JP4260442B2 - 液晶注入方法 - Google Patents

液晶注入方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4260442B2
JP4260442B2 JP2002253503A JP2002253503A JP4260442B2 JP 4260442 B2 JP4260442 B2 JP 4260442B2 JP 2002253503 A JP2002253503 A JP 2002253503A JP 2002253503 A JP2002253503 A JP 2002253503A JP 4260442 B2 JP4260442 B2 JP 4260442B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
injection
chamber
treatment chamber
constant temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002253503A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004093782A (ja
Inventor
大 北原
英樹 岡本
胤芳 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2002253503A priority Critical patent/JP4260442B2/ja
Publication of JP2004093782A publication Critical patent/JP2004093782A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4260442B2 publication Critical patent/JP4260442B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶注入方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置等に用いられる液晶パネルは、一対のガラス基板の間にスペーサを挿入して数μm程度の隙間(液晶注入空間)を形成し、その隙間に液晶を充填したものである。液晶注入作業は、通常大きく分けて注入前のガラス基乾燥工程、注入工程、恒温保持工程から構成される。従来の液晶注入装置では、これらの工程順に加熱室、注入室および恒温室を一直線上に配置したインライン式の装置が主流となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の液晶注入装置では、いずれかの処理室でトラブルが発生した場合にはその後の工程に進むことができなくなり、生産が停止してしまうという課題があった。
【0004】
本発明の目的は、平行して処理が行われている各工程のいずれかの処理室でトラブルが生じても、一連の液晶注入作業を続行することができる液晶注入方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
(1)請求項1の発明は、加熱処理室にて微小隙間を有する液晶セルの加熱を行う加熱処理工程と、注入処理室にて液晶セルの真空排気および液晶との接液を行わせる注入処理工程と、恒温処理室にて接液している液晶セルを恒温保持する恒温処理工程とを有して一連の液晶注入作業を行う液晶注入方法に適用され、加熱処理室、注入処理室および恒温処理室をそれぞれ複数設け、平行して処理が行われている各工程において複数の処理室のいずれかが使用不能となった場合に、使用不能となっていない他の処理室を用いて該工程の処理を行って一連の液晶注入作業を続行することを特徴とする。
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載の液晶注入方法において、加熱処理室、注入処理室および恒温処理室のそれぞれが2つずつ付設されるように設けられた搬送システムにより、液晶セルを加熱処理室、注入処理室および恒温処理室の間で移動させるようにしたものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は本発明による液晶注入装置の一実施の形態を示す図であり、液晶注入装置1の全体構成を示す平面図である。液晶注入装置1の中央部には搬送システム18が設けられておりであり、搬入室11A,加熱室12A,注入室13Aおよび恒温室14Aは搬送システム18の図示上側に配置され、搬入室11B,加熱室12B,注入室13Bおよび恒温室14Bが配置されている。なお、加熱室12A,12B、注入室13A,13Bおよび恒温室14A,14Bの各々は、ゲートバルブGを介して搬送システム18に接続されている。搬送システムに18には、ベルトコンベアやローラーなど様々な形式のものが用いられる。
【0007】
搬入室11Aと搬入室11Bは全く同一構成を有しており、加熱室12A,12B、注入室13A,13Bおよび恒温室14A,14Bについても同様である。15は搬出室、16は液晶皿24が載置されたカート23が待機しているカートストッカである。液晶皿24への液晶LCの補充は、液晶供給部17にて行われる。
【0008】
