JP4249885B2

JP4249885B2 - プリント回路板の製造方法

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Publication number: JP4249885B2
Application number: JP2000192834A
Authority: JP
Inventors: 雅浩田村; 直樹桑原; 淳介田中; 守次森田; 悠二小松
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2000-06-27
Publication date: 2009-04-08
Anticipated expiration: 2020-06-27
Also published as: JP2002016347A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路板の製造方法に関し、特に、改良された電気メッキ法により多面取りプリント回路板上に形成されたプリント回路の特定部分にニッケル及び貴金属のメッキを施すことを特徴とするプリント回路板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属基板の表裏両面に絶縁層を形成し、少なくといずれか一方の絶縁層の表面に金属箔層を形成して成る金属ベース回路基板を用い、その金属箔層の表面を、それぞれ一つの単位印刷回路が形成される複数の単位回路領域に画成し、各単位回路領域に、その中心に設けられるダイパッド部を囲繞してグランド部、電源部、それらの外周に配置される多数のワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、それらを接続するリード、グランドビアホールを含む、半導体パッケージ用のプリント回路を形成し、次いで、ダイパッド部、グランド部、電源部、ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部などに、貴金属メッキを施して、プリント回路板を製造する方法は公知であり、広く採用されている。
【０００３】
而して、プリント回路板に貴金属メッキを施す方法としては、一般的に次の(１)〜(４)の方法が知られている。
(１) 無電解メッキ法
リード線を必要とせず、無給電でメッキを行う方法である。
この方法で銅配線の上に貴金属メッキを行う場合は、銅が貴金属内に拡散するのを防ぐために下地にニッケルメッキを行い、その上に貴金属メッキを行うのが一般的である。
この方法のメリットとしては、銅箔表面での化学反応を利用するためメッキ厚みの均一性が高く、従ってファインパターンに好適であること、メッキのためリード線を必要とせず、従って独立回路にも容易にメッキができることなどを挙げることができ、そのため一部の半導体パッケージ関係で使用されている。
然しながら、この方法のデメリットは、一般的にメッキされる金属が純Ｎｉでなくなり、Ｐ濃度５〜10％の無電解Ｎｉ・Ｐ合金となることである。
その結果、配線板に近年使用が伸びているボールグリッドアレイ型の半導体パッケージで使用される半田ボールを実装したとき、半田ボールとＮｉ・Ｐ合金との間のシェアー強度、引っ張り強度、衝撃強度などが電気メッキされた純Ｎｉのそれらに比べて平均的に弱く、バラツキも大きくなることであり、そのため、接合信頼性に不安が残ることである。
また、金メッキ層の金の純度も電気メッキの場合に比べて相対的に低く、更に、ワイヤーボンド前に加熱されると金の下地のニッケルが金メッキ層に拡散してくるため、金の純度がさらに低下し、その結果、ワイヤーボンド性が電気メッキされた金のそれに比べて劣ることになる。
また、メッキすべき部分に微少な異物が存在すると、周辺のＮｉ及びＡｕメッキが薄くなったり、変色したりして商品価値が低下し、使用できなくなる場合がある。
更にまた、コスト的にもこの無電解メッキ法は、電気メッキ法の２倍以上のコストを必要とする。
従って、特別なファインパターンとか、独立回路などが必要な場合以外での無電解メッキの利用は極めて少ないのが実状である。
【０００４】
（２）メッキ用リード線を用いる方法
従来一般的には、回路要素の一部にニッケル及び貴金属を電気メッキする場合の給電方法の一つとして、メッキしない部分をソルダーレジスト等で保護した後、メッキする配線層に給電するためのリード配線を、配線層と同一面内で配線板の外側へ導き出すように設け、このリード配線から給電する方法が採られている。
