JP4249604B2 - 基板の処理装置及び基板の処理方法 - Google Patents

Description

本発明は，基板の処理装置及び基板の処理方法に関する。

従来から，ＬＣＤの製造プロセスにおいて，例えばＬＣＤ用の基板の表面にフォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを形成するフォトリソグラフィ工程が行われている。フォトリソグラフィ工程では，基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理，露光後の基板を現像する現像処理，基板を加熱し冷却する熱処理等が行われる。

上述のレジスト塗布処理では，ノズルからレジスト液を細い線状に吐出した状態で当該ノズルを基板上で走査させて，基板の全面にレジスト液を塗布する，いわゆるスキャン法の塗布方法が採用されている。このいわゆるスキャン法は，回転された基板にレジスト液を吐出するいわゆるスピンコーティング法に比べて，無駄になるレジスト液が少ないためレジスト液の消費量を低減できる。

上記いわゆるスキャン法では，レジスト液が基板上に線状に塗布されていくので，塗布後の基板上には，レジスト液の塗布経路に沿った筋状の凹凸が形成される。この凹凸がそのまま残ると，その後の露光処理，現像処理などが適正に行われず，正常な基板製品が製造されない。そこで，従来は，基板を保持する吸着テーブルに超音波振動子を固定し，塗布後に基板に超音波振動を付与することによって基板上のレジスト液を平坦化していた（例えば特許文献１参照。）。

しかしながら，上述したように単に吸着テーブルに超音波振動子を設けて，基板を振動させただけでは，基板上におけるレジスト液の流動が少なく，レジスト液が十分に平坦化されていなかった。実際，レジストパターンの微細化により，１０μｍ程度のレジスト液の液膜に±数パーセントの平坦度が要求されるが，上記超音波振動子を用いた場合には，それには到底及ばなかった。

特開２０００−７７３２６号公報

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，基板上に塗布されたレジスト液などの塗布液の平坦性を向上できる基板の処理装置及び基板の処理方法を提供することをその目的とする。

上記目的を達成するために，本発明は，基板を処理する処理装置であって，塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波（疎密波）を放射する縦波放射部材と，前記縦波放射部材から放射され，基板で反射した縦波を再度基板に向けて反射する反射部材と，前記縦波放射部材及び反射部材と，前記基板とを基板の表面に沿った方向に相対的に往復移動させるための往復移動機構と，を備え，塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする。

この発明によれば，基板には，反射部材からの縦波も放射されるので，縦波放射部材と反射部材からの２方向からの縦波を基板の表面上で干渉させることができる。そして，２方向からの縦波を干渉させながら，例えば基板を水平方向に往復移動させることができる。つまり，干渉して強められた縦波によって基板上の塗布液を部分的に押圧し，塗布液の流動を促進し，さらに基板の往復移動によって基板上の塗布液を平坦に均すことができる。したがって，単に超音波振動を付与した従来に比べて，塗布液の平坦性を著しく向上できる。また，基板上に塗布された線状の塗布液の塗布方向と，縦波の波面が直交するので，塗布液に対し縦波を確実に効率よく付与することができる。

本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波を放射する複数の縦波放射部材を備え，前記複数の縦波放射部材のうちの少なくとも一つの縦波放射部材から放射される縦波の振動数は，その他の縦波放射部材の縦波の振動数と異なり，塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする基板の処理装置が提供される。かかる場合，各縦波放射部材から放射した縦波を基板の表面上で干渉させることができる。そして基板上の塗布液に縦波の干渉による強い力が付加され，塗布液の流動を促進させることができる。この結果，基板上の塗布液が十分に平坦化される。また，複数の縦波により基板上にできる干渉縞が自然に基板上を移動する。この結果，縦波の干渉による塗布液の押圧が基板表面上で満遍なく均一に行われ，基板表面全体の塗布液が適正に平坦化される。さらに，基板上に塗布された線状の塗布液の塗布方向と，縦波の波面が直交するので，塗布液に対し縦波を確実に効率よく付与することができる。なお，前記基板の処理装置は，前記縦波放射部材と前記基板とを基板の表面に沿った方向に相対的に往復移動させるための往復移動機構をさらに備えていてもよい。

本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波を放射する複数の縦波放射部材を備え，塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。なお，前記縦波放射部材は，基板の表面の全体に縦波を放射できるように構成されていてもよい。かかる場合，基板の表面の全面に縦波が付与されるので，基板面内において塗布液が均等に平坦化される。また，前記縦波放射部材の前記縦波が放射される放射面は，基板の表面以上の大きさに形成されていてもよい。

前記縦波放射部材の本体内には，所定方向に振動して前記縦波放射部材の本体全体を前記所定方向に共振させる振動子が設けられ，前記本体の前記所定方向の基板側の端部には，前記共振によって発生する縦波を放射する放射面が形成されていてもよい。かかる場合，縦波放射部材の本体全体が所定方向に共振して本体内に定常波が発生すると，本体の所定方向の端部に定常波の腹が形成される。その腹の部分が放射面になっているので，基板に向けて振幅の大きい縦波が放射され，基板上の塗布液は，強い縦波を受ける。この結果，基板上の塗布液が激しく流動し平坦化される。

前記縦波放射部材の本体は，前記振動子が前記所定方向に振動するように取り付けられた振動部と，縦波を基板に向けて放射する放射部と，を備え，前記振動部と放射部は，前記所定方向に沿って直列的に連結されており，前記放射部における前記振動部と反対側の端部が前記放射面になっていることを特徴とする。かかる場合，振動部の振動が本体全体に伝播し，本体全体が共振し，その共振した本体の放射部から基板に向けて縦波が放射される。なお，前記放射部は，中実材であってもよい。かかる場合，縦波が放射される放射面の振幅がその面内において均等になる。この結果，放射部から基板に向けて振幅に偏りのない安定した縦波が放射される。

本発明は，基板を処理する処理装置であって，塗布液が塗布された基板を載置する載置台を備え，前記載置台は，少なくとも基板の外形よりも大きい載置面を有し，基板が載置される載置領域の外側の載置面上には，当該外側から前記載置領域に向けて載置面に縦波を付与する振動子が取り付けられ，前記載置領域に載置された基板と載置面との間に液体を供給する供給部を備えたことを特徴とする。