Cは一対のガラス基板から成るセルであり、搬入室11A,11Bには複数のセルCがカセット21に装着された状態で搬入される。カセット21は、搬入室11A,11Bで待機しているカセットトレイ20に上に載置される。図2はカセットトレイ20とカセット21とを示す斜視である。カセットトレイ20の載置部分には開口20aが形成されており、この開口20a上にセルCが配置されるようにカセット21は載置される。
【0009】
次に、液晶注入装置1へのカセット21の搬入から、液晶注入完了後のカセット搬出までの手順について説明する。図1に戻って、搬送装置18には台車22が設けられており、この台車22は搬送システム18上を図示左右方向に移動することができる。カセットCが搬入室11A,11Bに搬入されると、台車22は搬入室11A,11Bの位置P1まで移動される。搬入室11A,11B、加熱室12A,12B、注入室13A,13Bおよび恒温室14A,14Bのそれぞれには、カセットトレイ20をチャンバ内外に出し入れするための搬送装置が個別に設けられており、搬入室11A,11B内のカセット21はカセットトレイ20に載置された状態で台車22上に搬送される。
【0010】
カセットトレイ20が載置された台車22は、搬入室11A,11Bの位置P1から加熱室12A,12Bの位置P2まで移動される。台車22が位置P2に停止すると、カセット21が載置されたカセットトレイ20は加熱室12A,12B内に搬入される。加熱室12A,12Bでは、セルCのガラス基板に付着している水分を除去する乾燥処理が行われる。加熱室12A,12Bには加熱用ヒータHが設けられ、さらに、チャンバ内を真空排気するための真空ポンプVPがバルブV1を介して設けられている。ゲートバルブGを開いてカセットトレイ20を搬入したならば、ゲートバルブを閉じてヒータHにより加熱する。本実施の形態では、水分除去を効果的に行わせるために、ヒータHで加熱するとともにチャンバ内を真空排気する。
【0011】
セルCの乾燥処理が終了したならば、加熱室12A、12B内を大気圧に戻した後、ゲートバルブGを開いてカセットトレイ20を台車22上に搬送する。そして、カセットトレイ20を載せた台車22は注入室13A,13Bの位置P3まで移動する。台車22が位置P3に停止したならば、注入室13A,13BのゲートバルブGを開いて、カセットトレイ20を台車22から注入室13A,13B内に搬送する。
【0012】
図3はカセットトレイ20の注入室13Aへの搬入を説明する図である。30は注入室13Aに対して設けられた搬送装置(ローラー)であり台車22上のカセットトレイ20は搬送装置30によって注入室13A内に搬入される。ここでは、搬送装置30をローラーとしたが、ローラーに限らずどのようなものであってもよい。カセットトレイ20の搬入と同時に、カート23に載置された液晶皿24の搬入も行われる。カート23は搬送システム18により注入室13Aまで搬送され、カート23の注入室13Aへの搬入は搬送装置31により行われる。
【0013】
カセットトレイ20とカート23とが注入室13A内に搬入されると、ゲートバルブGを閉じて真空ポンプVPによりチャンバ内を真空排気する。これによって、セルCのガラス基板間の隙間も真空排気される。ガラス基板間の隙間間隔は数μm程度と小さいため、十分な時間をかけて真空排気する。この排気時間はセル寸法が大きいほど長時間となる。所定時間真空排気したならば、昇降機構32によりカート32を上昇させ、各セルCの下部を液晶皿24中の液晶LCに接液させる。このとき、カート23はカセットトレイ20に抱え込まれるように装着され、液晶皿24の上部はカセットトレイ20の開口20aに挿入される。
【0014】
図4はセルCと液晶LCとの接液動作を説明する図である。上述したようにセルCは一対のガラス基板を微小隙間を設けて貼り合わせたものであり、周辺部は注入口100を除いて封止されている。各セルCはこの液晶注入口100が下方となるようにカセット21に保持されている。図4(a)の状態でセルC内を真空排気したならば、図4(b)のように液晶皿24を上昇させて液晶注入口100を液晶LCに接液させる。次に、バルブV3を閉じて真空排気を止め、バルブV2を開けて窒素ガスやドライエア等を注入室13Aに導入してチャンバ内を大気圧にする。そうすると、セル内外の圧力差によって液晶皿24内の液晶LCが液晶注入口100を通ってセルC内へと侵入する。
【0015】
図1に戻って、注入室13A内を大気圧に戻したならば、ゲートバルブGを開いて接液状態を維持したままカセットトレイ20を搬送システム18の台車22に移動させる。その後、台車22を恒温室14A,14Bの位置P4に移動し、恒温室14A,14BのゲートバルブGを開いてカセットトレイ20を恒温室14A,14B内に搬入する。恒温室14A,14B内は、ヒータHにより所定温度に加熱される。カセットトレイ20は、液晶LCがセルC内に一様に充填されるまで恒温室14A,14B内に保持される。加熱温度に保持することにより液晶LCの流動性が増大し、セルCへの液晶注入速度が向上するとともに、隙間の隅々まで均一に注入される。なお、恒温室14A,14Bを加圧状態にすることにより、注入時間の短縮化が図れる。
【0016】
