JP4256237B2 - 電子部品検査用の異方導電性フィルムおよびそれを用いた電子部品の検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品検査用の異方導電性フィルムおよびそれを用いた半導体素子などといった電子部品や電子部品を含む半導体装置などの検査方法に関する。

半導体素子、電子部品や回路基板の導通検査時においては、部品や基板の電極部分に直接プローブピンを接触させて電気信号を検出する方法が一般的であった。そのようなプローブピンの接触による場合、プローブピンを検査対象の部品等の電極位置に合わせる必要があるため、検査対象の部品等毎に専用のプローブ治具を作製する必要があった。近時、電子部品や回路基板の電極の大きさや電極間隔が小さくなっており、プローブピンの製造が困難あるいはコスト高になるといった問題が生じており、電子部品等の導通検査では異方導電性フィルムの使用が提案されている（特許文献１）。
国際公開第９８／０７２１６号パンフレット

しかし、異方導電性フィルムを用いる場合、高温での電子部品の導通検査においては、電極間のコンタクト性不良が発生したり、「金属電極部が汚染される」などの問題があることを本発明者らは見出した。なお、導電ゴムを用いた簡易的な導通検査を行うに際しても、電子部品と回路基板との実装に不良が発生するという問題があった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、２０〜１５０℃の広い温度範囲において検査対象の電子部品の電極や回路基板の配線パターン表面を汚染しにくい、電子部品検査用の異方導電性フィルムを提供することを主たる課題とする。また、そのような異方導電性フィルムを用いた電子部品の信頼性の高い検査方法の提供をも課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を行った結果、金属電極部の汚染は、異方導電性フィルムから発生する低分子量成分や、導電ゴム（シリコーン製）からのシリコーン成分が上記金属電極部に付着してしまうことに起因するものであることを見出した。この知見をもとに、さらに鋭意研究を行った結果、以下の内容の本発明を完成するに至った。
（１）フェノール樹脂で架橋されたナフタレン骨格エポキシ樹脂と、アクリルゴムとを含むフィルム基板中に、導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で配置され、各導通路は上記フィルム基板の表裏面に両端部が露出した構造を有する、電子部品検査用の異方導電性フィルム。
（２）上記異方導電性フィルムの構造全体の弾性率が２０℃〜１５０℃において１ＭＰａ〜１００ＭＰａであり、当該異方導電性フィルムの厚みが３０μｍ〜５００μｍである、上記（１）記載の異方導電性フィルム。
（３）上記導通路の両端がフィルム基板の表裏面から突出しており、上記導通路のうちフィルム基板を貫通する部分は、直径５μｍ〜３０μｍの金属導線からなり、上記導通路のフィルム基板からの突出部分は、フィルム基板外に延長している上記金属導線自体からなるか、あるいは、上記金属導線の端部にめっきにより形成された金属凸部からなる、上記（１）または（２）記載の異方導電性フィルム。
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の異方導電性フィルムを、少なくとも１つの電極を備える電子部品と回路基板との間に、上記電子部品の電極と異方導電性フィルムの導通路とが接触するように配置して、電子部品の１つの電極あたり５０ｇ／ｍｍ^２〜５０００ｇ／ｍｍ^２の接触荷重で、異方導電性フィルムと電子部品とを押し付ける方向に荷重をかけながら、電子部品に通電する、電子部品の検査方法。
（５）上記荷重をかけることにより、異方導電性フィルムが圧縮されて、当該フィルムの厚みが５μｍ〜１５０μｍ減少する、上記（４）記載の検査方法。

本発明の電子部品検査用の異方導電性フィルムは、２０℃〜１５０℃における電子部品等の検査に使用したときに低分子量成分の付着による金属電極部の汚染を低減することができる。また、本発明の電子部品の検査方法は、コンタクト性に優れる信頼性の高い検査方法である。

以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。図１は、本発明の異方導電性フィルムを用いた電子部品の検査を模式的に表す。本発明の異方導電性フィルム１の基本的な構造は、特許文献１記載のものと同様に、絶縁材料からなる板状のフィルム基板１０内に、導通路１１がフィルム基板１０を厚み方向に貫通した状態で、互いに絶縁されて配列されている構造である。本発明は、上記フィルム基板１０が以下に詳述する樹脂・ゴムを含む点に特徴がある。

上記フィルム基板１０は、フェノール樹脂で架橋されたナフタレン骨格エポキシ樹脂と、アクリルゴムとを含む。各樹脂の詳細は後述するが、ナフタレン骨格エポキシ樹脂に対してフェノール樹脂が架橋剤として作用することにより耐熱性を発現し、さらにアクリルゴムを含有することで柔軟性が同時に発現する。このようなフィルム基板１０を得る方法は公知のフィルム製造方法を参照してもよく、例えば、適切な溶剤にナフタレン骨格エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびアクリルゴムを加えた後に、フィルム状に成形する方法等が例示される。

フィルム基板１０の全重量に占める、フェノール樹脂で架橋されたナフタレン骨格エポキシ樹脂およびアクリルゴムの合計重量は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０〜９０％である。フィルム基板１０に含まれていてもよい上記樹脂・ゴム以外の材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂やポリオルガノシロキサン樹脂などが例示されるが、本発明の特性に影響しないものであれば特に制限はない。

得られるフィルム基板の耐熱性の観点から、フィルム基板１０の製造に際して、ナフタレン骨格エポキシ樹脂１００重量部に対して加えるフェノール樹脂の量は、好ましくは３０〜１００重量部であり、より好ましくは５０〜７０重量部である。電極などの接点とのコンタクト性の観点から、フィルム基板１０の製造に際して、ナフタレン骨格エポキシ樹脂１００重量部に対して加えるアクリルゴムの量は、好ましくは５０〜５００重量部であり、より好ましくは７０〜２５０重量部である。

「ナフタレン骨格エポキシ樹脂」とは、分子構造中にナフタレン骨格と２個以上のオキシラン環（エポキシ基）とを有する化合物をさす。ナフタレン骨格エポキシ樹脂は、通常、硬化剤（フェノール、アミン他活性水素を持つ化合物）と併用して、３次元網目状ポリマーを形成させて利用される。ナフタレン骨格エポキシ樹脂に占めるナフタレン骨格の割合は特に限定はないが、得られるフィルム基板の耐熱性の点から、好ましくは３０重量％であり、より好ましくは４０〜７０重量％である。

ナフタレン骨格エポキシ樹脂は、周知の樹脂であり、その製法もまた周知であって特に限定されない。

「フェノール樹脂」とは、フェノールまたはその誘導体とアルデヒドとの縮合によって得られる樹脂である。フェノールまたはその誘導体としては、フェノール、クレゾール等を挙げることができる。アルデヒドとしてはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等を挙げることができる。

フェノール樹脂は、周知の樹脂であり、その製法もまた周知であって特に限定されない。

「フェノール樹脂で架橋されたナフタレン骨格エポキシ樹脂」とは、上述のナフタレン骨格エポキシ樹脂のオキシラン環（エポキシ基）と、フェノール樹脂とが結合することにより形成される、２次元または３次元の連続構造を有する樹脂である。

「アクリルゴム」とは、アクリル酸アルキルエステルを主体とした合成ゴムである。アルキルエステルとしては、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル等が例示される。

アクリルゴムは周知であって、その製法もまた周知であり特に限定されない。

本発明で用いるフィルム基板１０は、上述の樹脂・ゴムを含む板状物であり、その厚みは特に限定はないが、好ましくは３０μｍ〜３５０μｍ程度であり、より好ましくは３０μｍ〜１５０μｍ程度である。

本発明の電子部品検査用の異方導電性フィルムにおいては、上述のフィルム基板１０中に、導電性材料からなる複数の導通路１１が、互いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板１０を厚み方向に貫通した状態で配置されている。各導通路１１の両端部は上記フィルム基板１０の表裏面に露出している。

導通路１１がフィルム基板１０を厚み方向に貫通する態様としては、図１記載の如く、フィルム基板１０の厚み方向と同じ方向に貫通する態様や、前記厚み方向から傾斜をつけて貫通する態様（図示せず）などであってもよいし、導通路１１がフィルム基板１０内で直線状ではなく湾曲しながら貫通する態様であってもよい（図示せず）。これらの態様のうちで、検査対象の電子部品２の電極２ａや回路基板３の配線パターン３ａへの接触性を考慮すると、導通路１１がフィルム基板１０内で傾斜していたり、湾曲していることが好ましい。各々の導通路１１の断面形状は、円形や多角形など、どのような形状であってもよい。検査対象の電子部品２の電極２ａごとに、１個〜３個程度の導通路１１が接触する程度に導通路１１が密に配置されているのが好ましい。複数の導通路１１を互いに絶縁させることで、電子部品２の電極２ａや回路基板３の配線パターン３ａごとの導通の有無を独立に検査することができる。図２（ａ）および図４は、フィルム基板１０の一面にあらわれる導通路１１の配列パターンを示している。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ断面の模式図である。導通路１１は、図４に示すような正方行列状であってもよいし、図２（ａ）に示すような最密状であってもよいし、その他ランダムな密集状態であってもよいが、微細な電極に対応するには最密状が好ましい。

