JP4260754B2 - デイスク装置のシークエラーリトライ方法及びデイスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、ヘッドシーク時にシークエラーが発生した時のリトライ制御を行うためのデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びデイスク装置に関し、特に、ヘッドをデイスク媒体から退避するためのランプ機構を有するデイスク装置に好適なデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びデイスク装置に関する。

磁気デイスク、光磁気デイスク、光デイスク等の記憶媒体を利用したデイスク装置は、ヘッドをシークして、デイスクの所望のトラックに位置決めする。このようなデイスク装置では、ヘッドの低浮上化に伴い、ＣＳＳ（Contact Start Stop）方式が困難となってきた。又、デイスク装置に、非動作時に耐衝撃性の改善が要求されている。

このため、ランプロード方式を採用する装置が提供されている。ランプロード方式は、デイスクの外周近傍に、ランプ機構を設け、非動作時に、ヘッドをデイスクからランプ機構に退避するものである。図９は、従来のランプロード方式の磁気デイスク装置の構成図である。

図９に示すように、磁気デイスク装置のスピンドル軸１２０に、磁気デイスク１６０が設けられる。この磁気デイスク１６０の情報を読み取る磁気ヘッド１１０は、磁気デイスク１６０の半径方向に移動する。磁気デイスク１６０の最外周位置に、ランプ機構１１１が設けられる。ランプ機構１１１は、斜面部１１１−１と、凹部１１１−２とを有する。

ランプロード方式は、動作を終了する時に、矢印ＵＬ方向に示すように、磁気ヘッド１１０をランプ機構１１１に移動する。磁気ヘッド１１０は、ランプ機構１１１の斜面部１１１−１を乗り越え、凹部１１１−２に収容される（これをアンロード動作という）。一方、動作を開始する時は、矢印ＬＯ方向に示すように、磁気ヘッド１１０をランプ機構１１１から磁気デイスク１６０に移動する。磁気ヘッド１１０は、ランプ機構１１１の凹部１１１−２から斜面部１１１−１に沿い、磁気デイスク１６０に復帰する（これをロード動作という）。このロード動作時には、例えば、磁気ヘッド１６０を駆動するＶＣＭ（アクチュエータ）の逆起電圧から速度を検出し、速度制御して、所定の速度で、磁気ヘッド１６０をロードし、クラッシュを防止する。

従来は、アウター方向へのシーク中に、シークエラーが発生した場合には、磁気ヘッド１１０を直ちに、停止し、更に、インナー方向への電流（逆方向への電流）を流し、インナー方向に移動させ、シークエラーリトライを行っていた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−１７８７９０号公報（図１）

近年、磁気デイスク１６０の高密度化や、最外周まで、データゾーンに使用して、容量を増加させることや、容量増加に伴い、性能を低下させないため、シーク速度を早くすることが、望まれている。例えば、シーク時のサンプルサーボ方式では、１サンプルで、２００〜３００トラックの移動が行われる。

このため、従来技術では、シークエラー検出時に、アウター側へある程度の速度を有している場合や、シークエラーの検出が遅れた場合には、ヘッド１１０が、ランプ機構１１１に乗り上げるおそれがある。その状態で、インナー方向の電流を流し始めると、高速なロード動作となり、ヘッド１１０が、磁気デイスク１６０に激突してしまい、磁気ヘッド１１０や磁気デイスク１６０のクラッシュの原因となる。

特に、デイスクの高密度化や、データゾーンをアウター側に増加して、大容量化する場合には、アウター側へのシーク中に、シークエラーが発生すると、ヘッドがランプ機構に乗り上げ易くなる。

従って、本発明の目的は、ランプロード機構を有するデイスク装置において、シークエラーリトライを安全に実行するためのデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びそのデイスク装置を提供することにある。

又、本発明の他の目的は、シークエラーリトライ時に、ヘッドやデイスクのクラッシュを防止するためのデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びそのデイスク装置を提供することにある。

