JP4212095B2 - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその駆動方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4212095B2
JP4212095B2 JP2003275021A JP2003275021A JP4212095B2 JP 4212095 B2 JP4212095 B2 JP 4212095B2 JP 2003275021 A JP2003275021 A JP 2003275021A JP 2003275021 A JP2003275021 A JP 2003275021A JP 4212095 B2 JP4212095 B2 JP 4212095B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
dummy
transfer register
layer
register means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003275021A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005039561A (ja
Inventor
武彦 尾住
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2003275021A priority Critical patent/JP4212095B2/ja
Priority to US10/893,023 priority patent/US7148524B2/en
Priority to CNB2004100684498A priority patent/CN100440527C/zh
Priority to KR1020040055314A priority patent/KR100628781B1/ko
Priority to TW093121159A priority patent/TWI254451B/zh
Publication of JP2005039561A publication Critical patent/JP2005039561A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4212095B2 publication Critical patent/JP4212095B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラなどの撮像デバイスとして用いられる固体撮像装置およびその駆動方法に関する。
近年、デジタルスチルカメラの高画質化が急速に進んでおり、その撮像デバイスとして100万画素以上の画素数を有する固体撮像装置、特にCCDイメージセンサが広く用いられるようになってきている。これらのCCDイメージセンサにおいては、一般に、全画素の信号電荷を独立に読み出して静止画を得る駆動方法(スチルモード)と、液晶モニタなどに動画を映し出す駆動方法(モニタリングモード)とが切り替え自在に用いられる。
このモニタリングモードの機能を実現するためには、毎秒30枚程度のフレームレートが必要とされる。しかしながら、CCDイメージセンサの駆動周波数特性には限界があり、また、低消費電力化が要求されるため、駆動周波数を高速化することは容易ではない。したがって、CCDイメージセンサの多画素化に伴って、モニタリングモードにおけるフレームレートの確保が困難になってきている。
この問題に対して、現在、100万画素以上の画素数を有するCCDイメージセンサにおいては、一般に、垂直方向に配列された画素の一部からのみ信号電荷を読み出してラインを間引き、データ量を減少させることによってフレームレートを向上させる方法が用いられている。
また、垂直方向のデータ量を減少させるための他の方法も提案されている。これを図21に示す。
図21は、従来の固体撮像装置の構成例を示す平面図である。
図21において、固体撮像装置100は、4相駆動垂直転送レジスタを有するインターレース方式のCCDイメージセンサである。
このCCDイメージセンサは、受光部としてのフォトダイオード1、トランスファゲート2、垂直転送レジスタ3、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7を有している。
フォトダイオード1は、半導体基板上にマトリックス状に設けられており、その前面にベイヤー配列でRGBのカラーフィルタが設けられている。
垂直転送レジスタ3は、フォトダイオード1の各列に隣接して設けられ、それぞれトランスファーゲート2を介してフォトダイオード1と接続されている。各垂直転送レジスタ3では、フォトダイオード1から読み出された信号電荷が、φV1〜φV4の4相駆動により垂直方向に転送されるようになっている。
水平転送レジスタ4は、垂直転送レジスタ3と垂直な方向に設けられている。この水平転送レジスタ4では、各垂直転送レジスタ3によって転送されてきた信号電荷を、φH1およびφH2の2相駆動により水平方向に転送する。水平転送レジスタ4によって転送された信号電荷は、電荷検出部5によって検出され、出力アンプ6から出力される。
掃き出しドレイン7は、水平転送レジスタ4の下部に隣接して設けられている。このCCDイメージセンサでは、不要な電荷を行単位で掃き出しドレイン7に排出させることによって、垂直方向に複数配置された行ラインのデータを間引くことができる。
これに対して、フレームレートを向上させるために、水平方向のデータ量を減少させる方法も提案されている。これを図22に示す。
図22は、従来の固体撮像装置の他の構成例を示す平面図である。
図22において、固体撮像装置200も、4相駆動垂直転送レジスタを有するインターレース方式のCCDイメージセンサである。
このCCDイメージセンサは、特定列の垂直転送レジスタ3と水平転送レジスタ4との境界部に、不要な電荷を排出するための掃き出しドレイン7A、および電荷排出を制御するためのコントロールゲート8を有している。
コントロールゲート8を制御して掃き出しドレイン7電荷を排出させることによって、その垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4への信号電荷の転送が禁止される。このため、水平方向にデータを間引いてフレームレートを向上させることができる。
さらに、掃き出しによらずに水平方向のデータ量を減少させる他の方法として、水平方向に隣接する同じ色の受光部からの信号を加算するデータ間引き方法も提案されている。これを図23に示す。
図23は、水平方向に隣接する同じ色の受光部からの信号を加算して水平方向のデータ量を減少させる従来のデータ間引き方法を説明するための図である。
まず、図23(a)に示す初期状態から、図23(b)に示す1回目のデータ読み出し状態では、右側2列の赤色R(網掛け表示)および緑色G(ドット表示)のフォトダイオード1から垂直転送レジスタ3を介して水平転送レジスタ4にデータが読み出されている。
次に、図23(c)に示すように、1回目に読み出されたRおよびGのデータを水平方向転送レジスタ4によって水平方向左側に2コマ分転送させる。
さらに、図23(d)に示す2回目の読み出し時には、左側2列のRおよびGのフォトダイオード1から垂直転送レジスタ3を介して水平転送レジスタ4にデータを読み出し、1回目に読み出されて水平方向に転送された同じ色のデータとそれぞれ加算する。
さらに、図23(e)に示すように、垂直転送レジスタ3によって垂直方向に1コマだけデータを転送させる。
さらに、図23(f)に示すように、水平転送レジスタ4によって水平方向にデータを転送させて電荷検出部5を介して出力アンプ6から信号電荷を出力させる。
以上のようにして、水平方向のデータを間引いてフレームレートを向上させることができる。
ここで、CCDイメージセンサで採用されているカラーフィルタ配列は、水平方向1画素毎に異なることが一般的である。よって、一旦、垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4に信号が読み出されると、同じ色の信号を加算することができない。このため、同じ色の信号(データ)を加算するために、図23に示すように、垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4への信号読み出しを複数回に分割して、垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4への信号読み出しを行った後、次に、垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4への信号読み出しを行う前に、読み出された信号を同じ色成分の垂直列まで移動させる水平転送を繰り返し行う。
このような固体撮像装置は、例えば特許文献1および特許文献2に開示されている。
特許文献1に開示されている固体撮像装置では、垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの間に3層の転送電極を設けて、一部の信号電荷を転送電極部に保持した状態で他の信号電荷を先に水平転送レジスタに転送させている。その後、残りの信号電荷を水平転送レジスタに転送させることにより、先に転送されていた信号電荷と加算することができる。
また、特許文献2に開示されている固体撮像装置では、垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの間に2層の転送電極を設けて、垂直転送レジスタ内での転送数を垂直転送レジスタ列に対して周期的に異ならせている。同一行の互いに離れた画素の信号電荷を順に垂直転送レジスタから水平転送レジスタに転送させている。これによって、先に転送された信号電荷を水平転送レジスタ内で転送させ、これに、後から水平転送レジスタに転送される信号電荷を加算することができる。
特開平11−54741号公報 特開2000−115643号公報
上述したような従来のデータ間引き方法において、垂直方向に対しては自由度の高いデータ間引きを行うことが可能である。しかしながら、水平方向にデータ間引きを行うためには、以下のような問題がある。
まず、図22に示すように、不要な電荷を排出する掃き出しドレイン7Aとその電荷排出を制御するコントロールゲート8を設ける構造では、チップサイズの小型化、高画素化による画素サイズの縮小化が進む中で、垂直転送レジスタ3と水平転送レジスタ4との境界の狭い領域に掃き出しドレイン構造を設けることが非常に困難である。一方、水平転送レジスタ4に隣接した下側に掃き出しドレイン7Aとコントロールゲート8とを設ける場合には、十分なスペースが存在するために画素サイズの縮小化が進んでも問題は生じない。しかしながら、この場合には、掃き出し動作が一括して行われてしまうため、水平方向のデータを選択的に間引くことはできないという問題がある。
また、従来のデータ間引き方法において、水平方向に隣接する同じ色の信号データを加算する方法を実現するためには、垂直転送レジスタ3から水平転送レジスタ4への信号読み出しを列毎に制御し、読み出し時間に差を設けることが必要になる。
しかしながら、例えば特許文献1に開示されている固体撮像装置では、3層の転送電極が必要になるため、製造プロセスが複雑になる。また、特許文献2に開示されている固体撮像装置では、垂直転送レジスタを構成する2層の転送電極の枚数が列毎に異なっているため、構造が複雑になる。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、構成が簡単な2層の転送電極により垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを列毎に制御することができる固体撮像装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、基板上に行および列方向にマトリックス状に設けられた複数の受光部から読み出された各信号電荷を、複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段により各列方向にそれぞれ転送し、その転送した各信号電荷を水平転送レジスタ手段により水平方向に転送して読み出す固体撮像装置において、
該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段と水平転送レジスタ手段との間にそれぞれ、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ各列毎に転送制御可能とした複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段がそれぞれ設けられ、該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ列毎に転送して該水平転送レジスタ手段にそれぞれ出力するものであり、
該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段および複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に複数設けられ、n枚(n≧2k、kは2以上の整数)の転送電極を1組として、n相駆動により前記受光部から読み出された信号電荷を垂直方向に転送し、
該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段は、
第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、n枚の転送電極を1組として、n相駆動により前記画素領域垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー領域と、
第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、n枚の転送電極を1組として、当該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、n相駆動により該垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送する第2ダミー領域とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の固体撮像装置において、水平転送レジスタ手段の近傍位置に設けられ、該水平転送レジスタ手段からの不要な信号電荷を排出可能とする掃き出しドレイン手段を更に有する
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第1層目転送電極のパターンは前記ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行方向において同一パターンであり、前記第2層目転送電極のパターンは該ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行方向において複数列単位で異なる2種類のパターンを有する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第1ダミー領域および第2ダミー領域はそれぞれ、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが列方向(例えば図面の縦方向)に交互に設けられたn枚の転送電極からなる第1ダミー部と第2ダミー部とが垂直方向に連続してそれぞれ設けられ、