恒温室14A,14Bにおける注入が完了したならば、ゲートバルブGを開いてカセットトレイ20を恒温室14A,14Bから台車20へと搬送する。その後、台車22を搬出室15の位置P5へ移動し、液晶皿24を載置したカート23をカセットトレイ20から外してカートストッカ16へ搬送し、カセット21を載置したカセットトレイ20は搬出室15へ搬送する。その後、カセット21は装置外へと搬出されて次工程へと送られる。なお、液晶皿24内の液晶LCの量が所定量以下となったときには、液晶供給室17において液晶LCの補充が行われる。
【0017】
(動作例)
本実施の形態の液晶注入装置1では、搬入室11A,11B、加熱室12A,12B、注入室13A,13Bおよび恒温室14A,14Bをそれぞれ2つずつ備えているため、注入作業を並行して行うことができるとともに、2つの内の一方にトラブルが発生した場合であっても注入作業を継続させることができ、装置の停止という最悪な事態を回避することができる。
【0018】
ここでは、加熱室12Bにトラブルが発生した場合を例に、装置動作について説明する。図5は動作のタイミングを説明するタイムチャートであり、加熱室12A、注入室13A,13Bおよび恒温室14A,14Bの動作タイミングをそれぞれ示したものである。なお、搬入室11A,11Bについては図示を省略した。図5では、(1)、(2)、(3)、(4)で示す4セットのカセット21を順に投入したときの動作を示している。
【0019】
なお、各工程に要する時間は、加熱処理時間を1としたときに、注入処理時間を2,恒温処理時間を2とした。一般的に、加熱処理に比べて、注入処理、恒温処理の方が処理時間が長く、注入処理と恒温処理とについてはほぼ同じ程度の処理時間になる。
【0020】
時刻t1に1セット目のカセットを加熱室12Aへ投入し、時刻t2まで加熱処理を行う。時刻t2には、加熱処理が終了した1セット目のカセット21を加熱室12Aから注入室13Aに搬送するとともに、2セット目のカセット21を加熱室12Aへ投入する。1セット目の注入処理は時刻t4に終了する。時刻t3には加熱処理が終了した2セット目のカセット21を加熱室12Aから他方の注入室13Bへ搬送するとともに、3セット目のカセット21を加熱室12Aに投入する。
【0021】
時刻t4になると1セット目の注入処理が終了するので、1セット目のカセット21を注入室13Aから恒温室14Aに搬送する。また、時刻t4には加熱処理が終了した3セット目のカセット21を加熱室12Aから注入室13Bへ搬送するとともに、4セット目のカセット21を加熱室12Aに投入する。
【0022】
時刻t5には4セット目の加熱処理が終了する。また、時刻t5には2セット目の注入処理が終了するので、2セット目のカセット21を注入室13Bから恒温室14Bに搬送するとともに、加熱処理が終了した4セット目のカセット21を加熱室12Aから注入室13Bに搬送する。
【0023】
時刻t6には3セット目の注入処理が終了する。また、時刻t6には1セット目の恒温処理が終了するので、1セット目のカセット21を搬出室15へ搬送するとともに、3セット目のカセット21を注入室13Aから恒温室14Aへと搬送する。
【0024】
時刻t7には4セット目の注入処理が終了する。また、時刻t7には2セット目の恒温処理が終了するので、2セット目のカセット21を搬出室15へ搬送するとともに、4セット目のカセット21を注入室13Bから恒温室14Bへと搬送する。
【0025】
時刻t8には3セット目の恒温処理が終了するので、3セット目のカセット21を恒温室14Aから搬出室15へと搬送する。さらに、時刻t9には4セット目の恒温処理が終了するので、4セット目のカセット21を恒温室14Bから搬出室15へと搬送する。
【0026】
図1に示した例では各処理室11A〜14A,11B〜14Bを搬送システム18の両側に一直線に配設したが、同一機能の処理室を上下に設けても良い。さらには、上下に設けた各処理室を図6に示すように搬送システム28を囲むように設けても良い。搬送システム28にはカセットトレイ21を各処理室に搬送・搬入する機構と、上下に昇降する機構とを備えている。また、上述した例では、各処理室の個数はいずれも2つであったが、処理時間の長短に応じて同一機能の処理室の個数を変えても良い。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1,2の発明によれば、加熱処理室、注入処理室および恒温処理室をそれぞれ複数設けので、各処理室の一方にトラブルが発生しても、装置を停止することなく一連の液晶注入作業を続行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶注入装置1の全体構成を示す平面図である。
【図2】カセットトレイ20とカセット21とを示す斜視図である。
【図3】カセットトレイ20の注入室13Aへの搬入を説明する図である。
【図4】セルCと液晶LCとの接液動作を説明する図である。
【図5】液晶注入装置1の動作タイミングの一例を説明するタイムチャートである。
【図6】液晶注入装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
1 液晶注入装置
11A,11B 搬入室
12A,12B 加熱室
13A,13B 注入室
14A,14B 恒温室
15 搬出室
18,28 搬送システム
20 カセットトレイ
21 カセット
22 台車
23 カート
C セル
LC 液晶

