂの先端面の所定の磁路断面積を確保でき、その結果、磁束が飽和することなく所定の吸引力を確保できる。

図２に示すように、ヨーク１０の横片１０ａの下面の中央部には、横片１０ａの長手方向と直交する方向にコイル端子板１３が固着されている。コイル端子板１３は、下面の両端部に導体パターン１３ａを有し、コイル１１の端末が導体パターン１３ａに電気的に接続されている。また、導体パターン１３ａには、マイクロリレーを実装するプリント基板の電気回路とコイル１１とを電気的に接続する第１のバンプ（コイル用電極）１３ｂが固着される。バンプ１３ｂの代わりに、ボンディングワイヤを接続するための電極パッドを設けてもよい。

ベース基板３は、矩形板状であって、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスから形成されている。図３に示すように、ベース基板３の長手方向の一方の端部には、互いに離間する固定接点３０ａ，３０ｂからなる固定接点対３０がベース基板３の上面に設けられ、他方の端部には、互いに離間する固定接点３１ａ，３１ｂからなる固定接点対３１がベース基板３の上面に設けられている。ベース基板３の四隅の近傍には、ベース基板３の上面から下面まで貫通した固定接点用スルーホール３２が形成され、各スルーホール３２の両端の開口部周縁には、ランド３３が形成されている。各固定接点は、ベース基板３の上面に設けられた直線状の配線パターン３６を介して、ベース基板３の上面側の隣接するランド３３と電気的に接続されている。各スルーホール３２の両端のランド３３は、スルーホール３２の内周面に被着された導電性材料からなる固定接点用導体層（図示せず）により電気的に接続されている。各スルーホール３２の開口は円形状であって、ベース基板３の上面側の各スルーホールの開口は、シリコン薄膜からなる第１の蓋３４（スルーホール用蓋）によって閉塞されている。ベース基板３の下面側のランド３３には、固定接点用電極となる第２のバンプ３５が固着される。すなわち各固定接点は、配線パターン３６および固定接点用導体層を介して、第２のバンプ３５（固定接点用電極）と電気的に接続される。

さらに、ベース基板３の長手方向の両端には、ベース基板３の上面から下面まで貫通したグランド用スルーホール３７が設けられている。各スルーホール３７の両端の開口部周縁にもランド３３が形成され、各スルーホール３７の両端のランド３３は、各スルーホール３７の内周面に被着されたグランド用導体層（図示せず）によって電気的に接続されている。各スルーホール３７の開口は円形状であって、ベース基板３の上面側の各スルーホールの開口は、シリコン薄膜からなる第２の蓋３８（グランド用スルーホール閉塞手段）によって閉塞されている。ベース基板３の下面側のランド３３には、グランド用電極となる第３のバンプ３９が固着される。グランド用スルーホール３７は、ベース基板３の長手方向と直交する方向の中心に位置し、ベース基板３の上面においてベース基板３の長手方向と直交する方向のグランド用スルーホール１７の両側には、グランドパターン４０が形成されている。グランドパターン４０は、グランド用スルーホール３７のランド３３と電気的に接続されており、グランド用導体層を介して、第３のバンプ（グランド用電極）３９と電気的に接続される。グランドパターン４０は直線状であって、配線パターン３６から一定の間隔ｔ３で離間し、配線パターン３６と並行に走る。この間隔ｔ３を適宜設定することによって配線パターン３６の特性インピーダンスを所望の値（通常は５０Ωあるいは７５Ω）に設定することができ、マイクロリレーの高周波特性を向上させることができる。

なお、各固定接点および配線パターン３６およびグランドパターン４０およびランド３３は、例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金などの導電性材料によって形成することができる。第１〜第３のバンプ１３ｂ，３５，３９は、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田などの導電性材料によって形成することができる。各スルーホール３２，３７は、例えば、サンドブラスト法、エッチング法、ドリル加工法、超音波加工法などによって形成することができる。各スルーホールの内周面の導体層は、例えば、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金などの導電性材料を用いて、めっき法、蒸着法、スパッタ法などによって形成することができる。

