JPH06252218A - フィルムキャリアおよびフィルムキャリアデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波電流が流れてもノイズ（雑音）の発生
がなく、半導体素子やプリント基板との接続の歩留まり
や信頼性が高く、さらに設計の自由度の高いフィルムキ
ャリアおよび該フィルムキャリアを用いたフィルムキャ
リアデバイスを提供する。 【構成】 絶縁フィルムの両面に導体パターンを有し、
その表面に少なくとも電源用導体パターンおよび／また
はグランド用導体パターンを含む導体パターンを形成
し、さらにビアホールを通じて該表面の電源用導体パタ
ーン、グランド用導体パターン、導体パターンの少なく
とも一部を裏面に形成した導体パターンに接続したこと
を特徴とするフィルムキャリア。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁フィルムの両面に
導体パターンを有し、半導体素子を実装するフィルムキ
ャリアおよび該フィルムキャリアを用いて実装されたフ
ィルムキャリアデバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子を実装したフィルムキ
ャリアデバイスの製造に用いられるフィルムキャリア
は、ポリイミド樹脂等の絶縁フィルムの片面に、エポキ
シ樹脂系やポリイミド樹脂系の接着剤を介して銅や銅合
金等の金属箔を接着させることにより得られた３層構造
となっており、フォトリソグラフィ法を用いて該金属箔
に導体パターンを形成した一般的に３層フィルムキャリ
アと呼ばれるものである。

【０００３】近年、半導体素子製造技術の急速な発展に
より、高機能、多機能な素子が開発されて来ている。こ
れらの半導体素子の実装として、最近フィルムキャリア
にも高密度化、高速化が可能なもの、すなわち隣接導体
パターンの距離が小さく、かつ高周波電流が流れてもノ
イズ（雑音）の発生を低減できるものが求められるよう
になっている。

【０００４】そこで、最近では、ポリイミド樹脂等の絶
縁フィルムの両面に金属箔等を有し、絶縁フィルム表面
（上面）に半導体素子と接続するインナーリード、プリ
ント基板と接続するアウターリード、インナーリードと
アウターリードをつなぐ導体パターン等を有し、グラン
ド用導体パターン（接地電極）には、ビアホール（コン
タクトホール）により絶縁フィルム裏面（下面）と接続
された全面金属箔であるグランド金属層（接地用導体
板）をもった一般的に２メタルフィルムキャリアと呼ば
れるものが検討され始めた（特開平４−１９６２３４号
公報）。

【０００５】また、さらに効果的にノイズ（雑音）の発
生を低減できるものとしてグランド用導体パターン（接
地電極）の他に電源用導体パターン（電源電極）の裏に
もビアホール（コンタクトホール）により絶縁フィルム
裏面（下面）と接続された全面金属箔である電源用金属
層（電源用導体板）をもったフィルムキャリアも検討さ
れ始めた（特開平３−２３７７３６号公報）。

【０００６】これらの２メタルフィルムキャリアの形成
方法として、次の方法が一般的である。その一つは、絶
縁フィルムの片面または両面にスパッタ法や無電解メッ
キ法、電気メッキ法、真空蒸着等により直接銅層等の金
属層を形成する方法である。他の方法は、１枚もしくは
２枚の銅箔等の金属箔にポリイミド等の絶縁樹脂を塗布
し、これらを張り合わせた後に加熱硬化する方法や半硬
化状態の絶縁樹脂をパンチング等によって所定の穴を形
成した後に銅箔等の金属箔に張り合わせる接着剤を介さ
ない方法である。また一方では絶縁フィルム片面または
両面にエポキシ樹脂系やポリイミド樹脂系の接着剤によ
り銅箔等の金属箔を張り合わせる方法である。さらには
これらの方法を組み合わせて２メタルフィルムキャリア
を形成してもよい。

【０００７】このように、高機能、多機能な半導体素子
を接続するフィルムキャリアはグランド用導体パターン
（接地電極）や電源用導体パターン（電源電極）が多数
必要となり、非常に導体本数が多くなる。そのため、導
体パターンの間隔を狭くする必要があり、一般の３層フ
ィルムキャリアでは、電源用導体パターン等に高周波電
流が流れた場合には、一般的にグランド・バウンスと呼
ばれる電磁誘導的なノイズが発生し、半導体素子を誤動
作させる。これは、導体パターンが長くなった時や導体
パターンの配線ピッチが小さくなった時には著しい。ま
た、他の導体パターンでは配線ピッチが小さくなった時
にはクロストークの発生が著しくなる。そのため、３層
フィルムキャリアでは、高密度化や高速化した半導体素
子のデバイスとしては使用できない。