前記第1ダミー領域と第2ダミー領域との間に、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられたn枚の転送電極からなる第1ダミー部と第2ダミー部とが垂直方向に連続してそれぞれ設けられ、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域および第2ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第1ダミー部の第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加され、該第2ダミー部の第2層目転送電極は該第2ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、n相駆動により該画素領域垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送可能とする第3ダミー領域を更に有する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置において、第1ダミー領域におけるn相の転送電極と、前記画素領域垂直レジスタ手段におけるn相の転送電極とは、対応する転送電極間で共通に配線されている。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、請求項4に記載の固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、前記垂直転送レジスタ手段から前記水平転送レジスタ手段への各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、各信号電荷が転送されるダミー領域がn相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、前記水平転送レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベル、残りの第2層目転送電極をハイレベルにしており、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、上記固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、前記垂直転送レジスタ手段から前記水平転送レジスタへの各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、各信号電荷が転送されるダミー領域がn相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における各ダミー部の第2層目転送電極のうち、前記水平レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベル、残りの第2層目転送電極をハイレベルにしており、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の固体撮像装置の駆動方法において、画素領域垂直転送レジスタ手段の第1層目転送電極と、前記ダミー領域垂直転送レジスタ手段の第1層目転送電極とに対して、対応する転送電極間で同じタイミングで制御信号を印加する。
また、好ましくは、本発明の固体撮像装置において、基板上に行および列方向にマトリックス状に設けられた複数の受光部から読み出された各信号電荷を、複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段により各列方向にそれぞれ転送し、その転送した各信号電荷を水平転送レジスタ手段により水平方向に転送して読み出す固体撮像装置において、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段と水平転送レジスタ手段との間にそれぞれ、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ各列毎に転送制御可能とした複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段がそれぞれ設けられ、該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ列毎に転送して該水平転送レジスタ手段にそれぞれ出力するものであり、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、前記受光部に隣接して第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に複数設けられ、m枚(m≧2j、jは3以上の整数)の転送電極を1組として、m相駆動により該受光部から読み出された各信号電荷を垂直方向にそれぞれ転送し、前記複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、該画素領域垂直転送レジスタ手段と前記水平転送レジスタ手段との間に、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、m/2枚の転送電極からなり、m/2相駆動により該画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー部と、該画素領域垂直転送レジスタ手段においてm枚で構成された1組の転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から2枚の転送電極を含み、該2枚の転送電極に画素領域とは異なるタイミングで転送制御信号が印加される第2ダミー部とを連続して有する第1ダミー領域と、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、m/2枚の転送電極を1組として、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、m/2相駆動により該垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー部と、該画素領域垂直転送レジスタ手段においてm枚で構成された1組の転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から2枚の転送電極を含み、該2枚の転送電極に画素領域とは異なるタイミングで転送制御信号が印加されると共に、該2枚の転送電極のうち、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加される第2ダミー部とを連続して有する第2ダミー領域と有する
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第1層目転送電極のパターンは前記ダミー領域垂直転送領域の各行において同一パターンであり、前記第2層目転送電極のパターンは該ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行において複数列単位で異なる2種類のパターンを有する。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、上記固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、前記垂直転送レジスタ手段から水平転送レジスタ手段への各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、各信号電荷が転送されるダミー領域における第1ダミー部がm/2相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、前記水平転送レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベルに固定し、残りの第2層目転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から少なくとも1枚はハイレベルに固定し、前記第1ダミー領域および第2ダミー領域のそれぞれの第2ダミー部において、少なくとも1枚はローレベルに固定しており、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
本発明にあっては、画素領域垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの境界部に、2層の転送電極が垂直方向に交互に設けられ、n枚(n≧2k、kは2以上の整数)の転送電極を1組として、n相駆動により信号電荷を垂直方向に転送するダミー領域垂直転送レジスタが設けられている。
このダミー領域垂直転送レジスタは、各列がn枚の転送電極を1組として、同じ行に対して第2層目転送電極に異なるタイミングで制御信号(クロック信号)を印加可能に配線されている。
例えば、それぞれn枚の転送電極からなる第1ダミー領域および第2ダミー領域において、第1層目転送電極は同じ行に同じタイミングで制御信号が印加されるように配線され、第2層目転送電極は同じ行に異なるタイミングで制御信号印加可能に配線されている。
また、それぞれn枚の転送電極からなる第1ダミー部および第2ダミー部を有する第1ダミー領域〜第3ダミー領域において、第3ダミー領域の第1層目転送電極は第1ダミー領域および第2ダミー領域における同じ行の第1層目転送電極と同じタイミングで制御信号が印加されるように配線され、第1ダミー部の第2層目転送電極は第1ダミー領域における同じ行の第2層目転送電極と異なるタイミングで制御信号印加可能に配線され、第2ダミー部の第2層目転送電極は第2ダミー領域における同じ行の第2層目転送電極と異なるタイミングで制御信号印加可能に配線されていてもよい。
この第2層目転送電極への制御信号(クロック信号)のタイミングを制御することによって、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを列単位で制御することができる。例えば、信号電荷が読み出されるダミー領域がn相駆動により動作している間に、信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、水平転送レジスタに近い方から1枚目はローレベル、残りの第2層目転送電極はハイレベルに固定する。これによって、ローレベルに設定された転送電極で囲まれた領域に信号電荷が保持される。従って、列単位で読み出し時間に差を設けて、信号を分割して読み出すことが可能となる。
さらに、ダミー領域の第1層目転送電極と画素領域の第1層目転送電極とに同じタイミングで制御信号を印加したり、ダミー領域におけるn相の転送電極と、画素領域におけるn相の転送電極とを、対応する転送電極間で共通に配線することによって、端子数の削減を図ることが可能となる。
他の本発明にあっては、画素領域垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの境界部に、2層の転送電極が垂直方向に交互に設けられ、m/2枚(m≧2j、jは3以上の整数)の転送電極を1組として、m/2相駆動により信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー部と、画素領域垂直転送レジスタの転送電極のうち、水平転送レジスタに近い方から2枚の転送電極を含む第2ダミー部とを有するダミー領域転送レジスタが設けられている。
このダミー領域垂直転送レジスタは、各列がm/2枚+2の転送電極を1組として、同じ行に対して第2層目転送電極に異なるタイミングで制御信号を印加可能に配線されている。
例えば、それぞれm/2枚の転送電極からなる第1ダミー部において、第1層目転送電極は第1ダミー領域および第2ダミー領域で同じ行に同じタイミングで制御信号が印加されるように配線され、第2層目転送電極は第1ダミー領域および第2ダミー領域で同じ行に異なるタイミングで制御信号印加可能に配線されている。また、画素領域の転送電極のうち、水平転送レジスタに近い方から2枚の転送電極を含む第2ダミー部において、2枚の転送電極に画素領域とは異なるタイミングで制御信号が印加可能に配線されていると共に、第1層目転送電極は第1ダミー領域および第2ダミー領域で同じ行に同じタイミングで制御信号が印加されるように配線され、第2層目転送電極は第1ダミー領域および第2ダミー領域で同じ行に異なるタイミングで制御信号印加可能に配線されている。
このように同じ行の第1層目転送電極に同じタイミングで制御信号が印加され、第2層目転送電極に異なるタイミングで制御信号印加可能に配線するために、第1層目転送電極のパターンはダミー領域垂直転送レジスタの各行において同一パターンとされ、第2層目転送電極のパターンはダミー領域垂直転送レジスタの各行において複数列単位で異なる2種類のパターンとされている。
この第2層目転送電極への制御信号(クロック信号)の印加タイミングを制御することによって、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを列単位で制御することができる。例えば、信号電荷が読み出されるダミー領域において第1ダミー部がm/2相駆動により動作している間に、信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、水平転送レジスタに近い方から1枚目をローレベルに固定し、残りの第2層目転送電極のうち、水平転送レジスタに近い方から少なくとも1枚はハイレベルに固定し、第2ダミー部において少なくとも1枚はローレベルに固定する。これによって、ローレベルに設定された転送電極で囲まれた領域に信号電荷が保持される。従って、列単位で読み出し時間に差を設けて、信号を分割して読み出すことが可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、2層ゲートプロセスによる簡単な構成の転送電極を用いて、画素領域垂直転送レジスタと水平転送レジスタの境界部に、2層目転送電極のみ異なるタイミングで制御信号を印加できるように配線したダミー領域を設けて、駆動タイミングを制御する。これによって、列単位で読み出し時間に差を設けて垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを行うことが可能となる。その結果、先行して読み出された信号電荷を水平転送レジスタの下側に設けた掃き出しドレインから排出して、その後に続く信号電荷を出力することによって、水平方向のデータ数を間引くことが可能となる。
また、先行して読み出された信号電荷を水平方向へ移動させた後、その後に続く信号電荷を読み出して、水平方向に隣接する同じ色の信号を加算することによって、水平方向のデータ数を間引くことも可能となる。その結果、水平方向のデータ量を減少させてフレームレートを向上させることが可能となる。
