JP4157589B1 - プローブカード・アセンブリ用基板、プローブカード・アセンブリおよび半導体ウエハの検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベース層101、配線層102および樹脂層103を有している。配線層102は、第1の電極セット102e1を有している。ベース層101は、第3の電極セット101e3および複数の接触端子101ctを有している。樹脂層103は、材料の異なる複数の層からなり、ベース層101および配線層102に付着されている。
【選択図】図2
Description
01bに設けられており、インタポーザ基板3の複数の接触構造3cs1に接する。第3の電極セット101e3は、ベース層101の上面101uに設けられている。複数の接触端子101ctおよび第3の電極セット101e3は、複数のビア導体101vを介して電気的に接続されている。ベース層101は、積層された複数のセラミック層101cyからなる。
第1の層103u;ポリアミドイミド樹脂
第2の層103b;ポリイミド樹脂
第3の層103i;ポリエーテル・エーテル・ケトン(PEEK)樹脂
例2:
第1の層103u;ポリアミドイミド樹脂
第2の層103b;エポキシ樹脂
第3の層103i;ガラスエポキシ樹脂
例3:
第1の層103u;ポリイミドシロキサン樹脂
第2の層103b;フッ素樹脂
第3の層103i;ポリイミド樹脂
基板1は、例1の組合せによって、耐熱性が向上されている。基板1は、例2の組合せによって、耐薬品性が向上されている。基板1は、例3の組合せによって、電気的特性が向上されている。
B:ベース層101を準備すること
C:樹脂層103を準備すること
D:配線層102に樹脂層103を付着させること
E:樹脂層103に複数のビア導体103vを形成すること
F:配線層102に付着された接着剤層103をベース層101に付着させること
工程Aについて説明する。図8Aに示されたように、絶縁層102r−aが、プレート10上に固定される。プレート10は、例えば、ガラス,セラミックスまたはシリコンからなる。絶縁層102r−aは、ポリイミドなどの樹脂材料からなる。絶縁層102r−aをプレート10に固定する方法としては、接着剤によって絶縁層102r−aをプレート10に付着させる方法がある。この方法においては、絶縁層102r−aに加わる熱量が低減されて、絶縁層102r−aの伸び量が低減される。他の方法としては、絶縁層102r−aにレーザ光を照射する方法がある。この方法においては、加工時間が低減されて、絶縁層102r−aの劣化が低減される。レーザ光による固定方法は、接着剤による固定方法に比べて、絶縁層102r−aに対する不要なガスの影響が低減される。図8Bに示されたように、図8Aに示された工程の後に、導体パターン102cp−aが、絶縁層102r−a上に形成される。絶縁層102r−a上とは、図8Bに示されたように、導体パターン102cp−aが絶縁層102r−aに埋め込まれている構造を含む。導体パターン102cp−aは、Cu,AlまたはAgからなる。図8Cに示されたように、図8Bに示された工程の後に、絶縁層102r−bが、導体パターン102cp−a上に形成される。絶縁層102r−bは、絶縁層102r−aと同じ材料からなる。図8Dに示されたように、図8Cに示された工程の後に、導体パターン102cp−bが、絶縁層102r−b上に形成される。図8Dに示された工程の後、絶縁層および導体パターンの積層が繰り返される。図7Aに示されたように、工程Aにおいて準備される配線層102は、第1の電極セット102e1が形成された第1の面102uと、第2の電極セット102e2が形成された第2の面102bとを有している。第1の電極セット102e1の各々は、第2の電極セット102e2に電気的に接続されている。
が、ベース層101の第1の面101uに付着される。第2の温度は、第1の温度より高く、180℃から300℃までの温度範囲に含まれる。第1の層103uおよび第2の層103bは、第2の加熱処理によって、完全硬化状態(Cステージ状態)となる。第3の層103iは、第2の加熱処理中、第1の層103uおよび第2の層103bの平面方向における熱膨張による変形を拘束する。プレート10は、配線層102から除去される。プレート10は、ガラス材料またはシリコン材料からなる場合、エッチングによって配線層102から除去される。プレート10は、セラミックスからなる場合、研磨によって配線層102から除去される。
半導体ウエハ上に、成膜処理が施される。半導体ウエハ上に、複数のチップが形成される。
半導体ウエハ上に形成された複数のチップの特性チェックが行われる。半導体ウエハの検査は、次の工程を有している。ステージ上に半導体ウエハを乗せること。材料の異なる複数の樹脂層によってベース層上に付着された配線層を有する基板を含むプローブカード・アセンブリをテスタに電気的に接続すること。プローブカード・アセンブリのプローブを前記半導体ウエハの電極に接触させること。本実施の形態の製造方法によって得ることができる基板を含むプローブカード・アセンブリを用いて検査を行うことにより、プローブの複数回の接触に関して、信頼性の向上が図られている。
半導体ウエハのダイシングが行われる。複数のチップが個片化される。
半導体装置の特性チェックが行われる。
101ct 接触端子
102 配線層
102e1 第1の電極セット
102e2 第2の電極セット
101e3 第3の電極セット
103 樹脂層
103v ビア導体
1cs 接触構造
Claims (13)
- 第1の電極セットが形成された第1の面と、前記第1の電極セットに電気的に接続された第2の電極セットが形成された第2の面とを有しており、前記第1の電極セットの間隔が前記第2の電極セットの間隔より小さい配線層と、
熱硬化性を有する樹脂材料からなる第1および第2の層と、熱可塑性を有する樹脂材料からなり前記第1および第2の層の間に設けられた第3の層とからなり、前記第3の層の平面方向における熱膨張係数が前記第1の層および前記第2の層の平面方向における熱膨張係数より小さく、前記第2の電極セットに電気的に接続された複数のビア導体を有しており、前記第1の層が前記配線層の前記第2の面に付着された樹脂層と、
前記複数のビア導体に電気的に接続された第3の電極セットが形成された第1の面と、前記第3の電極セットに電気的に接続された複数の接触端子が形成された第2の面とを有しており、前記複数の接触端子の間隔が前記第1の電極セットの間隔より大きく、前記第1の面が前記樹脂層の前記第3の層に付着されたベース層と、
を備えたプローブカード・アセンブリ用基板。 - 前記第3の層の前記樹脂材料が、ガラスエポキシ樹脂、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂およびポリイミド樹脂からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項1記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記第3の層がポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂からなり、前記第1の層がポリアミドイミド樹脂からなり、前記第2の層がポリイミド樹脂からなることを特徴とする請求項2記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記第3の層がガラスエポキシ樹脂からなり、前記第1の層がポリアミドイミド樹脂からなり、前記第2の層がエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項2記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記第3の層がポリイミド樹脂からなり、前記第1の層がポリイミドシロキサン樹脂からなり、前記第2の層がフッ素樹脂からなることを特徴とする請求項2記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記第1の層の前記樹脂材料が、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミドシロキサン樹脂、ビスマレイド系樹脂およびエポキシ樹脂からなる群の中から選択され、
前記第2の層の前記樹脂材料が、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂およびフッ素樹脂からなる群の中から選択される、
ことを特徴とする請求項2記載のプローブカード・アセンブリ用基板。 - 前記第3の電極セットにおいて、前記ベース層の前記第1の面の周囲領域に設けられた電極の面積が、前記ベース層の前記第1の面の中央領域に設けられた電極の面積より大きいことを特徴とする請求項1記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記複数のビア導体において、前記周囲領域に設けられた前記電極に接続されたビア導体の本数が、前記中央領域に設けられた前記電極に接続されたビア導体の本数より多いことを特徴とする請求項7記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記ベース層がセラミックスからなることを特徴とする請求項1記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記配線層が、樹脂材料からなる絶縁層および導体パターンを含んでいることを特徴とする請求項9記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 前記第1の電極セットに電気的に接続された複数の接触構造をさらに備えていることを特徴とする請求項1記載のプローブカード・アセンブリ用基板。
- 請求項1乃至請求項11のいずれかに記載された基板と、
前記基板に電気的に接続されるプローブカードと、
を備えたプローブカード・アセンブリ。 - ステージ上に半導体ウエハを乗せること、
請求項12に記載のプローブカード・アセンブリをテスタに電気的に接続すること、
前記プローブカード・アセンブリのプローブを前記半導体ウエハの電極に接触させること、
を有する半導体ウエハの検査方法。
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