Claims (2)

  1. 加熱処理室にて微小隙間を有する液晶セルの加熱を行う加熱処理工程と、
    注入処理室にて液晶セルの真空排気および液晶との接液を行わせる注入処理工程と、
    恒温処理室にて接液している液晶セルを恒温保持する恒温処理工程とを有して一連の液晶注入作業を行う液晶注入方法において、
    前記加熱処理室、注入処理室および恒温処理室をそれぞれ複数設け、平行して処理が行われている前記各工程において複数の処理室のいずれかが使用不能となった場合に、使用不能となっていない他の処理室を用いて該工程の処理を行って一連の液晶注入作業を続行することを特徴とする液晶注入方法。
  2. 請求項1に記載の液晶注入方法において、
    前記加熱処理室、注入処理室および恒温処理室のそれぞれが2つずつ付設されるように設けられた搬送システムにより、前記液晶セルを前記加熱処理室、注入処理室および恒温処理室の間で移動させることを特徴とする液晶注入方法。
JP2002253503A 2002-08-30 2002-08-30 液晶注入方法 Expired - Fee Related JP4260442B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002253503A JP4260442B2 (ja) 2002-08-30 2002-08-30 液晶注入方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002253503A JP4260442B2 (ja) 2002-08-30 2002-08-30 液晶注入方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004093782A JP2004093782A (ja) 2004-03-25
JP4260442B2 true JP4260442B2 (ja) 2009-04-30

Family

ID=32059484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002253503A Expired - Fee Related JP4260442B2 (ja) 2002-08-30 2002-08-30 液晶注入方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4260442B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107884999A (zh) * 2017-10-17 2018-04-06 永州市新辉开科技有限公司 一种提升pmva灌液效率的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004093782A (ja) 2004-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100854142B1 (ko) 로드 로크 장치 및 기판 처리 시스템
JP4372182B2 (ja) 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置
JP3445757B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4312787B2 (ja) 減圧乾燥装置
JP4542577B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JPH09223727A (ja) 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法
KR100567521B1 (ko) 가열·냉각처리장치 및 기판처리장치
JP2007031821A (ja) 真空処理装置
TW200421423A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5503057B2 (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2006216982A (ja) 半導体処理装置
JP4260442B2 (ja) 液晶注入方法
JP4967013B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP3554534B2 (ja) 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
KR101817216B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3400996B1 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP3732388B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP3816929B2 (ja) 半導体処理装置
JP3710979B2 (ja) 基板処理装置
JP4194262B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001168169A (ja) 基板処理システム
JPH11145055A (ja) 基板処理装置
JPH08330378A (ja) 連続熱処理装置
JP2000091224A (ja) 加熱処理方法及び加熱処理装置
JP2004022992A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041111

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070814

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070911

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20071018

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20080502

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4260442

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees