JP4150465B2 - ウェハーキャリヤ及びその製造方法 - Google Patents
ウェハーキャリヤ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4150465B2 JP4150465B2 JP15036699A JP15036699A JP4150465B2 JP 4150465 B2 JP4150465 B2 JP 4150465B2 JP 15036699 A JP15036699 A JP 15036699A JP 15036699 A JP15036699 A JP 15036699A JP 4150465 B2 JP4150465 B2 JP 4150465B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoplastic material
- wafer
- carrier
- wafer carrier
- base portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/16—Making multilayered or multicoloured articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0037—Other properties
- B29K2995/0087—Wear resistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/16—Frictional elements, e.g. brake or clutch linings
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はメモリーディスク、シリコンウェハーなどを収容して運搬、保管、処理を行うための器具に関する。さらに詳しくは、この発明は複合式のウェハーキャリヤ又はディスクキャリヤに関する。
【0002】
【従来の技術】
ディスクやウェハーを処理する前、処理中、又は処理後に、シリコンウェハーや磁気ディスクのバッチを運搬したり保管したりするためにいくつかのキャリヤが利用されている。ウェハーは集積回路に加工され、ディスクはコンピュータ用の磁気記憶ディスクに加工される。なお、この明細書で使用されるウェハーという語はシリコンウェハーや磁気基板などを指すものとする。
ウェハーディスクの集積回路チップへの加工にはいくつかの工程が含まれ、これらの工程においてディスクは何回も処理され、保管され、運搬される。ディスクは非常にデリケートであり、また非常に高価なため、この一連の処理中においてディスクが適切に保護されることが重要である。ウェハーキャリヤの目的の一つはこの保護を行うことである。また、ウェハーディスクの処理は一般に自動化されているため、ロボットによってウェハーを取り出したり挿入したりするに際して、ディスクが処理装置に対して正確に配置されることが必要である。ウェハーキャリヤの別の目的は運搬のときにウェハーディスクをしっかりと保持することである。
【0003】
キャリヤは一般にウェハー又はディスクをスロットの中で軸方向に並べて、ウェハー又はディスクをその周辺エッジ又はその近くで支えるような構造になっている。ウェハー又はディスクは通常はキャリヤから半径方向に上方又は側方へ取り出される。キャリヤはウェハーやディスクを取り囲むためのカバー、底部カバー又はエンクロージャを補助部材として有している。
ウェハーキャリヤに対しては有用で利点のある材料特性が数多く存在するが、それはキャリヤのタイプや対象となっているキャリヤの特定の部分に応じて異なる。
【0004】
半導体ウェハーや磁気ディスクの処理を行うときに、粒子が存在していたり粒子が発生したりすると重大な汚染問題が生じる。汚染は半導体産業における歩どまりの低下の唯一の最も大きな原因であると認識されている。集積回路の寸法が小さくなるにつれて、集積回路を汚染する粒子の寸法も小さくなるため、汚染物質の低減は極めて重要である。粒子状の汚染物質はキャリヤがウェハー又はディスク、キャリヤーカバー又はエンクロージャ、保管ラック、他のキャリヤ、又は処理装置によって擦られたり引っ掻かれたりして摩耗することによって発生する。従って、キャリヤ材料の最も好ましい特性はプラスチック成形されたキャリヤが擦られたり引っ掻かれたりして摩耗作用を受けたときに粒子を発生しにくいことである。米国特許第5,780,127号には、ウェハーキャリヤ用としてのそうした材料の適性に関係するプラスチックの諸特性が記載されている。この特許はこの明細書において文献援用されている。
【0005】
また、キャリヤ材料は揮発成分の放出すなわちアウトガスも最小限に抑えられる必要がある。というのは、揮発成分はフィルムを形成し、これがウェハーやディスクに損傷を与える汚染物質となるからである。
キャリヤ材料は、また、キャリヤを積んだときの寸法安定性すなわち剛性を有している必要がある。寸法安定性はウェハーやディスクへの損傷を防止したり、キャリヤの中でのウェハー又はディスクの動きを最小限に抑えるために必要である。ウェハーやディスクを保持するスロットの公差は一般にきわめて小さいため、キャリヤが変形すると、非常に脆くて壊れやすいウェハーを直接傷付けたり、ウェハーやディスクをキャリヤに出し入れするときの摩耗による粒子の発生を増加させる。出荷に際してキャリヤが積み重ねられるときや、キャリヤが処理装置に合体されるときなどにおいて、キャリヤがある方向に積まれる場合には、寸法安定性は非常に重要である。また、キャリヤ材料は保管中や洗浄中などに起きる高温状態において寸法安定性を維持する必要がある。
【0006】
半導体産業において使用されている従来のキャリヤは静電気を発生して帯電している。帯電したプラスチック部分が電子デバイスや処理装置と接触すると、その部分において放電が発生し、静電気放電(ESD)として知られている破壊現象が起こる。また、静電気帯電したキャリヤは粒子、特に浮遊粒子、を引き付けて付着させる。また、キャリヤ上に静電気蓄積(static buildup)が発生すると、半導体処理装置は自動的に停止してしまう。ESDをなくして粒子を引き付けないようにするには、キャリヤに静電気消散特性を持たせることが最も望ましい。微量金属は多くのウェハーキャリヤ材料における一般的な成分又は残留物である。金属汚染物はキャリヤの材料選択やキャリヤの組み付け方法において考慮しなければならない。キャリヤ材料におけるアニオン汚染は汚染と腐食の問題を発生する。
【0007】
キャリヤに使用される材料は、また、それらが晒される薬品に対して化学的適合性を有している必要がある。運搬や保管のためだけのウェハーキャリヤでは薬品の使用は想定していないけれども、これらのキャリヤは洗浄液やイソプロピルアルコールなどの一般的に使用されている溶剤に対しては耐性を有している必要がある。処理用キャリヤは非常に純度の高い酸やその他の強い薬品に晒される。閉じた容器の中のウェハーが目で見えることは非常に好ましいし、エンドユーザにとって必要なことでもある。そのような容器に適したポリカーボネートなどの透明プラスチックはコストが安いという点で好ましい。しかし、そうしたプラスチックは望ましい静電気消散特性を有しておらず、また、必要な耐摩耗性も有していない。
【0008】
キャリヤ材料のその他の重要な特性としては、コストや材料の成形の容易さがある。キャリヤは、一般に、ポリカーボネート(PC)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ペルフルオロアルコキシ(PFA)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK(登録商標))などの射出成形プラスチックから形成される。静電気消散特性を付与するために射出成形プラスチックへ添加されるフィラーとしては、カーボンパウダ、カーボンファイバ、金属繊維、金属コーティングされたグラファイト及び有機(アミンベースの)添加物がある。
【0009】
運搬や保管のために使用される一つの一般的なウェハーキャリヤはHバーキャリヤと呼ばれるものであり、Hバー(H-bar)インターフェース部分を有する前端部と、パネルを有する後端部と、スロット及びウェハーの曲線に合った下側曲線部分すなわち収束部分を有する側壁とから成り、開口した上部及び開口した底部を備えた単一の成形部材として形成されている。Hバーキャリヤは、通常の場合、何度か再利用された後に廃棄される。キャリヤは、使用中においては、一般に湯や他の薬品で洗浄され、その後温風で乾燥される。ウェハーを洗浄、乾燥、運搬、処理するに際して高温に晒されたときに、キャリヤがその形状を保持できることは非常に大切な特性である。
【0010】
別の一般的なキャリヤは、Hバーキャリヤを保持するような構造を有するボックスである。このボックスは一般にワーク・イン・プロセス(WIP)ボックスとして知られている。
別の一般的なキャリヤは、標準化機械式インターフェース(SMIF)ポッドである。SMIFポッドは処理装置と機械的にインターフェースするHバーキャリヤをシール状態で閉じ込めるボックスを有している。一般に、SMIFポッドは底部で開くドアを有しており、ウェハーを有するHバーキャリヤへアクセスできるようになっている。Hバーキャリヤへアクセスするために、前で開くようなドアを有するボックスも知られている。別の従来のキャリヤは、別体のHバーキャリヤではなくてウェハーを支持する内部棚を有するボックスエンクロージャから成り、前で開くドアを有する運搬モジュールである。
【0011】
キャリヤの一つの部材にとって理想的な材料は同じキャリヤの別の部分の材料としては必ずしも理想的な材料とは限らないことを認識する必要がある。例えば、PEEKはウェハー接触部分にとっては理想的な耐摩耗性を有する材料であるが、成形が困難であり、他のプラスチックに比べて非常に高価である。従って、構造部分の材料としては、PEEKは好ましいとは言えず、ポリカーボネートなど他のプラスチックの方が適している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
異なる材料がディスクキャリヤの異なる部分に対して使用される唯一の場合は、その異なる部分すなわちコンポーネントが別々に成形され、その後それらがキャリヤとして組み立てられる場合である。こうした組み立てによるキャリヤの形成においては、異なるコンポーネントの表面と表面が接触して粒子を発生したり、洗浄するのが困難な汚染物質の付着部分を形成したりするという欠点がある。また、組み立ての工程においても粒子が発生する。さらに、異なるコンポーネント部分を成形し、それを組み立ててキャリヤにするには労力が必要であり、従ってコストがかかる。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明のウェハーキャリヤは少なくとも二つの異なる溶融処理可能なプラスチック材料から形成されている。二つのプラスチック材料は最適な性能を発揮するように配置されており、オーバーモールドプロセスによって熱物理的な結合が行われる。
一実施の形態においては、二つの異質なプラスチックから成形されたウェハー保持用の棚又は側壁インサートなどのコンポーネントを利用している。これらのコンポーネントは運搬モジュールなどのディスクエンクロージャの中に組み付けられる。
また、この発明のウェハーキャリヤを製造する方法は、第1のモールドキャビティの中でポリカーボネート製の第1の構造部分を成形し、次にポリカーボネートから成形された部分を第2のモールドキャビティの中へ設置し、ポリエーテルエーテルケトンを射出成形して第1の構造部分の上にウェハー接触部分を形成する。処理温度と成形温度を制御して、異質な材料の間で最適な結合が行われるようにする。こうして、複合材料から成る一体化されたウェハーキャリヤが形成される。
【0014】
この発明の利点及び特徴は、最小限の材料と労働コストで、最適な性能特性を実現できるようなキャリヤが形成されることである。
この発明の特定の実施の形態における他の特徴及び利点は、二つの材料を組み合わせることの利点が維持されているにも関わらず、コンポーネント部材を組み立てる必要がないことである。
この発明の特定の実施の形態における別の特徴及び利点はいっしょに成形される二つのプラスチック部分によってほぼ一体化されたキャリヤ又はコンポーネントが形成されることである。
この発明の別の利点及び特徴は、二つの異質な材料の結合部分が閉止されていて、汚染物質や他の薬品が溜る可能性がないことである。
この発明の別の利点及び特徴は、従来の場合には必要であったアニーリングなどの成形後の後処理が不要な点である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。
先ず、第1の実施の形態を説明する。図1にはHバーキャリヤとして具体化されたウェハーキャリヤが描かれている。このウェハーキャリヤは参照番号20で表されている。このキャリヤは従来のHバーキャリヤにおけると同様に、前部22と、後部23と、側壁24,26と、ウェハーを受容するための複数のウェハー接触部分すなわちスロット28と、開口した上部30と、装置インターフェース(処理装置に対して接触する部分)としてのHバー32とを有している。スロット28の各々は一対のウェハー係合歯34によって画定されている。
【0016】
Hバーキャリヤは、Hバー32すなわち装置インターフェースの他に、底部装置インターフェース38を有している。底部装置インターフェース38はコーナ40に接触部分を有する四つの脚を有している。なお、ロボット用のピックアップハンドル42及びフランジも装置インターフェースとして機能する。
このような複合型のHバーキャリヤは第1の部分すなわちベース部分44と、ウェハー係合部分46として形成された第2の部分すなわちオーバーモールド部分50とを主体として構成されている。この実施の形態においては、ウェハーキャリヤ20は一体化された単一のコンポーネントである。
【0017】
図2にはオーバーモールド部分50が示されている。この図ではベース部分44は省略されている。オーバーモールド部分50はウェハー着座部分(ウェハー係合部分)として機能するものであり、ウェハー係合部分46と付属部分52とを有している。付属部分52は成形プロセスのときに溶融状態のオーバーモールド材料が流れる流路に対応する部分である。この部分は、図からわかるように、オーバーモールドのためのモールドキャビティの構造を反映している。
【0018】
この実施の形態においては、サポートすなわちベース部分44は第1の熱可塑性材料すなわちポリカーボネート、カーボンファイバフィラーが充填されたポリカーボネートなどで成形されている。これらのプラスチックは寸法安定性が良く、成形が容易で安価なプラスチックである。次に、オーバーモールド部分50が第2の熱可塑性材料すなわちPEEK、カーボンファイバフィラーが充填されたPEEKなどの別の溶融処理可能な結晶性プラスチックで成形される。これらの材料はそのモフォロジ構造(morphological structure)や処理温度が異なる。なお、上記の材料は一例であり、これらと同様な機能を発揮し得るものであれば、モフォロジ的に異なる他の材料の組み合わせを使用することも可能である。アモルファス材料であるポリカーボネートと結晶性材料であるPEEKとの組み合わせにおいては、アモルファス材料が溶融状態の結晶性材料と接触したときに、熱物理的な結合を形成する。この結合は境界面におけるポリマーガラスの表面エネルギが増大することによって形成されると考えられている。従って、高温のアモルファス溶融物がポリマーガラスであるポリカーボネートと接触すると、それによってポリマーガラスの表面エネルギが増大する。そして、高温の溶融物が冷却するにつれて境界面において結晶化する。理論的にはこの結晶化プロセスが二つの材料の結合に寄与している。ポリマーガラスは非常に比熱が小さいため、熱は非常にゆっくりとした速度でポリマーガラスの中へ消散する。従って、PEEKの高温の溶融物の冷却は遅くなり、境界面における結晶化を増大させる。このプロセスを射出成形において実行すると、成形品はポリマ結晶と成形金型との境界面におけるよりもポリマーガラスと結晶との境界面において結晶化レベルが高くなる。なぜなら、金属とポリマーガラスとの間には比熱に差があるからである。
【0019】
この実施の形態においては、ポリカーボネートすなわちポリマーガラスがまず成形され、次に、その成型品が射出成形型へ配置されて、その上にPEEKが成形される。このプロセスにおいては、ポリカーボネートのベース部分が歪まないようにするために、成形温度はポリカーボネートのガラス転移点(およそ149℃)以下に保持されるのが理想的である。ウェハー着座部分すなわちオーバーモールド部分50はウェハーがポリカーボネート(ベース部分44)とけっして接触しないような構造を有し、また、その点を考慮して配置されている。上記以外のアモルファス材料としては、ポリエーテルイミド(PEI)がある。この場合の結合には化学的結合要素も関係している。種々のタイプの結合要素がオーバーモールド部分とベース部分との結合に関係する。溶融したオーバーモールド材料が溶融していないベース部分と接触したときには、熱物理的結合が生じると考えられている。熱物理的結合は二つの部分間の距離がその分子半径の3倍以下になったときに起こる。
【0020】
次に、第2の実施の形態を説明する。図3、図4、図5にはワーク・イン・プロセスボックス(WIPボックス)が示されている。このWIPボックスは参照番号60によって表されている。このボックス60は一般にHバーウェハーキャリヤ62を保持しており、主な構成要素として、上部カバー64と、ベース部分66と、ベース部分66の中に係合してその上に着座されているHバーウェハーキャリヤ62とを有している。この場合には、「キャリヤ」とはエンクロージャボックス又はHバーキャリヤを有するエンクロージャボックスを指す。オーバーモールドプロセスにおいて数種類のコンポーネントが形成され、このプロセスと発明に特有の特徴及び利点が発揮されている。例えば、図5に示されるように、上部カバー64はポリカーボネートから成形されている。そして、ヒンジ68はPEEKでオーバーモールドされ、上部カバー64へ取り付けられている。さらに、図4を参照するとわかるように、ポリカーボネート製の窓片70が予め所望の構造及び寸法で成形され、カバー部分64の成形に際して、モールドの中へ挿入される。これによって、上部カバー64の成形に際して、ポリカーボネートが窓片70に対してオーバーモールドされ、窓付きの上部カバー64が成形される。オーバーモールドによって、接着剤や機械的なファスナを用いることなく、非常に品質の高い接合が実現可能になっている。
【0021】
次に、第3の実施の形態を説明する。図6及び図7を参照するとわかるように、この実施の形態のキャリヤは磁気ディスク用のシッパキャリヤ(運搬用キャリヤ)であり、ベース部分76と上部カバー78とから成っている。また、ベース部分76はサポート部分82を有する。このサポート部分82としてのベース本体79が成形された後、その上にディスク係合部分84が射出成形される。この実施の形態においても、サポート部分82はポリカーボネート又はそれと同等の材料から形成され、ディスク係合部分はPEEK又はそれと同等の材料から形成されている。
【0022】
次に、第4の実施の形態を説明する。図8及び図9には、例えば300mm程度の大きい半導体ウェハー用として使用するための運搬モジュールが示されている。この構造においては、ウェハーサポート部分90は装置インターフェース92を備えたベース91と、ウェハーサポート棚96を備えた垂直コラム94と、上部98とを有している。ウェハーサポート棚96はオーバーモールド部分99を有している。このオーバーモールド部分99は運搬モジュールに収容されるウェハーと接触する部分である。また、装置インターフェース92も装置と接触するオーバーモールド部分を有している。
【0023】
次に、第5の実施の形態を説明する。図10及び図11には組み立てられた状態のコンポーネント122から形成された複合型のウェハーキャリヤが示されている。コンポーネント122は側壁部分124とキャリヤフレームワーク126とから成っている。側壁部分124はフレームワーク126の中にぴったりと係合され、組み立て固定されたウェハーキャリヤを形成している。また、キャリヤの後端134にはロボット用のフランジすなわち装置インターフェース132が設けられている。この実施の形態では、側壁部分124の各々にはオーバーモールドされたウェハーキャリヤ部分139が設けられており、ウェハーが引っ掻かれることに起因する粒子発生が極小化されている。オーバーモールドはベース部分の成形よりも厳しい寸法制御のもとで実施され、ウェハーを小さい公差で位置決めできる。
【0024】
次に、第6の実施の形態を説明する。図12にはウェハーの処理性を向上させたキャリヤとして形成されたウェハーキャリヤが示されている。このキャリヤは参照番号110で表されている。このキャリヤ110はベースサポート部分112,114と、その間を延びるアーム116とを有している。各アームはスロット120を形成する複数の歯118を有している。スロット120はウェハー処理工程のときにウェハーを保持するためのものである。この実施の形態においては、アーム116と歯の外側部分はベースサポートのフレームワーク122へオーバーモールドされており、この発明の特性が付与されている。
【0025】
図13にはこの発明を実施するための方法を説明する図が示されている。まず、成形型を使用してベース部分すなわちサポート部分が形成される。サポート部分とは、キャリヤフレームワークや図面に示されているような側壁のベース部分130などの他のキャリヤ部分である。成形されたベース部分は、次に、別の成形型の中へ挿入される。なお、場合によっては、型挿入部材を外して同じ成形型の中へ挿入される。その状態で、成形型が閉止され、PEEKなどの別のオーバーモールド材料が成形キャビティの中へ射出する。その後、ベース部分とオーバーモールド部分とから成る完成した成型品が取り外される。ベース部分がコンポーネント部材の場合には、このベース部材はキャリヤ136の中へ組み付けられる。
【0026】
一般に、第1の射出成形部分であるベース部分を第2の部分すなわちオーバーモールド部分に比べて体積を小さくするのが適している。また、第1の材料を、例えばウェハー接触部分など、成形型内の所定の部分に堆積させて、その材料を固化させて、モールドを交換することなく第2のサポート部分を第1の材料の上にオーバーモールドすることも可能である。
さらに、第2の材料を固化させる必要はなく、二つの材料を溶融状態で接合させてもよい。この共射出成形は第1の部分と第2の部分との間の境界の位置確定精度は小さいが、第2の成形型を必要とせず、第1の部分を固化させる工程、成形型からのその第1の部分を除去する工程、及び第2の成形型の中への第1の部分を設置する工程も不要である。
【0027】
この発明はその精神もしくは本質から逸脱しない限り、他の形で実現が可能である。従って、上述した実施の形態は単に説明のためのものであり、発明を制限することはない。この発明の範囲に関しては、添付の特許請求の範囲を参照すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態におけるHバーウェハーキャリヤの斜視図である。
【図2】図1のキャリヤのオーバーモールド部分の斜視図である。
【図3】第2の実施の形態におけるワーク・イン・プロセスボックスの斜視図である。
【図4】上部カバーを開けた状態におけるワーク・イン・プロセスボックスの斜視図である。
【図5】ワーク・イン・プロセスボックスの側面図である。
【図6】第3の実施の形態におけるディスク用のシッパキャリヤの斜視図である。
【図7】シッパキャリヤのベース部分の斜視図である。
【図8】第4の実施の形態における運搬モジュールの斜視図である。
【図9】運搬モジュールの分解斜視図である。
【図10】第5の実施の形態における複合型のウェハーキャリヤの斜視図である。
【図11】複合型のウェハーキャリヤの分解斜視図である。
【図12】第6の実施の形態におけるウェハーキャリヤの斜視図である。
【図13】各実施の形態における物品を製造する工程を示す説明図である。
【符号の説明】
28,120 スロット
34 ウェハー係合歯
44,66,76 ベース部分
46,139 ウェハー係合部分
50,99 オーバーモールド部分
64,78 上部カバー
82 サポート部分
90 ウェハーサポート部分
112,114 ベースサポート部分
Claims (9)
- ウェハーを一列に並べた状態で保持するための複数のスロットを有する一体化されたHバーウェハーキャリヤであって、
a)第1の熱可塑性材料で形成され、ウエハーを受容するための細長いスロットを複数の細長いウエハー係合歯で仕切られているベース部分と、
b)第2の熱可塑性材料で形成された複数の細長いウェハー接触部分を有するウェハー係合部分と、
を有し、
前記ウェハー係合歯で形成の細長いウェハー接触部分の各々は複数のスロットであり、
前記ウェハー係合部分には前記ベース部分に接触しないようにオーバーモールドで結合される接合部分が形成され、
前記接合部分において、第1の熱可塑性材料の分子径は第2の熱可塑性材料の3分子径以内で、第1の熱可塑性材料と第2の熱可塑性材料は隙間なく熱物理的に結合されているウェハーキャリヤ。 - 第1の熱可塑性材料はポリカードネートであり、第2の熱可塑性材料はポリエーテルエーテルケトン又はポリエーテルイミドである請求項1のウェハーキャリヤ。
- ベース部分が歪まないように、成形温度を第1の熱可塑性材料のガラス転移点以下に保持する請求項1又は請求項2のウェハーキャリヤ。
- 開口前部及びドアを備えるボックスエンクロージャを有するウェハーキャリアであって、複数のウェハーサポート棚と、前記ボックスエンクロージャーの底部にあるベース部分と、を有し、
前記ベース部分はそれに取り付けられて装置と接触するための3つの別個の装置インターフェース部分を有しており、
前記3つの装置インターフェース部分は、前記ベース部分の周りに周方向に間隔をあけて各々が径方向内向きに配置されており、
前記ベース部分は第1の熱可塑性材料で形成されており、
前記装置インターフェース部分は、第1の熱可塑性材料と異なる第2の熱可塑性材料で形成されており、この第2の熱可塑性材料は、前記第1の熱可塑性材料よりも粒子発生が少ない特性を有し、
前記ベース部分は3つの装置インターフェース部分と熱物理的に結合され、
第1の熱可塑性材料の分子径は第2の熱可塑性材料の3分子径以内で、第1の熱可塑性材料と第2の熱可塑性材料は隙間なく結合され、3つの装置インターフェース部分は前記ベース部分の構成要素になっているウェハーキャリヤ。 - 複数のウェハーを保持するためのウェハーキャリヤであって、
第1の部分と第2の部分を有するボックスエンクロージャーと、
前記第1の部分は底部、上部、1対の対向側部、後部及び前部によって定義されるボックスエンクロージャーであり、
前記ボックスエンクロージャーの第1及び第2の部分の少なくとも一方は、不透明本体を有しており、その不透明本体には熱物理的結合が存在するオーバーモールドによって透明窓が結合されており、
前記透明窓の一部をなす熱可塑性材料の分子径は、不透明本体の熱可塑性材料の3分子径以内であり、
透明窓の一部と不透明本体は隙間なく結合されて、透明窓の一部は不透明本体の構成要素になっていて、
ウェハーキャリヤはボックスエンクロージャーに配置されている複数のスロットとウェハーサポート構造とを有し、
前記スロットの各々は、ウェハーが平行で一列に並べた状態になるように前記複数のウェハーを個別に各々受容するウェハーキャリヤ。 - ウェハーキャリヤを製造する方法であって、
a)第1の成形型の中で第1の熱可塑性材料を用いて、ウェハーを受容するための細長いスロットを複数の細長いウェハー係合歯で仕切られているベース部分を射出成形する段階と、
b)前記成形されたベース部分を第2の成形型の中へ設置する段階と、
c)第2の熱可塑性材料を用いて前記ベース部分にウェハー接触部分をオーバーモールドする段階と、
を有し、
前記ウェハー係合歯で形成の細長いウェハー接触部分の各々は複数のスロットを形成し、かつ、オーバーモールドによって形成された接合部分を形成し、
前記接合部分において、第1の熱可塑性材料の分子径は第2の熱可塑性材料の3分子径以内で、第1の熱可塑性材料と第2の熱可塑性材料は隙間なく熱物理的結合されるウェハーキャリヤを製造する方法。 - ウェハーを保持するためのウェハーキャリヤを製造する方法であって、
a)予め決められた位置において成形型のキャビティの中へ第1の熱可塑性材料を射出することによって第1の部分を形成する段階と、