導通路１１の材料としては、公知の導電性材料が挙げられるが、電気特性の点で銅、金、アルミニウム、ニッケルなどの金属材料が好ましく、さらには導電性の観点から、銅、金がより好ましい。導電性や弾性率などの点から、導通路１１は、フィルム基板１０に形成した貫通孔内に金属材料をメッキで析出させて得たものであってもよいが、より好ましくは、金属線をフィルム基板を貫通させて導通路とした態様である。金属線の中でも、例えばＪＩＳ ３ ３１０３に規定された銅線などのように電気を伝えるべく製造された金属導線が好ましく、電気的特性、機械的特性、さらにはコストの点で最も優れた導通路となる。導通路１１の断面（フィルム基板１０の厚み方向と垂直な断面）の形状、大きさ、数は、本発明の異方導電性フィルムの用途により適宜選択することができる。ピッチ５０μｍ以下のようなファインピッチの電極配置パターンに対応するには、導通路１１の直径は、好ましくは５μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍである。ここで、導通路１１の断面が円形状でない場合は、その断面積が上記直径の円と略同面積であることが好ましい。

導通路１１の両端は、フィルム基板１０の表裏面に露出していればよいが、電子部品２の電極２ａや回路基板３の配線パターン３ａへの接触性を高める点から、導通路１１の両端がフィルム基板の表裏から突出していることが好ましい（図３（ｂ）参照）。このとき、突出の程度は、フィルム基板１０の表裏各面から、好ましくは５μｍ〜８０μｍ程度、より好ましくは１０μｍ〜３０μｍ程度である。導通路１１の突出部分は、フィルム基板１０を貫通する導通路１１の両端部にめっきで形成した金属凸部であってもよいし、フィルム基板１０を貫通する金属導線自体が延長したものであってもよい。特にフィルム基板１０を貫通する導通路１１の酸化を防止することを考慮した場合、突出部分の形成段階でめっきにより酸化を防止することが好ましい。導通路１１がフィルム基板１０から突出している場合、その突出部分の表面を、導電性が高い金属材料や耐腐食性に優れた金やニッケルなどの材料でさらに被覆してもよい。

図３は、本発明の異方導電性フィルムの一態様の部分模式図である。この図に記載のように、フィルム基板１０の樹脂材料と導通路１１との間にさらに他の材料からなる層１２が設けられてもよい。この層１２は、何層にも重ねて設けてもよく、また、絶縁性、導電性など、用途や求められる特性に応じて材料を選択すればよい。導通路１１を取り巻く層１２に用い得る材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。

本発明の異方導電性フィルムの構造全体の２０℃〜１５０℃における弾性率は、好ましくは１ＭＰａ〜１００ＭＰａであり、より好ましくは１０ＭＰａ〜２０ＭＰａである。弾性率を１ＭＰａ以上にすることで、検査対象の電子部品２への接着性が過大になるのを防いで検査後に電子部品２を回収しやすくなる。また、弾性率が１００ＭＰａ以下であれば、後述する適切な接触荷重の印加により、基板のうねり、チップのそり等を容易に吸収し得るので、導通路１１の損傷などに起因する導通不良を低減できる。

異方導電性フィルムの構造全体の弾性率とは、フィルム基板１０および導通路１１を含んだ完成品としての異方導電性フィルムの弾性率であり、以下のような引張試験により測定される。
・測定装置 ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製 粘弾性測定装置ＲＳＡ−ＩＩ、
・試験片 １００μｍ×５ｍｍ×２２．５ｍｍ、
・測定条件 試験片の面拡張方向のうちの一方向に対し、周波数１０Ｈｚ、温度２０℃、１５０℃での物性を引張りモードで測定する。