また、第１の蓋（スルーホール用蓋）３４や第２の蓋（グランド用スルーホール閉塞手段）３８で各スルーホールを密閉する代わりに、図７に示すように、スルーホールの内部に金属４３を埋設することによって各スルーホールを密閉してもよい。金属４３は、メッキにより形成することができる。この場合、密閉空間の気密性を向上させることができる。メッキの材質として電気伝導率の高いＣｕ，Ａｇ，半田等を使用すれば、固定接点と第２のバンプ（固定接点用電極）３５との間、またはグランドパターン４０と第３のバンプ（グランド用電極）３９との間の電気抵抗値を下げることができる。また、図８に示すように、各スルーホールの内部にくびれ部４４を形成し、くびれ部４４の付近にのみ金属４３を埋設してもよい。くびれ部４４を設けることで、メッキがしやすくなる。また、金属４３の量も少なくてすむ。

上述したように、ベース基板３の裏側の中央部には、電磁石装置１を収納する収納凹部４１が形成されている。図３に示すように、収納凹部４１は、ベース基板３の上面から下面まで貫通した孔４１ａと、孔４１ａの開口を塞ぐようにベース基板３の上面に固着されたシリコン薄膜からなる第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂとから形成されている。孔４１ａの開口面は十字形であって、ベース基板３の下面側から電磁石装置１を挿入しやすくし、且つベース基板３の上面における孔４１ａの開口面積を小さくするために、ベース基板３の上面から下面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状となっている。電磁石装置１は、脚片１０ｂの先端を上向きにして収納凹部４１に収納される。この時、図６に示すように、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂの下面には位置決め用凹部４１ｃが形成されており、電磁石装置１は、脚片１０ｂの先端面および永久磁石１２の磁極面１２ａを位置決め用凹部４１ｃに凹凸嵌合させることで、収納凹部４１内に精確に位置決めされる。電磁石装置１が収納凹部４１内に収納されると、電磁石装置１と、固定接点対３０，３１および可動接点５３とは、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂによって隔離される。すなわち、コイル等の有機物質を含む電磁石装置と接点とが第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂによって隔離されるので、接点の信頼性を向上させることができる。また、収納凹部４１は、孔４１ａと第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂとによって構成されるので、限られたベース基板３の高さの中で、収納凹部４１の高さを最大限に大きくでき、より大きな電磁石装置１を使用することができる。さらに、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂはシリコン薄膜からなるので、電磁石装置１とアーマチュア５１との磁気ギャップを小さく抑えることができる。

電磁石装置１が収納凹部４１に収納されると、図４に示すように収納凹部４１の隙間にポッティング樹脂４２が充填され、電磁石装置１がベース基板３に固着される。ポッティング樹脂４２は、硬化後にも弾性を持つシリコン樹脂などが好ましい。なお、電磁石装置１全体の高さは、電磁石装置１が収納凹部４１に収納された時にコイル端子板１３の下面がベース基板３の下面とほぼ同一平面に上に位置するように設計されている。

第１の蓋３４，第２の蓋３８，第３の蓋４１ｂは、シリコン基板を研磨やエッチングなどで薄く加工することにより形成されており、厚みは、２０μｍに設定されている。蓋の厚みは２０μｍに限定するものではなく、５μｍ〜５０μｍ程度の範囲内で適宜設定すればよい。或いは、各蓋３４，３８，４１ｂを、シリコン基板上の絶縁層上に薄膜状のシリコン層が形成された所謂ＳＯＩ基板からシリコン基板および絶縁層を選択的に除去することで残したシリコン層から構成してもよい。この場合、各蓋の厚みを薄くできるのはもちろん、各蓋の厚みの精度も高めることができる。或いは、ガラス基板をエッチングや研磨などで薄厚化することにより形成したガラス薄膜を用いてもよい。