更に、本発明の他の目的は、リトライ時間を増加することなく、シークエラーリトライ時に、ヘッドやデイスクのクラッシュを防止するためのデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びそのデイスク装置を提供することにある。

更に、本発明の他の目的は、シークエラーリトライを安全に実行し、高速且つ大容量化を実現するデイスク装置のシークエラーリトライ方法及びそのデイスク装置を提供することにある。

この目的の達成のため、本発明のシークエラーのリトライ方法は、シークエラー検出に応じて、ヘッドが、前記ヘッドを退避するために設けられたランプに乗り上げているかを判定するステップと、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークするステップと、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードするステップと、前記ロード後、前記所望トラックに再度シークするステップとを有する。

又、本発明のデイスク装置は、デイスクの情報を少なくとも読み取るヘッドと、前記デイスクの所望のトラック位置にシークするアクチュエータと、前記ヘッドの出力から前記アクチュエータを制御し、且つシークエラーを検出し、リトライ処理する制御ユニットと、前記ヘッドを前記デイスクから退避するために設けられたランプとを有し、前記制御ユニットは、前記シークエラーの検出に応じて、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げているかを判定し、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークし、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードし、前記ロード後、前記所望トラックに再度シークする。

更に、本発明では、好ましくは、前記判定ステップは、ヘッドの出力から前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記判定ステップは、前記ヘッドの出力をＡＧＣ制御するＡＧＣ回路のゲインから、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記再度シークするステップにおいて、前記シークエラーの有無を検出するステップと、前記シークエラーを検出した時に、前記判定ステップを再度実行するステップとを更に有する。

更に、本発明では、好ましくは、前記ロードステップは、前記ヘッドの移動を速度制御して、前記デイスクにロードするステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記再度実行するステップの回数を制限するステップを更に有する。

更に、本発明では、好ましくは、前記判定ステップは、前記デイスクに書き込まれサーボ情報が、前記ヘッドの出力に現れないことを検出したことによる前記シークエラーに応じて、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記判定ステップは、前記デイスクである磁気デイスクに書き込まれたサーボ情報を読み取る前記ヘッドである磁気ヘッドの出力から、前記磁気ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記ロードステップは、前記ヘッドを前記ランプに退避するためのアンロード処理とロード処理との実行を行うステップからなる。

シークエラーリトライ時のシークリトライを始める前に、ヘッドがランプに乗り上げているかどうかをチェックし、ランプに乗り上げていなければ、通常通りシークリトライを行ない、ランプに乗り上げていれば、アンロードからやり直して、シークリトライする。このため、ランプロード適用装置において、シークエラー起因のランプ乗り上げによるクラッシュを防ぐことができ、装置信頼性の向上が期待できる。又、シークエラー時に、毎回、アンロードとロードを行わないため、リトライ時間を短縮でき、且つランプの磨耗等も防止できる。更に、ランプロード適用装置の通常のアンロード／ロード機能を利用しているため、特別な機能を付加しないで、実現できる。

以下、本発明の実施の形態を、デイスク装置、シークエラーリトライ処理、他の実施の形態の順で説明する。

［デイスク装置］
図１は、本発明の一実施の形態のデイスク装置の構成図、図２は、図１のランプ機構の断面図、図３は、図１のランプ機構の上面図、図４は、図１のデイスク装置の制御ユニットのブロック図であり、デイスク装置として、磁気デイスク装置を例に図示している。

図１に示すように、磁気デイスクドライブ１０は、磁気デイスク１２と、磁気デイスク１２を回転するスピンドルモーター１４と、磁気ヘッドを含むヘッドスライダーを先端に有するアーム１６と、磁気デイスク１２の半径方向に、ヘッドスライダーを含むアーム１６を移動するＶＣＭ（Voice Coil Motor）１８と、磁気デイスク１２の外周位置に設けられ、アーム１６が退避するランプ２０とを有する。