異方導電性フィルムの弾性率を制御する方法は特に問わないが、弾性率を向上させる方法を以下に例示する。
・アクリルゴムの配合量を少なくする。
・ナフタレン骨格エポキシ樹脂に占めるナフタレン骨格の割合の小さい材料を使用する。
・一分子中に複数の官能基を有するエポキシ樹脂やフェノール樹脂を使用する。
異方導電性フィルムの弾性率を低下させるには、上記とは逆の方法を講じればよい。

本発明の異方導電性フィルムの厚みは好ましくは３０μｍ〜５００μｍであり、より好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。厚みが３０μｍ以上であれば、被検査対象物の電極（特に段差の大きいもの）へのコンタクト性が優れる点で好ましい。また、厚みが５００μｍ以下であれば、導通経路の長さの影響による伝送ロスが少なくてすむ点で好ましい。異方導電性フィルムの厚みとは、当該異方導電性フィルムの２点間の距離のうちフィルム基板１０の面拡張方向と垂直な方向の最大の長さをいう。よって、導通路１１がフィルム基板１０から突出していない場合には、異方導電性フィルムの厚みはフィルム基板１０の厚みに等しくなり、導通路１１がフィルム基板１０から突出している場合には、異方導電性フィルムの厚みは、通常、導通路１１の両端部間の距離となる（図３における長さＴ）。

上記のような異方導電性フィルム１を製造するに際し、導通路１１がフィルム基板１０を貫通した構造のものを得る方法は特に限定されない。そのような方法の一例として、特許文献１記載のように、多数の絶縁導線を密に束ねた状態で互いに分離できないように固定し、各絶縁電極と角度をなす面を切断面として、所望のフィルム厚さにスライスする方法が挙げられる。当該方法はより具体的には、次の（１）〜（７）、もしくは（１）〜（５）と（７）の工程を有する製造方法が挙げられる。
（１）芯材に上述のナフタレン骨格エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはアクリルゴムのいずれかを主体成分とするフィルムを巻く工程、
（２）その上に直径５〜３０μｍの金属導線を一定間隔を保つようにして巻く工程、
（３）さらにその上に、フィルム、金属導線、フィルム、金属導線、・・・と繰り返し巻く工程、
（４）前記（３）の工程で得られたコイルを加熱および／または加圧して、巻きつけられたフィルムどうしを融着および／または圧着させて一体化し、コイルブロックを形成する工程、
（５）前記（４）の工程で得られたコイルブロックを、巻きつけた絶縁導線と角度をなして交差する平面を断面として所定のフィルム厚みに切断する工程、
（６）前記（５）で得られたフィルム状物の絶縁性樹脂の部分をエッチングし、金属導線をフィルム基板面から突出させる工程、
（７）上記（５）あるいは（６）で得られたフィルム状物のフィルム基板面に露出している金属導線の端面にさらに金属を堆積させて、フィルム基板面から突起させる工程。

次に、上述の異方導電性フィルムを用いる本発明の検査方法を説明する。本発明の検査対象は少なくとも１つの電極をもつ電子部品である。ここで、「電子部品」とは、通電によって機能を発現する部品であり、半導体素子、液晶パネル、高周波部品等を含む概念である。電子部品を組み込んだ電子機器、半導体装置について、本発明の検査方法を適用することは、組み込んだ電子部品の検査方法の適用に該当する。

本発明の検査方法は、図１に示すように、上記異方導電性フィルム１を、電子部品２と回路基板３との間に挟み、そのように挟んだまま後述する所定の荷重をかけながら電子部品２に導通させることを特徴とする。この方法では、電子部品２や回路基板３に反りやうねりあるいは段差があっても、これらを異方導電性フィルム１が自ら変形することで吸収し、電子部品の電極２ａと、それに対応する回路基板３上の回路パターン３ａとが、好ましい最小限の荷重で適切に接触する。

ここで、「回路基板」は、電子部品２を実装すべき製品としての回路基板であってもよく、また、それをモデルとして製作した検査治具としての回路基板であってもよい。

異方導電性フィルム１を電子部品２と回路基板３との間に挟むに際しては、上記電子部品２の電極２ａと異方導電性フィルムの導通路１１とが接触するように挟めばよいが、検査対象の電子部品２の電極２ａごとに、１個〜３個程度の導通路１１が接触する程度に導通路１１が密に配置されているのが好ましい。