アーマチュアブロック５は、磁性体５１ｂを除いて（すなわち、フレーム５０、可動基板５１ａ、可動接点基台５２、支持ばね片５４、および接圧ばね片５５は）、一枚の半導体基板を半導体微細加工技術を用いて加工することにより形成されている。半導体基板としては、厚みが５０μｍ〜３００μｍ程度、望ましくは２００μｍ程度のシリコン基板を用いるのが好ましい。図９.Ａおよび図９.Ｂ、図１０に示すように、アーマチュアブロック５のフレーム５０は矩形の枠であり、その外周はベース基板３の外周とほぼ同じ大きさである。可動基板５１ａは平板状であり、可動基板５１ａの長手方向に沿った両側面の中央部に第１の突片５６を有し、四隅に第２の突片５７を有する。第１の突片５６のベース基板３側の面には、四角錐台状の支点突起５８が設けられ、第２の突片５７のベース基板３側の面には、四角錐台状のストッパー突起５９が設けられる。支点突起５８とストッパ突起５９の各先端面は同一平面上に位置するように加工される。アーマチュアブロック５がベース基板３に接合されると、支点突起５８の先端は第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂの上面に常に接触し、アーマチュア５１の支点を規定する。支点突起５８を設けることで、アーマチュア５１が安定して回転することができる。また、ストッパー突起５９の先端は、アーマチュア５１が回転したときにベース基板３の上面（第３の蓋４１ｂではない）に接触し、アーマチュア５１の回転を規制する。従って、支点突起５８およびストッパー突起５９が可動基板５１ａから突出する寸法を管理することによって、アーマチュア５１のストロークを精度よく管理することができる。アマチュアブロック５は半導体微細加工技術を適用して形成されるから、マイクロリレーが小型であっても、支点突起５８およびストッパー突起５９の寸法の管理は容易である。なお、支点突起５８とストッパ突起５９の各先端面を同一平面上に位置させることで、支点突起５８とストッパ突起５９とを同時にかつ同条件で加工することが可能になり、製造が容易になる。ストッパー突起５８および支点突起５９の形状は四角錐台にかぎらず四角柱状でもよい。

また、第１の突片５６のフレーム５０に対向する側面には、凸部５６ａが設けられ、凸部５６ａに対向するフレーム５０の内周面には、凹部６０ａを有する第３の突片６０が設けられる。凸部５６ａと凹部６０ａは、フレーム５０と同一平面で凹凸嵌合し、アーマチュア５１の水平方向の移動を規制する移動規制部６１を規定する。凸部５６ａと凹部６０ａとの間には“あそび”があり、アーマチュア５１のシーソ動作が移動規制部６１によって妨げられることはない。

可動基板５１ａは、ベース基板３側の面に板状の磁性体５１ｂが固着されてアーマチュア５１を構成する。磁性体５１ｂは、たとえば軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ、４２アロイなどから、機械加工やエッチング加工、メッキによって、形成することができる。可動基板５１ａは、アーマチュアブロック５とベース基板３とを固着した時に磁性体５１ｂと第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂとの間に所定のギャップが形成されるように、フレーム５０よりも薄く設計される。

可動基板５１ａは、弾性変形可能な４本の支持ばね片５４によってフレーム５０に揺動自在に支持される。支持ばね片５４は、可動基板５１ａの長手方向に沿った両側に、互いに離間して２箇所づつ形成されている。各支持ばね片５４は、一端がフレーム５０に一体に連結され他端が可動基板５１ａに一体に連結されている。支持ばね５４は、アーマチュア５１が揺動した時に、アーマチュア５１に復帰力を与える。各支持ばね片５４は、前記一端と前記他端との間に、同一面内で蛇行して進む蛇行部５４ａを有する。蛇行部５４ａを形成することにより、各支持ばね片５４の長さが長くなり、可動基板５１ａが揺動する時に各支持ばね片５４にかかる応力を分散させることができる。すなわち、蛇行部５４ａを設けることで、各支持ばね片５４が破損するのを防止している。

可動接点基台５２は、アーマチュア５１の長手方向の両端において、アーマチュア５１とフレーム５０との間に配置される。各可動接点基台５２の下面はアーマチュア５１の下面よりも下方に突出し、各可動接点基台５２の下面には、導電性材料からなる可動接点５３が固着されている。好ましくは、製造を容易にするために、可動接点基台５２の先端面も、支点突起５８とストッパ突起５９の各先端面と同一平面上に位置するように加工する。各可動接点基台５２は、弾性を有し可動接点５３に接点圧を与える２本の接圧ばね片５５によって可動接点基台５２に支持されている。各接圧ばね片５５は第２の突片５７を迂回するように形成され、各接圧ばね片５５の一端は可動接点基台５２の側面に一体に連結され、他端は可動基板５１ａの側面に一体に連結される。接圧ばね片５５は、中間部に蛇行部５５ａを有する。蛇行部５５ａを形成することにより、各接圧ばね片５５の長さが長くなり、可動基板５１ａが揺動する時に各接圧ばね片５５にかかる応力を分散させることができる。よって、接圧ばね片５５の延長方向に直交する断面積を変えずに接圧ばね片５５のばね定数を小さくすることができ、或いは、ばね定数を変えずに接圧ばね片５５の断面積を大きくして接圧ばね片５５の強度を高めることができる。なお、可動接点５３と固定接点とが離れた時の可動接点５３と固定接点との間の絶縁距離は、可動接点基台５２の厚み、および／または可動接点５３の厚みを変えることで、所望の距離に設定することができる。