【０００８】また、近年検討され始めている２メタルフ
ィルムキャリアでは、ビアホール（コンタクトホール）
を介して裏面（下面）の金属層（導体板）に接続してい
るため、高周波電流が流れてもノイズ（雑音）の発生が
抑制できるが、グランド・バウンスやクロストークの発
生の抑制に必ずしも十分ではない。さらにはグランド用
導体パターン（接地電極）を多数必要とするため、著し
くインナーリードやアウターリードが多くなり、そのた
めリード数が増えるばかりではなく、リード幅も狭くす
る必要がある。

【０００９】そのため、リード数が増え、またリード幅
も狭いためインナーリードやアウターリードのリード強
度が弱くなり、半導体素子とインナーリードを接続する
場合の歩留まりが低下したり、プリント基板とアウター
リードとの接続での歩留まりの低下や信頼性の低下が発
生する。さらに、現在検討され始めている接地用導体板
と電源用導体板を裏面（下面）に設ける場合には、接地
用導体板が設けられた表面（上面）にだけしかグランド
用導体パターン（接地電極）を設けることができず、ま
た電源用導体板が設けられた表面（上面）にだけしか電
源用導体パターン（電源電極）を設けることができな
い。そのため、グランド用導体パターン（接地電極）や
電源用導体パターン（電源電極）の配置が著しく制限さ
れ、フィルムキャリアの設計の自由度や半導体素子の接
続電極さらには半導体素子の設計自体の自由度も低下す
る。最悪の場合は、フィルムキャリアの４方向に伸びた
各辺の端にしか、グランド用導体パターン（接地電極）
や電源用導体パターン（電源電極）を配置できないこと
もありえる。

【００１０】これらのことより、高周波電流が流れても
ノイズ（雑音）の発生がなく、半導体素子やプリント基
板との接続の歩留まりや信頼性が高く、さらに設計の自
由度の高いフィルムキャリアおよびフィルムキャリアデ
バイスは得られていない。

【００１１】

【発明が解決しょうとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の課題を解消し、高周波電流が流れてもノイ
ズ（雑音）の発生がなく、半導体素子やプリント基板と
の接続の歩留まりや信頼性が高く、さらに設計の自由度
の高いフィルムキャリアおよび該フィルムキャリアを用
いたフィルムキャリアデバイスを提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、絶縁フィルムの両面に導体パターンを有
し、その表面に少なくとも電源用導体パターンおよび／
またはグランド用導体パターンを含む導体パターンを形
成し、さらにビアホールを通じて該表面の電源用導体パ
ターン、グランド用導体パターン、導体パターンの少な
くとも一部を裏面に形成した導体パターンに接続したこ
とを特徴とするフィルムキャリアおよび該フィルムキャ
リアを用いたフィルムキャリアデバイスを提供する。

【００１３】以下、本発明を図面に基づいて具体的に説
明する。図１は、本発明のフィルムキャリアの表面の一
例を示した概略平面図である。同図において、１はデバ
イスホール、２はインナーリード、３はアウターリー
ド、４は表面に形成されたグランド用導体パターン、５
は表面に形成された電源用導体パターン、６はグランド
用ビアホール、７は電源用ビアホール、８は半導体素
子、９は絶縁フィルムをそれぞれ示す。また、以下の図
面において、同一の符号は同様のものを示す。

【００１４】フィルムキャリアと半導体素子８の接続
は、一般的にはインナーリード２の表面に金や錫や半田
等のメッキを行ない、さらに半導体素子の電極上に形成
した金等の金属バンプとの熱圧着法等の方法で接続す
る。また、予めインナーリードにバンプを形成し、半導
体素子の電極に接続する方法もある。

【００１５】プリント基板に接続されるアウターリード
３は、一般的にその表面に金や錫や半田等のメッキを行
ない、プリント基板との接続には半田付けや光硬化性絶
縁樹脂等にて接続する。この場合、アウターリードの幅
が接続歩留まりや信頼性に関して重要な要因となる。