b)前記第1の熱可塑性材料と接触するように第2の熱可塑性材料を射出することによって、前記第1の熱可塑性部分に、熱物理的結合が存在するオーバーモールドによって結合された第2の部分を形成する段階とを有し、
前記オーバーモールドによって結合される第2の部分において、第1の熱可塑性材料の分子径は第2の熱可塑性材料の3分子径以内で、第1の熱可塑性材料と第2の熱可塑性材料は隙間なく熱結合されるウェハーキャリヤを製造する方法。 - ウェハー接触部分を備える容器部分と、ベース部分とを有して、ウェハーを保持して処理装置に取り付けられるウェハーキャリヤを製造する方法であって、
a)第2の熱可塑性材料でウェハー接触部分を成形する段階と、
b)別個の装置インターフェース部分を成形する段階と、
c)ウェハー接触部分及び装置インターフェース部分を第1の熱可塑性材料とでオーバーモールドすることによって、熱物理的結合を有するウェハーキャリヤを成形する段階と、
を有し、
前記オーバーモールドによって結合される部分において、第1の熱可塑性材料の分子径は第2の熱可塑性材料の3分子径以内で、第1の熱可塑性材料と第2の熱可塑性材料は隙間なく熱結合されるウェハーキャリヤを製造する方法。 - ベース部分が歪まないように、成形温度を第1の熱可塑性材料のガラス転移点以下に保持する請求項6から請求項8のいずれか1項のウェハーキャリヤを製造する方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8720598P | 1998-05-28 | 1998-05-28 | |
US60/087205 | 1998-05-28 | ||
US09/317989 | 1999-05-25 | ||
US09/317,989 US6428729B1 (en) | 1998-05-28 | 1999-05-25 | Composite substrate carrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000012673A JP2000012673A (ja) | 2000-01-14 |
JP4150465B2 true JP4150465B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=26776719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15036699A Expired - Lifetime JP4150465B2 (ja) | 1998-05-28 | 1999-05-28 | ウェハーキャリヤ及びその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6428729B1 (ja) |
JP (1) | JP4150465B2 (ja) |
CN (1) | CN100556772C (ja) |
CA (1) | CA2273459A1 (ja) |
FR (1) | FR2779131B1 (ja) |
GB (1) | GB2338924B (ja) |
IT (1) | IT1308059B1 (ja) |
MY (1) | MY129579A (ja) |
SG (1) | SG87036A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016047163A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2017-07-06 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器 |
US11335576B2 (en) | 2018-10-29 | 2022-05-17 | Miraial Co., Ltd. | Method for molding substrate storing container, mold, and substrate storing container |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6010008A (en) * | 1997-07-11 | 2000-01-04 | Fluoroware, Inc. | Transport module |
US6871741B2 (en) * | 1998-05-28 | 2005-03-29 | Entegris, Inc. | Composite substrate carrier |
US6808668B2 (en) * | 1998-05-28 | 2004-10-26 | Entegris, Inc. | Process for fabricating composite substrate carrier |
KR100543875B1 (ko) * | 1999-05-25 | 2006-01-23 | 인티그리스, 인코포레이티드 | 복합의 기판 캐리어 |
JP4596681B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-12-08 | 信越ポリマー株式会社 | 収納容器とその製造方法 |
US20030188990A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-10-09 | Bhatt Sanjiv M. | Composite kinematic coupling |
CN1617792A (zh) * | 2001-11-27 | 2005-05-18 | 诚实公司 | 信息聚合物的薄膜嵌入成型 |
CN1636275A (zh) * | 2001-11-27 | 2005-07-06 | 诚实公司 | 具有特性薄膜的半导体元件搬运装置 |
US20050056601A1 (en) * | 2001-11-27 | 2005-03-17 | Bhatt Sanjiv M. | Semiconductor component handling device having an electrostatic dissipating film |
US6644477B2 (en) * | 2002-02-26 | 2003-11-11 | Entegris, Inc. | Wafer container cushion system |
US7175026B2 (en) | 2002-05-03 | 2007-02-13 | Maxtor Corporation | Memory disk shipping container with improved contaminant control |
US20040074808A1 (en) * | 2002-07-05 | 2004-04-22 | Entegris, Inc. | Fire retardant wafer carrier |
JP4146718B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2008-09-10 | ミライアル株式会社 | 薄板支持容器 |
US20040238623A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-12-02 | Wayne Asp | Component handling device having a film insert molded RFID tag |
US7316325B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-01-08 | Entegris, Inc. | Substrate container |
US20050186378A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Bhatt Sanjiv M. | Compositions comprising carbon nanotubes and articles formed therefrom |
US7328727B2 (en) * | 2004-04-18 | 2008-02-12 | Entegris, Inc. | Substrate container with fluid-sealing flow passageway |
US8652391B2 (en) | 2005-02-03 | 2014-02-18 | Entegris, Inc. | Method of forming substrate carriers and articles from compositions comprising carbon nanotubes |
EP1883105B8 (en) * | 2005-05-06 | 2013-03-27 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate storage container and method of producing the same |
JP4584023B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-11-17 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器及びその製造方法 |
US20070224864A1 (en) * | 2005-05-24 | 2007-09-27 | John Burns | CMP retaining ring |
FR2896912B1 (fr) * | 2005-12-09 | 2008-11-28 | Alcatel Sa | Enceinte etanche pour le transport et le stockage de substrats semi-conducteurs |
JP2009543374A (ja) * | 2006-07-07 | 2009-12-03 | インテグリス・インコーポレーテッド | ウエハカセット |
US20080041758A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer carrier |
JP4920387B2 (ja) | 2006-12-01 | 2012-04-18 | 信越半導体株式会社 | 基板収納容器 |
EP2122014A4 (en) * | 2007-02-28 | 2014-09-17 | Entegris Inc | CLEANING SYSTEM FOR A SUBSTRATE CONTAINER |
TWI363030B (en) * | 2009-07-10 | 2012-05-01 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Wafer container with top flange structure |
MX361266B (es) | 2012-06-28 | 2018-12-03 | Henkel Ag & Co Kgaa | Un metodo de fabricacion de un inserto de material mixto. |
US9117863B1 (en) * | 2013-05-16 | 2015-08-25 | Seagate Technology Llc | Cassette configurations to support platters having different diameters |
JP2015177165A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | ダイセル・エボニック株式会社 | フロントオープニングシッピングボックス及びその製造方法 |
JP2017527997A (ja) * | 2014-08-28 | 2017-09-21 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基板容器 |
KR20170088411A (ko) | 2014-12-01 | 2017-08-01 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기재 수용기 밸브 조립체 |
CN107924858B (zh) | 2015-07-13 | 2023-05-30 | 恩特格里斯公司 | 具有增强型容纳的衬底容器 |
US10361108B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-07-23 | Solarcity Corporation | Ambidextrous cassette and methods of using same |
US10388554B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Wafer shipper with purge capability |
KR102193491B1 (ko) | 2016-06-01 | 2020-12-22 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 일체형 정전기 방전 완화부를 갖는 유체 회로 |
JP6701493B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-05-27 | 信越ポリマー株式会社 | 容器本体の製造方法 |
JP6672570B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2020-03-25 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器及び基板収納容器の製造方法 |
KR20240011865A (ko) | 2018-05-07 | 2024-01-26 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 정전기 방전 완화 기능이 통합된 유체 회로 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4269802A (en) * | 1976-03-17 | 1981-05-26 | Caterpillar Tractor Co. | Process for making dual-material self-bonding lip seal |
CH643047A5 (de) * | 1978-10-18 | 1984-05-15 | Battenfeld Maschfab | Verfahren zum herstellen von fittings fuer rohrverbindungen sowie werkzeug zur ausuebung des verfahrens und nach diesem verfahren hergestelltes fitting. |
PL122159B1 (en) * | 1979-09-15 | 1982-06-30 | Inst Elektrotechniki | High tension overhead-line instulator of plastic materialx and method of manufacturing the samerytykh ustanovok i sposob izgotovlenija plastmassovogo izoljatora vysokogo naprjazhenija dlja otkrytykh ustanovok |
US4872554A (en) | 1987-07-02 | 1989-10-10 | Fluoroware, Inc. | Reinforced carrier with embedded rigid insert |
JP2816864B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1998-10-27 | 大塚化学株式会社 | 搬送用ウエーハバスケット及び収納ケース |
US5111936A (en) * | 1990-11-30 | 1992-05-12 | Fluoroware | Wafer carrier |
US5186338A (en) * | 1991-07-11 | 1993-02-16 | Eastman Kodak Company | Pallet for holding a cassette |
US5273159A (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-28 | Empak, Inc. | Wafer suspension box |
JP3194209B2 (ja) | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
DE4395834T1 (de) * | 1992-11-17 | 1994-12-01 | Kabusiki Kaisha Kakizaki Seisa | Aus Harz hergestellter Korb für dünne Folien |
US5564714A (en) * | 1993-02-23 | 1996-10-15 | Three Bond Co., Ltd. | Rubber-like molded product with support frame |
US5686040A (en) * | 1993-10-28 | 1997-11-11 | White Cap, Inc. | Method for producing closure gaskets |
DE69500752T2 (de) * | 1994-07-15 | 1998-03-12 | Fluoroware Inc | Wafer Träger |
JP3145252B2 (ja) | 1994-07-29 | 2001-03-12 | 淀川化成株式会社 | 基板支承用側板およびそれを用いたカセット |
WO1996009787A1 (en) | 1994-09-26 | 1996-04-04 | Asyst Technologies, Inc. | Semiconductor wafer cassette |
JPH092564A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-07 | Nippon Plast Co Ltd | ディスクケース |
US5706946A (en) | 1995-06-26 | 1998-01-13 | Kakizaki Manufacturing Co., Ltd | Thin-plate supporting container |
US5688570A (en) * | 1995-10-13 | 1997-11-18 | Crown Cork & Seal Company, Inc. | Method and apparatus for forming a multi-layer preform |
DE19542032A1 (de) * | 1995-11-10 | 1997-05-15 | Moessner Druckguswerk Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Dichtung sowie Preßeinrichtung |
US5788082A (en) * | 1996-07-12 | 1998-08-04 | Fluoroware, Inc. | Wafer carrier |
US6010008A (en) * | 1997-07-11 | 2000-01-04 | Fluoroware, Inc. | Transport module |
-
1999
- 1999-05-25 US US09/317,989 patent/US6428729B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-27 MY MYPI99002100A patent/MY129579A/en unknown
- 1999-05-27 SG SG9902897A patent/SG87036A1/en unknown
- 1999-05-27 CA CA002273459A patent/CA2273459A1/en not_active Abandoned
- 1999-05-27 GB GB9912453A patent/GB2338924B/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 CN CNB2004100114352A patent/CN100556772C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 FR FR9906774A patent/FR2779131B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 JP JP15036699A patent/JP4150465B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 IT IT1999TO000450A patent/IT1308059B1/it active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016047163A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2017-07-06 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器 |
