JP4160142B2 - ジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体、これよりなる発光高分子及びその製造方法 - Google Patents
ジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体、これよりなる発光高分子及びその製造方法Info
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は機能性高分子単量体として有用な有機シリコン(ケイ素)化合物のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体、これよりなる発光高分子及び前記ジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体と発光高分子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報通信産業の発達が加速されることによって、高度の性能を有する表示素子が要求されている。表示素子は、一般的に、発光型表示素子と非発光型表示素子に分けうる。発光型表示素子には陰極線管、電気発光表示素子(ELD)、発光ダイオード(LED)などがあり、非発光型表示素子には液晶表示素子などがある。
【0003】
表示素子の基本的な性能を示す指標には作動電圧、消費電力、輝度、コントラスト、応答時間、寿命、表示色などがある。
【0004】
非発光型表示素子中の一つの液晶表示素子は、軽くて消費電力が少ないという利点を有していて現在最も広く使われている。しかし、応答時間、コントラスト、視野角などの特性が満足できる水準にまで到達できなくて、まだ改善の余地が多い。このような問題点を解消できる次世代表示素子として電気発光素子が注目されている。
【0005】
電気発光素子は発光型表示素子の中の一つで、製造が容易で駆動電圧が低くて大量生産が容易だけでなく、薄型化できるという長所を有している。
【0006】
電気発光素子に用いられる発色材料には、無機材料と有機材料とがある。無機材料は電力消耗が比較的大きく、発光色が黄色中心であるので、カラー化のためにはさらに複雑な工程が要求されるという問題点がある。
【0007】
反面、発色材料として有機材料を使用すれば無機材料が有している限界が克服できることに期待されている。このような有機材料としてポリ(p−フェニレンビニレン:以下、PPVともいう)が知られている。ところが、この化合物は発光グループの間にアルキル、エチレンオキシドなどのような非共役スペーサグループを含んでいて臨界電圧が相対的に高い。このように、臨界電圧が高くなると発光高分子が損傷されるだけでなく、このような発光高分子を採用している電気発光素子を駆動させ難いという題点がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記問題点を解決するために有機シリコン化合物及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
本発明の他の目的は、臨界電圧特性が改善されると同時に青色から緑色までの色合いが具現できる発光高分子及びその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
最初の目的を達成するために本発明では、化学式1で示されるジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体を提供する:
【0011】
【化7】
【0012】
ただし、式中、R1 及びR2 はそれぞれ独立にフェニル基、−(CH=CH)k R3 (kは0ないし2の整数で、R3 は水素またはアルキル基である)であり、
X2 は水素、ハロゲン原子及びシアノ基よりなる群から選択される。
【0013】
ここで、R1 及びR2 はそれぞれ独立にメチル基、ブチル基またはフェニル基から選ばれることが好ましい。
【0014】
本発明の2番目の目的は、共役二重結合(conjugated double bond)の間にシリコン(ケイ素)が導入されている反復単位を含む化学式2の発光高分子によって達成される:
【0015】
【化8】
【0016】
ただし、式中、Yは
【0017】
【化9】
【0018】
R1 及びR2 はそれぞれ独立にフェニル基、−(CH=CH)k R3 (kは0ないし2の整数で、R3 は水素またはアルキル基である)であり、
R4 は水素、非置換の脂肪族炭化水素基、非置換の芳香族炭化水素基よりなる群から選択され、
nは1ないし100の整数である。
【0019】
ここで、化学式2の発光高分子の重量平均分子量は1000ないし20000の範囲が好ましい。
【0020】
望ましくは、前記発光高分子は特にYがN−アルキルカバゾールで、R1 とR2 がフェニル基である化学式4の化合物及びYがチオフェンで、R1 とR2 がフェニル基である化学式5の化合物である:
【0022】
【化11】
【0023】
【化12】
【0024】
ただし、式中、R4 は水素、非置換の脂肪族炭化水素基及び非置換の芳香族炭化水素基よりなる群から選択され、
nは1ないし100の整数である。
【0025】
本発明の3番目の目的は、ジアルキルジクロロシランAと有機金属化合物Bを反応させてジ−p−トリルジアルキルシランCを得る段階、及び
前記ジ−p−トリルジアルキルシランCとハロゲン化剤またはシアン化剤を反応させる段階を含むことを特徴とする化学式1のジ−p−ジアルキルシラン誘導体の製造方法によって達成される:
【0026】
【化13】
【0027】
ただし、式中、R1 及びR2 はそれぞれ独立にフェニル基、−(CH=CH)K R3 (kは0ないし2の整数で、R3 は水素またはアルキル基である)であり、
MはMgまたはLiで、
X1 はCl、BrまたはIで、
X2 は水素、Cl、Br、IまたはCNである。
【0028】
本発明の4番目の目的は、化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体をトリフェニルフォスフィンと反応させて対応するフォスホニウムDを形成する段階、及び
得られたフォスホニウムDをジアルデヒド化合物Eと反応させる段階を含むことを特徴とする化学式2の発光高分子の製造方法によりなる:
【0029】
【化14】
【0030】
【化15】
【0031】
ただし、式中、Yは
【0032】
【化16】
【0033】
R1 及びR2 はそれぞれ独立にフェニル基、−(CH=CH)k R3 (kは0ないし2の整数で、R3 は水素またはアルキル基である)であり、
X2 は水素、ハロゲン原子及びシアノ基よりなる群から選択され、
R4 は水素、非置換のC1 〜C24アルキル基、非置換の脂肪族炭化水素基、非置換の芳香族炭化水素基よりなる群から選択され、
nは1ないし100の整数である。
【0034】
【発明の実施の形態】
化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体は有機シリコン化合物であって、機能性高分子の単量体として非常に有用に使われうる。
【0035】
前記化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体とこれよりなる化学式2の発光高分子を製造する方法を調べる。
【0036】
まず、ジアルキルジクロロシランAと有機金属化合物Bを反応させてジ−p−トリルジアルキルシランCを得る。この反応では溶媒としてジエチルエーテルなどのようなエーテル類を使用し、有機金属化合物にはグリニャール試薬または有機リチウム化合物を使用する。
【0037】
その後、前記ジ−p−トリルジアルキルシランCとハロゲン化剤またはシアン化剤を反応させると、化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体が得られる。ここで、前記ハロゲン化剤にはN−ハロスクシンイミドを使用し、前記シアン化剤にはシアン化ナトリウムを使用する。ジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体Cとハロゲン化剤の反応にはベンゾイルパーオキシドなどのような過酸化物触媒を使用することが望ましい。そして、溶媒には四塩化炭素のような不活性溶媒を使用する。
【0038】
【化17】
【0039】
ただし、式中、R1 、R2 、M、X1 及びX2 は前述の通りである。
【0040】
化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体をトリフェニルフォスフィンと反応して対応するフォスホニウム塩Dを形成する。次いで、得られたフォスホニウムDをジアルデヒド化合物Eと反応させれば、化学式2の発光高分子を得ることができる。
【0041】
前記ジアルデヒド化合物Eは特に制限されていないが、テレフタルアルデヒド、カバゾールアルデヒド、チオフェンアルデヒドなどを使用する。
【0042】
【化18】
【0043】
ただし、式中、Y、R1 、R2 、X2 、R4 及びnは前述の通りである。
【0044】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明が下記実施例にだけ限定されるものではない。
【0045】
実施例によって製造された新規の化合物等の特性は、次のような分析機器を使用して評価した。
【0046】
IRと1 H−NMR分光法を利用してその構造を確認した。ここで、1 H−NMRスペクトルはブルッカー社製のもの(Brucker AM−200分光器及びAM300分光器)を使用して記録したが、このとき内部標準物質にはテトラメチルシランを使用した。
【0047】
IRスペクトルはパーキンエルマー社製のもの(Perkin−Elmer Spectrometer)を使用して記録した。そして、分子量はゲル透過クロマトグラフィー方法に測定したが、この際使用した機器はウオーターズ社製(Waters 510)であり、標準物質にはポリスチレンを使用した。
【0048】
UV吸収スペクトルは溶媒としてクロロホルムを使用し、島津製作所製(Shimadzu3101PC)分光光度器を使用して記録した。
【0049】
蛍光スペクトルはパーキンエルマー社製(Perkin−Elmer LS−50)蛍光分光光度計で記録した。このとき、増幅器には、室温で150Hzのパルス周波数を有するロックイン(lokein)増幅器を使用したし、光源にはXenon(λ=351nm)ランプを使用した。
【0050】
熱重量分析及び示差走査熱量分析は951TGA及び910SDSCモジュールが付着したデュポン社製(Dupont 990)熱分析器を用いて測定した。
【0051】
融点はフィッシャー−ジョーンズ社製(Fisher−Jones)融点測定装置を用いて測定した。
【0052】
<実施例1.ジ−p−トリルジブチルシラン(DTBS)の製造>
500mlの丸底フラスコにジクロロブチルシラン20gとマグネシウム5.0g及び無水エーテル43.4mlを添加した後、還流させた。この反応混合物にp−ブロモトルエン35.3gを無水エーテル18.5mlに溶解させたp−ブロモトルエンエーテル溶液を滴加した。
【0053】
前記反応混合物を2時間還流させた後、真空蒸留してエーテルを除去した。次いで、前記反応混合物を160℃で18時間加熱した。
【0054】
前記反応混合物に冷水を加えて沈殿物を形成させた後、得られた沈殿物を除去した。それから、反応混合物をエーテルで抽出し、得られたエーテル層を水、5%HCl水溶液、5%NaOH水溶液及び水で順次洗浄した。水層とエーテル層を分離した後、得られたエーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、分別蒸溜して黄色のジ−p−トリルジブチルシランを得た(収率:73%)。
【0055】
IR(neat、cm-1):1210、964、885(Si−脂肪族);1105、750(Si−Ph)
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):1.2−1.7(m、18H、Si−脂肪族);2.7(s、6H、アリールCH);7.5−7.8(q、8H、アリールCH)
<実施例2.ジ−p−トリルジフェニルシラン(DTPS)の製造>
500mlの丸底フラスコにジクロロジフェニルシラン38.1gとリチウム4.2g及び無水エーテル60を添加した後、還流させた。この反応混合物にp−ブロモトルエン51.3gを無水エーテル60mlに溶解させたp−ブロモトルエンエーテル溶液を滴加した。
【0056】
前記反応混合物を3時間還流した後、10%HCl水溶液9mlを添加して過量のリチウムを除去した。
【0057】
反応混合物を濾過し、真空蒸留して溶媒を除去して粗生成物を得た。次いで、得られた粗生成物をエタノールで再結晶してジ−p−トリルジフェニルシラン48gを白い粉末形態で得た(収率:90%)。
【0058】
IR(KBr、cm-1):1425、1105、700(Si−Ph)
1 H−NMR(DMSO−d6 、ppm):2.25(s、6H、アリールCH);7.2−7.6(m、18H、アリールCH)
<実施例3.ジ−(p−ブロモメチルフェニル)ジブチルシラン製造>
1000mlの丸底フラスコにジ−p−トリルジブチルシラン10gとN−ブロモスクシンイミド12.06g及びベンゾイルパーオキシド0.056gを添加した後、この混合物を四塩化炭素500mlで溶解させた。
【0059】
前記反応混合物を48時間還流させた後、50℃に温度を下げた。生成した沈殿物、すなわちスクシンイミドを除去した。次いで、反応混合物を蒸留して溶媒を除去した後、ヘキサン/エチルアセテート(体積比5:1)でシリカゲルクロマトグラフィーを実施して黄色のジ−(p−ブロモメチルフェニル)ジブチルシラン12gを得た(収率:74%)。
【0060】
IR(neat、cm-1):1210、964、885(Si−脂肪族);1105、750(Si−Ph);1410、1296、798(Ph−CH2 Br)
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):0.8−1.4(m、18H、Si−脂肪族);4.5(s、6H、アリールCH);7.4−7.5(q、8H、アリールCH)
<実施例4.ジ−p−(ブロモメチルフェニル)ジフェニルシラン製造>
100mlの丸底フラスコにジ−p−トリルジブチルシラン3gとN−ブロモスクシンイミド2.9g及びベンゾイルパーオキシド0.015gを添加した後、これを四塩化炭素50mlで溶解させた。
【0061】
前記反応混合物を24時間還流させた後、室温で冷却して沈殿物を形成した。次いで、生成した沈殿物、すなわちスクシンイミドを除去した後、蒸留して溶媒を除去し、水で洗浄した。
【0062】
前記結果物を四塩化炭素で再結晶してジ−p−ブロモメチルフェニルジフェニルシラン1.0gを得た(収率:30%)。
【0063】
融点:220℃
IR(KBr、cm-1):1425、1105、700(Si−Ph);1296、798(Ph−CH2 Br)
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):4.5(s、4H、アリールCH);7.2−7.5(m、18H、アリールCH)
<実施例5.ジ−p−(シアノメチルフェニル)ジブチルシランの製造>
100mlの丸底フラスコにジ−p−(ブロモメチルフェニル)ジブチルシラン2gとNaCN0.44gを添加した後、この混合物を24時間還流させた。
【0064】
前記反応混合物に水を添加した後、メチレンクロライドで抽出した。抽出されたメチレンクロライド層を水と飽和したNaCl水溶液に順次洗浄した後、水とメチレンクロライド層とを分離した。得られたメチレンクロライド層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、得られた結果物を蒸留して溶媒を除去し、ジ−p−(シアノメチルフェニル)ジブチルシランを得た(収率:80%)。
【0065】
IR(neat、cm-1):1210、964、885(Si−脂肪族);1105、750(Si−Ph);2250、(Ph−CH2 CN)
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):0.8−1.4(m、18H、Si−脂肪族);3.7(s、4H、アリールCH2 );7.4−7.5(q、8H、アリールCH)
<実施例6.ビス(p−トリルトリフェニルフォスホニウムブロマイド)ジブチルシラン>
100mlの丸底フラスコにジ−p−(ブロモメチルフェニル)ジブチルシラン2.15g、トリフェニルフォスフィン2.57g及びDMF10mlを添加した後、この混合物を24時間還流させた。
【0066】
前記反応混合物を室温で冷却した後、無水エチルアセテート500mlを添加して沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過して40℃で2日間真空乾燥してビス(p−トリルトリフェニルフォスホニウムブロマイド)ジブチルシランを得た(収率:55%)。
【0067】
IR(KBr、cm-1):1210、964、885(Si−脂肪族);1105、750(Si−Ph);1410、1296、798(Ph−CH2 Br);1435、741、698(PPh3 )
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):0.7−1.2(m、18H、Si−脂肪族);5.1(d、4H、アリールCH);7.0−8.0(m、38H、アリールCH)
<実施例7.ビス(p−トリルトリフェニルフォスホニウムブロマイド)ジフェニルシランの製造>
100mlの丸底フラスコにジ−p−(ブロモメチルフェニル)ジフェニルシラン1.0g、トリフェニルフォスフィン1.5g及びDMF10mlを添加した後、この反応混合物を24時間還流させた。
【0068】
前記反応混合物を室温で冷却した後、無水エチルアセテート300mlを添加して沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過して40℃で2日間真空乾燥してビス(p−トリルトリフェニルフォスホニウムブロマイド)ジフェニルシランを得た(収率:66%)。
【0069】
IR(KBr、cm−1):1425、1105、700(Si−Ph);1296、798(Ph−CH2 Br);1435、750、685(PPh3 )
1 H−NMR(CDCl3 、ppm):5.4(s、4H、アリールCH);7.1−7.8(m、40H、アリールCH)
<実施例8.化学式2の高分子(Yがベンゼンで、R 1 とR 2 がブチル基の場合:SiBuPPV)の製造>(ただし、実施例8は参考例である)
100mlの丸底フラスコにテレフタルアルデヒド(0.113g、0.99mmol)とビス(4−トリフェニルフォスホニウムトリルブロマイド)ジブチルシラン(1.0g、0.99mmol)を添加し、これをエタノール30ml及びクロロホルム10mlで溶解させた。前記反応混合物にナトリウム0.18gをエタノール10mlに溶解したナトリウムエトキシド溶液を滴加した。
【0070】
その後、反応混合物を12時間撹拌してフラスコの壁に形成されたペースト形態の生成物を収集した。
【0071】
前記結果物を真空オーブンで乾燥して粗生成物を得た。粗生成物をメチレンクロライドに溶解させた後、水で洗浄した。次いで、水とメチレンクロライド層とを分離し、得られたメチレンクロライド層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
【0072】
前記結果物から溶媒を蒸発させた後、40℃に調節された真空オーブンで2日間乾燥して黄色の目的物(SiBuPPV)を得た(収率:21%)。
【0073】
<実施例9.化学式2の高分子(Yがベンゼンで、R 1 とR 2 がフェニル基の場合:SiPhPPV)の製造>(ただし、実施例9は参考例である)
ビス(4−トリフェニルフォスホニウムトリルブロマイド)ジブチランシランの代わりにビス(4−トリフェニルフォスホニウムトリルブロマイド)ジフェニルシラン使用したことを除いては、実施例8と同じ方法で実施して目的物(SiPhPPV)を製造した(収率:26%)。
【0074】
<実施例10>
テレフタルアルデヒドの代わりにN−エチルヘキシル3、6−ホルミルカルバゾールを使用したことを除いては、実施例9と同じ方法で実施して目的物を得た(収率:27%)。
【0075】
<実施例11>
テレフタルアルデヒドの代わりにN−ヘキシル3、6−ホルミルカルバゾールを使用したことを除いては、実施例9と同じ方法で実施して目的物を得た(収率:32%)。
【0076】
<実施例12>
テレフタルアルデヒドの代わりに2、5−チオフェンカルボクサアルデヒド(2,5−thiophene carboxadialdehyde)を使用したことを除いては、実施例9と同じ方法で実施して化学式5の高分子を得た(収率:32%)。
【0077】
実施例8〜12によって製造された高分子の分光学的なデータ、すなわちDSC、IR、NMR、UV吸収及び発光スペクトルを図1〜6に示した。
【0078】
実施例8〜12によって製造された発光高分子の数平均分子量Mn と重量平均分子量Mw 及び分子量分布Mw /Mn を測定して下記の表1に示した。
【0079】
【表1】
【0080】
表1から、実施例8〜12によって製造された高分子の数平均分子量は1200〜2800の範囲であり、重量平均分子量は3700〜8300の範囲であり、そして分子量分布度は1.48〜3.0の範囲であった。
【0081】
一方、実施例8〜12によって製造された高分子のTde、チャー(char)収率、ガラス転移温度及びUV吸収スペクトル及び発光PLスペクトルの結果を測定して下記の表2に示した。ここでTdeは高分子の質量損失が最初に現れる時の温度であり、チャー収率は下記の式で表される。
【0082】
チャー収率(%)=(600℃まで加熱した時の残留物の量)(g)
/(初期試料の量)(g)×100
【0083】
【表2】
【0084】
表2から、実施例8〜12によって製造された高分子のUV吸収スペクトルは347〜387nmで最大吸収波長を示し、発光スペクトルは420〜520nmで最大吸収波長を示した。主鎖にケイ素だけを含有しているPPVのような発光高分子(実施例8〜9)は青色領域で発光ピークが現れ、主鎖にカルバゾールとケイ素を含有している発光高分子(実施例10〜11)は420nmで発光ピークが現れ、実施例8〜9の場合に比べて短波長の方に移動した。そしてチオフェンを含有している発光高分子(実施例12)は520nmで発光ピークが現れ、実施例8〜9の場合に比べて長波長の方に移動した。
【0085】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体は機能性高分子単量体として非常に有用である。このような化学式1のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体から形成された化学式2の発光高分子は共役二重結合の間にシリコンが導入されていて共役二重結合の電子移動を抑制する。その結果、青色から緑色までの色、特に青色が得られる。また、このような発光高分子を発色材料として採用する場合、通常の発光高分子に比べて臨界電圧特性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例8及び実施例9に従って製造された発光高分子のDSCスペクトルを示す図面である。
【図2】実施例8及び実施例9に従って製造された発光高分子のIRスペクトルを示す図面である。
【図3】実施例8、9及び12に従って製造された発光高分子のUV吸収スペクトルを示す図面である。
【図4】実施例10及び11に従って製造された発光高分子のUV吸収スペクトルを示す図面である。
【図5】実施例8、9及び12に従って製造された発光高分子の発光スペクトルを示す図面である。
【図6】実施例10及び11に従って製造された高分子の発光スペクトルを示す図面である。
Claims (13)
- 前記R1 及びR2 はそれぞれ独立にメチル基、ブチル基、またはフェニル基であることを特徴とする請求項1に記載のジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体。
- 重量平均分子量が1000ないし20000であることを特徴とする請求項3に記載の化学式2の発光高分子。
- 前記YがN−アルキルカルバゾールで、R1 及びR2 がフェニル基であることを特徴とする請求項3に記載の発光高分子。
- 前記Yがチオフェンで、R1 及びR2 がフェニル基であることを特徴とする請求項3に記載の発光高分子。
- 前記R1 及びR2 はそれぞれ独立にメチル基、ブチル基、またはフェニル基であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 重量平均分子量が1000ないし20000であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記Yがベンゼンで、R1 及びR2 がフェニル基であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記YがN−アルキルカルバゾール、R1 及びR2 がフェニル基であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記Yがチオフェンで、R1 及びR2 がフェニル基であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR97P464 | 1997-01-10 | ||
KR1019970000464A KR100235235B1 (ko) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 기능성고분자 단량체로 유용한 유기실리콘 화합물 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1149784A JPH1149784A (ja) | 1999-02-23 |
JP4160142B2 true JP4160142B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=19494383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00432998A Expired - Fee Related JP4160142B2 (ja) | 1997-01-10 | 1998-01-12 | ジ−p−トリルジアルキルシラン誘導体、これよりなる発光高分子及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5990335A (ja) |
JP (1) | JP4160142B2 (ja) |
KR (1) | KR100235235B1 (ja) |
CN (2) | CN1098855C (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001063358A1 (en) * | 2000-02-22 | 2001-08-30 | Brewer Science, Inc. | Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition |
USD743972S1 (en) * | 2013-02-22 | 2015-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphic user interface for a display screen or a portion thereof |
USD742390S1 (en) * | 2013-02-22 | 2015-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphic user interface for a display screen or a portion thereof |
RU2635559C1 (ru) * | 2016-08-04 | 2017-11-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук | Способ получения кремнийорганического соединения |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1252681B (de) * | 1963-04-19 | 1967-10-26 | Dow Corning Corporation, Midland, Mich. (V. St. A.) | Verfahren zur Herstellung von Arylsilanen |
US3347897A (en) * | 1963-12-24 | 1967-10-17 | Monsanto Res Corp | Haloaryl organodisilaalkane compounds and use therefor |
IL25441A (en) * | 1966-03-23 | 1972-01-27 | Zilkha A | Trialkylsilyl benzamide derivatives |
JPS58501178A (ja) * | 1981-06-19 | 1983-07-21 | ナシヨナル・リサ−チ・デイベロツプメント・コ−ポレイシヨン | 電場応答性(電気粘性)流体 |
JP3143550B2 (ja) * | 1993-10-22 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有する電子写真装置及び装置ユニット |
JP2800699B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1998-09-21 | 東亞合成株式会社 | 新規な分岐ポリシランおよびその製造方法 |
DE4442052A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Hoechst Ag | Konjugierte Polymere mit Hetero-Spiroatomen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
-
1997
- 1997-01-10 KR KR1019970000464A patent/KR100235235B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-08 US US09/004,300 patent/US5990335A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-09 CN CN98106183A patent/CN1098855C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-09 CN CNB021057710A patent/CN1182179C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-12 JP JP00432998A patent/JP4160142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1196355A (zh) | 1998-10-21 |
KR19980065454A (ko) | 1998-10-15 |
JPH1149784A (ja) | 1999-02-23 |
CN1379054A (zh) | 2002-11-13 |
CN1182179C (zh) | 2004-12-29 |
CN1098855C (zh) | 2003-01-15 |
US5990335A (en) | 1999-11-23 |
KR100235235B1 (ko) | 1999-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R371 | Transfer withdrawn |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
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|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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