本実施形態では、可動接点基台５２はアーマチュア５１の長手方向の端部とフレーム５０との間に配置されるため、結果として、支点突起５８から可動接点基台５２までの距離は、支点突起５８から電磁石装置１に吸引される磁性体５１ｂの部位（すなわち、ヨーク１０の脚片１０ｂと対向する磁性体５１ｂの部位）までの距離よりも長くなる。従って、電磁石装置１から吸引力を受けてアーマチュア５１が揺動する際に、アーマチュア５１のストローク量よりも可動接点基台５２のストローク量のほうが大きくなる。すなわち、リレーが小型であっても、可動接点５３が大きくストロークし、可動接点５３の接点圧を確保し易やすい。

また、ストッパ突起５９は、支点突起５８と可動接点基台５２との間に位置するため、結果として、支点突起５８から可動接点基台５２までの距離は、支点突起５８からストッパ突起５９までの距離よりも長くなる。従って、アーマチュアが回転する際に、可動接点５３が固定接点対に接触し十分な接触圧を得た後に、ストッパ突起５９によりアーマチュア５１の回転を規制することができる。

カバー７は、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスにより構成されており、図１１に示すように、アーマチュアブロック５側の面にアーマチュア５１が揺動する空間を確保するための凹所７０が形成されている。カバー７の外周はフレーム５０およびベース基板３の外周とほぼ同じ大きさであり、カバー７とフレーム５０とベース基板３とが接合されると、１つの直方体を形成する。

とろこで、ベース基板３とフレーム５０とを接合するために、ベース基板３の上面の周縁の全周にわたって接合用の金属薄膜４２が形成され、フレーム５０の下面の周縁の全周にわたって接合用の金属薄膜６２ａが形成されている。また、フレーム５０とカバー７とを接合するために、フレーム５０の上面の周縁の全周にわたって接合用の金属薄膜６２ｂが形成され、カバー７の下面の周縁の全周にわたって接合用の金属薄膜７１が形成されている。ベース基板３とアマチュアブロック５、カバー７は、金属薄膜４２と金属薄膜６２ａ、および金属薄膜６２ｂと金属薄膜７１を圧着によって接合することにより、互いに密接に接合される。この時、収納凹部４１の孔４１および固定接点用スルーホール３２、グランド用スルーホール３７は、蓋４１ｂ，３４，３８で閉塞されているため、ベース基板３とカバー４とフレーム５１とにより囲まれた密閉空間が形成され、その密閉空間の中にアーマチュア５１および固定接点対３０，３１、可動接点５３は収納される。従って、外部から異物がリレーの内部へ侵入するのを防ぐことができ、異物によって接点の信頼性が低下するのを防止することができる。また、密閉空間内を真空にしたり、不活性ガスを封入すれば、固定接点および可動接点５３の表面が酸化し劣化するのを防止することもできる。なお、接合用の各金属薄膜４２，６２ａ，６２ｂ，７１の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕなどを用いることができる。

以上のように構成された本実施形態のマイクロリレーをプリント基板に実装する際には、まず、図２に示すように、ベース基板３の裏側に半田ボールによって第１〜第３のバンプ１３ｂ，３５，３９を形成する。そして、第１のバンプ（コイル用電極）１３ｂをプリント基板上に形成された電磁石装置駆動用の導体パターンに接続し、第２のバンプ（固定接点用電極）３５を上記プリント基板上に形成された信号線用の導体パターンに接続し、第３のバンプ（グランド用電極）３９を上記プリント基板上に形成されたグランド用の導体パターンに接続する。あるいは、マイクロリレーを裏返した状態（すなわち図２の状態）でプリント基板上に固定し、ワイヤボンディングにより、バンプ１３ｂ，３５，３９をプリント基板に接続してもよい。

次に、本実施形態のマイクロリレーの動作について説明する。コイル１１に通電すると、ヨーク１０の一方の脚片１０ｂでは、コイル１１により生じた磁束の向きと永久磁石１２により生じている磁束の向きとが同じになり、他方の脚片１０ｂでは、コイル１１により生じた磁束の向きが永久磁石１２により生じている磁束の向きと逆向きになる。従って、前記一方の脚片１０ｂの先端面と磁性体５１ｂとの間に吸引力が作用し、磁性体５１ｂの長手方向の端部が前記一方の脚片１０ｂの先端面に吸引される。つまり、２つの支点突起５８を支点としてアーマチュア５１が揺動する。この時、可動接点基台５２もアーマチュア５１と共に揺動し、一方の可動接点基台５２に設けた可動接点５３が、対向する固定接点対３０（或いは３１）に接触し、固定接点３０ａ，３０ｂ間（或いは３１ａ，３１ｂ間）を電気的に接続する。

可動接点５３が固定接点対３０（３１）に接触した時点では、ストッパ突起５９の先端はベース基板３には当接せず、アーマチュア５１はさらに揺動する（すなわち、オーバートラベルする）。このオーバートラベルによって接圧ばね片５５が撓み、可動接点５３と固定接点対３０（３１）との間に、アーマチュア５１のオーバトラベル量（すなわち、可動接点５３が固定接点対３０（３１）に接触した後のアーマチュア５１の移動量）に応じた接点圧が生じる。その後、ストッパ突起３３ａの先端がベース基板３の上面に当接してアーマチュア５１の回転が規制される。この状態でコイル１１への通電を停止しても、永久磁石１２の発生する磁束によって、可動接点５３と固定接点対３１（３０）とが閉じた状態が維持される。

コイル１１への通電方向を逆向きにすると、磁性体５１ｂがヨーク１０の他方の脚片１０ｂに吸引されてアーマチュア５１が揺動し、他方の可動接点基台５２に設けた可動接点５３が対向する固定接点対３１（或いは３０）に接触する。そして、アーマチュア５１のオーバートラベルによって接点圧が生じ、その後、ストッパ突起３３ａによりアーマチュア５１の回転が規制される。この状態で通電を停止しても、永久磁石２１の発生する磁束により、可動接点５３と固定接点対３１（３０）とが閉じた状態が維持される。

以上述べたように、本実施形態のマイクロリレーは、永久磁石１２がヨーク１０に固着されているので、従来のように、アーマチュア５１とベース基板３との間隔を確保するためにアーマチュア５１とベース基板３との間にスペーサーを設ける必要がなく、薄型に構成できる。リレー全体の厚みは、ベース基板３の厚みとフレーム５０の厚みとカバー７の厚みの合計の厚みによって規定することができる。さらに、電磁石装置１が収納凹部４１に収納され、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂによって接点と隔離されているので、接点の信頼性も高い。

なお、本実施形態ではベース基板３およびカバー７をそれぞれガラス基板から形成しているが、ベース基板３とカバー７の一方あるいは両方をシリコン基板から形成してもよい。また、ベース基板３およびカバー７をそれぞれガラス基板から形成し、アマチュアブロック５をシリコン基板から形成すれば、アマチュアブロック５とベース基板３およびカバー７とを陽極接合によって、直接接合することができる。この場合、接合用の金属薄膜４２，６２ａ，６２ｂ，７１を省略することができる。

また、電磁石装置１に関して、本実施形態ではコイル１１の脱落を防止する凸部１０ｄは、横片１０ａの長手方向に沿った両側面の両端に設けられていたが、図１２に示すように、横片１０ａの下面の四隅に設けても良い。この場合、凸部１０ｄはコイル１１の脱落防止用として機能するのはもちろん、組み込み工程における電磁石装置１の搬送時やパーツフィーダーでの移送時に位置決め用の凸部としても機能することができる。また、図１３に示すように、コイル端子板１３の長手方向の両端部に切欠部１４を設けておくと、コイル１１の末端を巻きつけやすくなる。

また、アーマチュアブロック５に関して、支持ばね片５４の蛇行部５４ａおよび接圧ばね片５５の蛇行部５５ａの形状は、図１４.Ａ〜図１４.Ｆに示すような形状でもよい。また、接圧ばね片５５は、図１５.Ａに示すように、一端が第２の突片５７と一体に連結されていてもよく、また図１５.Ｂに示すように、可動基板５１ａの長手方向に沿った側方に設けられていてもよい。また、支点突起５８は、第１の突片５６に設ける代わりに、図１６に示すように、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂの上面に設けてもよい。また、ストッパ突起５９も第２の突片５７に設ける代わりに、図１７に示すように、第３の蓋（収納凹部用蓋）４１ｂの上面に設けてもよい。また、本実施形態では永久磁石１２による吸引力が支持ばね片５４による復帰力よりも強くなるように支持ばね片５４のばね定数が設定されているが、永久磁石１２による吸引力が支持ばね片５４による復帰力よりも弱くなるように支持ばね片５４のばね定数を設定してもよい。