この給電方法のメリットは、形成したＮｉ、Ａｕメッキの純度が高いので、半田ボールを実装したときのボールの接合強度が高くかつ安定していて、信頼性が高いことである。
他方、そのデメリットは、プリント回路板では配線板の外側からメッキリード線を取って電気メッキした場合、その後、配線板を一定サイズにカットする工程で問題が生じる。
絶縁層が50μｍ以下の薄層である場合は、カットした断面でメッキリード線と金属基板間の絶縁スペースが50μｍ以下となる。
一般的には切断加工時に、カットされた金属基板のバリが多かれ少なかれ発生するので、絶縁スペースが更に狭くなり、そのために、カットした時点で金属基板とメッキリード線がショートしたり、長期使用中や信頼性試験中に絶縁抵抗が減少するという問題点がある。
また、通常のプリント配線の他に、メッキリード線が必要となるので、引き回し配線の密度が上がり、細かい配線の場合は実質上メッキ用リードを引けなくなる場合があるという問題点もある。
更に、パターンが繊細なものになればなる程、外部リード配線も細くなって抵抗が増大し、そのため、ニッケル電気メッキする箇所までの外部リード配線の長さに従って、電位が異なるようになり、ニッケル厚みのバラツキが生じる。特に生産上合理的な大サイズの配線基板においてその傾向が大きくなり、例えば、400×500ｍｍのサイズの場合、Ｎｉメッキを最低３μｍのルールでメッキすると、場所により３〜15μｍのバラツキを生じるのが一般的である。
このようにニッケル厚みのバラツキが大きいと、その厚い部分は配線が太る形になり、配線間のスペースが狭められ、ショートする事故が発生するので好ましくない。
このような制約のため、この方法は一般には用いられておらず、絶縁スペースが50μｍ以上の場合や、外部リード線の長さを短くできるＴＡＢのような小さい基板にしか使用できないのが実情である。
【０００５】
（３）貴金属電気メッキする配線層の更に下の配線層からグランドビアホールを介して給電する方法
多面取り配線板の配線層を２層以上にして、各個別配線板面の近傍まで表面メッキリード線で給電し、各個別面配線板の中で電気メッキする回路要素を含む配線層の下の配線層からグランドビアホールを介して電気メッキする回路要素に給電する方法と、配線層と同一面の外部リードから給電する方法を併用して、表面のメッキリードからだけでは困難な部分への給電を可能にする方法が知られている。
この方法は基本的に外部メッキリードを用いる点で、上記（３）の場合と軌を一にするので、メリット、デメリットも共通である。
【０００６】
（４）バスレス法として知られている方法
先ず、配線板用の絶縁体の上に無電解銅メッキ及び電気メッキにより通常厚み５μｍ以下の銅の薄膜を形成したり、絶縁体に銅箔を積層したのち銅箔を均一にエッチングして通常５μｍ以下に薄くしたりすることにより、絶縁体上に銅の薄膜を形成し、その後、アディティブ法で所定厚みに銅メッキし、更に、その銅の上にＮｉメッキをかけ、更にその上に金メッキを行い、その後、アディティブ法用のレジストを除去した後、金メッキをレジストにして全体の銅を薄く除去することで、金メッキされた独立配線を形成する。
このバスレス法のメリットは、外部からのメッキリード線を設けるが必要がなく、そのため、外部の配線と独立した配線に貴金属メッキができることである。
他方、デメリットとして、絶縁体上に形成された銅の薄膜に電気抵抗があるため、ニッケルを電気メッキする際に、部分的に電位差を生じ、そのため、ニッケルメッキの厚さのバラツキが大きいという問題があり、一般的には３μｍ以上のメッキ厚みを目標とすると、３〜12μｍ程度の厚みムラを生じる。
また、銅薄膜は厚さが５μｍ以下と薄くされているが、配線の側面の一部に銅がむき出しになっているので、配線の保護のため、金メッキの上からソルダーレジストを形成する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するためなされたものであり、その課題とするところは、プリント回路板の表面配線層のワイヤーボンドパッド部や半田ボールパッド部などの特定箇所に、外部リード線を使用することなく、電気メッキ法により均一な厚みのニッケル及び貴金属メッキを施すことのできる方法を提供することにある。