本発明によれば，載置台の載置面に，載置領域の外方から載置領域の方向に向けて進行する縦波が付与される。この縦波の付与により，載置台上に載置されている基板にも，基板の一端部から他端部に向けて進行する縦波が伝播する。基板上の塗布液は，その縦波によって縦波の進行方向側に積極的に力を受けて流動する。この結果，基板上の塗布液が均される。したがって，従来のように単に振動を加えた場合に比べて基板上の塗布液の平坦性が向上される。また，供給部により，基板と載置面との間に液体を介在することによって，載置台の載置面に付与された縦波を，より効率的に基板に伝播させることができる。この結果，塗布液の平坦化もより効果的に行われる。

前記振動子は，前記載置領域を挟んだ両側に設けられていてもよく，かかる場合，例えば基板上の塗布液を基板の一端部側から他端部側に向けて流動させ均した後，他端部側から一端部側に向けて流動させて均すことができる。したがって，基板上の塗布液をより平坦に均すことができる。

前記供給部は，前記載置台の載置面に開口する供給口を有するようにしてもよい。

前記基板の処理装置は，前記載置領域に載置された基板と載置面との間の液体を吸引する吸引部を，さらに備えていてもよい。この吸引部により，基板の裏面に付着した前記液体を吸引し基板の裏面から前記液体を取り除いた状態で，基板を次の処理装置に搬送することができる。したがって，基板の裏面に付着した液体によって塵埃等の不純物が基板に付着することを防止できる。なお，前記吸引部は，前記載置台の載置面に開口する吸引口を有するようにしてもよい。また，前記載置台の載置面には，前記液体を介在した基板と載置面との間隔を維持するスペーサが設けられていてもよい。かかる場合，基板と載置面との間隔が維持され，例えば基板が極端に斜めになることがないので，塗布液が適正に平坦化される。

本発明によれば，基板上の塗布液の平坦化が十分に行われるので，その後の処理が適正に行われ，歩留まりの向上や基板製品の品質の向上が図られる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば複数のＬＣＤ用の矩形の基板Ｇを収容するカセットＣを載置し，基板Ｇをこのシステムの外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置が配置された処理ステーション３と，処理ステーション３と露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２では，カセット載置台１０上の所定の位置に，複数のカセットＣをＹ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットステーション２には，カセット配列方向（Ｙ方向）とカセットＣに収容された基板Ｇの基板配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して基板Ｇを移送可能な基板搬送体１１が設けられている。基板搬送体１１は，Ｙ方向に沿って敷設された搬送路１２上を移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。

処理ステーション３には，その中央部にＸ方向に沿って設けられた搬送部２０と，搬送部２０の正面側と背面側にＸ方向に沿って複数の処理装置が並設された上流処理部２１と下流処理部２２とが設けられている。

搬送部２０には，カセットステーション２側の端部からＸ方向に沿って設けられた搬送路３０と，この搬送路３０上を移動可能な搬送シャトル３１が設けられている。搬送シャフト３１には，例えば支持ピン３１ａが設けられ，この支持ピン３１ａにより基板Ｇを支持して基板Ｇを搬送できる。この搬送部２０によって，例えば上流処理部２１と下流処理部２２間でも基板Ｇを搬送できる。

例えば処理ステーション３の正面側の上流処理部２１には，カセットステーション２側からインターフェイス部５側に向けて順に，基板Ｇに付着した有機物を除去するエキシマＵＶ照射装置４０及び基板Ｇを洗浄するスクラブ洗浄装置４１，第１の熱的処理装置ブロック４２，搬送装置４３，第２の熱的処理装置ブロック４４，基板Ｇにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置４５，本実施の形態にかかる基板の処理装置としての平坦化処理装置４６，レジスト液中の溶剤を揮発させる減圧乾燥装置４７，基板Ｇの周縁のレジスト膜を除去する周縁レジスト除去処理装置４８及び第３の熱的処理装置ブロック４９が配列されている。

図２に示すように，エキシマＵＶ照射装置４０は，スクラブ洗浄装置４１の上段に配置されている。第１の熱的処理装置ブロック４２には，例えば基板Ｇに対して脱水ベーク処理を施す２つの脱水ベーク装置５０，５１，基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン装置５２が下から順に例えば３段に積層されている。第２の熱的処理装置ブロック４４には，例えば基板Ｇを冷却する２つのクーリング装置５３，５４，アドヒージョン装置５５が下から順に例えば３段に積層されている。第１の熱的処理装置ブロック４２と第２の熱的処理装置ブロック４４との間の搬送装置４３は，Ｚ方向及び水平方向に移動可能で，かつ垂直軸周りのθ方向に回転可能な搬送アーム４３ａを備えており，熱的処理装置ブロック４２，４４内の各処理装置に対してアクセスして各処理装置間の基板Ｇの搬送を行うことができる。また，例えばカセットステーション２から第１の熱的処理装置ブロック４２への基板Ｇの搬送は，スクラブ洗浄装置４１内を通過するコロ搬送装置により行われ，例えばコロ搬送装置には，搬送用コロと基板搬送体１１及び搬送装置４３との間で基板Ｇの受け渡しを行う昇降ピン５６が設けられている。

例えば第３の熱的処理装置ブロック４９には，基板Ｇに対してプリベーク処理を施す３つのプリベーク装置６０，６１，６２が下から順に例えば３段に積層されている。

処理ステーション３の背面側の下流処理部２２には，例えば図１に示すようにインターフェイス部５側からカセットステーション２側に向けて順に第４の熱的処理装置ブロック７０，現像処理装置７１及びｉ線ＵＶ照射装置７２，第５の熱的処理装置ブロック７３，搬送装置７４，第６の熱的処理装置ブロック７５が配列されている。