ＶＣＭ１８は、固定された磁石と、アーム１６の後端に設けられた駆動コイルで構成される。アーム１６は、回転軸２４を中心に回転するスイングアームで構成され、且つＶＣＭ１８には、アーム１６の内周位置を制限するインナーストッパ２２が設けられている。

図２及び図３により、アーム１６とランプ２０を説明する。ランプ２０は、磁気デイスク１２側から斜めに上昇する斜面２０−１と、斜面に続く第１の平面２０−２と、第１の平面２０−２に続き、且つ第２の平面２０−４との間に設けられた溝部２０−３とで構成されている。

一方、アーム１６の先端には、リフト２８（図３参照）が設けられ、アーム１６の先頭には、磁気ヘッドを含むヘッドスライダー２６が設けられる。ヘッドのアンロード（退避）動作は、図２及び図３の右方向に、アーム１６を移動することにより、アーム１６のリフト２８が、ランプ２０の斜面２０−１を乗り越え、第１の平面２０−２を介し、溝部２０−３に到達し、第２の平面２０−４との段差部でストップする動作である。これにより、リフト２８が、丁度、溝部２０−３に嵌まり、パーキングする。

逆に、ヘッドのロード動作は、溝部２０−３でパーキングしているアーム１６を、図２及び図３の左方向に移動することにより、リフト２８が、溝部２０の斜面及び第１の平面２０−２を乗り越え、斜面２０−１に沿って滑り降りることにより、ヘッドを含むアーム１６が、磁気デイスク１２上に、復帰する動作である。

このロード及びアンロード動作は、ＶＣＭ１８を駆動して行う。周知のように、このロード動作時には、磁気ヘッドを含むアーム１６を駆動するＶＣＭ（アクチュエータ）１８の逆起電圧から速度を検出し、ＶＣＭ１８を速度制御して、所定の速度で、磁気ヘッドを磁気デイスク１２にロードし、クラッシュを防止する。

図４は、図１のデイスクドライブの制御回路３のブロック図であり、特に、ＩＣチップ単位で示してある。ＨＤＣチップ（ハードディスクコントローラ）５は、ホストＣＰＵ（図示せず）のデータや各種コマンドの授受等のホストＣＰＵとのインターフェース制御及び磁気デイスク上の記録再生フォーマットを制御するための磁気デイスクドライブ内部の制御信号の発生等を行う。

ＭＣＵ（マイクロコントローラ）チップ７は、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）等で構成されている。ＭＣＵ７は、磁気ヘッドの位置決めのためのサーボ制御等を行う。ＭＣＵ７は、図示しないメモリに記憶されたプログラムを実行して、ヘッドの位置信号の認識（サーボ情報の認識、復調）や、サーボ制御演算によるＳＶＣ(Servo Combo Driver)１１のＶＣＭ１８やＳＰＭ１４の制御電流値の演算を行う。

更に、ＭＣＵ７は、後述するシーク制御処理、シークエラーリトライ処理を行う。ＳＶＣチップ１１は、図１のスピンドルモーター（ＳＰＭ）１４やＶＣＭ１８の駆動回路であり、ＶＣＭドライバー３６とスピンドルドライバー３７とを有する。

リードチャネルチップ９は、記録再生を行うための回路である。リードチャネル９は、ホストＣＰＵからのライトデータを磁気デイスクに記録する変調回路、磁気デイスクからのデータを再生する復調回路、磁気デイスクに記録されたサーボパターンを復調する回路としてのピークホールド回路や積分回路を含むＡＧＣ回路９０と有する。

プリアンプ１９は、アーム１６に搭載され、磁気ヘッドからの再生電圧を増幅して、リードチャネルチップ９へ出力する。

このような構成において、リードチャネルチップ９のＡＧＣ（Automatic Gain Control）回路９０は、プリアンプ１９からの磁気ヘッドの再生電圧を、所定電圧に制御するように、再生電圧に対するゲインを再生電圧に応じて、制御する。