上記のように異方導電性フィルム１を電子部品２と回路基板３との間に挟んだまま、異方導電性フィルム１と電子部品２とを押し付ける方向に、荷重を加える。そのような方向への荷重は、例えば、図１に記載するように、回路基板３をベース（テーブル）に固定して、電子部品２側から押し付けることにより実現される。このときの接触荷重は、電子部品の１つの電極あたり好ましくは５０ｇ／ｍｍ^２〜５０００ｇ／ｍｍ^２であり、検査対象となる回路基板３がフラットな場合には１００ｇ／ｍｍ^２〜３０００ｇ／ｍｍ^２が特に好ましい。この接触荷重は、電子部品２の電極２ａに対しては変形ダメージを与えにくく、かつ、接触抵抗が低くなるような範囲である。すなわち、接触荷重が５０ｇ／ｍｍ^２未満の場合、電極への追従が困難で確実な接続がとりにくくなり（導通率が１００％にならない）、５０００ｇ／ｍｍ^２を越えると、検査時に電子部品２の電極２ａが変形して実装時に接続不良となり易い。特に、電子部品が半田バンプ、半田ボールのような突起高さ２０μｍ〜２００μｍ程度の突起状電極を有する場合に、接触荷重を上記範囲としたことの有用性が最も顕著となる。

「一つの電極あたりの接触荷重」とは、電子部品２にかけた全荷重を、接触した電極２ａの数で割ることによって求められる値である。ここで、電極２ａは検査対象の電子部品２が備える電極である。電子部品２にかけた全荷重は、例えばフリップチップボンダーの設定により制御可能である。

上記のように異方導電性フィルム１を電子部品２と回路基板３との間に挟んで荷重をかける際の荷重は、異方導電性フィルム１の厚みが５μｍ〜１５０μｍ減少する程度に圧縮する荷重であることが好ましい。そのように圧縮された状態で電子部品２の機能検査を行うことで、電子部品２や回路基板３の反りやうねりをより効率よく吸収し得る。
検査中の異方導電性フィルムの変位量（厚みの減少量）は、微小圧縮試験機（島津製作所製、ＭＣＴ−Ｗ）で、直接的に計測できる。

このように荷重をかけながら、検査対象の電子部品２に通電して電子部品２を検査する。ここで、検査とは、電子部品２への通電を要する検査であれば特に限定されず、例えば、通電しているか否かの確認であっても、電極２ａにおける接触抵抗の測定であってもよい。

上述の（１）〜（７）の工程によって、異方導電性フィルム（実施例１、比較例１、２）を製造した。各異方導電性フィルムのフィルム基板の材料は以下のとおりである。
（実施例１）
下記の樹脂の混合物を用いた。
ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０） ・・・１００（重量部）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（水酸基当量１７４）・・６５（重量部）
アクリルゴム（エポキシモノマー共重合架橋タイプ） ・・・１７０（重量部）
（比較例１）
ポリエーテル型ポリウレタンゴム（日清紡（株） ＭＦ−５０Ｔ−ＭＸ）
（比較例２）
シリコーンゴム（シロキサンを主成分とするコンパウンドに加硫剤を添加した市販品）

上記材料のフィルム基板を用いて、以下のような異方導電性フィルムを製造した。
・フィルム基板厚み： ２００μｍ
・フィルム基板の表裏各面からの導通路の突出長さ：２０μｍ
・導通路の両端部に施した金メッキの厚さ： ０．２μｍ
・異方導電性フィルムの全体の厚み： ２４０μｍ
・導通路の直径： ２５μｍ
・隣りあう導通路の中心軸間距離（ピッチ）： １００μｍ

検査対象の電子部品（半導体素子）は以下のとおりである。
・チップサイズ： １０ｍｍ×１０ｍｍ（厚さ：５００μｍ）
・電極のタイプ： Ａｕスタッドバンプ
・電極のバンプ径： ７０μｍ
・バンプ高さ： ７０μｍ
・電極数： １５６個
・電極の中心間ピッチ：２００μｍ

評価用の回路基板の仕様は、次のとおりである。
・ガラスエポキシ基板： ＦＲ−４
・回路パターンの厚みを含む厚み： １ｍｍ
・回路パターンの回路幅と間隙部分の幅との比：１００μｍ／１００μｍ

上記電子部品と回路基板との間に異方導電性フィルムを挟んで、電極一つあたり２００ｇ／ｍ^２の荷重を加えながら通電して、その際の変位量、バンプの変形、基板との接着などについて測定および観察を行った。測定・検査は、各フィルムにつき、２０℃および１５０℃にて行った。結果を表１に記載する。

表中、「検査対象物へのシリコーン成分付着量」は、異方導電性フィルムを銅箔に押し当てた後、接触面に残存するシリコーン成分をＳＥＭ−ＥＰＭＡ法により定量化した値である。
「コンタクト性」は、圧縮試験機を用いて導通が確認できた場合に「ＯＫ」とし、さもなくば「ＮＧ」とした。
「回路基板との接着」は、検査後、異方導電性フィルムの取り外しがスムーズに行えない場合、または取り外せても基板上にフィルムの断片等の付着物がある場合に「あり」とし、さもなくば「なし」とした。

比較例１（ポリウレタンゴム使用）は、室温下（２０℃）では使用し得るが、１５０℃において回路基板への接着が認められる点で優れた異方導電性フィルムとはいえない。
比較例２（シリコーンゴム使用）は、シリコーンの低分子量成分が検査対象物に付着してしまう（転写してしまう）ので、検査用の異方導電性フィルムとしては劣っている。
これらに対し、実施例の異方導電性フィルムは、耐熱性が高く、高温下での融着もなく、低分子量成分による検査対象物の汚染もないので、広範な温度領域で使用可能な優れた異方導電性フィルムである。

本発明の検査方法を模式的に表す。各部の寸法は説明のために誇張して描いている。 本発明に用いられる異方導電性フィルムの模式図である。図２（ａ）はフィルム基板の一面にあらわれる導通路の配列パターンを示していて、そのＸ−Ｘ断面図が同図（ｂ）である。 本発明の異方導電性フィルムの模式図である。 本発明に用いられる異方導電性フィルムの模式図であって、フィルム基板の一面にあらわれる導通路の配列パターンを示している。なお、この図は図２（ａ）と同様、フィルム基板の一面の一部を拡大したものであって、フィルム基板の外周形状全体を示すものではない。

符号の説明

１ 異方導電性フィルム
１０ フィルム基板
１１ 導通路
２ 電子部品
３ 回路基板
Ｆ 接触荷重

Claims (5)

1. ナフタレン骨格エポキシ樹脂１００重量部に対してフェノール樹脂を５０〜７０重量部加えてなる、フェノール樹脂で架橋されたナフタレン骨格エポキシ樹脂と、前記ナフタレン骨格エポキシ樹脂１００重量部に対して７０〜２５０重量部のアクリルゴムとを含むフィルム基板中に、導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で配置され、各導通路は上記フィルム基板の表裏面に両端部が露出した構造を有する、２０℃〜１５０℃の温度下で行なう電子部品検査用の異方導電性フィルム。
2. 上記異方導電性フィルムの構造全体の弾性率が２０℃〜１５０℃において１ＭＰａ〜１００ＭＰａであり、当該異方導電性フィルムの厚みが３０μｍ〜５００μｍである、請求項１記載の異方導電性フィルム。
3. 上記導通路の両端がフィルム基板の表裏面から突出しており、
   上記導通路のうちフィルム基板を貫通する部分は、直径５μｍ〜３０μｍの金属導線からなり、
   上記導通路のフィルム基板からの突出部分は、フィルム基板外に延長している上記金属導線自体からなるか、あるいは、上記金属導線の端部にめっきにより形成された金属凸部からなる、
   請求項１または２記載の異方導電性フィルム。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性フィルムを、少なくとも１つの電極を備える電子部品と回路基板との間に、上記電子部品の電極と異方導電性フィルムの導通路とが接触するように配置して、
   ２０℃〜１５０℃の温度下で、電子部品の１つの電極あたり５０ｇ／ｍｍ^２〜５０００ｇ／ｍｍ^２の接触荷重で、異方導電性フィルムと電子部品とを押し付ける方向に荷重をかけながら、電子部品に通電する、電子部品の検査方法。
5. 上記荷重をかけることにより、異方導電性フィルムが圧縮されて、当該フィルムの厚みが５μｍ〜１５０μｍ減少する、請求項４記載の検査方法。

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