第４の熱的処理装置ブロック７０には，図３に示すようにクーリング装置８０，２つのプリベーク装置８１，８２が下から順に例えば３段に積層されている。ｉ線ＵＶ照射装置７２は，例えば現像処理装置７１の上段に配置されている。第５の熱的処理装置ブロック７３は，例えばクーリング装置９０，基板Ｇに対してポストベーク処理を施す２つのポストベーク装置９１，９２が下から順に例えば３段に積層されている。第６の熱的処理装置ブロック７５にも，クーリング装置９３，ポストベーク装置９４，９５が下から順に例えば３段に積層されている。第５の熱的処理装置ブロック７３と第６の熱的処理装置ブロック７５との間の搬送装置７４は，前記搬送装置４３と同様にＺ方向と水平方向に移動可能でかつ垂直軸周りのθ方向に回転可能な搬送アーム７４ａを備えて，熱的処理装置ブロック７３，７５内の各処理装置に対してアクセスして各処理装置間で基板Ｇを搬送できる。例えば第４の熱的処理装置ブロック７０から第５の熱的処理装置ブロック７３への基板Ｇの搬送は，現像処理装置７１内を通過するコロ搬送装置により行われ，例えばコロ搬送装置には，搬送用コロと搬送装置７４との間で基板Ｇの受け渡しを行う昇降ピン９６が設けられている。

インターフェイス部５は，インターフェイス部５と露光装置４との間での基板Ｇの搬入出を行う基板搬送体１００と，バッファカセットを配置するバッファステージ１０１と，基板Ｇの受け渡しを行うエクステンション・クーリングステージ１０２とを有している。また，基板搬送体１００に隣接して，タイトラーと周辺露光処理装置とが上下に積層された外部装置ブロック１０３が設けられている。

ここで上述のレジスト塗布装置４５の構成について説明すると，レジスト塗布装置４５は，例えば図４に示すように中央部に基板Ｇのチャック１１０が設けられており，例えば基板Ｇの一辺をＸ方向に向けた状態で基板Ｇを吸着保持できる。チャック１１０は，その周りを略円筒状の処理容器１１１によって囲まれている。チャック１１０は，処理容器１１１内から上方に昇降自在に構成されており，レジスト塗布時には，上方で受け取った基板Ｇを処理容器１１１内に収容できる。レジスト塗布装置４５には，例えば基板Ｇの一辺より長い細長形状のノズル１１２が設けられている。図５に示すようにノズル１１２の上面には，例えばレジスト塗布装置４５の外部に設置されたレジスト液供給源に連通する供給管１１３が接続されており，この供給管１１３を通じてノズル１１２内にレジスト液を導入できる。ノズル１１２の下面には，長手方向に沿って複数の吐出口１１２ａが並設されている。吐出口１１２ａは，例えばノズル１１２の長手方向の一端部から他端部に渡って設けられている。ノズル１１２内に導入されたレジスト液は，各吐出口１１２ａから線状に同じ流量で吐出される。

処理容器１１１のＹ方向の両側には，図４に示すようにＸ方向に沿ったレール１１４がそれぞれ設けられている。レール１１４には，ノズル１１２のＹ方向の両端部を支持する支持部材１１５が移動自在に設けられている。したがって，ノズル１１２は，長手方向をＹ方向に向けた状態で，処理容器１１１上をＸ方向に移動自在である。以上のような構成から，このレジスト塗布装置４５では，図６に示すように各吐出口１１２ａから線状のレジスト液Ｒを吐出しながら，ノズル１１２が基板Ｇの一端部から他端部まで移動することによって基板Ｇの全面にレジスト液Ｒを塗布する，いわゆるスキャン法の塗布方法が実施できる。

なお，上流処理部２１の第２の熱的処理装置ブロック４４，レジスト塗布装置４５，平坦化処理装置４６，減圧乾燥装置４７，周縁レジスト除去処理装置４８及び第３の熱的処理装置ブロック４９の各区間の基板Ｇの搬送は，例えば図４に示すようにＸ方向に沿って設けられた搬送レール１１６上を，基板ＧのＹ方向の両端部を支持して移動する搬送アーム１１７によって行われる。搬送アーム１１７は，例えば各区間毎に設けられ，隣り合う装置間の基板Ｇの搬送を行うことができる。したがって，第２の熱的処理装置ブロック４４から第３の熱的処理装置ブロック４９の間には，Ｘ方向正方向（図１の右方向）側に向かう搬送ラインが形成され，第２の熱的処理装置ブロック４４から搬出された基板Ｇは，当該搬送ラインに沿ってレジスト塗布装置４５〜周縁レジスト除去装置４８に順次搬送され，各装置で基板Ｇに所定の処理を施した後，第３の熱的処理装置ブロック４９内に搬送される。

次に，上記スキャン法を用いて基板Ｇ上に塗布されたレジスト液を平坦化する平坦化処理装置４６の構成について説明する。図７は，平坦化処理装置４６の構成の概略を示す説明図である。

例えば平坦化処理装置４６の中央部には，基板Ｇを保持する保持部材１２０が設けられている。保持部材１２０の上面は，水平に形成され，当該上面には，例えば図示しない吸引手段が設けられており，保持部材１２０は，基板Ｇを水平に吸着保持できる。保持部材１２０は，図４及び図７に示すようにＹ方向に沿って設けられたレール１２１上を往復移動する移動体１２２に取り付けられている。移動体１２２は，例えば内蔵されたモータ又はシリンダなどの駆動部（図示せず）によってレール１２１上を移動する。したがって，保持部材１２０に保持された基板ＧをＹ方向に沿って往復移動させることができる。なお，本実施の形態では，レール１２１と移動体１２２により往復移動機構を構成している。

保持部材１２０の上方には，基板Ｇに縦波を放射する縦波放射部材１２３と，反射部材としての反射板１２４が設けられている。縦波放射部材１２３は，例えば図４に示すように平坦化処理装置４６の壁面に固定された支持部材１２５によって基板ＧのＸ方向正方向（図４の右方向）側の端部の上方の位置に支持されている。反射板１２４は，同じく平坦化処理装置４６の壁面に固定された支持部材１２６によって基板ＧのＸ方向負方向（図４の左方向）側の端部の上方の位置に支持されている。なお，本実施の形態において，縦波の波源は，縦波放射部材１２３と反射板１２４である。