以下に、本発明の固体撮像装置の実施形態1〜4をCCDイメージセンサに適用した場合について図面を参照しながら説明する。
(実施形態1)
本実施形態1では、6行4列の画素配列において、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを2回に分ける場合について説明する。
図1は、本発明のCCDイメージセンサの実施形態1における概略構成を示す平面図である。
図1において、CCDイメージセンサ10は、構成が簡単な2層ゲートプロセスにより作製された6相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサである。
このCCDイメージセンサ10は、受光部としてのフォトダイオード1、トランスファゲート2、画素領域垂直転送レジスタ3a、ダミー領域垂直転送レジスタ3b、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7を有している。ダミー領域垂直転送レジスタ3bと、ダミー領域垂直転送レジスタ3bに垂直転送制御信号を出力する制御部(図示せず)とによってダミー領域垂直転送レジスタ手段が構成されている。
フォトダイオード1は、半導体基板上の画素領域にマトリックス状に複数配列されて設けられており、その前面に、ベイヤー配列でR、G、Bの各カラーフィルタが設けられている。
画素領域垂直転送レジスタ3aは、フォトダイオード1の各列に隣接して設けられ、それぞれトランスファーゲート2を介してフォトダイオード1と接続されている。
この画素領域垂直レジスタ3aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2、ΦV4およびΦV6と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1、ΦV3およびΦV5とが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態1ではn=6、k=3)の転送電極を1組として、n相駆動によりフォトダイオード1から読み出された信号電荷が垂直方向に転送される。ゲートΦV1〜ΦV6には一般的な6相駆動のタイミングで垂直転送制御信号が制御部(図示せず)から印加され、信号電荷はゲート4枚分の蓄積部とゲート2枚分のバリア部で保持される。
モニタリングモードにおいては、トランスファーゲート2に読み出しパルスが印加されることにより、トランスファーゲート2を介してフォトダイオード1からR、G、B全ての色成分が垂直転送レジスタ3aに読み出される。その後、ゲートΦV1〜ΦV6に与えられる垂直転送制御信号を制御することによって、ゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。
画素領域垂直転送レジスタ3aと水平転送レジスタ4との間(境界部分)には、ダミー領域垂直転送レジスタ3bが設けられている。このダミー領域垂直転送レジスタ3bは、2列のA−A’列に第1ダミー領域としてのダミー領域Aが設けられ、また、2列のB−B’列に第2ダミー領域としてのダミー領域Bが設けられている。
A−A’列のダミー領域Aは、画素領域垂直転送レジスタ3aと同じゲート配置であり、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2、ΦV4およびΦV6と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1、ΦV3およびΦV5とが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態1ではn=6、k=3)の転送電極を1組として、n相駆動により画素領域垂直転送レジスタ3aからの信号電荷が垂直方向に転送される。このダミー領域AにおけるゲートΦV1〜ΦV6と、画素領域垂直レジスタ3aにおけるゲートΦV1〜ΦV6とは、対応するゲート間で共通に配線されており、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。
また、B−B’列のダミー領域Bは、画素領域垂直転送レジスタ3aと異なるゲート配置であり、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2、ΦV4およびΦV6と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aとが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態1ではn=6、k=3)の転送電極を1組として、n相駆動により画素領域垂直転送レジスタ3aからの信号電荷が垂直方向に転送される。このダミー領域Bにおける1層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV6は、ダミー領域Aにおける同じ行の2層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV5と同じパターンである。ダミー領域Bにおける1層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV6は、ダミー領域Aと同様に、画素領域垂直レジスタ3aにおける1層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV6と、対応するゲート間で共通に配線されており、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Bにおける2層目ゲートΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aは、ダミー領域Aにおける同じ行の2層目ゲートΦV1、ΦV3およびΦV5とは異なるパターンである。ダミー領域Bにおける2層目ゲートΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aと、画素領域垂直レジスタ3aにおける2層目ゲートΦV1、ΦV3およびΦV5とは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
水平転送レジスタ4は、垂直転送レジスタ3と垂直な方向(直角方向で横方向)に設けられている。この水平転送レジスタ4は、第1層目転送電極ΦH1および第2層目転送電極ΦH2が水平方向に交互に設けられている。転送電極ΦH1およびΦH2に与えられる2相の水平転送クロック信号を制御することによって、信号電荷が水平方向に電荷検出部5まで転送される。水平転送レジスタ4によって転送された信号電荷は、電荷検出部5によって検出され、出力アンプ6から出力される。
掃き出しドレイン7は、水平転送レジスタ4の下部(図面での下部)に隣接して設けられている。このCCDイメージセンサ10では、不要な電荷を行単位で掃き出しドレイン7に排出させることによって、行方向のラインデータの他に、列方向のデータ(信号電荷)をも間引くことが可能となる。
次に、このCCDイメージセンサ10の動作について説明する。ここでは、説明を簡単にするため、図1のA−A’列とB−B’列における信号電荷の転送状態について、説明する。
まず、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について説明する。
図2は、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV6、ΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aのそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図3AはA−A’列においてtb1〜tb13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図3BはB−B’列においてtb1〜tb13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはtb1〜tb13で構成されている。
垂直転送レジスタ3a、3bから水平転送レジスタ4に一括して信号読み出しを行う場合には、図2に示すように、B−B’列のダミー領域Bに設けられたゲートΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aには、それぞれ、画素領域およびA−A’列のダミー領域Aに設けられたΦV1、ΦV3およびΦV5と同じタイミングでクロック信号を印加して、6相駆動タイミングにより駆動する。
このため、A−A’列では、画素領域において図2に示すようなゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動タイミングにより図3Aに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域においても図2に示すようなゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動タイミングにより図3Aに示すように信号電荷が順次転送される。また、B−B’列では、画素領域において図2に示すようなゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動タイミングにより図3Bに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域においては図2に示すようなゲートΦV1A、ΦV2、ΦV3A、ΦV4、ΦV5AおよびΦV6の6相駆動タイミングにより図3Bに示すように信号電荷が順次転送される。
これにより、図3Aおよび図3Bに示すように、A−A’列とB−B’列とは同じポテンシャル推移で動作する。A−A’列とB−B’列における垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号電荷の転送は、時間tb1から始まって時間tb13で同時に完了する。このとき、行方向のラインデータ(信号電荷)が不要であれば、その行方向のラインデータ(信号電荷)を掃き出しドレイン7側に排出してデータを間引くことが可能となる。
次に、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを2分割して行う場合について説明する。
図4は、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを2分割して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV6、ΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aのそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図5AはA−A’列においてta1〜ta25の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図5BはB−B’列においてta1〜ta25の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはta1〜ta25で構成されている。また、この転送サイクルには、B−B’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行うta1〜ta13と、A−A’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行うta13〜ta25とが含まれている。
まず、ta1〜ta13の期間における動作について説明する。
図5Bに示すB−B’列において、ゲートΦV1A、ΦV2、ΦV3A、ΦV4、ΦV5AおよびΦV6で構成され、水平転送レジスタ4に最も近いダミー領域Bのパケットに蓄積された信号電荷B11は、図4に示すような6相駆動タイミングにより、ta1〜ta13の期間において水平転送レジスタ4に転送される。
この間、図5Bに示すB−B’列において、ゲートΦV1〜ゲートΦV6で構成される他のパケットや、図5Aに示すA−A’列において全てのパケットでは、図4に示すように1層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV6に通常の6相駆動タイミングと同じクロック信号が印加されている。しかしながら、水平転送レジスタ4に近い2層目ゲートΦV5がローレベル、その他の2層目ゲートΦV1AおよびΦV3がハイレベルに固定されているため、B−B’列において、ゲートΦV1〜ゲートΦV6で構成される他のパケットに蓄積された信号電荷と、A−A’列において全てのパケットに蓄積された信号電荷とは、ゲートΦV5で囲まれたパケットの範囲に保持される。このため、ta1〜ta13の期間においてはA−A’列の垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号電荷の読み出しは行われない。
なお、ta5〜ta7の期間においては、一時的に一つのパケット内の信号電荷が二つのパケットに分割される状態が発生するが、ta8において再度合成、復元されるため、問題は生じない。
次に、ta13〜ta25の期間における動作について説明する。
図4に示すように、ta13〜ta25の期間においては、ゲートΦV1〜ΦV6、ΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aの全てのゲートに通常の6相駆動と同じタイミングでクロック信号が印加される。これにより、A−A’列およびB−B’列の信号電荷は全て1パケット分(垂直転送レジスタ1段分)、水平転送レジスタ4の方向へ転送される。
但し、B−B’列の水平転送レジスタ4に最も近いパケットの信号電荷B11は、ta1〜ta13の期間において既に読み出されており、ta13においては空パケットとなっている。このため、ta13〜ta25の期間において新たに水平転送レジスタ4へ読み出される信号は、A−A’列の水平転送レジスタ4に最も近いパケットの信号電荷A11だけである。
このように、B−B’列の垂直転送レジスタ3a,3bでは、ta1〜ta13の期間に水平転送レジスタ4への信号読み出し動作が行われる。続いて、A−A’列の垂直転送レジスタ3a,3bからは、ta13〜ta25の期間に水平転送レジスタ4への信号読み出し動作が行われる。それと同時に、その他すべての信号電荷に対して、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルも完了する。その結果、A−A’列およびB−B’列の読み出し時間に、ta13〜ta25(実際に有効となる時間差としてはB−B’列の信号読み出しが完了してからA−A’列の信号の水平転送レジスタ4への読み出しが始まるまでのta13〜ta15)の差を設けた読み出しを実現することが可能となる。
なお、本実施形態1では、端子数を減らすために、B−B’列のゲートΦV1A、ΦV3AおよびΦV5Aに対応するA−A’列の2層目ゲートΦV1、ΦV3およびΦV5の配線を、画素領域垂直転送レジスタ3aの2層目ゲートΦV1、ΦV3およびΦV5と共通化している。また、1層目ゲートΦV2、ΦV4およびΦV6においては、画素領域およびダミー領域とも、同じゲート配線としている。しかしながら、画素領域とダミー領域とで全く異なる端子を設定して、異なるタイミングで動作させても同じ効果が得られることは明らかである。
また、本実施形態1では、6相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサ10について説明したが、これに限られず、6相以外のn相駆動(n≧2k、kは2以上の整数)垂直転送レジスタ3a,3bを有するCCDイメージセンサやインターライン転送型以外のCCDイメージセンサについても本実施形態1を適用できることは明らかである。また、本実施例は2層ゲートプロセスにより該電極構成を実現しているが、2層ゲートプロセスのかわりに3層ゲート以上の多層ゲートプロセスを使用し同一電極構成とした場合でも同じ効果が得られることは明らかである。本実施形態1のCCDイメージセンサの駆動方法についても、上述した方法に限られず、様々な駆動方法が可能である。
(実施形態2)
本実施形態2では、4行6列の画素配列において、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを3回に分ける場合について説明する。
図6は、本発明のCCDイメージセンサの実施形態2における概略構成を示す平面図である。
図6において、CCDイメージセンサ20は、2層ゲートプロセスにより作製された4相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサである。
このCCDイメージセンサ20は、受光部としてのフォトダイオード1、トランスファゲート2、画素領域垂直転送レジスタ3a、ダミー領域垂直転送レジスタ3b、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7を有している。これらのフォトダイオード1、トランスファーゲート2、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7については、上記実施形態1の場合と同様の構成であるため、ここではその説明は省略する。
画素領域垂直レジスタ3aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2およびΦV4と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1およびΦV3とが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態ではn=4、k=2)の転送電極を1組として、n相駆動によりフォトダイオード1から読み出された信号電荷が垂直方向に転送される。ゲートΦV1〜ΦV4には一般的な4相駆動のタイミングで垂直転送制御信号が印加され、信号電荷はゲート2枚分の蓄積部とゲート2枚分のバリア部で保持される。
画素領域垂直転送レジスタ3aと水平転送レジスタ4との境界部には、ダミー領域垂直転送レジスタ3bが設けられている。このダミー領域垂直転送レジスタ3bは、2列のA−A’列に第1ダミー領域としてのダミー領域Aが設けられ、2列のB−B’列に第3ダミー領域としてのダミー領域Bが設けられ、2列のC−C’列に第2ダミー領域としてのダミー領域Cが設けられている。
A−A’列のダミー領域Aは第1ダミー部としてのダミー部aおよび第2ダミー部としてのダミー部a’によって構成されている。また、B−B’列のダミー領域Bは第1ダミー部としてのダミー部bおよび第2ダミー部としてのダミー部b’によって構成されている。また、C−C’列のダミー領域Cは第1ダミー部としてのダミー部cおよび第2ダミー部としてのダミー部c’によって構成されている。
ダミー領域Aのダミー部aは、画素領域垂直転送レジスタ3aと同じゲート配置であり、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2およびΦV4と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1およびΦV3とが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態2ではn=4、k=2)の転送電極を1組として、n相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。このダミー部aにおけるゲートΦV1〜ΦV4と、画素領域垂直レジスタ3aにおけるゲートΦV1〜ΦV4とは、対応するゲート間で共通に配線されており、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。
また、ダミー領域Aのダミー部a’と、ダミー領域Bのダミー部bおよびb’と、ダミー領域Cのダミー部cとは、画素領域垂直転送レジスタ3aと異なるゲート配置であり、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2およびΦV4と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1AおよびΦV3Aとが垂直方向に交互に設けられている。n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態2ではn=4、k=2)の転送電極を1組として、n相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。ダミー領域Aのダミー部a’と、ダミー領域Bのダミー部bおよびb’と、ダミー領域Cのダミー部cとにおける1層目ゲートΦV2およびΦV4は、ダミー領域Aのダミー部aおよびダミー領域Cのダミー部c’における同じ行の1層目ゲートΦV2およびΦV4と同じパターンである。ダミー領域Aのダミー部a’と、ダミー領域Bのダミー部bおよびb’と、ダミー領域Cのダミー部cとにおける1層目ゲートΦV2およびΦV4は、ダミー領域Aのダミー部aと同様に、画素領域垂直レジスタ3aにおける1層目ゲートΦV2およびΦV4と、対応するゲート間で共通に配線されており、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Aのダミー部a’およびダミー領域Bのダミー部b’における2層目ゲートΦV1AおよびΦV3Aは、ダミー領域Cのダミー部c’における同じ行の2層目ゲートΦV1BおよびΦV3Bとは異なるパターンである。また、ダミー領域Bのダミー部bと、ダミー領域Cのダミー部cとにおける2層目ゲートΦV1AおよびΦV3Aは、ダミー領域Aのダミー部aにおける同じ行の2層目ゲートΦV1およびΦV3とは異なるパターンである。そして、ダミー領域Aのダミー部a’と、ダミー領域Bのダミー部bおよびb’と、ダミー領域Cのダミー部cとにおける2層目ゲートΦV1AおよびΦV3Aと、画素領域垂直レジスタ3aにおける2層目ゲートΦV1およびΦV3とは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
さらに、ダミー領域Cのダミー部c’は、画素領域垂直転送レジスタ3aと異なるゲート配置であり、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2およびΦV4と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1BおよびΦV3Bとが垂直方向に交互に設けられている。そして、n枚(n≧2k、kは2以上の整数、本実施形態ではn=4、k=2)の転送電極を1組として、n相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。ダミー領域Cのダミー部c’における1層目ゲートΦV2およびΦV4は、ダミー領域Aのダミー部a’およびダミー領域Bのダミー部b’における同じ行の1層目ゲートΦV2およびΦV4と同じパターンである。ダミー領域Cのダミー部c’における1層目ゲートΦV2およびΦV4は、ダミー領域Aのダミー部aと同様に、画素領域垂直レジスタ3aにおける1層目ゲートΦV2およびΦV4と、対応するゲート間で共通に配線されており、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Cのダミー部c’における2層目ゲートΦV1BおよびΦV3Bは、ダミー領域Aのダミー部a’およびダミー領域Bのダミー部b’における同じ行の2層目ゲートΦV1AおよびΦV3Aとは異なるパターンである。ダミー領域Cのダミー部c’における2層目ゲートΦV1BおよびΦV3Bと、画素領域垂直レジスタ3aにおける2層目ゲートΦV1およびΦV3とは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。また、ダミー領域Cのダミー部c’における2層目ゲートΦV1BおよびΦV3Bと、ダミー領域Aのダミー部a’とダミー領域Bのダミー部bおよびb’とダミー領域Cのダミー部cとにおける2層目ゲートΦV1AおよびΦV3Aとは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
上記構成により、このCCDイメージセンサ20の動作について説明する。ここでは、その動作説明を簡単にするために、図6のA−A’列とB−B’列とC−C’列とにおける信号電荷の転送状態について説明する。
まず、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について説明する。
図7は、垂直転送レジスタ3a、3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV4、ΦV1A、ΦV1B、ΦV3AおよびΦ3Bのそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図8AはA−A’列においてtd1〜td9の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図8BはB−B’列においてtd1〜td9の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図8CはC−C’列においてtd1〜td9の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはtd1〜tb9で構成されている。
垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4に一括して信号読み出しを行う場合には、図7に示すように、ゲートΦV1AおよびΦV1BにはゲートΦV1と同じタイミングでクロック信号が印加されて4層駆動タイミングにより駆動される。また、ゲートΦV3AおよびΦV3BにはゲートΦV3と同じタイミングでクロック信号が印加されて4相駆動タイミングにより駆動される。
このため、A−A’列では、画素領域において図7に示すようなゲートΦV1〜ΦV4の4相駆動タイミングにより図8Aに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域Aのダミー部aでは図7に示すようなゲートΦV1〜ΦV4の4相駆動タイミングにより図8Aに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Aのダミー部a’では図7に示すようなゲートΦV1A、ΦV2、ΦV3AおよびΦV4の4相駆動タイミングにより図8Aに示すように信号電荷が順次転送される。
また、B−B’列では、画素領域において図7に示すようなゲートΦV1〜ΦV4の4相駆動タイミングにより図8Bに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域Bでは図7に示すようなゲートΦV1A、ΦV2、ΦV3AおよびΦV4の4相駆動タイミングにより図8Bに示すように信号電荷が順次転送される。
さらに、C−C’列では、画素領域において図7に示すようなゲートΦV1〜ΦV4の4相駆動タイミングにより図8Cに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域Cのダミー部cでは図7に示すようなゲートΦV1A、ΦV2、ΦV3AおよびΦV4の4相駆動タイミングにより図8Cに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Cのダミー部c’では図7に示すようなゲートΦV1B、ΦV2、ΦV3BおよびΦV4の4相駆動タイミングにより図8Cに示すように信号電荷が順次転送される。
これにより、図8に示すように、A−A’列とB−B’列とC−C’列とは同じポテンシャル推移で動作する。A−A’列とB−B’列とC−C’列とにおける垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号電荷の転送は、td1から始まってtb9で同時に完了する。
次に、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを3分割して行う場合について説明する。
図9は、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを3分割して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV4、ΦV1A、ΦV1、ΦV3AおよびΦV3Bのそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図10AはA−A’列においてtc1〜tc25の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図10BはB−B’列においてtc1〜tc25の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図10CはC−C’列においてtc1〜tc25の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはtc1〜tc25で構成されている。また、この転送サイクルには、C−C’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行うtc1〜tc9と、B−B’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行うtc9〜tc17と、A−A’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行うtc17〜tc25とが含まれている。
まず、tc1〜tc9の期間における動作について説明する。
図10Cに示すC−C’列において、ゲートΦV1B、ΦV2、ΦV3BおよびΦV4で構成され、水平転送レジスタ4に最も近いダミー部c’のパケットに蓄積された信号電荷C11は、図9に示すような4相駆動タイミングにより、tc1〜tc9の期間において信号電荷が水平転送レジスタ4に転送される。