［シークエラーリトライ処理］
図５は、本発明の一実施の形態のシーク処理フロー図、図６は、そのシークエラーリトライ処理フロー図、図７及び図８は、シークエラーリトライ動作の説明図である。先ず、図５により、シーク処理を説明する。

（Ｓ１０）シーク開始にあたり、磁気ヘッド２６の現在位置とシークの目標位置との距離に従い、コアース制御の速度カーブが形成されているものとする。先ず、ＭＣＵ７は、リードチャネル９を介し、磁気ヘッド２６のリード出力をサンプルし、サーボ情報を検出する。

（Ｓ１２）ＭＣＵ７は、リード出力のサーボ情報を、現在位置に復調する。前述のように、各トラックには、グレイコードで示されたトラック番号と、オフセットバーストパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが、サーボ情報として、記録されている。

（Ｓ１４）ＭＣＵ７は、復調に成功したかを判定する。例えば、リード出力からサーボ情報を検出できずに、復調位置が得られない場合等である。又、コアース時の速度制御では、前のサンプル時点で予測した今回のサンプル時の現在位置と今回のサンプル時点に検出した現在位置との誤差が大きい場合には、一旦復調不成功と判定する。

（Ｓ１６）ＭＣＵ７は、復調不成功と判定すると、復調不成功が連続しているかを判定する。例えば、サンプル数で、ｎ（＝３）回連続して、復調不成功かを判定する。復調不成功が所定回数連続していれば、シークエラーとして、停止制御する。一方、復調不成功が所定回数連続していない場合には、ステップＳ１０に戻る。

（Ｓ１８）ＭＣＵ７は、復調が成功した場合には、復調した現在位置が、目標位置であるかを判定する。復調した現在位置が、目標位置でない場合には、位置誤差に従い、コアース制御又はファイン制御する。例えば、目標位置と現在位置との位置誤差が大きい場合には、前述のコアース制御の速度カーブに従い、位置誤差に応じた目標速度と、現在速度との速度誤差で制御する。この現在速度は、前回のサンプル時の現在位置と今回サンプル時の現在位置との差を、サンプル間隔で割り、得る。又、位置誤差が所定の範囲（例えば、０．５トラック）であれば、ファイン制御（位置制御）に移行する。そして、ステップＳ１０に戻る。一方、復調した現在位置が目標位置であれば、シーク終了となり、ファイン制御（フォローイング制御）を続行する。

次に、図７及び図８を参照して、図６により、シークエラーリトライ処理を説明する。この処理は、シークエラー発生時に、磁気ヘッドのランプ乗り上げをチェックして、ランプ乗り上げの有無でリトライ方法を変えるものである。

（Ｓ２０）図５のステップＳ１６で、シークエラーを検出すると、シークエラーリトライ処理を開始する。

（Ｓ２２）ＭＣＵ７は、図８に示すように、磁気ヘッド２６がランプ２０に乗り上げているかを判定する。ランプ乗り上げチェックの方法としては、ヘッドＩＣ（プリアンプ）１９から出力される磁気ヘッド２６の生波形を監視して、波形が無くなれば（交流成分が殆ど「０」）、ランプ２０に乗り上げていると判断する。例えば、波形が消失すれば、リードチャネル９のＡＧＣ回路９０が波形を増幅しようと、最大ゲインに張り付く（維持する）。そこで、ＭＣＵ７のファームは、ＡＧＣ回路９０のゲインの張り付きが起きているかどうかを監視する。このチエックで、図７に示すように、ヘッド２６が、ランプ２０に乗り上げていないと判定すると、ステップＳ２６に進む。