縦波放射部材１２３の本体１２３ａは，例えば図７に示すように連結部１２７によって直列的に連結された略直方体形状の振動部１２８と放射部１２９とで主に構成されている。放射部１２９は，振動部１２８の下側に連結されており，放射部１２９の下面（放射面１２９ａ）が基板Ｇに対して俯角方向，例えば基板Ｇに対して４５°をなす方向に向けられている。振動部１２８は，例えば電源１３０からの給電によって前記俯角方向に振動する振動子１３１が内蔵されている。この振動子１３１の振動は，振動部１２８から放射部１２９に伝って縦波放射部材１２３の全体に伝播される。振動子１３１の振動数は，例えば電源１３０を制御する振動制御部１３２によって制御できる。この振動制御部１３２により，振動子１３１を所定の振動数で振動させて，その振動に縦波放射部材１２３の本体全体を共振させることができる。そして，この共振によって，縦波放射部材１２３内に縦波の定常波（波形を図７の本体１２３ａ中に点線で示す）が生じ，放射部１２９の放射面１２９ａから基板Ｇに向けて縦波を放射できる。

放射部１２９は，上述したように略直方体形状に成型されている。放射面１２９ａは，矩形で例えば図４に示すように一辺が基板Ｇの一辺よりも長く形成され，基板Ｇの全面に縦波を放射できる。放射部１２９は，例えば中実材により成型されており，放射面１２９ａの面内において同じ振幅の平面波が均等に放射される。連結部１２７は，例えば縦波放射部材１２３の共振時に定常波の節の位置に一致するように配置されており，共振時にも連結部１２７は振動しないようになっている。

反射板１２４は，例えば矩形で，一辺が基板Ｇの一辺よりも長い，例えば放射面１２９ａと同形同大に形成されている。反射板１２４は，前記放射部１２９の放射面１２９ａに対応する位置に，放射面１２９ａと同じ角度の俯角方向，例えば基板Ｇに対して４５°の俯角方向に向けられて配置されている。つまり，反射板１２４は，縦波放射部材１２３から基板Ｇに向けて斜めに放射され，基板Ｇで反射した縦波を再び基板Ｇ側に反射するように配置されている。

平坦化処理装置４６は，以上のように構成されており，次に平坦化処理装置４６の作用について説明する。平坦化処理装置４６に搬入される前に，上流処理部２１においてレジスト塗布装置４５内に搬入された基板Ｇは，図６に示すようにノズル１１２から複数の線状のレジスト液Ｒを吐出した状態でノズル１１２がＸ方向に沿って基板Ｇ上を走査することによって，基板Ｇの表面上にレジスト液Ｒが塗布される。このとき，基板Ｇ上には，複数の吐出口１１２ａからの線状にレジスト液Ｒが塗布されていくので，図８に示すようにレジスト液Ｒの凹凸ができている。

レジスト塗布装置４５で塗布処理の終了した基板Ｇは，搬送アーム１１７によって平坦化処理装置４６に搬入され，レジスト液Ｒの塗布方向をＸ方向に向けたまま保持部材１２０に吸着保持される。基板Ｇが吸着保持されると，移動体１２２がレール１２１に沿って往復移動し基板ＧがＹ方向に揺動される。このとき振動子１３１は振動制御部１３２によって所定の振動数で振動され，縦波放射部材１２３の本体１２３ａの全体が共振される。そして，この共振により，放射部１２９の放射面１２９ａから図７に示すように基板Ｇに向けて４５°の俯角方向から縦波が放射される。つまり，縦波は，平面から見るとレジスト液Ｒの塗布方向に沿って放出される。基板Ｇに放射された縦波は，基板Ｇで反射して反射板１２４に衝突し，反射板１２４で再び反射して，基板Ｇに対して４５°の方向から基板Ｇの全面に放射される。この反射板１２４からの縦波と縦波放射部材１２３からの直接の縦波とが基板Ｇ上で干渉し，図９に示すように基板Ｇの表面上には，塗布方向に直交する波面を有する縦波の干渉縞が形成される。このように，基板Ｇを塗布方向と直交するＹ方向に揺動させながら，基板Ｇ上で２方向からの縦波を干渉させることによって，例えば干渉によって強められた縦波が基板Ｇの表面上のレジスト液Ｒを部分的に押圧し，その押圧される部分が移動していく。この押圧により，レジスト液Ｒ全体の流動が促され，レジスト液Ｒが平坦化される。

以上の実施の形態によれば，平坦化処理装置４６に縦波放射部材１２３と反射板１２４を設けたので，基板Ｇ上で２つの縦波を干渉させることができる。また，平坦化処理装置４６に保持部材１２０の往復移動機構を設けたので，基板Ｇ上で縦波を干渉させた状態で，基板Ｇを揺動させることができる。この結果，基板Ｇ上で干渉し強められた波が基板Ｇ上のレジスト液Ｒを局所的に押し，レジスト液Ｒを積極的に水平方向に流動させることができるので，基板Ｇ上のレジスト液Ｒを平坦化できる。

以上の実施の形態では，縦波放射部材１２３を，平面から見て縦波がレジスト液Ｒの塗布方向に向けて放射されるように配置したので，縦波の波面と塗布方向が直交し，縦波がレジスト液Ｒに確実に照射される。それ故レジスト液Ｒの流動をより効果的に促進させることができる。

縦波放射部材１２３の放射面１２９ａを基板Ｇ全体に放射できるように成形したので，レジスト液Ｒが基板の全面において均等に均される。

縦波放射部材１２３に振動子１３１を設け，縦波放射部材１２３の本体１２３ａを振動子１３１の振動に共振させ，当該共振によって生じた縦波を基板Ｇに放射するようにしたので，振動子１３１の小さい振幅の縦波を増幅させて基板Ｇに放射できる。したがって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒに大きな振幅の縦波を放射し，レジスト液Ｒを十分に流動させることができる。

以上の実施の形態では，干渉する２つの縦波の内の一つの波源に，反射板１２４を用いていたが，反射板１２４に代えて自ら縦波を放射する縦波放射部材１２３を用いて，図１０に示すように平坦化処理装置４６に複数，例えば２つの縦波放射部材１２３を備えるようにしてもよい。このように縦波放射部材１２３が複数の場合，各縦波放射部材１２３の縦波の振動数は，総て同じでもよく，また少なくとも１つを異なる振動数にしてもよい。複数の縦波放射部材１２３の少なくとも１つを異なる振動数にした場合，基板Ｇ上を干渉縞が自ら移動する。そのため，仮に基板ＧをＹ方向に揺動させる機構がなくても，レジスト液Ｒを十分に平坦化することができる。当然，短い処理時間で精度良く平坦化させるために，保持部材１２０の上記往復移動機構を用いて，基板ＧをＹ方向に揺動させてもよい。