【００１６】絶縁フィルム９はポリイミド樹脂系、ポリ
エステル樹脂系、ポリアミド樹脂系、ポリアミドイミド
樹脂系等あるが、耐熱性や機械強度、誘電率等の電気特
性等を考慮すると、ポリイミド樹脂系が好ましい。グラ
ンド用導体パターン４や電源用導体パターン５は絶縁フ
ィルム表面に形成されている。ここで導体パターンを形
成する金属箔（金属層）は、銅、銅合金、４２合金（Ｆ
ｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合金）等があるが、電気抵抗や熱伝
導率を考慮すると銅もしくは銅合金が好ましい。

【００１７】銅等の金属箔（金属層）と絶縁フィルムの
接合は、上述のように絶縁フィルムの片面または両面に
スパッタ法や無電解メッキ法、電気メッキ法、真空蒸着
等により直接銅層等を形成する方法や、１枚もしくは２
枚の銅箔等の金属箔にポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を塗
布し、これらを張り合わせた後に加熱硬化する方法や半
硬化状態の絶縁樹脂をパンチング等によって所定の穴を
形成した後に銅箔等の金属箔に張り合わせる接着剤を介
さない方法があり、また一方では絶縁フィルム片面また
は両面にエポキシ樹脂系やポリイミド樹脂系の接着剤に
より銅箔等の金属箔を張り合わせる方法があり、さらに
はこれらの方法を組み合わせてもよい。また、裏面の導
体パターンの形成において、金属箔を形成せずに、導電
ペーストを用いても何ら差し支えない。

【００１８】グランド用ビアホール６は裏面と電気的に
接続するためのものであり、電源用ビアホール７は裏面
と電気的に接続するためのものである。ビアホールの形
成は、一般的には絶縁フィルムに所定の形状となるよう
に加工したフォトレジスト、ドライフィルム、金属レジ
ストを形成し、ヒドラジンまたはヒドラジン混合液にて
湿式エッチングする方法、金型を用いてパンチングする
方法、エキシマレーザーにより所定の形状になるようド
ライエッチングする方法、または絶縁フィルムに予め穴
加工を施したものを銅箔等の金属箔に張り合わせる方法
が一般的である。また、ビアホールの形状はいかなるも
のでも問題ない。

【００１９】また、ビアホールにて表面と裏面の電気的
接続を行なう方法として、ビアホール内に無電解メッキ
法、電気メッキ法、スパッタ法、半田線埋め込み法、導
電ペースト法等のいずれでも何ら差し支えない。

【００２０】図２は、図１のフィルムキャリアの裏面を
示した概略平面図であり、図３は、図１〜２のフィルム
キャリアの断面を示した概略断面図である。同図におい
て、１１は絶縁フィルム裏面に形成されたグランド用導
体パターンであり、１２は電源用導体パターンである。

【００２１】反りの防止やフィルムキャリアの補強や実
装後の電気特性の評価の信頼性を向上するために、裏面
に形成した導体パターンの間や回り、あるいはスプロケ
ット周辺部に金属箔を残すことは有効なことである。ま
たビアホールを形成することも好ましいことである。

【００２２】図４は、本発明のフィルムキャリアデバイ
スの断面の一例を示す概略断面図であり、同図におい
て、１０は半導体素子を保護するために使用される一般
的な樹脂モールド剤である。樹脂モールドする手段とし
ては、エポキシ樹脂系等の樹脂を描画法やスタンプ法で
塗布する一般的なポッテイング法、モールドすべき形状
につくられた金型に樹脂を流し込むトランスファーモー
ルド法等があり、いずれでも問題ない。

【００２３】このようなフィルムキャリア、フィルムキ
ャリアデバイスでは、高周波電流が流れてもノイズ（雑
音）の発生がなく、フィルムキャリアや半導体素子の設
計の自由度が高くなる。

【００２４】次に、図５は、従来の３層フィルムキャリ
アの一例の裏面を示す概略平面図である。３層フィルム
キャリアでは、電源用導体パターン等に高周波電流が流
れた場合、一般的にグランド・バウンスと呼ばれる電磁
誘導的なノイズが発生し、半導体素子を誤動作させる。
これは、導体パターンが長くなった時や導体パターンの
配線ピッチが小さくなった時には著しい。また、他の導
体パターンでは配線ピッチが小さくなった時にはクロス
トークの発生が著しくなる。そのため、３層フィルムキ
ャリアでは、高密度化や高速化した半導体素子のデバイ
スとしては使用できない。

【００２５】また、図６〜９は近年検討されて始めてい
る２メタルフィルムキャリアである。図６は２メタルフ
ィルムキャリアの一例の表面を示す概略平面図であり、
図７はその裏面の概略平面図である。また、図８は２メ
タルフィルムキャリアの他の一例の表面を示す概略平面
図であり、図９はその裏面の概略平面図である。これら
各図において、１６はグランド用金属層（接地用導体
板）、１７は電源用金属層（電源用導体板）をそれぞれ
示す。

【００２６】図６〜７に示される２メタルフィルムキャ
リアでは、グランド用導体パターン（接地電極）４のみ
が絶縁フィルム裏面（下面）の全面金属箔であるグラン
ド用金属層（接地用導体板）１６とビアホールを介して
接続されているだけであるため、グランド・バウンスや
クロストークの発生の抑制に必ずしも十分でない。

【００２７】図８〜９に示される２メタルフィルムキャ
リアは、グランド用導体パターン（接地電極）４が絶縁
フィルム裏面（下面）の全面金属箔であるグランド金属
層（接地用導体板）１６と接続されており、また電源用
導体パターン（電源電極）５も絶縁フィルム裏面（下
面）に接続された全面金属箔である電源用金属層（電源
用導体板）１７と接続されている。そのためグランド・
バウンスやクロストークの発生の抑制には効果があるも
のの、裏面に金属層（導体板）が形成されており、接地
用導体板が設けられた表面（上面）にだけしかグランド
用導体パターン（接地電極）を設けることができず、ま
た電源用導体板が設けられた表面（上面）にだけしか電
源用導体パターン（電源電極）を設けることができな
い。そのため、グランド用導体パターン（接地電極）や
電源用導体パターン（電源電極）の配置が著しく制限さ
れ、フィルムキャリアの設計の自由度や半導体素子の接
続電極、さらには半導体素子の設計自体の自由度も低下
する。最悪の場合は、図８のようにフィルムキャリアの
４方向に伸びた各辺の端にしか、グランド用導体パター
ン（接地電極）４や電源用導体パターン（電源電極）５
を配置できないこともあり得る。

【００２８】図１０は、本発明のフィルムキャリアの第
２の例の表面を示す概略平面図であり、図１１はその裏
面の概略平面図である。同図において、１３はビアホー
ルを通じて裏面で接続されている表面導体パターンであ
り、１４はビアホールを通じて表面の導体パターンに接
続している裏面導体パターンであり、１５はそのための
ビアホールである。

【００２９】このようなフィルムキャリア（フイルムキ
ャリアデバイス）では、高周波電流が流れてもノイズ
（雑音）の発生がなく、フィルムキャリアや半導体素子
の設計の自由度が高く、さらには信号用パターン等を裏
面にて接続することができるために、プリント基板の設
計の自由度も著しく向上する。

【００３０】図１２は、本発明のフィルムキャリアの第
３の例の表面を示す概略平面図であり、図１３はその裏
面の概略平面図である。このフィルムキャリアは図１０
〜１１に示されるフィルムキャリアと形状を異にする。

【００３１】このようなフィルムキャリア（フィルムキ
ャリアデバイス）では、フィルムキャリアや半導体素子
の設計の自由度が高く、さらには、信号用導体パターン
等を裏面にて接続することができるために、プリント基
板の設計の自由度も著しく向上する。

【００３２】図１４は、本発明のフィルムキャリアの第
４の例の表面を示す概略平面図であり、図１５はその裏
面の概略平面図である。このフィルムキャリアは図１〜
２に示されるフィルムキャリアと形状を異にする。

【００３３】このようなフィルムキャリアでは、高周波
電流が流れてもノイズ（雑音）の発生がなく、フィルム
キャリアや半導体素子の設計の自由度が高く、さらに
は、同一半導体素子を用いても裏面で電源用導体パター
ンやグランド用導体パターンをそれぞれ接続しているた
め、アウターリード数を減らすことができる。さらに
は、アウターリードの幅を広くすることにより、プリン
ト基板との接続の歩留まり、信頼性が高くなる。

【００３４】

【実施例】次に、本発明の実施例を比較例と共に説明す
る。

【００３５】実施例１ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード４５６ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド４５６ピンでピッチ０．３ｍｍで表面のグランド用導
体パターン数１２８ピン、電源用導体パターン１６ピン
でそれぞれ４方向に配置し、ビアホールを介して裏面の
数種類のグランド用、電源用のそれぞれの導体パターン
で接続したフィルムキャリアを作成した。これに多機
能、高速動作を行なう半導体素子を接続して以下の評価
を行なった。

【００３６】すなわち、このフィルムキャリアを評価用
プリント基板に接続したサンプルを１０個作成し、各々
に高周波電流を流した時の半導体素子の動作を確認し
た。その結果、ノイズによる誤動作は１０個中、全く起
こらなかった。

【００３７】比較例１ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード４５６ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド４５６ピンでピッチ０．３ｍｍで表面のグランド用導
体パターン数１２８ピン、電源用導体パターン１６ピン
でそれぞれを４方向に配置した３層フィルムキャリアを
作製した。

【００３８】このフィルムキャリアに実施例１と同様に
多機能、高速動作を行なう半導体素子を接続して同様の
評価を行なった。その結果、ノイズによる誤動作は１０
個中、全てに発生した。

【００３９】比較例２ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード４５６ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド４５６ピンでピッチ０．３ｍｍで表面のグランド用導
体パターン数１２８ピン、電源用導体パターン１６ピン
でそれぞれを４方向に配置し、グランド用導体パターン
をビアホールを介して裏面の金属板に接続したフィルム
キャリアを作成した。

【００４０】このフィルムキャリアに実施例１と同様に
多機能、高速動作を行なう半導体素子を接続して同様の
評価を行なった。その結果、ノイズによる誤動作は１０
個中、４個に発生した。

【００４１】比較例３ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード４５６ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド４５６ピンでピッチ０．３ｍｍで表面のグランド用導
体パターン数１２８ピン、電源用導体パターン１６ピン
でそれぞれを４方向に配置し、ビアホールを介して裏面
のグランド用、電源用のそれぞれの金属板で接続したフ
ィルムキャリアの作成を試みたが、設計の自由度が低
く、多機能、高速動作を行なう半導体素子を接続できる
フィルムキャリアはできなかった。

【００４２】実施例２ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード４５６ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド４５６ピンでピッチ０．３ｍｍで表面のグランド用導
体パターン数１２８ピン、電源用導体パターン１６ピン
でそれぞれを４方向に配置し、ビアホールを介して裏面
の数種類のグランド用、電源用、信号用導体パターンで
接続したフィルムキャリアを作成した。これに実施例１
と同様の多機能、高速動作を行なう半導体素子を接続し
て以下の評価を行なった。

【００４３】すなわち、このフィルムキャリアを実施例
１で用いた評価用プリント基板より配線の引き回しが著
しく容易な基板に接続したサンプルを１０個作成し、各
々に高周波電流を流した時の半導体素子の動作を確認し
た。その結果、評価用のプリント基板の配線が著しく容
易になり、かつノイズによる誤動作は１０個中、全く起
こらなかった。

【００４４】実施例３ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード５０４ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド５０４ピンでピッチ０．３ｍｍでビアホールを介して
裏面の数種類の導体パターンで接続したフィルムキャリ
アを作成した。これに多機能の半導体素子を接続して以
下の評価を行なった。

【００４５】すなわち、このフィルムキャリアを配線の
引き回しが著しく容易な評価用プリント基板に接続した
サンプルを１０個作成し、半導体素子の動作を確認し
た。その結果、プリント基板とフィルムキャリアの接続
は全て問題なく正常に作動した。

【００４６】比較例４ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード５０４ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド５０４ピンでピッチ０．３ｍｍの３層フィルムキャリ
アを作成した。これに実施例３と同様の多機能の半導体
素子を接続して以下の評価を行った。

【００４７】すなわち、このフィルムキャリアの接続を
行なうためのプリント基板を作成したが、配線の引き回
しが著しく複雑となった。また、このフィルムキャリア
にプリント基板に接続したサンプルを１０個作成し、半
導体素子の動作を確認した。その結果、プリント基板と
フィルムキャリアの接続において１０個中、２個不良が
発生した。

【００４８】実施例４ 絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、インナ
ーリード５４４ピンでピッチ０．１ｍｍ、アウターリー
ド３７６ピンでピッチ０．４ｍｍでアウターリードの幅
は２２０μｍで、表面のグランド用導体パターン数１７
６ピン、電源用導体パターン１６ピンでそれぞれを４方
向に配置し、、ビアホールを介して裏面の数種類のグラ
ンド用、電源用のそれぞれの導体パターンで接続したフ
ィルムキャリアを作成した。ここで、インナーリード数
よりアウターリード数が少ないのは、裏面の導体パター
ンで接続した表面のアウターリードを共通のリードとし
たためである。これに多機能、高速動作を行なう半導体
素子を接続して以下の評価を行なった。

【００４９】すなわち、このフィルムキャリアを評価用
プリント基板に接続したサンプルを１００個作成し、各
々に高周波電流を流した時の半導体素子の動作を確認し
た。その結果、接続での不良も全くなく、かつノイズに
よる誤動作も１００個中、全く起こらなかった。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリアおよびフィルムキャリアデバイスによれば、高
周波電流が流れてもノイズ（雑音）の発生がなく、半導
体素子やプリント基板との接続の歩留まりや信頼性が高
く、さらに設計の自由度が高いため、いかなる半導体パ
ッケージの作成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のフィルムキャリアの第１の例の表面
を示す概略平面図。

【図２】 本発明のフィルムキャリアの第１の例の裏面
を示す概略平面図。

【図３】 本発明のフィルムキャリアの第１の例の断面
を示す概略断面図。

【図４】 本発明のフィルムキャリアデバイスの一例の
断面を示す概略断面図。

【図５】 従来の３層フィルムキャリアの一例の裏面を
示す概略平面図。

【図６】 ２メタルフィルムキャリアの一例の表面を示
す概略平面図。

【図７】 ２メタルフィルムキャリアの一例の裏面を示
す概略平面図。

【図８】 ２メタルフィルムキャリアの他の一例の表面
を示す概略平面図。

【図９】 ２メタルフィルムキャリアの他の一例の裏面
を示す概略平面図。

【図１０】 本発明のフィルムキャリアの第２の例の表
面を示す概略平面図。

【図１１】 本発明のフィルムキャリアの第２の例の裏
面を示す概略平面図。

【図１２】 本発明のフィルムキャリアの第３の例の表
面を示す概略平面図。

【図１３】 本発明のフィルムキャリアの第３の例の裏
面を示す概略平面図。

【図１４】 本発明のフィルムキャリアの第４の例の表
面を示す概略平面図。

【図１５】 本発明のフィルムキャリアの第４の例の裏
面を示す概略平面図。

【符号の説明】

１：デバイスホール、２：インナーリード、３：アウタ
ーリード、４：表面に形成されたグランド用導体パター
ン、５：表面に形成された電源用導体パターン、６：グ
ランド用ビアホール、７：電源用ビアホール、８：半導
体素子、９：絶縁フィルム、１０：樹脂モールド剤、１
１：裏面に形成されたグランド用導体パターン、１２：
裏面に形成された電源用導体パターン、１３：裏面と接
続される表面導体パターン、１４：表面と接続される裏
面導体パターン、１５：導体パターンを接続するビアホ
ール、１６：グランド用金属層（接地電極）、１７：電
源用金属層（電源電極）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁フィルムの両面に導体パターンを有
   し、その表面に少なくとも電源用導体パターンおよび／
   またはグランド用導体パターンを含む導体パターンを形
   成し、さらにビアホールを通じて該表面の電源用導体パ
   ターン、グランド用導体パターン、導体パターンの少な
   くとも一部を裏面に形成した導体パターンに接続したこ
   とを特徴とするフィルムキャリア。
2. 【請求項２】 絶縁フィルムの両面に導体パターンを有
   し、表面の導体パターンの一部をビアホールを通じて裏
   面に形成した導体パターンに接続したことを特徴とする
   フィルムキャリア。
3. 【請求項３】 インナーリードよりアウターリードの本
   数が少ない請求項１または２に記載のフィルムキャリ
   ア。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のフィル
   ムキャリアを用いたフィルムキャリアデバイス。