本発明の目的は、特に、サイズの大きな多面取りプリント回路板の表面配線層の特定部分に、均一な厚みのニッケル及び貴金属電気メッキ層を形成し、そのメッキ厚みの最大、最小の差が５μｍ以下、好ましくは４μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下であるような良好なメッキ層を形成し得るプリント回路板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、上記のメッキすべき回路要素を含むプリント回路板の製造方法において、メッキ工程に先立って、導電性物質を施して、金属基板に接続されていないメッキすべき回路要素に通じる総てのリードを金属基板に一時短絡するメッキ用臨時接地回路を形成し、
メッキ浴中で、金属基板に接続されていないメッキすべき回路要素には金属基板からメッキ用臨時接地回路を通じて、また、金属基板に接続されているメッキすべき回路要素には金属基板から直接に、それぞれメッキすべき回路要素に給電し、Ｎｉメッキまたは／および貴金属メッキを施し、メッキ完了後、上記メッキ用臨時接地回路を構成する導電性物質を除去することを特徴とする上記のプリント回路板を製造する方法によって達成される。
【０００９】
本発明において利用するプリント回路は特に限定されないが、その中心に設けられるダイパッド部と、そのダイパッド部を囲繞して設けられるグランド部及び電源部と、それらの外周に配置される多数のワイヤボンディングパッド部と、半田ボールパッド部と、それらを接続するリードと、グランドビアホールをとを含む半導体パッケージ用のプリント回路であり、メッキすべき回路要素がグランド部、電源部、ワイヤボンディングパッド部及び半田ボールパッド部であるような場合に特に有用である。
プリント回路板の用途には特に制限がないが、特に、ボールグリッドアレイ型及びランドグリッドアレイ型半導体パッケージ用のプリント回路板を得るのに適している。
【００１０】
本発明の一態様において、プリント回路が、適宜の位置に設けたグランドビアホールを介して金属板に通じるメッキ用リードを含んで形成され、メッキ用臨時接地回路を構成する導電性物質が、メッキすべき回路要素に通じる総てのリードをメッキ用リードに短絡し得る領域に施され、メッキが行なわれる。
又、他の一実施態様においては、銅箔が除かれている領域内の適宜の位置に、絶縁層を除去して金属基板を露出させて成る通電穴が設けられ、メッキ用臨時接地回路を構成する導電性物質が、メッキすべき回路要素に通じる総てのリードを、通電穴を介して金属基板に短絡し得る領域に施される。
【００１１】
Ｎｉメッキまたは／および貴金属メッキを行う際には、所要電流の80％以上を、金属基板からメッキ用臨時接地回路を通じて供給することが望ましい。
メッキ用臨時接地回路を通じて供給する電流が、全所要電流の80％以下となると、メッキ用臨時接地回路を通じて給電される部分のメッキが薄くなる一方、金属基板から直接に給電を受ける回路要素のメッキが厚くなりすぎることになる。
上記の電流配分を実現するため、メッキ用臨時接地回路を構成する導電性物質として比抵抗が５×10^−２Ω・ｃｍ以下のものを使用する。
このような導電性物質を用いてメッキ用臨時接地回路を形成することにより、均一な電解メッキが実現できる。
比抵抗が５×10^−２Ω・ｃｍ以下の物質としては、導電性ペースト、熱可塑性導電性樹脂、金属メッキ、導電性シール等が例示できる。
【００１２】
貴金属メッキに用いられる貴金属は、金、銀又はパラジウム又はそれらの合金である。
貴金属メッキに先立ち、金メッキへの銅のマイグレーションが防げる金属、例えばニッケルにより下地メッキを施すのが一般的である。
【００１３】
本発明方法により得られたプリント回路板は、適宜に裁断され金型曲げ絞り加工により半導体パッケージに加工される。
上記金型曲げ絞り加工を行う部分の電気貴金属メッキを保護するため、当該加工部分に伸び率が20％以上の耐熱性樹脂絶縁層、好ましくはポリイミド絶縁層を設けることが推奨される。このような耐熱性絶縁層を絞り加工部に施すことによって絶縁層の破壊が防止できる。伸び率が20％以上である耐熱性樹脂としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ＰＥＳ、液晶ポリマー、感光性ポリイミド等が例示できる。
【００１４】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分にプリント配線が行なわれている場合には、そのプリント配線を特開平11−50570号に示されるような感光性ポリイミドから成るソルダーレジストで保護することが推奨される。
【００１５】
導電性物質を除去する手段としては、例えば、炭化水素系溶剤による溶解剥離により除去する方法が挙げられる。但し溶剤の種類は使用する導電性物質によって変わる。
その場合、導電性物質として導電性微粉末を含む樹脂組成物を用いる場合には、導電性微粉末を含まない同種の樹脂を導電性物質の上に施し、表面に貴金属メッキが析出しないようにし、導電性物質の剥離を容易にすることも可能である。
その他導電性物質の種類によってはエッチング等の化学的手法、及びレーザー加工等の物理的手法による除去も可能である。
【００１６】
本発明は、上記の如く、無電解メッキではなく電気メッキにより貴金属メッキを施し、その場合、外部からのリード線を用いることなく、金属基板を利用して給電を行うように構成したので、得られるニッケル及び貴金属メッキ厚みの均一性が高くなる。
またそのようにニッケル厚みのバラツキが少ないので、ニッケルメッキによる銅パターンの太り方のバラツキが少ない。それにより、パターン間のスペース設計が容易になり、ファインパターンで最小スペースが20μｍのような配線パターンが可能になる。
【００１７】
また、ボールグリッドアレイ用基板のように半田ボールを金等の貴金属メッキの上に形成する場合、溶融半田はメッキされた金等の貴金属を総て吸収するが、金等の貴金属メッキの厚みのバラツキも少ないために、貴金属が多量に半田の中に吸収されて半田の強度を低下させることが少ない。溶融半田は金メッキを総て吸収するため、金メッキの厚さのみに比例して半田ボール内の金濃度が高くなる。金濃度が高くなると半田ボールの強度が低下することが知られている。
【００１８】
なお、上記の如く、メッキ厚みのバラツキが少ない理由は、金属基板の電気抵抗が非常に低いため、給電に際して、金属基板の中の電位差が非常に低く、そのため、金属基板に接続するリード部やグランドビアホールを適切に配置することにより、ニッケル及び貴金属メッキを要する多くの配線の電位差を小さくできるからである。
従って、例えば、メッキをする配線基板のワークボードサイズが500×500ｍｍのように大きくてもニッケル厚みのバラツキを小さくすることが可能である。
また、このプリント回路板を最終的に細断して得られるパッケージの外周部に電源を設けることが出来る。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつゝ本発明を具体的に説明する。
図１は、本発明に係る製造方法により製造された多面取りプリント配線板の一例を示す平面図、図２は、図１に示したプリント回路内の単位印刷回路の構成を示す回路図、図３はそれらに用いられた金属ベース回路基板の構成を示す一部拡大断面図、図４は、図２に示された単位印刷回路に導電性物質を施した状態を示す説明図である。
【００２０】
図１に示したプリント配線板１は、図３に示した金属ベース回路基板10を用いて成るものであり、金属ベース回路基板10は金属基板11の表裏にそれぞれ絶縁層12及び13を形成し、その一方の絶縁層12の上に更に金属箔層14を積層して成る。
【００２１】
図２に示された単位プリント回路140は、中央に設けられるダイパット部141、ダイパット部141を囲繞して設けられるグランド部142、電源部144、それらの外周に多数設けられるワイヤボンディングパッド部145、145、半田ボールパッド部146、146、各ワイヤボンディングパッド部とそれぞれ対応する半田ボールパッド部を接続するリード147、147、メッキ用リード148と、グランドビアホール149、150を含んでおり、これらの回路要素中、ダイパット部141、グランド部142、電源部144、ワイヤボンディングパッド部145、145、半田ボールパッド部146、146などに貴金属メッキを施すことが要求されている。
【００２２】
本発明の特徴に就いて説明する前に、本発明で用いる金属ベース回路基板10及びプリント回路140に就いて簡単に説明する。
金属基板11としては、銅板など電気伝導性、熱伝導性が良いものが使われるが、必ずしも銅板には限定されるものでなく、用途などにより、例えば、銅合金、鉄、ニッケル、モリブデンや、それらの合金等から成る板を用いることも可能である。板厚は、機械的強度等の観点から、通常0.1〜0.5ｍｍ程度とされる。
【００２３】
また、絶縁層12、13の材料は、電気絶縁性、耐熱性に優れていれば良く、その材料の種類は特に限定はされないが、例えばポリイミドは電気絶縁性、耐熱性で特に優れているため、好適に利用し得るものである。
熱可塑性ポリイミドを介して銅板と銅箔を積層した金属ベース回路基板が特に優れており、例えば、三井化学（株）製のクールベース（銅箔18μｍ／ポリイミド層12μｍ／銅板0.35ｍｍ／ポリイミド30μｍ／銅箔18μｍ）等が推奨される。クールベース基板のサイズは400ｍｍ×500ｍｍであり、1枚当り通常サイズの半導体パッケージが99個得られる。
【００２４】
以下に、金属ベース回路基板10上に図１に示すようなプリント回路パターン140を形成するまでの処理の一例について説明する。
先ず、所定箇所にダイパット部141、グランド部142、グランドビアホール149、150を設けるため、当該個所の銅箔をエッチングにより除去し、次いで、絶縁層12をレーザーエッチングで除去し、ダイパッド部、グランドビアホール、グランド部を形成するため、例えば、15×15ｍｍの方形穴を有するダイパッド部用銅マスクと、孔径0.15ｍｍの円穴を有するグランドビアホール形成用の穴明き銅マスクと、線幅：0.3ｍｍの方形枠状の穴を有するグランド部用銅マスクを形成する。
【００２５】
次いで、露出した絶縁層12をレーザーでエッチングし、ダイパッド部141、グランド部142及びグランドビアホール149、150を形成すべき部分の金属基板11を露出させ、次いで、銅のエッチング液で銅箔層12の全面をエッチングして、その厚みを約半分に迄薄くする。
然る後、絶縁部も含めて金属ベース基板11の面全体に厚さ0.1μｍの無電解銅メッキを施し、次いで同じく全面に電気メッキを施し、銅メッキ層を形成する。
【００２６】
然るときは、グランドビアホール149、150を形成すべき部分、並びにダイパッド部141及びグランド部142を形成すべき部分において、露出した金属基板11と銅箔層12とが当該銅メッキ層により電気的に接続される。尚、この電気メッキに替えて、導電性ペーストを塗布するなどの他の方法によることもできる。
次いで、定法に則り銅箔層４の表面にプリント回路パターンフィルムを貼り、エッチング加工を施してプリント回路を形成し、その回路中の所要の部分に貴金属メッキを施す。
【００２７】
本発明の一実施例においては、上記の如くして得たプリント回路基板上の所要の回路要素にメッキを施す工程に先立って、メッキ用リード148の先端部から、貴金属メッキを施すべき回路要素の内、直接金属基板11により構成されていないものに通じる総てのリード147、147の一部を覆う領域に導電性物質を施して、それらを一時短絡するメッキ用臨時接地回路20を形成するものである。
【００２８】
貴金属メッキを施すべき回路要素は、ダイパット部141、グランド部142、電源部144、ワイヤボンディングパッド部145、145、半田ボールパッド部146、146であるが、このうち、ダイパット部141及びグランド部142は金属基板11の表面露出部で構成されているから、メッキ用臨時接地回路20によりメッキ用リード148に接続すべきリード147、147は、電源部144、ワイヤボンディングパッド部145、145、半田ボールパッド部146、146に通ずるもののみで良いこととなる。
【００２９】
電気メッキを施すに当たっては、通常メッキしない部分をソルダーレジストでマスキングするが、この工程はメッキ用臨時接地回路20の形成工程の前後何れでも良い。但し、これをメッキ用臨時接地回路の形成工程前に行うときは、当然のことながら、メッキ用臨時接地回路のため導電性物質を施すべき領域にはマスキングを施さない。
【００３０】
これらの準備完了後、プリント配線板10をメッキ浴中に浸漬し、金属基板11 から上記ダイパッド部141及びグランド部142には直接に、他のメッキすべき回路要素にはメッキ用臨時接地回路20を通じて給電し、それらに例えば、下地としてＮｉを３μｍメッキし、その上に金メッキを0.5μｍ施こす。
【００３１】
メッキ完了後、メッキ浴から引上げ、洗浄等の処理を施した後、メッキ用臨時接地回路20を構成する導電性物質を除去する。
尚、上記の実施例においては、メッキ用リード148及びそれを金属基板11に接続するためのグランドビアホール149を設けたが、要するに、メッキ用臨時接地回路20を構成する導電物質を一時的に金属基板11に電気的に接続すれば良いので、導電物質を施すべき領域内の適所で、絶縁層12の一部を剥ぎ取って導電穴を設け、その上に導電物質を施しても目的を達し得るものである。
【００３２】
上記の如く、本発明では、各プリント回路の外側からメッキすべき回路要素に到る電解メッキ用のリード線は全く設ける必要がなくなる。そのため、配線ルールは、例えば、ボールパッド間でＬ／Ｓ＝40／40μｍ、ボンディングパッド部のスペースは最小で25μｍ程度となし得る。
【００３３】
上記の如くして得たＮｉメッキは、厚みの均一性が非常に良好であり、通常の条件下では、基板全体で3.0〜6.0μｍの厚み精度が得られ、また、金メッキ厚みの均一性も基板全体で0.5〜0.7μｍであり非常に良好である。
この結果、リードの線幅が正確に制御できるようになり、従って金メッキ後のボンディングパッド部のスペースも20μｍ以上が確保され、プリント回路の信頼性が大幅に向上する。
【００３４】
かくして得られるプリント回路板は、周知のせん断加工により成形加工され、半田ボール、封止材用のダム等を形成した後、例えば35ｍｍ角に切断加工することにより半導体パッケージが完成する。
【００３５】
【発明の効果】
本発明は、上記の如く構成されるから、本発明によるときは、プリント回路板の表面配線層のワイヤーボンドパッド部やボールパッド部などの特定箇所に、外部リード線を使用することなく、電気メッキにより均一な厚みのニッケル及び貴金属メッキを施すことのできるプリント回路板の製造を提供し得るものである。
本発明においては、ソルダーレジストでカバーされた外部からのメッキリード線がないので、切断加工時にメッキリード線の切断に伴うバリが発生することがなく、製品の信頼性が大幅に向上する。
【００３６】
また、外部リード線はプリント配線に載る信号が５００ＭＨｚ以上の高周波になるとアンテナ作用で信号に乱れを生じさせるなどの悪影響を生じる場合がある。
本発明では従来から実績のある貴金属電気メッキより更にメッキ厚のバラツキが少ないワイヤーボンド部及びボールパッド部を形成できるので、ワイヤーボンドやハンダボールの接合強度の信頼性を向上させることができる。
【００３７】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、その目的の範囲内において上記の説明から当業者が容易に想到し得るすべての変更実施例を包摂するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る製造方法により製造された多面取りプリント配線板の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示したプリント回路内の単位印刷回路の構成を示す回路図である。
【図３】それらに用いられた金属ベース回路基板の構成を示す一部拡大断面図である。
【図４】図２に示された単位印刷回路に導電性物質を施した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
10 金属ベース回路基板
11 金属基板
12 絶縁層
13 絶縁層
14 金属箔層
141 ダイパット部
142 グランド部
143 絶縁帯
144 電源部
145 ボンディングパッド部
146 半田ボールパッド部
147 リード
148 メッキ用リード
149 グランドビアホール
150 グランドビアホール
20 メッキ用臨時接地回路／導電性物質

Claims

金属基板(11)の表裏両面に絶縁層(12、13)を形成し、少なくともいずれか一方の絶縁層(12)の表面に金属箔層(14)を形成して成る金属ベース回路基板(10)を用い、その金属箔層(14)の表面に、それぞれ一つの単位印刷回路が形成される単位回路領域を少なくとも一つ画成し、各単位回路領域に、少なくとも一つのメッキすべき回路要素（141、142、144、145、146）と、それらのメッキすべき回路要素中、金属基板（11）と接続されていない回路要素（144、145、146）に通じるリード(147、147)とを含むプリント回路(140)を形成し、そのプリント回路(140)中のメッキすべき回路要素（144、145、146）にＮｉメッキまたは／および貴金属メッキを施してプリント回路板(1)を製造する方法において、
メッキ工程に先立って、プリント回路面の一部に導電性物質を施して、総てのリード(147、147)を金属基板（11）に一時的に接続するメッキ用臨時接地回路(20)を形成するステップと、