この間、ゲートΦV1〜ゲートΦV4、ΦV1AおよびΦV3Aで構成される他のダミー部a、a’、b、b’およびcや画素領域のパケットでは、図9に示すように1層目ゲートΦV2およびΦV4に通常の4相駆動タイミングと同じクロック信号(ローレベル)が印加されている。しかしながら、水平転送レジスタ4に近い2層目ゲートΦV3およびΦV3Aがローレベル、その他の2層目ゲートΦV1およびΦV1Aがハイレベルに固定されているため、ゲートΦV1〜ゲートΦV4、ΦV1AおよびΦV3Aで構成される他のダミー部a、a’、b、b’およびcや画素領域のパケットに蓄積された信号電荷は、ゲートΦV3およびΦV3Aで囲まれたパケットの範囲に保持される。このため、tc1〜tc9の期間においてはA−A’列とB−B’列との垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号電荷の読み出しは行われない。
なお、tc4〜tc7の期間においては、一時的に一つのパケット内の信号電荷が二つのパケットに分割される状態が発生するが、tc8〜tc9において再度合成、復元されるため、問題は生じない。
次に、tc9〜tc17の期間における動作について説明する。
図9に示すように、tc9〜tc17の期間においては、ゲートΦV1〜ΦV4、ΦV1A、ΦV1B、ΦV3AおよびΦV3Bの全てのゲートに通常の4相駆動と同じタイミングでクロック信号が印加される。これにより、図10A〜Cに示すように、A−A’列とB−B’列とC−C’列との信号電荷は全て1パケット分(垂直転送レジスタ1段分)、水平転送レジスタ4の方向へ転送される。
但し、C−C’列の水平転送レジスタ4に最も近いパケットの信号電荷C11は、tc1〜tc9の期間において既に読み出され、tc9において水平転送レジスタ4に最も近いパケットも空パケットとなっている。このため、tc9〜tc17の期間において新たに水平転送レジスタ4へ読み出される信号は、B−B’列の水平転送レジスタ4に最も近いパケットの信号電荷B11だけである。
また、A−A’列の水平転送レジスタ4に最も近いダミー部a’のパケットには、次のtc17〜tc25の期間に相当する転送動作により、予めダミー部b’と転送段数1段分の時間差が設けられている。よって、A−A’列の水平転送レジスタ4に最も近いパケットは、tc9において空パケットとなっており、水平転送レジスタ4に信号が読み出されることはない。
次に、tc17〜tc25の期間における動作について説明する。
図10A〜Cに示すように、ゲートΦV1A、ΦV1B、ΦV2、ΦV3A、ΦV3BおよびΦV4で構成されたダミー部a’、b、b’、c、c’のパケットに蓄積された信号電荷が、図9に示すような4相駆動タイミングにより、tc17〜tc25の期間において水平転送レジスタ4の方向へ転送される。これにより、ダミー部a’に蓄積された信号電荷は水平転送レジスタ4へ、ダミー部bに蓄積された信号電荷はダミー部b’へ、ダミー部cに蓄積された信号電荷はダミー部c’へ、それぞれ転送される。
また、tc17においてダミー部b’およびc’は空パケットとなっているため、tc17〜tc25で新たに水平転送レジスタ4へ読み出される信号は、A−A’列の水平転送レジスタ4に最も近いダミー部a’のパケットに蓄積された信号電荷A11だけである。
この間、ゲートΦV1〜ΦV4で構成されるダミー部aおよび画素領域のパケットに蓄積された信号電荷は、ゲートΦV1がハイレベル、ΦV3がローレベルに固定されているため、ゲートΦV3で囲まれたパケットの範囲に保持される。このため、tc17〜tc25の期間においては、A−A’列のダミー部aからダミー部a’への信号電荷の転送や、B−B’列とC−C’列との画素領域からそれぞれ対応したダミー部bおよびcへの信号電荷の転送は行われない。
このように、C−C’列の垂直転送レジスタ3a,3bでは、tc1〜tc9の期間に水平転送レジスタ4への信号読み出し動作が行われる。続いて、B−B’列の垂直転送レジスタ3a,3bからは、tc9〜tc17の期間に水平転送レジスタ4への信号読み出し動作が行われる。続いて、A−A’列の垂直転送レジスタ3a,3bからは、tc17〜tc25の期間に水平転送レジスタ4への信号読み出し動作が行われる。それと同時に、その他すべての信号電荷に対して、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルも完了する。その結果、A−A’列およびB−B’列の読み出し時間に、tc17〜tc25(実際に有効となる時間差としてはB−B’列の信号読み出しが完了してからA−A’列の信号の水平転送レジスタ4への読み出しが始まるまでのtc17〜tc19)の差を設けた読み出しを実現することが可能となる。また、B−B’列およびC−C’列の読み出し時間に、tc9〜tc17(実際に有効となる時間差としてはC−C’列の信号読み出しが完了してからB−B’列の信号の水平転送レジスタ4への読み出しが始まるまでのtc9〜tc11)の差を設けた読み出しを実現することが可能となる。
(実施形態3)
本実施形態3では、5行4列の画素配列において、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを2回に分ける場合について説明する。
図11は、本発明のCCDイメージセンサの実施形態3における概略構成を示す平面図である。
図11において、CCDイメージセンサ30は、2層ゲートプロセスにより作製された6相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサである。
このCCDイメージセンサ30は、受光部としてのフォトダイオード1、トランスファゲート2、画素領域垂直転送レジスタ3a、ダミー領域垂直転送レジスタ3b、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7を有している。これらのフォトダイオード1、トランスファーゲート2、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7については、上記実施形態1、2の場合と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
画素領域垂直レジスタ3aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV1、ΦV3およびΦV5と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV2、ΦV4およびΦV6とが垂直方向に交互に設けられている。m枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態3ではm=6、j=3)の転送電極を1組として、n相駆動によりフォトダイオード1から読み出された信号電荷が垂直方向に転送される。ゲートΦV1〜ΦV6には一般的な6相駆動のタイミングで制御信号が印加され、信号電荷はゲート4枚分の蓄積部とゲート2枚分のバリア部で保持される。
画素領域垂直転送レジスタ3aと水平転送レジスタ4との境界部には、ダミー領域垂直転送レジスタ3bが設けられている。このダミー領域垂直転送レジスタ3bは、2列のA−A’列に第1ダミー領域としてのダミー領域Aが設けられ、2列のB−B’列に第2ダミー領域としてのダミー領域Bが設けられている。
A−A’列のダミー領域Aは第1ダミー部としてのダミー部aおよび第2ダミー部としてのダミー部a’によって構成されている。また、B−B’列のダミー領域Bは第1ダミー部としてのダミー部bおよび第2ダミー部としてのダミー部b’によって構成されている。
ダミー領域Aのダミー部aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV7およびΦV9と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV8Aとが垂直方向に交互に設けられている。m/2枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態3ではm/2=3、j=3)の転送電極を1組として、m/2相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。
また、ダミー領域Aのダミー部a’は、画素領域垂直転送レジスタ3aのゲートΦV1〜ΦV6のうち、水平転送レジスタ4に近い方から2枚のゲートをΦV5’およびΦV6Aとして含んでいる。これらのゲートΦV5’およびΦV6Aには、垂直転送制御信号として画素領域のゲートΦV5およびΦV6とは異なるタイミングでクロック信号が印加できるように配線されている。
また、ダミー領域Bのダミー部bは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV7およびΦV9と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV8Bとが垂直方向に交互に設けられている。m/2枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態3ではm/2=3、j=3)の転送電極を1組として、m/2相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。ダミー領域Bのダミー部bにおける1層目ゲートΦV7およびΦV9は、ダミー領域Aのダミー部aにおける同じ行の1層目ゲートΦV7およびΦV9と同じパターンである。ダミー領域Aのダミー部aおよびダミー領域Bのダミー部bにおける1層目ゲートΦV7およびΦV9は、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Aのダミー部aにおける2層目ゲートΦV8Aは、ダミー領域Bのダミー部bにおける同じ行の2層目ゲートΦV8Bとは異なるパターンである。ダミー領域Aのダミー部aにおける2層目ゲートΦV8Aと、ダミー領域Bのダミー部bにおける2層目ゲートΦV8Bとは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
また、ダミー領域Bのダミー部b’は、画素領域垂直転送レジスタ3aのゲートΦV1〜ΦV6のうち、水平転送レジスタに近い方から2枚のゲートをΦV5’およびΦV6Bとして含んでいる。これらのゲートΦV5’およびΦV6Aには、垂直転送制御信号として画素領域のゲートΦV5およびΦV6とは異なるタイミングでクロック信号が印加できるように配線されている。また、ダミー領域Bのダミー部b’における1層目ゲートΦV5’は、ダミー領域Aのダミー部a’における同じ行の1層目ゲートΦV5’と同じパターンである。ダミー領域Aのダミー部a’およびダミー領域Bのダミー部b’における1層目ゲートΦV5’は、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Aのダミー部a’における2層目ゲートΦV6Aは、ダミー領域Bのダミー部b’における同じ行の2層目ゲートΦV6Bとは異なるパターンである。ダミー領域Aのダミー部a’における2層目ゲートΦV6Aと、ダミー領域Bのダミー部b’における2層目ゲートΦV6Bとは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
上記構成により、このCCDイメージセンサ30の動作について説明する。ここでは、説明を簡単にするために、図11のA−A’列とB−B’列とにおける信号電荷の転送状態について説明する。
まず、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について説明する。
図12は、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV6、ΦV5’、ΦV6A、ΦV6B、Φ7、ΦV8A、ΦV8BおよびΦV9のそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図13AはA−A’列においてtf1〜tf13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図13BはB−B’列においてtf1〜tf13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはtf1〜tf13で構成されている。
垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4に一括して信号読み出しを行う場合には、図12に示すように、ゲートΦV5’にはゲートΦV5と同じタイミングでクロック信号(ローレベル)が印加され、ゲートΦV6AおよびΦ6BにはゲートΦ6と同じタイミングでクロック信号が印加されて6層駆動タイミングにより駆動される。また、ゲートΦV8BにはΦV8Aと同じタイミングでクロック信号(ローレベル)が印加されて3相駆動タイミングにより駆動される。
このため、A−A’列では、画素領域において図12に示すようなゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動タイミングにより図13Aに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域Aのダミー部a’では図12に示すようなゲートΦV5’およびΦ6Aの6相駆動タイミングにより図13Aに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Aのダミー部aでは図12に示すようなゲートΦV7、ΦV8AおよびΦV9の3相駆動タイミングにより図13Aに示すように信号電荷が順次転送される。
また、B−B’列では、画素領域において図12に示すようなゲートΦV1〜ΦV6の6相駆動タイミングにより図13Bに示すように信号電荷が順次転送される。ダミー領域Bのダミー部b’では図12に示すようなゲートΦV5’およびΦ6Bの6相駆動タイミングにより図13Bに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Bのダミー部bでは図12に示すようなゲートΦV7、ΦV8BおよびΦV9の3相駆動タイミングにより図13Bに示すように信号電荷が順次転送される。
これにより、図13に示すように、A−A’列とB−B’列とは同じポテンシャル推移で動作する。A−A’列とB−B’列とにおける垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号電荷の転送は、時間tf1から始まって時間tf13で同時に完了する。
次に、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを分割して行う場合について説明する。
図14は、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを分割して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV6、ΦV5’、ΦV6A、ΦV6B、Φ7、ΦV8A、ΦV8bおよびΦV9のそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図15AはA−A’列においてte1〜te13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図15BはB−B’列においてte1〜te13の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはte1〜te13で構成されている。また、この転送サイクルには、B−B’列において水平転送レジスタ4への転送動作を行う期間te1〜te7と、A−A’列において水平転送レジスタへの転送動作を行う期間te7〜te13とが含まれている。
まず、te1〜te7の期間における動作について説明する。
図15Bに示すB−B’列において、ゲートΦV7、Φ8BおよびΦV9で構成され、水平転送レジスタに最も近いダミー部bのパケットに蓄積された信号電荷B11は、図14に示すような3相駆動タイミングにより、te1〜tee7の期間において水平転送レジスタへ転送される。
この間、ゲートΦV1〜ゲートΦV6で構成される画素領域では、図14に示すような通常の6相駆動により垂直転送レジスタ内を信号電荷が順次転送され、ダミー領域に最も近いパケットの信号電荷はゲートΦV3とΦV5’とで囲まれたゲートΦV4下のパケットに転送される。また、図15Aに示すA−A’列において、水平転送レジスタに近い方から1枚目の2層目ゲートΦV8Aがローレベル、残りの2層目ゲートのうち、水平転送レジスタに近い方から少なくとも1枚のゲートΦ6Aがハイレベル、ダミー部a’およびダミー部b’において少なくとも1枚のゲートΦV5’がローレベルに固定されているため、ダミー部aに蓄積されている信号電荷は、ΦV5’とΦV8Aとで囲まれたパケットの範囲に保持される。このため、te1〜te7の期間においては、A−A’列の垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号電荷の読み出し転送は行われない。
なお、te2〜te5の期間においては、一時的に信号電荷が垂直転送レジスタ内で逆方向に転送される状態が発生するが、te6〜te7において再度順方向に転送、復元されるため、問題は生じない。
次に、te7〜te13の期間における動作について説明する。
図14に示すように、te7〜te13の期間においては、ゲートΦV4、ΦV5’、Φ6A、Φ6B、Φ7、Φ8A、Φ8BおよびΦ9に通常の3相駆動と同じタイミングでクロック信号(ローレベル)が印加される。これにより、図15に示すように、A−A’列とB−B’列とにおいてダミー部aおよびダミー部bのパケットに蓄積された信号は水平転送レジスタへ転送される。
但し、B−B’列 の水平転送レジスタに最も近いパケットの信号電荷B11は、tc1〜tc9の期間において既に読み出されており、te7においては空パケットとなっている。このため、te7〜te13の期間において新たに水平転送レジスタへ読み出される信号は、ダミー部aに蓄積された信号電荷A11だけである。
また、ダミー領域に最も近い画素領域のゲートΦV3とΦV5’とで囲まれたゲートΦV4下のパケットに蓄積された信号電荷は、ダミー部aおよびbのゲートΦV7下のパケットまで転送される。
このように、B−B’列の垂直転送レジスタでは、te1〜te7の期間に水平転送レジスタへの信号読み出し動作が行われる。続いて、A−A’列の垂直転送レジスタからは、te7〜te13の期間に水平転送レジスタへの信号読み出し動作が行われる。それと同時に、その他すべての信号電荷に対して、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルも完了する。その結果、A−A’列およびB−B’列の読み出し時間に、te7〜te13(実際に有効となる時間差としてはB−B’列の信号読み出しが完了してからA−A’列の信号の水平転送レジスタへの読み出しが始まるまでのte7〜te9)の差を設けた読み出しを実現することが可能となる。
なお、本実施形態3では、6相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサ30について説明したが、これに限られず、6相以外のm相駆動(m≧2j、jは3以上の整数)垂直転送レジスタを有するCCDイメージセンサやインターライン転送型以外のCCDイメージセンサについても本実施形態3を適用できることは明らかである。また、本実施例は2層ゲートプロセスにより該電極構成を実現しているが、2層ゲートプロセスのかわりに3層ゲート以上の多層ゲートプロセスを使用し同一電極構成とした場合でも同じ効果が得られることは明らかである。本実施形態3のCCDイメージセンサ30の駆動方法についても、上述した方法に限られず、様々な駆動方法が可能である。
(実施形態4)
本実施形態4では、7行4列の画素配列において、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを2回に分ける場合について説明する。
図16は、本発明のCCDイメージセンサの実施形態4における概略構成を示す平面図である。
図16において、CCDイメージセンサ40は、2層ゲートプロセスにより作製された8相駆動垂直転送レジスタを有するインターライン転送型CCDイメージセンサである。このCCDイメージセンサ40は、受光部としてのフォトダイオード1、トランスファゲート2、画素領域垂直転送レジスタ3a、ダミー領域垂直転送レジスタ3b、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7を有している。これらのフォトダイオード1、トランスファーゲート2、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出力アンプ6および掃き出しドレイン7については、上記実施形態1の場合と同様であるため、ここではその説明を省略する。
画素領域垂直レジスタ3aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV2、ΦV4、ΦV6およびΦV8と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV1、ΦV3、ΦV5およびΦV7とが垂直方向に交互に設けられている。m枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態4ではm=8、k=4)の転送電極を1組として、n相駆動によりフォトダイオード1から読み出された信号電荷が垂直方向に転送される。ゲートΦV1〜ΦV8には一般的な8相駆動のタイミングが印加され、信号電荷はゲート6枚分の蓄積部とゲート2枚分のバリア部で保持される。
画素領域垂直転送レジスタ3aと水平転送レジスタ4との間(境界部)には、ダミー領域垂直転送レジスタ3bが設けられている。このダミー領域垂直転送レジスタ3bは、2列のA−A’列に第1ダミー領域としてのダミー領域Aが設けられ、2列のB−B’列に第2ダミー領域としてのダミー領域Bが設けられている。
A−A’列のダミー領域Aは第1ダミー部としてのダミー部aおよび第2ダミー部としてのダミー部a’によって構成されている。また、B−B’列のダミー領域Bは第1ダミー部としてのダミー部bおよび第2ダミー部としてのダミー部b’によって構成されている。
ダミー領域Aのダミー部aは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV10およびΦV12と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV9Aおよび11Aとが垂直方向に交互に設けられている。そして、m/2枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態ではm/2=4、j=4)の転送電極を1組として、m/2相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。
また、ダミー領域Aのダミー部a’は、画素領域垂直転送レジスタ3aのゲートΦV1〜ΦV8のうち、水平転送レジスタに近い方から2枚のゲートをΦV7AおよびΦV8’として含んでいる。これらのゲートΦV7AおよびΦV8’には、垂直転送制御信号として画素領域のゲートΦV7およびΦV8とは異なるタイミングでクロック信号が印加できるように配線されている。
また、ダミー領域Bのダミー部bは、第1層目転送電極(1層目ゲート)ΦV10およびΦV12と、第2層目転送電極(2層目ゲート)ΦV9Bおよび11Bとが垂直方向に交互に設けられている。m/2枚(m≧2j、jは3以上の整数、本実施形態4ではm/2=3、j=3)の転送電極を1組として、m/2相駆動により信号電荷が垂直方向に転送される。ダミー領域Bのダミー部bにおける1層目ゲートΦV10およびΦV12は、ダミー領域Aのダミー部aにおける同じ行の1層目ゲートΦV10およびΦV12と同じパターンである。ダミー領域Aのダミー部aおよびダミー領域Bのダミー部bにおける1層目ゲートΦV10およびΦV12は、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Aのダミー部aにおける2層目ゲートΦV9Aおよび11Aは、ダミー領域Bのダミー部bにおける同じ行の2層目ゲートΦV9Bおよび11Bとは異なるパターンである。ダミー領域Aのダミー部aにおける2層目ゲートΦV9AおよびΦV11Aと、ダミー領域Bのダミー部bにおける2層目ゲートΦV9BおよびΦV11Bとは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
また、ダミー領域Bのダミー部b’は、画素領域垂直転送レジスタ3aのゲートΦV1〜ΦV8のうち、水平転送レジスタに近い方から2枚のゲートをΦV7BおよびΦV8’として含んでいる。これらのゲートΦV7BおよびΦV8’には、垂直転送制御信号として画素領域のゲートΦV7およびΦV8とは異なるタイミングでクロック信号が印加できるように配線されている。また、ダミー領域Bのダミー部b’における1層目ゲートΦV8’は、ダミー領域Aのダミー部a’における同じ行の1層目ゲートΦV8’と同じパターンである。ダミー領域Aのダミー部a’およびダミー領域Bのダミー部b’における1層目ゲートΦV8’は、垂直転送制御信号として同じクロック信号が印加されるように配線されている。また、ダミー領域Aのダミー部a’における2層目ゲートΦV7Aは、ダミー領域Bのダミー部b’における同じ行の2層目ゲートΦV7Bとは異なるパターンである。そして、ダミー領域Aのダミー部a’における2層目ゲートΦV7Aと、ダミー領域Bのダミー部b’における2層目ゲートΦV7Bとは、垂直転送制御信号として異なるクロック信号が印加できるように配線されている。
次に、このCCDイメージセンサ40の動作について説明する。ここでは、簡単のため、図16のA−A’列とB−B’列とにおける信号電荷の転送状態について説明する。
まず、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを一括して行う場合について説明する。
図17は、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV8、ΦV7A、ΦV7B、ΦV8’、ΦV9A、ΦV9B、ΦV10、ΦV11A、ΦV11BおよびΦV12のそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図18AはA−A’列においてth1〜th17の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図18BはB−B’列においてth1〜th17の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはth1〜th17で構成されている。
垂直転送レジスタから水平転送レジスタに一括して信号読み出しを行う場合には、図17に示すように、ゲートΦV7AおよびΦV7BにはゲートΦV7と同じタイミングでクロック信号が印加され、ゲートΦV8’にはゲートΦ8と同じタイミングでクロック信号が印加されて8層駆動タイミングにより駆動される。また、ゲートΦV9BおよびΦV11Bには、それぞれゲートΦV9AおよびΦV11Aと同じタイミングでクロック信号が印加されて4相駆動タイミングにより駆動される。
このため、A−A’列では、画素領域において図17に示すようなゲートΦV1〜ΦV8の8相駆動タイミングにより図18Aに示すように信号電荷が順次転送される。そして、ダミー領域Aのダミー部a’では図17に示すようなゲートΦ7AおよびΦV8’の8相駆動タイミングにより図18Aに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Aのダミー部aでは図17に示すようなゲートΦV9A、ΦV10、ΦV11AおよびΦV12の4相駆動タイミングにより図18Aに示すように信号電荷が順次転送される。
また、B−B’列では、画素領域において図17に示すようなゲートΦV1〜ΦV8の8相駆動タイミングにより図18Bに示すように信号電荷が順次転送される。そして、ダミー領域Bのダミー部b’では図17に示すようなゲートΦ7BおよびΦV8’の8相駆動タイミングにより図18Bに示すように信号電荷が順次転送される。また、ダミー領域Bのダミー部bでは図17に示すようなゲートΦV9B、ΦV10、ΦV11BおよびΦV12の4相駆動タイミングにより図18Bに示すように信号電荷が順次転送される。
これにより、図18に示すように、A−A’列とB−B’列とは同じポテンシャル推移で動作する。A−A’列とB−B’列とにおける垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号電荷の転送は、th1から始まってth17で同時に完了する。
次に、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを分割して行う場合について説明する。
図19は、垂直転送レジスタ3a,3bから水平転送レジスタ4への信号読み出しを分割して行う場合について、ゲートΦV1〜ΦV8、ΦV7A、ΦV7B、ΦV8’、ΦV9A、ΦV9B、ΦV10、ΦV11A、ΦV11BおよびΦV12のそれぞれの駆動タイミングを示す波形図である。また、図20AはA−A’列においてtg1〜tg17の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図であり、図20BはB−B’列においてtg1〜tg17の各時間に対応する信号の転送状態を示すポテンシャル図である。ここでは、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルはtg1〜tg17で構成されている。また、この転送サイクルには、B−B’列において水平転送レジスタへの転送動作を行うtg1〜tg9と、A−A’列において水平転送レジスタへの転送動作を行うtg9〜te17とが含まれている。
まず、tg1〜tg9の期間における動作について説明する。
図20Bに示すB−B’列において、ゲートΦV9B、ΦV10、ΦV11BおよびΦV12で構成され、水平転送レジスタに最も近いダミー部bのパケットに蓄積された信号電荷B11は、図19に示すような4相駆動タイミングにより、tg1〜tg9の期間において水平転送レジスタへ転送される。
この間、ゲートΦV1〜ゲートΦV8で構成される画素領域では、図19に示すような通常の8相駆動により垂直転送レジスタ内を信号電荷が順次転送され、ダミー領域に最も近いパケットの信号電荷はゲートΦV4とΦV7AおよびΦV7Bとで囲まれたゲートΦV5およびΦV6下のパケットに転送される。また、図20Aに示すA−A’列において、水平転送レジスタに近い方から1枚目の2層目ゲートΦV11Aがローレベル、残りの2層目ゲートのうち、水平転送レジスタに近い方から少なくとも1枚のゲートΦ9Aがハイレベル、ダミー部a’およびダミー部b’において少なくとも1枚のゲートΦV7AおよびΦV7Bがローレベルに固定されているため、ダミー部aに蓄積されている信号電荷は、ΦV7AとΦV11Aとで囲まれたパケットの範囲に保持される。このため、tg1〜tg9の期間においては、A−A’列の垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号電荷の読み出し転送は行われない。
なお、tg4〜tg7の期間においては、一時的に信号電荷が垂直転送レジスタ内で逆方向に転送される状態が発生するが、tg8〜tg9において再度順方向に転送、復元されるため、問題は生じない。
次に、tg9〜tg17の期間における動作について説明する。
図19に示すように、tg9〜tg19の期間においては、ゲートΦV5、ΦV6、ΦV7A、ΦV7B、ΦV8’、ΦV9A、ΦV10、ΦV11A、ΦB11B、ΦV12に通常の4相駆動と同じタイミングでクロック信号(ローレベル)が印加される。これにより、図20に示すように、A−A’列とB−B’列とにおいてダミー部aおよびダミー部bのパケットに蓄積された信号は水平転送レジスタへ転送される。
但し、B−B’列 の水平転送レジスタに最も近いパケットの信号電荷B11は、tg1〜tg9の期間において既に読み出されており、tg9においては空パケットとなっている。このため、tg9〜tg17の期間において新たに水平転送レジスタへ読み出される信号は、ダミー部aに蓄積された信号電荷A11だけである。
また、ダミー領域に最も近い画素領域のゲートΦV4とΦV7AおよびΦV7Bとで囲まれたゲートΦV5およびΦV6下のパケットに蓄積された信号電荷は、ダミー部aおよびbのゲートΦV9A、ΦV9BおよびΦ10下のパケットまで転送される。
このように、B−B’列の垂直転送レジスタでは、tg1〜tg9の期間に水平転送レジスタへの信号読み出し動作が行われる。続いて、A−A’列の垂直転送レジスタからは、tg9〜tg17の期間に水平転送レジスタへの信号読み出し動作が行われる。それと同時に、その他すべての信号電荷に対して、垂直転送レジスタ1段当たりの転送サイクルも完了する。その結果、A−A’列およびB−B’列の読み出し時間に、tg9〜tg17(実際に有効となる時間差としてはB−B’列の信号読み出しが完了してからA−A’列の信号の水平転送レジスタへの読み出しが始まるまでのtg9〜tg11)の差を設けた読み出しを実現することが可能となる。
以上、実施形態1〜実施形態4を用いて本発明の固体撮像装置およびその駆動方法について説明したが、各実施形態を組み合せることによってさらに多様な固体撮像装置およびその駆動方法を実現することができることは明らかである。
例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラなどの撮像デバイスとして用いられる固体撮像装置の分野において、構成が簡単な2層の転送電極により垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを列毎に制御することができる。
本発明のCCDイメージセンサの実施形態1における概略構成を示す平面図である。 図1のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図1のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図1のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図1のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図1のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図1のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 本発明のCCDイメージセンサの実施形態2における概略構成を示す平面図である。 図6のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図6のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図6のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図6のC−C’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図6のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図6のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図6のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図6のC−C’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 本発明のCCDイメージセンサの実施形態3における概略構成を示す平面図である。 図11のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図11のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図11のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図11のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図11のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図11のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 本発明のCCDイメージセンサの実施形態4における概略構成を示す平面図である。 図16のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図16のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図16のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを一括して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図16のCCDイメージセンサにおいて、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の駆動タイミングを示す信号波形図である。 図16のA−A’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 図16のB−B’部において、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しを分割して行う場合の信号読み出し状態を示すポテンシャル図である。 従来のCCDイメージセンサの概略構成例を示す平面図である。 従来のCCDイメージセンサの他の概略構成例を示す平面図である。 従来のCCDイメージセンサの駆動方法を説明するための図である。
符号の説明
1 フォトダイオード
2 トランスファーゲート
3a 画素領域垂直転送レジスタ
3b ダミー領域垂直転送レジスタ
4 水平転送レジスタ
5 電荷検出部
6 出力アンプ
7 掃き出しドレイン
10、20、30,40 CCDイメージセンサ

Claims (11)

  1. 基板上に行および列方向にマトリックス状に設けられた複数の受光部から読み出された各信号電荷を、複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段により各列方向にそれぞれ転送し、その転送した各信号電荷を水平転送レジスタ手段により水平方向に転送して読み出す固体撮像装置において、
    該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段と水平転送レジスタ手段との間にそれぞれ、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ各列毎に転送制御可能とした複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段がそれぞれ設けられ、該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ列毎に転送して該水平転送レジスタ手段にそれぞれ出力するものであり、
    該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段および複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に複数設けられ、n枚(n≧2k、kは2以上の整数)の転送電極を1組として、n相駆動により前記受光部から読み出された信号電荷を垂直方向に転送し、
    該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段は、
    第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、n枚の転送電極を1組として、n相駆動により前記画素領域垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー領域と、
    第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、n枚の転送電極を1組として、当該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、n相駆動により該垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送する第2ダミー領域とを有する固体撮像装置。
  2. 前記水平転送レジスタ手段の近傍位置に設けられ、該水平転送レジスタ手段からの不要な信号電荷を排出可能とする掃き出しドレイン手段を更に有した請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記第1層目転送電極のパターンは前記ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行方向において同一パターンであり、前記第2層目転送電極のパターンは該ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行方向において複数列単位で異なる2種類のパターンを有する請求項1に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第1ダミー領域および第2ダミー領域はそれぞれ、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが列方向に交互に設けられたn枚の転送電極からなる第1ダミー部と第2ダミー部とが垂直方向に連続してそれぞれ設けられ、
    前記第1ダミー領域と第2ダミー領域との間に、第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられたn枚の転送電極からなる第1ダミー部と第2ダミー部とが垂直方向に連続してそれぞれ設けられ、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域および第2ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第1ダミー部の第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加され、該第2ダミー部の第2層目転送電極は該第2ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、n相駆動により該画素領域垂直転送レジスタ手段からの信号電荷を垂直方向に転送可能とする第3ダミー領域を更に有した請求項1に記載の固体撮像装置。
  5. 前記第1ダミー領域におけるn相の転送電極と、前記画素領域垂直レジスタ手段におけるn相の転送電極とは、対応する転送電極間で共通に配線されている請求項1に記載の固体撮像装置。
  6. 請求項1に記載の固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記垂直転送レジスタ手段から前記水平転送レジスタ手段への各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、
    各信号電荷が転送されるダミー領域がn相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、前記水平転送レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベル、残りの第2層目転送電極をハイレベルにする固体撮像装置の駆動方法。
  7. 請求項4に記載の固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記垂直転送レジスタ手段から前記水平転送レジスタへの各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、
    各信号電荷が転送されるダミー領域がn相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における各ダミー部の第2層目転送電極のうち、前記水平レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベル、残りの第2層目転送電極をハイレベルにする固体撮像装置の駆動方法。
  8. 前記画素領域垂直転送レジスタ手段の第1層目転送電極と、前記ダミー領域垂直転送レジスタ手段の第1層目転送電極とに対して、対応する転送電極間で同じタイミングで制御信号を印加する請求項6または7に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  9. 基板上に行および列方向にマトリックス状に設けられた複数の受光部から読み出された各信号電荷を、複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段により各列方向にそれぞれ転送し、その転送した各信号電荷を水平転送レジスタ手段により水平方向に転送して読み出す固体撮像装置において、
    該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段と水平転送レジスタ手段との間にそれぞれ、該複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ各列毎に転送制御可能とした複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段がそれぞれ設けられ、該複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷をそれぞれ列毎に転送して該水平転送レジスタ手段にそれぞれ出力するものであり、
    複数列の画素領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、前記受光部に隣接して第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に複数設けられ、m枚(m≧2j、jは3以上の整数)の転送電極を1組として、m相駆動により該受光部から読み出された各信号電荷を垂直方向にそれぞれ転送し、
    前記複数列のダミー領域垂直転送レジスタ手段はそれぞれ、
    該画素領域垂直転送レジスタ手段と前記水平転送レジスタ手段との間に、
    第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、m/2枚の転送電極からなり、m/2相駆動により該画素領域垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー部と、該画素領域垂直転送レジスタ手段においてm枚で構成された1組の転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から2枚の転送電極を含み、該2枚の転送電極に画素領域とは異なるタイミングで転送制御信号が印加される第2ダミー部とを連続して有する第1ダミー領域と、
    第1層目転送電極と第2層目転送電極とが垂直方向に交互に設けられ、m/2枚の転送電極を1組として、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加されて、m/2相駆動により該垂直転送レジスタ手段からの各信号電荷を垂直方向に転送する第1ダミー部と、該画素領域垂直転送レジスタ手段においてm枚で構成された1組の転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から2枚の転送電極を含み、該2枚の転送電極に画素領域とは異なるタイミングで転送制御信号が印加されると共に、該2枚の転送電極のうち、該第1層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第1層目転送電極と同じタイミングで転送制御信号が印加され、該第2層目転送電極は該第1ダミー領域における同じ行方向の第2層目転送電極と異なるタイミングで転送制御信号が印加される第2ダミー部とを連続して有する第2ダミー領域と有する固体撮像装置。
  10. 前記第1層目転送電極のパターンは前記ダミー領域垂直転送領域の各行において同一パターンであり、前記第2層目転送電極のパターンは該ダミー領域垂直転送レジスタ手段の各行において複数列単位で異なる2種類のパターンを有する請求項9に記載の固体撮像装置。
  11. 請求項9または10に記載の固体撮像装置を駆動する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記垂直転送レジスタ手段から水平転送レジスタ手段への各信号電荷の転送を列単位で制御するべく、
    各信号電荷が転送されるダミー領域における第1ダミー部がm/2相駆動により動作している間に、各信号電荷が保持されるダミー領域における第2層目転送電極のうち、前記水平転送レジスタ手段に近い方から1枚目をローレベルに固定し、残りの第2層目転送電極のうち、該水平転送レジスタ手段に近い方から少なくとも1枚はハイレベルに固定し、前記第1ダミー領域および第2ダミー領域のそれぞれの第2ダミー部において、少なくとも1枚はローレベルに固定する固体撮像装置の駆動方法。
JP2003275021A 2003-07-15 2003-07-15 固体撮像装置およびその駆動方法 Expired - Fee Related JP4212095B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003275021A JP4212095B2 (ja) 2003-07-15 2003-07-15 固体撮像装置およびその駆動方法
US10/893,023 US7148524B2 (en) 2003-07-15 2004-07-15 Solid-state imaging device and method for driving the same
CNB2004100684498A CN100440527C (zh) 2003-07-15 2004-07-15 固态成像器件及其驱动方法
KR1020040055314A KR100628781B1 (ko) 2003-07-15 2004-07-15 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법
TW093121159A TWI254451B (en) 2003-07-15 2004-07-15 Solid-state imaging device and method for driving the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003275021A JP4212095B2 (ja) 2003-07-15 2003-07-15 固体撮像装置およびその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005039561A JP2005039561A (ja) 2005-02-10
JP4212095B2 true JP4212095B2 (ja) 2009-01-21

Family

ID=34074532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003275021A Expired - Fee Related JP4212095B2 (ja) 2003-07-15 2003-07-15 固体撮像装置およびその駆動方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7148524B2 (ja)
JP (1) JP4212095B2 (ja)
KR (1) KR100628781B1 (ja)
CN (1) CN100440527C (ja)
TW (1) TWI254451B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7443432B2 (en) * 2004-06-15 2008-10-28 Digital Imaging Systems Gmbh Suppression of noise in pixel VDD supply
US7636119B2 (en) * 2005-12-21 2009-12-22 Eastman Kodak Company Image sensor for still or video photography
JP4759450B2 (ja) * 2006-06-12 2011-08-31 富士フイルム株式会社 Ccd型固体撮像素子の駆動方法及びccd型固体撮像装置
JP4786446B2 (ja) * 2006-07-19 2011-10-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ
JP2008028646A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Fujifilm Corp Ccd型固体撮像装置及びその駆動方法
JP4688766B2 (ja) * 2006-09-21 2011-05-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ
JP4814112B2 (ja) 2007-01-22 2011-11-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
US7893981B2 (en) * 2007-02-28 2011-02-22 Eastman Kodak Company Image sensor with variable resolution and sensitivity
WO2011077630A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ
WO2011129039A1 (ja) * 2010-04-15 2011-10-20 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US20110317048A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Aptina Imaging Corporation Image sensor with dual layer photodiode structure
CN112383726B (zh) * 2020-10-30 2021-07-23 厦门大学 一种ccd高速信号采集方法和装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511772B2 (ja) 1995-12-21 2004-03-29 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、カメラ装置及びカメラシステム
JP3102557B2 (ja) * 1997-08-07 2000-10-23 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2000115643A (ja) * 1998-10-06 2000-04-21 Sony Corp 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像素子、並びに撮像カメラ
JP3922853B2 (ja) * 1999-12-07 2007-05-30 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
WO2003107661A1 (ja) * 2002-06-12 2003-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像方法および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100440527C (zh) 2008-12-03
KR100628781B1 (ko) 2006-09-29
US7148524B2 (en) 2006-12-12
TW200516765A (en) 2005-05-16
TWI254451B (en) 2006-05-01
JP2005039561A (ja) 2005-02-10
CN1577881A (zh) 2005-02-09
US20050017154A1 (en) 2005-01-27
KR20050008544A (ko) 2005-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7002630B1 (en) Method of driving solid-state imaging device, solid-state imaging device and camera
JP3469801B2 (ja) 固体撮像装置
CN101873443B (zh) 固态成像装置、驱动其的方法和摄像机系统
JP4212095B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
US6185270B1 (en) Solid state imaging device and method for driving the same
JP4078741B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム
JP4579072B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置
US20050035927A1 (en) Solid state imaging device, driving method therefor, and imaging apparatus
JP4393242B2 (ja) 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法
JP2001053267A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム
JP2000138943A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム
EP1014700B1 (en) Method of driving a solid-state image sensor
JPH06104292A (ja) シフトレジスタ
US20080094495A1 (en) Solid-state image capturing device, method for driving the solid-state image capturing device, and electronic information device
JP2000134540A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2000115643A (ja) 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像素子、並びに撮像カメラ
JP4303950B2 (ja) 電荷転送素子の駆動方法及び固体撮像素子の駆動方法
JP4423451B2 (ja) 固体撮像装置
JP3392607B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH0723294A (ja) 固体撮像装置
JP4022054B2 (ja) 固体撮像装置
JP2003060185A (ja) 固体撮像装置及びその制御方法
JP2004200592A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP2000197066A (ja) 固体撮像素子、その信号処理方法およびカメラシステム
JP4377531B2 (ja) 撮像素子および撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081027

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081027

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees