JP4192075B2 - 磁気記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
Roy Scheuerlein, et al.,A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell,「2000 ISSCC Digest of Technical Papers」,(米国),2000年2月,p.128-129 M Sato, et al.,Spin-Valve-Like Properties and Annealing Effect in Ferromagnetic Tunnel Junctions,「IEEE Trans.Mag.」,(米国),1997年,第33巻,第5号,p.3553-3555 M Sato, et al.,Spin-Valve-Like Properties of Ferromagnetic Tunnel Junctions,「Jpn.J.Appl.Phys.」,1997年,第36巻,Part 2,p.200-201 K Inomata, et al.,Spin-dependent tunneling between a soft ferromagnetic layer and hard magnetic nano particles,「Jpn.J.Appl.Phys.」,1997年,第36巻,Part 2,p.1380-1383
第1の実施形態は、下部金属層を磁気抵抗効果素子に対して余裕量を設けて形成せずに、下部金属層の側面の一部を磁気抵抗効果素子の側面と一致するように形成している。
第2の実施形態は、第1の実施形態における下部金属層の形状を変形させたものであり、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に、下部金属層が磁気抵抗効果素子を跨ぐ形状になっている。
第3の実施形態は、第2の実施形態の変形例である。第2の実施形態では、下部金属層の側面を磁気抵抗効果素子の3側面と一致させるのに対し、第3の実施形態では、下部金属層の側面を磁気抵抗効果素子の4側面と一致させる。
第4の実施形態は、第3の実施形態と同様の構造であるが、第3の実施形態と製造方法が異なる。
第5の実施形態では、上記各実施形態において、磁気抵抗効果素子の側面に絶縁保護膜を設ける例である。
第6の実施形態は、上記各実施形態に、読み出し用スイッチング素子を用いない構造を適用した例である。
Claims (7)
- 第1の絶縁膜上に、金属層、磁気抵抗効果膜、金属からなる第1のマスク層、及び第2のマスク層を順に形成する工程と、
前記第2のマスク層を磁気抵抗効果素子の素子形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記第2のマスク層を用いて前記第1のマスク層を前記素子形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記第1のマスク層を用いて前記磁気抵抗効果膜を前記素子形状にパターニングし、前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第1のマスク層及び前記金属層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストをセル毎に分離する分離形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記レジストを用いて前記金属層を前記分離形状にパターニングし、前記金属層の側面の一部を前記磁気抵抗効果素子の側面と一致させる工程と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。 - 前記金属層を前記分離形状にパターニングする際、前記第1のマスク層の一部を露出する前記分離形状の前記レジストを用いて前記第1のマスク層の前記一部を除去し、前記第1のマスク層に段差部を形成することを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 前記第1のマスク層を前記素子形状にパターニングした後に、前記第2のマスク層を除去する工程と、
前記金属層を前記分離形状にパターニングした後に、前記第1の絶縁膜、前記第1のマスク層及び前記金属層上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のマスク層の表面が露出するまで前記第2の絶縁膜を除去することで、前記第1のマスク層からなるコンタクトを自己整合的に形成する工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜は、CMPを用いて除去することを特徴とする請求項3に記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 前記第2のマスク層は、絶縁層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 第1の絶縁膜上に、金属層、磁気抵抗効果膜、金属からなる第1のマスク層、及び第2のマスク層を順に形成する工程と、
前記第2のマスク層を磁気抵抗効果素子の素子形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記第2のマスク層を用いて前記第1のマスク層を前記素子形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記第1のマスク層を用いて前記磁気抵抗効果膜を前記素子形状にパターニングし、前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第1のマスク層及び前記金属層上に第3のマスク層を形成する工程と、
前記第3のマスク層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストをセル毎に分離する分離形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記レジストを用いて前記第3のマスク層を前記分離形状にパターニングする工程と、
パターニングした前記第3のマスク層を用いて前記金属層を前記分離形状にパターニングし、前記金属層の側面の一部を前記磁気抵抗効果素子の側面と一致させる工程と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。 - 前記第3のマスク層は、絶縁層で形成されることを特徴とする請求項6に記載の磁気記憶装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003381506A JP4192075B2 (ja) | 2002-11-28 | 2003-11-11 | 磁気記憶装置の製造方法 |
US10/722,514 US6914284B2 (en) | 2002-11-28 | 2003-11-28 | Magnetic memory device and method of manufacturing the same |
US11/135,337 US7405087B2 (en) | 2002-11-28 | 2005-05-24 | Magnetic memory device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002346036 | 2002-11-28 | ||
JP2003381506A JP4192075B2 (ja) | 2002-11-28 | 2003-11-11 | 磁気記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193579A JP2004193579A (ja) | 2004-07-08 |
JP4192075B2 true JP4192075B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=32774864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003381506A Expired - Fee Related JP4192075B2 (ja) | 2002-11-28 | 2003-11-11 | 磁気記憶装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6914284B2 (ja) |
JP (1) | JP4192075B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4192075B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置の製造方法 |
JP2005317739A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置およびその製造方法 |
JP2006114762A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4516004B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置の製造方法 |
JP2009094104A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子 |
US9023219B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-05-05 | Everspin Technologies, Inc. | Method of manufacturing a magnetoresistive device |
JP5641026B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2014-12-17 | ソニー株式会社 | メモリ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165803A (en) | 1999-05-17 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
JP2002299584A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置 |
JP2003124445A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Nec Corp | 磁性記憶装置とその製造方法 |
JP2004111437A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
JP2004146687A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
JP4192075B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置の製造方法 |
JP4008857B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4142993B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-11-11 JP JP2003381506A patent/JP4192075B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-28 US US10/722,514 patent/US6914284B2/en not_active Expired - Fee Related
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2005
- 2005-05-24 US US11/135,337 patent/US7405087B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040173828A1 (en) | 2004-09-09 |
US7405087B2 (en) | 2008-07-29 |
JP2004193579A (ja) | 2004-07-08 |
US20050208682A1 (en) | 2005-09-22 |
US6914284B2 (en) | 2005-07-05 |
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