プリント回路板をメッキ浴中に浸漬し、金属基板(11) から直接に及びメッキ用臨時接地回路(20)を通じてそれぞれメッキすべき回路要素（141、142、144、145、146）に給電して、Ｎｉメッキまたは／および貴金属メッキを施すステップと、
メッキ完了後、上記メッキ用臨時接地回路(20)を構成する導電性物質を除去するステップとを含むことを特徴とする上記のプリント回路板(1)を製造する方法。
プリント回路(140) が、その中心に設けられるダイパッド部(141)と、そのダイパッド部(141)を囲繞して設けられるグランド部(142)及びそのグランド部(142)との間に絶縁帯(143)を介して設けられる電源部(144)と、それらの外周に配置される多数のワイヤボンディングパッド部(145、145)と、半田ボールパッド部(146、146)と、それらを接続するリード(147、147)と、グランドビアホール (149、150)とを含む半導体パッケージ用のプリント回路(140)であり、メッキすべき回路要素がダイパッド部(141)、グランド部(142)、電源部(144)、ワイヤボンディングパッド部(145、145)及び半田ボールパッド部(146、146)であり、更に金属基板（11）に接続されていない回路要素が電源部(144)、ワイヤボンディングパッド部(145、145)及び半田ボールパッド部(146、146)である、請求項１に記載のプリント回路板の製造方法。
プリント回路(140)が、適宜に設けたグランドビアホール(149)を介して金属板(11)に通じるメッキ用リード(148)を含み、メッキ用臨時接地回路(20)を構成する導電性物質が、総てのリード(147、147)をメッキ用リード(148)に短絡し得るよう施される請求項１又は２に記載のプリント回路板の製造方法。
適宜の位置に、絶縁層(12)を除去して金属基板(11)を露出させて成る通電穴が設けられ、メッキ用臨時接地回路(20)を構成する導電性物質が、総てのリード(147、147)を、通電穴を介して金属基板(11)に短絡し得るよう施される請求項１又は２に記載のプリント回路板の製造方法。
プリント回路(140)が、ボールグリッドアレイ型半導体パッケージに適した回路である、請求項1ないし４のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
プリント回路(140)が、ランドグリッドアレイ型半導体パッケージに適した回路である、請求項1ないし４のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
絶縁層(12、13)の構成材中、少なくとも金属基板(11)と接触する部分が耐熱性の熱可塑性樹脂から成る、請求項１ないし６の何れか一に記載のプリント回路板の製造方法。
Ｎｉメッキまたは／および貴金属メッキを行うステップにおいて、所要電流の80％以上が、金属基板(11) からメッキ用臨時接地回路(20)を通じて供給される請求項１ないし７のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
メッキ用臨時接地回路(20) を構成する導電性物質の比抵抗が５×10^−２Ω・ｃｍ以下である請求項１ないし８のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
メッキに用いられる貴金属が、金、銀及びパラジウムからなる群の中から選ばれる少なくとも一つの貴金属を含む請求項１ないし９のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
導電性物質を施してメッキ用臨時接地回路(20)を形成するステップの後に、プリント回路板（1）の金型曲げ絞り加工を行うステップが挿入される、請求項１ないし10のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
Ｎｉメッキまたは／および貴金属メッキ工程の前に、プリント回路板（1）の金型曲げ絞り加工を行うステップが挿入される、請求項１ないし10のいずれか一に記載のプリント回路板の製造方法。
上記金型曲げ絞り加工を行う部分に伸び率が20％以上の耐熱性樹脂層を設ける請求項11又は12に記載のプリント回路板の製造方法。
上記金型曲げ絞り加工を行う部分に配されたプリント回路を、感光性ポリイミドから成るソルダーレジスト層で被覆、保護するステップを含む請求項11又は13に記載のプリント回路板の製造方法。