（Ｓ２４）一方、磁気ヘッド２６が、ランプ２０に乗り上げていると判定すると、ＭＣＵ７は、前述のアンロード制御を行う。即ち、ＭＣＵ７は、ＶＣＭ１８を駆動して、図８に示すように、図の右方向に、アーム１６を移動する。これにより、アーム１６のリフト２８が、ランプ２０の斜面２０−１を乗り越え、第１の平面２０−２を介し、溝部２０−３に到達し、第２の平面２０−４との段差部でストップする。これにより、リフト２８が、丁度、溝部２０−３に嵌まり、パーキングする。次に、ＭＣＵ７は、前述のロード動作を行う。即ち、ＭＣＵ７は、ＶＣＭ１８を駆動して、溝部２０−３でパーキングしているアーム１６を、図８の左方向に移動する。これにより、リフト２８が、溝部２０の斜面及び第１の平面２０−２を乗り越え、斜面２０−１に沿って滑り降りることにより、ヘッドを含むアーム１６が、磁気デイスク１２上に、復帰する。周知のように、このロード動作時には、磁気ヘッドを含むアーム１６を駆動するＶＣＭ（アクチュエータ）１８の逆起電圧から速度を検出し、ＶＣＭ１８を速度制御して、所定の速度で、磁気ヘッドを磁気デイスク１２にロードし、クラッシュを防止する。

（Ｓ２６）ＭＣＵ７は、ＶＣＭ１８を駆動して、磁気ヘッド２６を、磁気デイスク１２のインナー方向にシーク移動し、所定のトラックにオントラックする。そして、ＭＣＵ７は、このオントラック位置を現在位置とし、目標位置まで、前述の図５のシーク処理で、磁気ヘッド２６をシークする。

（Ｓ２８）ＭＣＵ７は、シークが正常終了したかを判定する。例えば、前述のシークエラーがあるかを判定する。シークが正常終了している場合には、シークエラーリトライを終了する。一方、シークが正常終了していない場合には、リトライ回数が規定回数以内かを判定する。リトライ回数が規定回数以内であれば、エラー終了し、ステップＳ２２に戻る。又、リトライ回数が規定回数を越えていれば、異常終了とする。

このように、シークエラーリトライ時のインナーサーボカット動作（インナーへのシーク）を始める直前に、ヘッド２６が、ランプ２０に乗り上げているかどうかをチェックする。ランプ２０に乗り上げていなければ、通常通りインナー方向へのサーボカットを行ない、ランプ２０に乗り上げていれば、アンロードからやり直す（アンロード → ロード → インナーサーボカット）ようにする。

このため、ランプロード適用装置において、シークエラー起因のランプ乗り上げによるクラッシュを防ぐことができ、装置信頼性の向上が期待できる。又、シークエラー時に、毎回、アンロードとロードを行わないため、リトライ時間を短縮でき、且つランプ２０の磨耗等も防止できる。

更に、ランプロード適用装置の通常のアンロード／ロード機能を利用しているため、特別な機能を付加しないで、実現できる。その上、ＡＧＣ回路のゲインの張り付きが起きているかどうかを監視して、ランプに乗り上げているかを判定するため、特別の機構を設けずに、ファームウェアにより、簡単に判定できる。

［他の実施の形態］
前述の実施の形態では、ランプに乗り上げているかを、ＡＧＣのゲインで判定しているが、磁気ヘッドの生波形から判定してもよく、更に他のランプ乗り上げを検出する機構を設けても良い。

又、デイスク装置は、磁気デイスク装置の他、光デイスク装置、光磁気デイスク装置等の他のストレージデバイスを適用できる。更に、ランプ機構は、他の形状や構成を任意に採用できる。

以上、本発明を実施の形態により説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、本発明は、種々の変形が可能であり、本発明の範囲からこれらを排除するものではない。

（付記１）デイスクの情報を少なくとも読み取るヘッドを、前記デイスクの所望のトラック位置にシークした際に生じるシークエラーのリトライ方法において、前記シークエラー検出に応じて、前記ヘッドが、前記ヘッドを退避するために設けられたランプに乗り上げているかを判定するステップと、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークするステップと、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードするステップと、前記ロード後、前記所望トラックに再度シークするステップとを有することを特徴とするデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記２）前記判定ステップは、ヘッドの出力から前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなることを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記３）前記判定ステップは、前記ヘッドの出力をＡＧＣ制御するＡＧＣ回路のゲインから、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなることを特徴とする付記２のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記４）前記再度シークするステップにおいて、前記シークエラーの有無を検出するステップと、前記シークエラーを検出した時に、前記判定ステップを再度実行するステップとを更に有することを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記５）前記ロードステップは、前記ヘッドの移動を速度制御して、前記デイスクにロードするステップからなることを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記６）前記再度実行するステップの回数を制限するステップを更に有することを特徴とする付記４のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記７）前記判定ステップは、前記デイスクに書き込まれサーボ情報が、前記ヘッドの出力に現れないことを検出したことによる前記シークエラーに応じて、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなることを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記８）前記判定ステップは、前記デイスクである磁気デイスクに書き込まれたサーボ情報を読み取る前記ヘッドである磁気ヘッドの出力から、前記磁気ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなることを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記９）前記ロードステップは、前記ヘッドを前記ランプに退避するためのアンロード処理とロード処理との実行を行うステップからなることを特徴とする付記１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。

（付記１０）デイスクの情報を少なくとも読み取るヘッドと、前記デイスクの所望のトラック位置にシークするアクチュエータと、前記ヘッドの出力から前記アクチュエータを制御し、且つシークエラーを検出し、リトライ処理する制御ユニットと、前記ヘッドを前記デイスクから退避するために設けられたランプとを有し、前記制御ユニットは、前記シークエラーの検出に応じて、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げているかを判定し、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークし、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードし、前記ロード後、前記所望トラックに再度シークすることを特徴とするデイスク装置。

（付記１１）前記制御ユニットは、ヘッドの出力から前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定することを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１２）前記制御ユニットは、前記ヘッドの出力をＡＧＣ制御するＡＧＣ回路を有し、前記ＡＧＣ回路のゲインから、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定することを特徴とする付記１１のデイスク装置。

（付記１３）前記制御ユニットは、前記再度シークする際に、前記シークエラーの有無を検出し、前記シークエラーを検出した時に、前記ランプ乗り上げ判定を再度実行することを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１４）前記制御ユニットは、前記ヘッドの移動を速度制御して、前記デイスクにロードすることを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１５）前記制御ユニットは、ランプ乗り上げ判定を再度実行する回数を制限することを特徴とする付記１３のデイスク装置。

（付記１６）前記制御ユニットは、前記デイスクに書き込まれサーボ情報が、前記ヘッドの出力に現れないことを検出したことによる前記シークエラーに応じて、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定することを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１７）前記デイスクは、サーボ情報が書き込まれた磁気デイスクであり、前記ヘッドは、前記磁気デイスクに書き込まれたサーボ情報を読み取る磁気ヘッドであることを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１８）前記制御ユニットは、前記ランプに前記ヘッドが乗り上げたことを検出した時に、前記ヘッドを前記ランプに退避するためのアンロード処理とロード処理との実行を行うことを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記１９）前記ランプが、前記デイスクの最外周近傍に設けられたことを特徴とする付記１０のデイスク装置。

（付記２０）前記制御ユニットは、前記ヘッドの非動作時に、前記ヘッドを前記ランプにロードし、前記ヘッドの動作時に、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードする処理を実行することを特徴とする付記１０のデイスク装置。

シークエラーリトライ時のシークリトライを始める前に、ヘッドがランプに乗り上げているかどうかをチェックし、ランプに乗り上げていなければ、通常通りシークリトライを行ない、ランプに乗り上げていれば、アンロードからやり直して、シークリトライする。このため、ランプロード適用装置において、シークエラー起因のランプ乗り上げによるクラッシュを防ぐことができ、装置信頼性の向上が期待でき、装置の高密度化、高速化に寄与する。

本発明の一実施の形態の磁気デイスク装置の構成図である。 図１のランプ機構の断面図である。 図１のランプ機構の上面図である。 図１の磁気デイスク装置の制御ユニットのブロック図である。 本発明の一実施の形態のシーク処理フロー図である。 本発明の一実施の形態のシークエラーリトライ処理フロー図である。 図６のランプに乗り上げていない場合のリトライ動作の説明図である。 図６のランプに乗り上げている場合のリトライ動作の説明図である。 従来技術の説明図である。

符号の説明

３ 制御ユニット
５ ハードデイスクコントローラ
７ マイクロコントローラ
９ リードチャネル
１０ 磁気デイスクドライブ
１２ 磁気デイスク
１６ アーム
１８ ＶＣＭ
２０ ランプ
２６ 磁気ヘッド
９０ ＡＧＣ回路

Claims (10)

1. デイスクの情報を少なくとも読み取るヘッドを、前記デイスクの所望のトラック位置にシークした際に生じるシークエラーのリトライ方法において、
   前記シークエラー検出に応じて、前記ヘッドが、前記ヘッドを退避するために設けられたランプに乗り上げているかを判定するステップと、
   前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークするステップと、
   前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードするステップと、
   前記ロード後、前記所望トラックに再度シークするステップとを有する
   ことを特徴とするデイスク装置のシークエラーリトライ方法。
2. 前記判定ステップは、ヘッドの出力から前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる
   ことを特徴とする請求項１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。
3. 前記判定ステップは、前記ヘッドの出力をＡＧＣ制御するＡＧＣ回路のゲインから、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定するステップからなる
   ことを特徴とする請求項２のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。
4. 前記再度シークするステップにおいて、前記シークエラーの有無を検出するステップと、
   前記シークエラーを検出した時に、前記判定ステップを再度実行するステップとを更に有する
   ことを特徴とする請求項１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。
5. 前記ロードステップは、前記ヘッドの移動を速度制御して、前記デイスクにロードするステップからなる
   ことを特徴とする請求項１のデイスク装置のシークエラーリトライ方法。
6. デイスクの情報を少なくとも読み取るヘッドと、
   前記デイスクの所望のトラック位置にシークするアクチュエータと、
   前記ヘッドの出力から前記アクチュエータを制御し、且つシークエラーを検出し、リトライ処理する制御ユニットと、
   前記ヘッドを前記デイスクから退避するために設けられたランプとを有し、
   前記制御ユニットは、
   前記シークエラーの検出に応じて、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げているかを判定し、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げていない時は、前記ヘッドを前記所望トラックに再度シークし、前記判定により、前記ヘッドが前記ランプに乗り上げている時は、前記ヘッドを前記ランプへアンロードした後、前記ヘッドを前記ランプから前記デイスクへロードし、前記ロード後、前記所望トラックに再度シークする
   ことを特徴とするデイスク装置。
7. 前記制御ユニットは、ヘッドの出力から前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定する
   ことを特徴とする請求項６のデイスク装置。
8. 前記制御ユニットは、前記ヘッドの出力をＡＧＣ制御するＡＧＣ回路を有し、
   前記ＡＧＣ回路のゲインから、前記ヘッドが、前記ランプに乗り上げているかを判定する
   ことを特徴とする請求項７のデイスク装置。
9. 前記制御ユニットは、前記再度シークする際に、前記シークエラーの有無を検出し、前記シークエラーを検出した時に、前記ランプ乗り上げ判定を再度実行する
   ことを特徴とする請求項６のデイスク装置。
10. 前記制御ユニットは、前記ヘッドの移動を速度制御して、前記デイスクにロードする
    ことを特徴とする請求項６のデイスク装置。

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