また、カバー７に関して、図１８に示すように、カバーの上面にも金属薄膜７１を固着し、その金属薄膜７１にレーザーマーキングでロット番号やブランド名等を記入するのが好ましい。この場合、マイクロリレーが小型であってもロット番号やブランド名等の視認性を向上させることができる。

以下に、本実施形態のマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。この製造方法は、アーマチュアブロック形成工程と、密封工程と、電磁石装置配設工程とを含む。アーマチュアブロック形成工程では、シリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス（マイクロマシンニング技術）により加工して、フレーム５０、可動基板５１ａ、可動接点基台５２、支持ばね片５４、接圧ばね片５５を形成する。その後、可動基板５１ａにおいてベース基板３側となる一面に磁性体５１ｂを固着し且つ可動接点基台５２に可動接点５３を固着する。密封工程では、アーマチュアブロック５とベース基板３およびカバー７を圧接または陽極接合により固着して、ベース基板３とカバー７とアーマチュアブロック５のフレーム５０とで囲まれた密封空間を形成する。電磁石装置配設工程では、ベース基板３の収納凹部４１に電磁石装置１を収納し、ベース基板３に固定する。

ベース基板３の形成にあたっては、ベース基板３の基礎となるガラス基板に、エッチング法やサンドブラスト法などにより収納凹部の孔４１ａおよびスルーホール３２，３７を形成し、さらにランド３３、固定接点対３０，３１、配線パターン３６、グランドパターン４０、導体層などを、スパッタ、メッキ、エッチング等の手段で形成する。その後、孔４１ａ、スルーホール３２，３７を第１〜第３の蓋体３４，３８，４１ｂで覆う。

また、カバー７の形成にあたっては、カバー７の基礎となるガラス基板に、エッチング法やサンドブラスト法などにより凹所７０を形成する。その後、金属薄膜７１を形成する。

なお、上述のアーマチュアブロック５を多数形成したウェハと、上述のベース基板３を多数形成したウェハおよび上述のカバー７を多数形成したウェハとを圧接または陽極接合により固着してからダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割してもよい。

なお、可動基板５１ａと磁性体５１ｂとの接合方法に関して、好ましくは、図１９.Ａに示すように、可動基板５１ａは、上面から下面まで貫通した孔６３を有し、磁性体５１ｂは孔６３の一方の開口を覆うように可動基板５１ａの下面に配置され、アーマチュアブロック５は、さらに、孔６３の他方の開口を覆うように可動基板５１ａの上面に配置された第２の磁性体６４（または金属）を有し、磁性体５１ｂと第２の磁性体６４とは、第２の磁性体６４へレーザーＬを照射するレーザー溶接によって、図１９.Ｂに示すように孔６３の内部で接合され、可動基板５１ａは、磁性体５１ｂと第２の磁性体または金属６４とによって狭持される。この場合、可動基板５１ａの孔６３近傍のみを磁性体５１ｂに接合させることにより、可動基板５１ａと磁性体５１ｂとの熱膨張係数の違いにより生じる可動基板５１ａの反り、歪み等の変形を抑制することができる。図２０.Ａ，図２０.Ｂのように加工基板５１ａの上面に第２の磁性体６４を収納する凹部６５を設けておけば、アーマチュア５１をより薄く形成できる。
（第２の実施形態）
図２１は、本発明の第２の実施形態に係るマイクロリレーを示す。本実施形態の基本構成は、ベース基板およびアーマチュアブロックを除いて第１の実施形態と同様であり、同様の箇所には同様の符号を付して説明を省略する。

本実施形態では、第１の実施形態の固定接点対３１がグランドパターン４０と一体となって接地されている。また、図２２に示すように、２つ可動接点５３間が、可動基板５１ａの下面に設けられた導電パターン６６によって互いに接続されている。すなわち、本実施形態のマイクロリレーは、１極の常開接点または常閉接点を備えた単極単投型のマイクロリレーである。なお、支持ばね片５４の蛇行部５４ａの形状が実施形態１の形状とは異なっており、接圧ばね片５５には、蛇行部を設けていない。

本実施形態の場合、固定接点対３０が開かれた時、一方の可動接点５３がグランドパターン４０に当接する。この時、２つの可動接点間は導電パターン６５によって電気的に接続されているため、固定接点対３０と対向する他方の可動接点５３もグランドパターン４０に電気的に接続される。従って、高周波特性（アイソレーション特性）を向上させることができる。

上記のように、本発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異なる実施形態を構成することができることは明白なので、この発明は、添付クレームにおいて限定した以外は、その特定の実施形態に制約されるものではない。

本発明の第１の実施形態に係るマイクロリレーの分解斜視図である。 同上のマイクロリレーを下側から見た斜視図である。 同上のマイクロリレーのボディの分解斜視図である。 同上のマイクロリレーの断面図である。 同上のマイクロリレーに用いられるヨークの斜視図である。 同上のマイクロリレーの電磁石装置の正面図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 同上のマイクロリレーのアーマチュアブロックの平面図である。 同上のマイクロリレーのアーマチュアブロックの下面図である。 同上のマイクロリレーのアーマチュアブロックの分解斜視図である。 同上のマイクロリレーのカバーを下側から見た斜視図である。 同上のマイクロリレーに用いられるヨークの別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの電磁石装置の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの蛇行部の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの設圧ばね片の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの設圧ばね片の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの支点突起の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーのストッパー突起の別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーのカバーの別の形態を示した図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 同上のマイクロリレーの他の構成例の要部拡大図である。 本発明の第２の実施形態に係るマイクロリレーの分解斜視図である。 同上のマイクロリレーの磁性体を除いたアーマチュアブロックを下側から見た図である。

符号の説明

１ 電磁石装置
３ ベース基板
５ アーマチュアブロック
７ カバー
１０ ヨーク
１１ コイル
１２ 永久磁石
３０ 固定接点対
３１ 固定接点対
４０ グランドパターン
４１ 収納凹部
４１ａ 孔
４１ｂ 第３の蓋（収納凹部用蓋）
５０ フレーム
５１ アーマチュア
５１ａ 可動基板
５１ｂ 磁性体
５２ 可動接点基台
５３ 可動接点
５４ 支持ばね片
５５ 接圧ばね片

Claims (20)

1. 以下の構成を備えたマイクロリレー：
   ベース基板；このベース基板は電磁石装置を備え、一表面に固定接点を有する；
   アーマチュアブロック；このアーマチュアブロックは、前記ベース基板の前記一表面に固着されるフレームと、前記フレームの内側に配置され前記フレームに揺動自在に支持される可動基板と、前記可動基板に支持され可動接点を有する可動接点基台とを備える；前記可動基板は、表面に磁性体が備えられてアーマチュアを構成し、前記電磁石装置によって駆動されて前記可動接点と固定接点との間を接離する；
   カバー；このカバーは前記フレームに固着され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた空間を形成し、この空間内に前記アーマチュアおよび前記固定接点を収容する；
   特徴とするところは、
   前記ベース基板は、前記電磁石装置を収納する収納凹部を備え、その収納凹部は、前記ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通した孔と、前記孔の開口を塞ぐように前記ベース基板の前記一表面に固着された薄膜の収納凹部用蓋とから形成され、
   前記電磁石装置は、ヨークと、前記ヨークに巻回され励磁電流に応じて磁束を発生させるコイルと、前記ヨークに固着され前記アーマチュアおよび前記ヨークを通る磁束を発生させる永久磁石とを備え、前記ベース基板は、前記固定接点と電気的に接続された配線パターンと、接地されたグランドパターンとを前記一表面に備え、前記グランドパターンは、前記配線パターンから離間して前記配線パターンと並行に走り、
   前記収納凹部用蓋は、シリコン基板上の絶縁層上に薄膜状のシリコン層が形成されたＳＯＩ基板からシリコン基板および絶縁層を選択的に除去することで残したシリコン層よりなる。
2. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記ヨークは、板状の横片と前記横片の両端から立ち上がる一対の脚片を備え、
   前記永久磁石は、高さを有し、高さ方向の両面が異極に着磁され、一方の磁極面が前記一対の脚片の間で前記横片の長手方向の中心に固着され、
   前記コイルは、前記永久磁石の両側で前記横片に巻回され、前記コイルへの励磁電流によって各脚片の先端面が互いに異極に励磁される。
3. 請求項２に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記横片は、前記永久磁石を配置する凹部を備える。
4. 請求項２に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記横片は、コイルの脱落を防止する凸部を備える。
5. 請求項４に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記凸部は、前記横片の下面の四隅に設けられる。
6. 請求項２に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記ヨークの露出表面および永久磁石の表面は、樹脂コーティングされている。
7. 請求項６に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記脚片の先端面及び永久磁石の先端面の前記樹脂コーティングは研磨除去され、前記脚片の先端面と前記永久磁石の先端面は、同一平面上に位置する。
8. 請求項２に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記脚片の断面積は、前記横片の断面積よりも大きい。
9. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
   前記カバーは、前記フレームに密接に接合され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた密閉空間を形成し、
   前記ベース基板は、
   ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通した固定接点用スルーホールと、
   前記ベース基板の裏面に形成された固定接点用電極と、
   前記固定接点用スルーホールの内周面に形成され前記固定接点用電極と前記固定接点とを電気的に接続する固定接点用導体層と、
   前記ベース基板の前記一表面に設けられ、前記スルーホールの開口を覆う薄膜のスルーホール用蓋とを備える。
10. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記カバーは、前記フレームに密接に接合され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた密閉空間を形成し、
    前記ベース基板は、
    ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通した固定接点用スルーホールと、
    前記ベース基板の裏面に形成された固定接点用電極と、
    前記固定接点用スルーホールの内周面に形成され前記接続用電極と前記固定接点とを電気的に接続する固定接点用導体層と、
    前記スルーホールの内部に埋設され前記スルーホールを閉塞する金属とを備える。
11. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記カバーは、前記フレームに密接に接合され、前記ベース基板と前記フレームと前記カバーとによって囲まれた密閉空間を形成し、
    前記ベース基板は、
    ベース基板の前記一表面からその裏面まで貫通したグランド用スルーホールと、
    前記ベース基板の裏面に形成された接地用のグランド用電極と、
    前記グランド用スルーホールの内周面に形成され、前記グランド用電極と前記グランドパターンとを電気的に接続するグランド用導体層と、
    前記グランド用スルーホールを閉塞するグランド用スルーホール閉塞手段とを有する。
12. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記ベース基板は、
    ベース基板の長手方向の両端に固定接点対を有し、前記固定接点対のうち一方の固定接点対は接地され、
    前記アーマチュアは、前記各固定接点対にそれぞれ対応する二つの可動接点を有し、各可動接点は導電路により互いに電気的に接続される。
13. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記可動基板は、弾性変形可能な支持ばね片を介して前記フレームに支持され、
    前記可動接点基台は、前記可動接点に接点圧を与える接圧ばね片によって前記可動基板に支持され、
    前記フレーム、および、前記可動基板、前記可動接点基台、前記支持ばね片、前記接圧ばね片は、１枚の半導体基板から形成される。
14. 請求項１３に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記可動基板は、可動基板のベース基板側の面の長手方向の中間部に、先端がベース基板に当接した支点突起を有し、前記可動基板は前記支点突起を支点として揺動動作をし、
    前記可動基板は、さらに可動基板のベース基板側の面の長手方向の両端に、前記可動基板が揺動動作をした時に先端が前記ベース基板と当接し前記可動基板の揺動を規制するストッパー突起とを備える。
15. 請求項１４に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記支点突起の先端面と前記ストッパ突起の先端面は、同一平面上に位置する。
16. 請求項１４に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記支点突起と前記ストッパ突起と前記可動接点基台の各先端面は、同一平面上に位置する。
17. 請求項１４に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記支点突起から前記可動接点基台までの距離は、
    前記支点突起から前記電磁石装置に吸引される前記アーマチュアの部位までの距離よりも長い。
18. 請求項１４に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記支点突起から前記可動接点基台までの距離は、
    前記支点突起から前記ストッパ突起までの距離よりも長い。
19. 請求項１３に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記接圧ばね片は、蛇行して進む蛇行部を有する。
20. 請求項１に記載のマイクロリレーにおいて、
    前記可動基板は半導体基板から形成され、上面から下面まで貫通した孔を有し、
    前記磁性体は前記孔の一方の開口を覆うように前記可動基板の表面に配置され、
    前記アーマチュアブロックは、さらに、第２の磁性体または金属を有し、第２の磁性体または金属は、前記孔の他方の開口を覆うように配置され、
    前記磁性体と、前記第２磁性体または金属とは、レーザー溶接によって前記孔の内部で接合され、
    前記可動基板は、前記磁性体と前記第２磁性体または金属とによって狭持されている。

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