以上の実施の形態では，縦波放射部材１２３及び反射板１２４と基板Ｇとの相対往復移動を，基板Ｇ側を移動させることによって行っていたが，縦波放射部材１２３及び反射板１２４側を移動させてもよい。

前記実施の形態では，縦波放射部材１２３を基板Ｇに対して俯角方向に向けて配置していたが，図１１に示すように縦波放射部材１２３を基板Ｇの表面に対向するように配置してもよい。この場合，例えば縦波放射部材１２３は，例えば基板Ｇの表面と同形の矩形でかつ基板Ｇの表面以上の大きさを有する放射面１２９ａを備えている。また縦波放射部材１２３は，放射面１２９ａから放射される縦波定常波の腹が基板Ｇの表面上に位置するように配置される。そして，平坦化処理時には，縦波放射部材１２３の共振によって生じた強い縦波が，図１２に示すように基板Ｇの表面の全面に平面波として付与される。この平面波の付与によって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒが全面に渡って均等に押圧され，当該レジスト液Ｒの流動が促される。そして所定時間，平面波を付与することによって基板Ｇ上のレジスト液Ｒが平坦化される。なお，この平面波の付与時に，基板Ｇを水平方向に往復移動させてもよい。

以上の実施の形態では，平坦化処理装置４６において基板Ｇを保持部材１２０で保持していたが，図１３に示すように保持部材１２０に代えて，縦波放射部材１５０を載置台として用いてもよい。この縦波放射部材１５０は，前記縦波放射部材１２３と同様の構成で連結部１５１，振動部１５２，放射部１５３，振動子１５４，放射面１５３ａなどを備えている。縦波放射部材１５０は，放射面１５３ａが上方を向くように配置され，放射面１５３ａは，基板Ｇ以上の大きさを有し，載置面を兼ねている。縦波放射部材１５０には，吸着機能が取り付けられていないので，基板Ｇは固定されない状態で載置される。縦波放射部材１５０は，上述の保持部材１２０と同様に移動体１２２に取り付けられており，レール１２１上を往復移動できる。なお，この他の部材は，前記実施の形態と同様であるので，説明を省略する。

そして，平坦化処理の際には，縦波放射部材１５０の放射面１５３ａに基板Ｇが載置された後，振動子１５４を例えば２０〜６０ｋＨｚの間の周波数で振動させ，縦波放射部材１５０を２０μｍ以上の振幅で共振させる。こうすると，図１４に示すように放射面１５３ａ上の基板Ｇが鉛直方向に強い縦波を受けて，放射面１５３ａから僅かに浮上する。このとき，基板Ｇ上のレジスト液は，図１５に示すように基板面内で前記縦波による振動が大きい部分に集まることが確認されている。そこで，例えば基板Ｇが放射面１５３ａから浮上した直後に，移動体１２２によって縦波放射部材１５０をＹ方向に往復移動させる。この往復移動によって，例えば基板面内の振動が大きくなる部分がずらされるので，レジスト液Ｒが基板Ｇの表面の全体に広げられる。この結果，基板Ｇ上で凹凸のあったレジスト液Ｒが平坦化される。

かかる実施の形態では，縦波放射部材１５０が載置台も兼ねるので，平坦化処理装置４６全体を小型化できる。また，基板Ｇを浮上させた状態で縦波放射部材１５０を往復移動できるので，基板Ｇと縦波放射部材１５０との摩擦によるパーティクルの発生を抑制できる。

なお，前記実施の形態において，縦波放射部材１５０の放射面１５３ａに，図１６，図１７に示すように往復移動方向であるＹ方向に沿って線状の突条部１５３ｂを複数形成するようにしてもよい。このように放射面１５３ａに突条部１５３ｂを設けることにより，基板Ｇに縦波による振動が付与された時に，基板Ｇにおける突条部１５３ｂに対応する部分に対する振動の影響が変化する。発明者の実験によると，このとき基板Ｇ上のレジスト液は，図１８に示すように突条部１５３ｂに直交するようにＸ方向に沿った帯状に集まる。そして，その後上述したように縦波放射部材１５０をＹ方向に往復移動させることによって，帯状に集められたレジスト液ＲがＹ方向に散らされて基板Ｇ全面に均等に広げられる。この場合，レジスト液Ｒを基板面内で均等に平坦化できる。なお，かかる例で，縦波放射部材１５０側を往復移動させず，基板Ｇ側を往復移動させてもよい。

以上の実施の形態における往復移動機構は，例えば移動体１２２とレール１２１で構成されていたが，図１９に示すような他の往復移動機構１６０を用いてもよい。往復移動機構１６０は，例えば平坦化処理装置４６内に基板Ｇを載置するステージ１６１を備える。ステージ１６１は，例えば基板Ｇの外形よりも大きく，基板Ｇの往復移動方向であるＹ方向に長い板形状を有している。例えばステージ１６１の両端部の下面は，支持板１６２，１６３でそれぞれ支持されている。例えば支持板１６２，１６３の下面には，給電によって所定の振動数で振動する振動子１６４，１６５がそれぞれ取り付けられている。

そして，ステージ１６１上に載置された基板ＧをＹ方向に往復移動させる際には，例えばＹ方向負方向側の振動子１６４が振動され，振動子１６４から支持板１６２を介してステージ１６１のＹ方向負方向側から正方向側に向けて進行波が伝播される。例えばＹ方向正方向側の振動子１６５は，振動を行わず，この振動子１６５で伝播されてきた振動が収束する。この結果，ステージ１６１には，一方通行の進行波が形成され，ステージ１６１上の基板Ｇは，その進行波によってＹ方向正方向側に移動する。所定時間経過後，振動子１６４と振動子１６５の動作が切り換えられ，振動子１６４の振動が停止され，振動子１６５が振動される。この結果，ステージ１６１上をＹ方向負方向側に伝播する進行波が形成され，基板Ｇは，Ｙ方向負方向側に移動する。このような振動子１６４と振動子１６５の振動を交互に短い周期で繰り返すことによって，基板Ｇは，Ｙ方向に沿って往復移動できる。

ところで，以上の実施の形態では，縦波放射部材１２３，１５０を用いて基板Ｇに波を付与していたが，他の機構を用いて波を付与してもよい。例えば，表面音波デバイスを用いて行ってもよい。かかる表面音波デバイスは，例えば図２０に示すように基板Ｇの外形よりも大きい載置台１７０を備えている。載置台１７０の材質には，例えば導電性の低いアクリル樹脂が用いられている。載置台１７０の載置面１７０ａの例えばＹ方向の両端部付近，つまり基板Ｇの載置領域Ｒの両側には，振動子１７１，１７２がそれぞれ設けられている。Ｙ方向負方向側の振動子１７１は，例えば櫛形状の２つの金属部１７３，１７４を有している。各金属部１７３，１７４は，それぞれＸ方向に延びる複数の金属線１７３ａ，１７４ａを，Ｙ方向に沿って平行に並べて備え，複数の金属線１７３ａ及び金属線１７４ａは，金属の接続線１７３ｂ，１７４ｂでそれぞれ接続されている。金属線１７３ａと金属線１７４ａは，交互になるように配置されている。金属部１７３，１７４は，それぞれ電源１７５の異なる極性に接続されている。そして，この金属部１７３，１７４に異極性の電圧をかけることによって，隣り合う金属線１７３ａ，１７４ａ同士の間隔が広くなったり狭くなったりする。振動子１７１の金属線１７３ａ，１７４ａ間の間隔の広狭により，載置台１７０上に，Ｙ方向正方向側に向かって伝播する縦波の進行波が形成できる。Ｙ方向正方向側の振動子１７２も振動子１７１と同様の構成を備え，この振動子１７１により，載置台１７０上をＹ方向負方向側に伝播する縦波の進行波が形成できる。

載置台１７０には，例えば図２１に示すように載置面１７０ａ上に水やグリセリンなどの液体を供給する供給部１７６が設けられている。供給部１７６は，例えば載置面１７０ａの載置領域Ｒに開口する供給口１７７と，外部の液体供給源（図示せず）に連通し，載置台１７０内を通って供給口１７７に通じる供給路１７８を備えている。この供給部１７６からの液体の供給によって，基板Ｇと載置面１７０ａとの間に液体を介在させることができる。

また，載置台１７０には，当該載置面１７０ａ上の液体を吸引する吸引部１７９が設けられている。吸引部１７９は，例えば載置面１７０ａの載置領域Ｒに開口する吸引口１８０と，当該吸引口１８０から載置台１７０内を通って外部の負圧発生手段（図示せず）に接続された吸引路１８１を備えている。この吸引部１７９からの液体の吸引によって，基板Ｇと載置面１７０ａとの間に介在された液体を除去することができる。

そして，平坦化処理の際には，図２１に示すように載置台１７０の載置領域Ｒ上に基板Ｇが載置され，供給口１７７から液体Ｌが基板Ｇと載置台１７０との間に供給される。続いて例えばＹ方向負方向側の振動子１７１が作動する。このとき例えばＹ方向正方向側の振動子１７２は停止している。振動子１７１の作動により，載置台１７０の載置面１７０ａ上をＹ方向正方向に向かって縦波の進行波が伝播する。この際，図２２に示すように縦波の進行波が液体Ｌを通って基板Ｇにも伝播され，基板Ｇ上のレジスト液Ｒにも縦波の伝播方向に沿った力が働く。この結果，基板Ｇ上のレジスト液ＲがＹ方向正方向側に流動する。所定時間経過後，振動子１７１の動作が停止され，Ｙ方向正方向側の振動子１７２が作動する。この振動子１７２の作動により，載置台１７０の載置面１７０ａ上をＹ方向負方向側に向かう縦波の進行波が生じる。この進行波は，液体Ｌを介して基板Ｇにも伝わり，レジスト液Ｒが今度はＹ方向負方向側に流動する。また，所定時間経過後，振動子１７１と振動子１７２の動作が切り換えられ，レジスト液ＲはＹ方向正方向側に流動する。このようなＹ方向負方向側からの縦波の進行波の付与とＹ方向正方向側からの縦波の進行波の付与を所定間隔で交互に繰り返すことによって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒが平坦化される。

基板Ｇ上のレジスト液Ｒが平坦化されると，吸引口１８０から基板Ｇの裏面の液体Ｌが吸引され，基板Ｇの裏面の液体Ｌが除去される。その後基板Ｇは，平坦化処理装置４６から搬出される。

この実施の形態によれば，基板Ｇに対し，基板Ｇの一端部側から他端部側に進行する縦波を交互に付与したので，基板Ｇ上のレジスト液Ｒが縦波の進行方向と同方向に流動され，レジスト液Ｒが平坦化される。特に，基板Ｇの左右方向から交互に縦波を付与したので，基板Ｇ上のレジスト液が基板面内において偏り無く均等に平坦化される。

基板Ｇと載置台１７０との間に液体Ｌを介在させたので，載置台１７０の縦波が基板Ｇにまで十分に伝達される。また，平坦化後に基板Ｇの裏面の水分を除去したので，基板Ｇが次の装置に搬送される際に基板Ｇの裏面に不純物が付着することを防止できる。なお，液体Ｌの供給と吸引は，載置台１７０の供給口１７７，吸引口１８０に代えて，別途設けられた供給ノズル，吸引ノズルを用いて行ってもよい。

前記実施の形態において，一方の振動子が作動している時に他方の振動子を停止させていたが，一方の振動子からの縦波が載置台１７０の他方側の端部で反射するような場合には，他方の振動子も作動させ，その反射する縦波を打ち消すようにしてもよい。こうすることによって，縦波が反射波によって減衰することが抑制できる。なお，前記実施の形態において，振動子を必ずしも載置領域Ｒの両側に設ける必要はなく，片側であってもよい。

また，液体Ｌを介在した基板Ｇと載置台１７０との間隔を一定に維持するために，図２３に示すように載置台１７０上にスペーサ１９０を設けてもよい。スペーサ１９０は，例えば載置領域Ｒ内に均等に複数配置してもよい。こうすることによって，液体Ｌ上に浮いた基板Ｇが大きく傾くことが無くなり，レジスト液Ｒの平坦化がより適正に行われる。

さらに，基板Ｇの裏面に付着した水分を除去するために，図２４に示すように平坦化処理直後の基板Ｇの裏面に接触させる洗浄ローラ１９５を設けるようにしてもよい。洗浄ローラ１９５は，例えば平坦化処理装置４６と減圧乾燥装置４７との間の基板Ｇの搬送路に設けられる。そして，搬送アーム１１７が基板Ｇを減圧乾燥処理装置４７に搬送する際に，基板Ｇの裏面が洗浄ローラ１９５の上面に接触され，基板Ｇの裏面に付着していた水分が除去される。この場合，基板Ｇの裏面に残る水分が無くなるので，搬送時に基板Ｇの裏面に不純物が付着することが十分に抑制される。

縦波放射部材１２３，１５０を用いない機構の他の例として，図２６に示すように基板Ｇの両端部の下面に振動子２００，２０１をそれぞれ設けるようにしてもよい。振動子２００は，基板ＧのＹ方向負方向側の端部に，振動子２０１は，基板ＧのＹ方向正方向側の端部に，それぞれグリセリン又は水などの液体Ｌを介して取り付けられている。振動子２００，２０１は，それぞれ基板Ｇの裏面から基板Ｇの中心方向の仰角方向，例えば４５°方向に振動するように取り付けられている。なお，かかる場合，振動子２００，２０１を用いて基板Ｇを支持してもよい。

そして，平坦化処理の際には，一方の振動子２００が振動し，基板Ｇの裏面から前記仰角方向に向けて縦波が付与される。こうすると，基板Ｇには，図２６に示すようにＹ方向正方向側に進行する縦波が形成され，この縦波によって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒに縦波の進行方向に向いた力が働く。この結果，レジスト液ＲがＹ方向正方向側に向けて流動する。所定時間経過後，一方の振動子２００の振動が停止され，他方の振動子２０１の振動が行われる。こうすると，基板Ｇには，前記進行波と反対方向のＹ方向負方向側に進行する縦波が形成され，レジスト液Ｒがその縦波の進行方向に流動する。所定時間経過後，振動子２０１の振動が停止され，再度振動子２００の振動が行われる。このような振動子２００と振動子２０１の振動の切り換えが所定回数行われる。そして振動子２００と振動子２０１の振動を交互に繰り返すことによって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒが左右に流動されて平坦化される。

なお，かかる実施の形態において，平坦化処理の終了した基板Ｇを上述の洗浄ローラ１９５に接触させ，基板Ｇの裏面に付着した液体Ｌを除去してもよい。

また，図２５に示すように波源となる振動板２１０を，位相の同じ縦波が水平方向の両側に放射されるように基板Ｇの中央部上方に配置し，その振動板２１０の両側に振動板２１０からの縦波を基板Ｇ上の特定部分に向けて反射させる反射板２１１を備えるようにしてもよい。かかる場合，例えば振動板２１０を振動させることにより，振動板２１０の両面から放射された同じ位相の縦波がそれぞれ反射板２１１で反射され，基板Ｇ上の例えば中央部に帯状（図２５中の帯状領域Ｂ）に付加される。そして例えば基板Ｇを水平に移動させることによって，縦波が付加された帯状領域Ｂを基板Ｇ上の一端部から他端部まで走査する。こうすることによって，基板Ｇ上のレジスト液Ｒ全体が流動し，レジスト液Ｒが平坦化される。なお，この場合，基板Ｇ側でなく，振動板２１０，反射板２１１側を移動させてもよい。また，図２７に示すように反射板２１１の反射面２１１ａに，反射側に凸の凸部を連続的に設けて，反射面２１１ａを波打たせるようにしてもよい。かかる場合，振動板２１０からの縦波の腹の部分（強い部分）が反射板２１１において拡散され，反射面２１１ａで反射される縦波の圧力が平均化される。この結果，基板Ｇ上には，常時安定した同じ圧力の縦波が付加される。この状態で，基板Ｇを動かして，縦波が付加された帯状の領域を基板Ｇ上で移動させることにより，基板Ｇ上のレジスト液Ｒが基板面内において斑なく平坦化される。

図２８に示すように基板Ｇの表面上に振動板２２０を配置し，当該振動板２２０に振動部材２２１と撓み波吸収部材２２２を取り付けるようにしてもよい。かかる場合，例えば振動板２２０は，基板Ｇの特定方向の長さよりも長い略長方形状に形成され，基板Ｇの表面に非接触で当該基板Ｇの表面に対向するように配置されている。振動部材２２１は，例えば振動板２２０の長手方向の一端部（Ｙ方向負方向側）の下面に取り付けられている。振動部材２２１は，例えば交流電源２２３によって励振できる。撓み波吸収部材２２２は，例えば振動板２２０の長手方向の他端部側（Ｙ方向正方向側）の下面に取り付けられている，撓み波吸収部材２２２は，例えば撓み波吸収部材２２２が受けた振動を減衰させる電気抵抗２２４に接続されている。そして，基板Ｇ上に塗布されたレジスト液Ｒを平坦化する際には，交流電流２２３により振動部材２２１が振動し，当該振動部材２２１により，振動板２２０にＹ方向正方向側に進行する撓み波を発生できる。振動板２２０のＹ方向正方向の端部側では，伝達された撓み波が撓み波吸収部材２２２により吸収される。この撓み波の吸収によって，振動板２２０の端部で撓み波が反射することが防止され，振動板２２０内でＹ方向正方向側に進む撓み波が減少することが防止される。撓み波により振動板２２０が振動すると，振動板２２０と基板Ｇとの空間に，Ｙ方向正方向側に向かう音響波が発生する。この音響波により，基板Ｇ上の塗布液に対し一定方向に働く外力が作用し，基板Ｇ上の塗布液が平坦化される。

以上の実施の形態は，本発明の幾つかの例を示したものであり，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，以上の実施の形態では，レジスト液Ｒの平坦化を平坦化処理専用の平坦化処理装置４６で行っていたが，上記平坦化のための機能を，レジスト塗布装置，減圧乾燥処理装置などの他の装置に取り付け，当該他の装置で平坦化処理を行ってもよい。また，上記実施の形態で説明した干渉縞は，必ずしも直線状のものでなくてもよく，曲線状のものであってもよい。ノズル１１２は，スリット状の吐出口から帯状にレジスト液を吐出する，いわゆるスリットノズルでもよく，また，長尺状にインクジェットヘッドを配置した，いわゆるインクジェットノズルであってもよい。さらに以上の実施の形態は，基板Ｇ上に塗布されたレジスト液を平坦化するものであったが，レジスト液以外の塗布液，例えばＳＯＤ膜，ＳＯＧ膜を形成するための処理液や現像液などにも，本発明を適用できる。また，基板ＧもＬＣＤ用の矩形基板に限られず，円形のウェハやフォトマスク用のマスクレチクル基板などにも，本発明は適用できる。

本発明は，基板上の塗布液を平坦化する技術において有用である。

実施の形態にかかる平坦化処理装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 図１の塗布現像処理システムの正面図である。 図１の塗布現像処理システムの背面図である。 レジスト塗布装置及び平坦化処理装置の構成の概略を示す平面図である。 ノズルの斜視図である。 ノズルの塗布時の様子を示す説明図である。 平坦化処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 レジスト塗布後のレジスト液の様子を示す基板の側面図である。 基板上の縦波の干渉の様子を示す説明図である。 縦波放射部材を２つ設けた場合の平坦化処理装置を示す説明図である。 縦波放射部材の他の配置例を示す説明図である。 基板に平面波が放射される様子を示す説明図である。 縦波放射部材を載置台として用いた場合の平坦化処理装置内の構成を示す説明図である。 基板が浮上した様子を示す説明図である。 レジスト液が振動の強い所に集まった様子を示す基板の平面図である。 放射面に設けられた突条部を示す縦波放射部材の上部の側面図である。 図１６の縦波放射部材の放射面の平面図である。 図１６の縦波放射部材上で平面化処理された基板のレジスト液の様子を示す説明図である。 基板の他の往復移動機構の斜視図である。 表面波デバイスの平面図である。 表面波デバイスの縦断面の説明図である。 平坦化処理時の縦波の様子を示す基板周辺の縦断面図である。 スペーサを備えた表面波デバイスの縦断面の説明図である。 洗浄ローラの側面図である。 基板の中央部の上方に振動板を設けた場合の平坦化処理装置を示す説明図である。 基板の裏面の両側に振動子を設けた場合の平坦化処理装置内の様子を示す説明図である。 凸部を備えた反射板を示す説明図である。 基板の上面に振動板を備えた場合の例を示す説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
４５ レジスト塗布装置
４６ 平坦化処理装置
１２０ 保持部材
１２３ 縦波放射部材
１２４ 反射板
１３１ 振動子
Ｒ レジスト液
Ｇ 基板

Claims (15)

1. 基板を処理する処理装置であって，
   塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波を放射する縦波放射部材と，
   前記縦波放射部材から放射され，基板で反射した縦波を再度基板に向けて反射する反射部材と，
   前記縦波放射部材及び反射部材と，前記基板とを基板の表面に沿った方向に相対的に往復移動させるための往復移動機構と，を備え，
   塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする，基板の処理装置。
2. 基板を処理する処理装置であって，
   塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波を放射する複数の縦波放射部材を備え，
   前記複数の縦波放射部材のうちの少なくとも一つの縦波放射部材から放射される縦波の振動数は，その他の縦波放射部材の縦波の振動数と異なり，
   塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする，基板の処理装置。
3. 前記縦波放射部材と前記基板とを基板の表面に沿った方向に相対的に往復移動させるための往復移動機構をさらに備えたことを特徴とする，請求項２に記載の基板の処理装置。
4. 基板を処理する処理装置であって，
   塗布液の塗布された基板の表面に対し，斜め上方から縦波を放射する複数の縦波放射部材を備え，
   塗布液が一定方向に向けて線状に塗布されている基板に対し，平面から見て当該一定方向と前記縦波の進行方向とが一致するように，前記縦波放射部材は配置されていることを特徴とする，基板の処理装置。
5. 前記縦波放射部材は，基板の表面の全体に縦波を放射できるように構成されていることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板の処理装置。
6. 前記縦波放射部材の前記縦波が放射される放射面は，基板の表面以上の大きさに形成されていることを特徴とする，請求項５に記載の基板の処理装置。
7. 前記縦波放射部材の本体内には，所定方向に振動して，前記縦波放射部材の本体全体を前記所定方向に共振させる振動子が設けられ，
   前記本体の前記所定方向の基板側の端部には，前記共振によって発生する縦波を放射する放射面が形成されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５又は６のいずれかに記載の基板の処理装置。
8. 前記縦波放射部材の本体は，
   前記振動子が前記所定方向に振動するように取り付けられた振動部と，
   縦波を基板に向けて放射する放射部と，を備え，
   前記振動部と放射部は，前記所定方向に沿って直列的に連結されており，
   前記放射部における前記振動部と反対側の端部が前記放射面になっていることを特徴とする，請求項７に記載の基板の処理装置。
9. 前記放射部は，中実材であることを特徴とする，請求項８に記載の基板の処理装置。
10. 基板を処理する処理装置であって，
    塗布液が塗布された基板を載置する載置台を備え，
    前記載置台は，少なくとも基板の外形よりも大きい載置面を有し，
    基板が載置される載置領域の外側の載置面上には，当該外側から前記載置領域に向けて載置面に縦波を付与する振動子が取り付けられ，
    前記載置領域に載置された基板と載置面との間に液体を供給する供給部を備えたことを特徴とする，基板の処理装置。
11. 前記振動子は，前記載置領域を挟んだ両側に設けられていることを特徴とする，請求項１０に記載の基板の処理装置。
12. 前記供給部は，前記載置台の載置面に開口する供給口を有することを特徴とする，請求項１０又は１１のいずれかに記載の基板の処理装置。
13. 前記載置領域に載置された基板と載置面との間の液体を吸引する吸引部を，さらに備えたことを特徴とする，請求項１０，１１又は１２のいずれかに記載の基板の処理装置。
14. 前記吸引部は，前記載置台の載置面に開口する吸引口を有することを特徴とする，請求項１３に記載の基板の処理装置。
15. 前記載置台の載置面には，前記液体を介在した基板と載置面との間隔を維持するスペーサが設けられていることを特徴とする，請求項１０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載の基板の処理装置。

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