US10535540B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-01-14 | Miraial Co., Ltd. | Substrate storing container |
US11335576B2 (en) | 2018-10-29 | 2022-05-17 | Miraial Co., Ltd. | Method for molding substrate storing container, mold, and substrate storing container |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ITTO990450A1 (it) | 2000-11-28 |
CA2273459A1 (en) | 1999-11-28 |
GB9912453D0 (en) | 1999-07-28 |
CN100556772C (zh) | 2009-11-04 |
IT1308059B1 (it) | 2001-11-29 |
JP2000012673A (ja) | 2000-01-14 |
FR2779131A1 (fr) | 1999-12-03 |
CN1623864A (zh) | 2005-06-08 |
GB2338924B (en) | 2003-02-19 |
GB2338924A (en) | 2000-01-12 |
SG87036A1 (en) | 2002-03-19 |
FR2779131B1 (fr) | 2002-08-23 |
US6428729B1 (en) | 2002-08-06 |
MY129579A (en) | 2007-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4150465B2 (ja) | ウェハーキャリヤ及びその製造方法 | |
US8734698B2 (en) | Composite substrate carrier | |
US7316325B2 (en) | Substrate container | |
US6098809A (en) | Storage container for precision substrates | |
KR20170048429A (ko) | 기판 컨테이너 | |
US6808668B2 (en) | Process for fabricating composite substrate carrier | |
US20050056601A1 (en) | Semiconductor component handling device having an electrostatic dissipating film | |
US20050236110A1 (en) | Semiconductor component handling device having a performance film | |
KR100543875B1 (ko) | 복합의 기판 캐리어 | |
CN1332392C (zh) | 复合基质载体 | |
MXPA99005039A (en) | Subject carrier compue | |
TWI333924B (en) | Substrate container,method of dissipating static electricity therefrom, and method of making the same | |
TWI373820B (en) | A wafer container with restraint | |
WO2007146019A2 (en) | Composite substrate container with overmolded wafer retainer | |
JPH1159779A (ja) | 収納容器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20020712 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20020712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050311 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050317 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050614 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050614 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050629 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050629 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060301 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060411 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060406 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060519 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070620 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070625 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070719 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080219 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080222 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080317 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080418 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080630 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |