JP4149568B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4149568B2 JP4149568B2 JP18585998A JP18585998A JP4149568B2 JP 4149568 B2 JP4149568 B2 JP 4149568B2 JP 18585998 A JP18585998 A JP 18585998A JP 18585998 A JP18585998 A JP 18585998A JP 4149568 B2 JP4149568 B2 JP 4149568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- soft
- unit
- processing
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、連続して基板に処理を施す処理部と処理部にある基板に軟X線を照射する軟X線照射除電装置とを備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体や液晶の基板に処理を施す半導体製造装置や液晶製造装置が多数提供されている。それぞれ製造においては複数の工程が存在し、各工程において異なる処理が施される。
【0003】
例えば、液晶ディスプレイを構成する液晶パネルであるTFTアレイ基板を製造する工程には、図1に示すような複数の工程が存在する。ここでは、無アルカリガラスの素板を工程初めの材料として、基板の洗浄、各種薄膜の成膜、フォトレジスト塗布、パターンの露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程を複数回繰り返すことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体や液晶の製造工程はクリーンルーム下で行われるが、静電気が発生すると基板へのパーティクルの付着や素子の絶縁破壊が起こる恐れがあるため、発生した静電気を除電する必要がある。この除電を行う装置として、主として、針状の電極に高電圧を印加してイオンを放出する除電装置と、軟X線(波長が1.3×10-4〜4.1×10-4μmの光)を照射して周囲の空気をイオン化する軟X線照射除電装置とが知られている。
【0005】
後者の軟X線照射除電装置は、前者の除電装置に較べて精密な除電が可能になり周囲に誘導電荷が発生しにくいという有利な面を有する反面、レジストが塗布されているような基板に長い時間照射を続けると感光して現像後にムラが発生するという欠点を有している。このような欠点を有しているため、従来においては、基板の洗浄、成膜、エッチング、及び剥離のような工程においては使用されていることもあるが、レジスト塗布、露光、現像に関する工程においては使用されていない。
【0006】
本発明の課題は、軟X線照射除電装置を使った場合にも基板処理に不具合が起こらないような基板除電方法を提供すること、及び軟X線照射除電装置を使った基板処理装置の基板処理の不具合を抑えることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る基板処理装置は、複数の処理部と、軟X線照射除電装置と、制御部とを備えている。複数の処理部では、連続的に基板に処理を施す。軟X線照射除電装置は、処理部にある基板に対して軟X線を照射し、基板を除電する。制御部は、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように、制御を行う。また、制御部は、処理部による基板に対する連続的な処理が一時的に停止して処理部内に長時間基板が保持されるときにだけ軟X線が基板に照射されないように制御する。
【0008】
通常、除電装置による除電処理は常時連続して行われているが、ここでは、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行っており、除電を間歇的に行わせている。すなわち、基板に必要な除電が行われた後は、基板処理に支障が出ないように軟X線の照射が基板に当たらないようにする。ここで、連続基板処理が滞りなく行われているときには、軟X線照射除電装置により処理部にある基板に軟X線が照射し続けられていても、基板処理に支障が出る量の軟X線が基板に照射されることは少ない。しかしながら、装置の異常停止時や交換部品の交換時等に一時的に処理部内に長時間基板が保持されることがあり、この時に軟X線が基板に照射し続けられると基板処理に支障が出ることがある。
【0009】
ここでは、このように基板の連続的な処理が一時的に停止するときに、軟X線が基板に照射されないように制御部が制御する。これにより、基板処理に不具合が出ることが抑えられる。
【0010】
このような制御を行うことにより、軟X線照射除電装置を使って精密な除電を行い、周囲に発生する誘導電荷を抑えるとともに、軟X線照射除電装置の欠点である基板処理の不具合の発生を抑えることができる。
【0011】
請求項2に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、軟X線照射除電装置と、制御部とを備えている。軟X線照射除電装置は処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する。制御部は、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行うとともに、基板や処理に関する情報を基に軟X線の照射時間及び軟X線の出力を制御する。
【0012】
請求項3に係る基板処理装置は、請求項1又は2に記載の装置において、制御部は、軟X線照射除電装置の作動をオン/オフする。
【0013】
ここでは、軟X線照射除電装置の作動をオンすることによって基板に軟X線が当たるようにし、軟X線照射除電装置の作動をオフすることによって基板に軟X線が当たらないようにする。
【0014】
請求項4に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、遮蔽部材とを備えている。遮蔽部材は、処理部にある基板と軟X線照射除電装置との間に移動して、処理部にある基板に対する軟X線の照射を遮蔽し得る部材である。そして、制御部は、遮蔽部材を移動させる制御を行う。
【0015】
ここでは、基板と軟X線照射除電装置との間から遮蔽部材を遠ざけて基板に軟X線が当たるようにし、基板と軟X線照射除電装置との間に遮蔽部材を移動させて基板に軟X線が当たらないようにする。
【0016】
請求項5に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理部と、処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部とを備えている。そして、制御部は、軟X線照射除電装置の向き、あるいは軟X線照射除電装置が照射する軟X線の照射の向きを変える制御を行う。
【0017】
ここでは、軟X線照射除電装置の向き、あるいは軟X線照射除電装置が照射する軟X線の照射の向きを変えることによって、基板に軟X線が当たっている状態と基板に軟X線が当たっていない状態とを切り替える。
【0018】
【発明の実施の形態】
[第1実施形態]
<構成>
本発明の基板処理装置の一実施形態を図2に示す。基板処理装置1は、複数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能にしたコータ/デベロッパ装置であって、露光機50、タイトラー60、及びエッジ露光機70と接続し、フォトリソグラフィ工程においてレジスト塗布前洗浄からレジスト塗布・露光・現像までを連続して行えるようにするものである。なお、ここでは複数の処理ユニットを接続したシステムを基板処理装置1としているが、各処理ユニットをそれぞれ基板処理装置と認識しても良く、また、各処理ユニットの主要な処理部をそれぞれ基板処理装置と認識することもできる。また、露光機50等もそれぞれ基板処理装置である。
【0019】
基板処理装置1は、主として、インデクサー部2、洗浄ユニット10、脱水ベークユニット20a,20b、レジスト塗布ユニット30、プリベークユニット40a,40b、現像ユニット80、及びポストベークユニット90a,90b、空冷ユニット99の各処理部と、旋回ロボット4a〜4eとを備えている。インデクサー部2から露光機50までの行きラインには、洗浄ユニット10、ポストベークユニット90b、脱水ベークユニット20a、レジスト塗布ユニット30、プリベークユニット40a等が配置される。露光機50からの帰りラインには、プリベークユニット40b、現像ユニット80、脱水ベークユニット20b、ポストベークユニット90a、空冷ユニット99等が配置される。また、旋回ロボット4eの近傍には、露光機50に対して基板を受け渡す際の受け渡し場所あるいは一時的な待避場所となるバッファ部8a〜8cが設けられている。この基板処理装置1はユニカセット方式であり、インデクサー部2に載置されたカセット3からガラス基板(以下、基板という。)を取り出して各処理部へ送り出し、各処理工程を終えた基板を同じカセット3に収納する。カセット3からの取り出し及びカセット3への収納は、基板を保持して旋回可能なアームを備えカセット3の列に沿って移動可能なインデクサーロボット2aによって行う。
【0020】
洗浄ユニット10は、連続枚葉式の処理部であって、搬入部12、洗浄部13、液滴除去部14、及び搬出部15からなる。また、搬入部12の上部には、UVオゾン洗浄室11が設けられている。すなわち、洗浄ユニット10の上にUVオゾン洗浄室11が重ねられている。UVオゾン洗浄室11から搬入部12まではインデクサーロボット2aにより基板を搬送する。搬入部12から搬出部15までは、コンベアによって基板を搬送しつつ、洗浄や液滴除去等の処理を行う。洗浄部13では、純水あるいは薬液を用いたブラシ,超音波,高圧スプレー等による洗浄が行われる。なお、コンベアはクリーンルーム内に対応した発塵性の少ないローラコンベアを採用している。
【0021】
脱水ベークユニット20a,20bは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、密着強化室、コンベア室、バッファ室、通過室が多段に積み上げられたユニットである。
【0022】
レジスト塗布ユニット30は、枚葉式の処理部であって、搬入部31、スピンコータ部32、レベリング処理部33、エッジリンス部34、及び搬出部35から構成される。搬入部31から搬出部35までは、基板を隣接する処理部へ順送りしてゆくスライダー5a〜5dによって基板を搬送する。
【0023】
プリベークユニット40a,40bは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、コンベア室、通過室が多段に積み上げられたものである。
【0024】
現像ユニット80は、連続枚葉式の処理部であって、搬入部81、現像部82、水洗部83、乾燥部84、及び搬出部85からなる。搬入部81から搬出部85までは、コンベアによって基板を水平方向に搬送する。
【0025】
ポストベークユニット90a,90bは、静止式の加熱処理室及び冷却処理室、コンベア室、バッファ室、通過室が多段に積み上げられたユニットである。
【0026】
旋回ロボット4a〜4eは、旋回することはできるが水平方向に移動するような機構は有していない、いわゆるクラスタタイプのロボットである。また、スライダー5a〜5dは、矩形運動により基板の位置を一方向に対して所定距離だけスライドさせるものであり、レジスト塗布ユニット30の各部間に設けられている。
【0027】
<基板処理>
次に、基板処理装置1による基板の処理について、順に説明する。インデクサー部2においてインデクサーロボット2aによりカセット3から取り出された基板は、まず、UVオゾン洗浄室11に運ばれ、紫外線の照射によって表面の有機汚染物が酸化分解される。この処理を終えた基板は、インデクサーロボット2aによって搬入部12に移される。基板は、搬入部12から洗浄部13へと運ばれ、ロールブラシによるスクラブ洗浄、超音波スプレー洗浄、及び高圧ジェットスプレーによる純水での洗浄が行われる。ここでの洗浄は、例えばアルカリ洗浄液等を用いて処理するものであってもよい。この後、基板は、液滴除去部14において、エアーナイフにより表面に残留する純水の液滴が飛ばされる。
【0028】
洗浄ユニット10での処理を終えて搬出部15に移された基板は、図示しないコンベアによりポストベークユニット90bの中を通過して脱水ベークユニット20aに入る。脱水ベークユニット20a,20bにおいては、基板は旋回ロボット4aによって各処理室に運ばれる。脱水ベークユニット20aのコンベア室に搬送されてきた基板は、加熱室に運ばれる。ここで基板は、ホットプレートによって加熱されて水分が取り除かれる。なお、このとき、後段の露光機50におけるマスクチェンジやスピンコータ部32の装置洗浄等を行う際等においては、基板は適宜バッファ室で一時保管された後、加熱室へ運ばれる。次に基板は密着強化室に運ばれる。密着強化室では、レジスト膜と基板との密着性向上を目的として、基板に対して加熱を施しつつHMDSを蒸気状にして塗布する。この後、基板は、さらに冷却室に運ばれ、クールプレートによって冷却される。このようにレジスト塗布処理の前処理として脱水ベークが行われた基板は、レジスト塗布ユニット30の搬入部31に運ばれる。
【0029】
レジスト塗布ユニット30では、まずスライダー5aによって基板がスピンコータ部32に運ばれ、基板に対してレジストの塗布が行われる。スピンコータ部32は、レジスト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されており、水平にした基板上にレジストを滴下し基板を回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形成させる。レジスト膜が形成された基板は、スライダー5bによりレベリング処理部33に運ばれて、レジスト膜のレベリング及び乾燥処理が行われる。この後、基板はスライダー5cによってエッジリンス部34に移される。エッジリンス部34では、基板端面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを防止するために、基板表面の周辺や端面部分のレジストを溶剤により取り除く処理が行われる。これらのレジスト塗布に関する各処理を終えた基板は、スライダー5dによって搬出部35に運ばれる。
【0030】
搬出部35から搬出部35に隣接するプリベークユニット40aに運ばれた基板は、旋回ロボット4cによって、加熱室に移される。ここでは、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と基板の密着性強化を目的として、加熱処理が行われる。その後基板は冷却室で冷却され、旋回ロボット4cにより多段受渡部9に運ばれる。
【0031】
さらに基板は、旋回ロボット4d,4eにより露光機50に移され、露光処理が施される。具体的には、基板上のレジストに対し原画上にあるパターンを感光させる処理が施される。露光された基板は、露光機50から旋回ロボット4eにより取り出されて、バッファ部8cを介して、旋回ロボット4dに保持される。なお、露光機50への搬入,搬出の際には、基板はもし必要があればバッファ部8a,8b,8cにおいて一時的に保管される。
【0032】
次に基板は、旋回ロボット4dからタイトラー60及びエッジ露光機70に移されて、それぞれ印字焼き付け、エッジ露光が行われる。エッジ露光では、基板上のディスプレイ部を除く基板周辺のレジストを除去すべく露光処理される。ここではエッジ露光機70をこの位置に配しているが、必要に応じて、ここに裏面露光ユニットを配してもよい。また、タイトラー60の代わりに裏面露光ユニットを配しても良い。これらの処理を終えた基板は、旋回ロボット4dによって多段受渡部9に移されて、図示しないスライダーによってコンベア部79に載せられる。そして、基板はコンベア部79からプリベークユニット40bを通過して現像ユニット80の搬入部81に搬送される。
【0033】
現像ユニット80において、基板は搬入部81から搬出部85へとコンベアによって搬送される。そして、現像部82においては、ノズルより噴霧状の現像液を基板表面にシャワー状にかけるスプレー現像、または基板上に現像液たまりを形成するパドル現像が行われる。水洗部83,乾燥部84においては、現像後の基板に対して純水等のリンス液による洗浄及び乾燥が行われる。これらの処理を終えた基板は、搬出部85からプリベークユニット20bを通過する図示しないコンベアによりポストベークユニット90aに運ばれる。
【0034】
ポストベークユニット90a,90bでは、基板上のレジスト膜中または表面に残留したリンス液を蒸発除去し、レジストの硬化及び基板との密着性強化を目的とした熱処理を行う。具体的には、加熱室のホットプレートによって基板を加熱し、冷却室のクールプレートによって基板を冷却する。また、適宜バッファ室に基板が一時的に保管される。これらの処理が施された基板は、空冷ユニット99に運ばれる。そして、空冷ユニット99で空冷された基板は、インデクサーロボット2aによって元のカセット3に収容される。
【0035】
<イオナイザ>
上記の各処理ユニットの各処理部あるいは各室、露光機50、タイトラー60、エッジ露光機70、バッファ部8a,8b,8cには、それぞれ軟X線イオナイザ(軟X線照射除電装置)101が配備されている。これらの軟X線イオナイザ101は、波長が1.3×10-4〜4.1×10-4μmの光である微弱X線(軟X線)を利用した静電気除去装置であり、軟X線の持つ電離作用により照射範囲の空間に高濃度のイオンを生成し、瞬時に帯電物体の静電気を除去することが可能なものである。また、光照射方式の装置であって、微粒子、オゾン、誘電電圧等の発生がないものである。
【0036】
軟X線イオナイザ101は、各処理部内や各室内に配置されるヘッド部102と、安全回路や各種表示機能を備えたコントローラ部103とから構成され、ヘッド部102から軟X線を照射する。ヘッド部102は、長さが100mm、幅が40mm、高さが80mm程度の小さなものであって、各処理部や各室等の上部に取り付けられる。例えば、ホットプレート121を有する加熱室122に対して、図3に示すような位置に取り付けられる。図3に示す軟X線イオナイザ101の照射範囲は前方120度円錐状の範囲であり、基板Wの表面全体に照射されるわけではないが、基板W内で電荷が移動するため、図3に示すような照射でも十分に基板Wの除電ができる。
【0037】
この軟X線イオナイザ101から帯電物体である基板Wに向けて軟X線(図3及び図4において、Xと表示する。)が照射されると、図4に示すように、照射範囲にある安定している原子/分子130から電子がはじき出されてプラスイオン131が生成される。そして、はじき出された電子が安定している原子/分子に付着してマイナスイオン132が生成される。このように均等なバランスで生成されるプラスイオン131及びマイナスイオン132は、軟X線が当たっているところ全てにおいて生成されるため、基板Wの近傍で生成されたプラスイオン131あるいはマイナスイオン132が基板Wの電荷を吸収して基板Wを除電する。一方、その他の生成イオン131,132は元の安定状態に戻っていく。
【0038】
<イオナイザ制御部>
各処理ユニット等に配備された軟X線イオナイザ101は、イオナイザ制御部142によってオン/オフ制御される(図5参照)。このイオナイザ制御部142は、基板処理装置1全体を制御するメインコントローラ140とつながっている。また、メインコントローラ140は、図5に示すように、各ユニットの制御を行うCPU141と接続されており、操作入力パネル145から処理に関する各種の情報がインプットされる。
【0039】
基板Wが各ユニット等に搬送されてくると、各ユニット等における処理が基板Wに施された後に、メインコントローラ140からの指令によってイオナイザ制御部142はオン/オフスイッチ106をオンの状態とする。オン/オフスイッチ106が入ると、電源105から軟X線イオナイザ101に電流が流れ、基板Wに軟X線が照射される。そして、所定時間の照射の後に、イオナイザ制御部142はオン/オフスイッチ106をオフの状態とする。このように、各ユニット等においては、基板Wに対する処理を行った後に、所定時間だけ軟X線を基板Wに照射して基板Wの除電を行う。
【0040】
基板Wに軟X線を照射する時間や軟X線イオナイザ101の出力は、基板の種類や大きさ等によって必要とされる値が異なるため、イオナイザ制御部142はメインコントローラ140からの基板や処理に関する情報を基に適当な時間及び軟X線イオナイザ101の出力を選択する。具体的には、イオナイザ制御部142が有しているデータ、例えば段階的な10秒、20秒、30秒といった時間のデータや50ボルト、100ボルト、200ボルトといった出力のデータの中から、適当なデータが選択される。したがって、基板の種類によっては、10秒間基板Wに軟X線が照射されることもあれば、20秒間照射されることもある。また、イオナイザ制御部142には、静電モニタ(帯電電位測定手段)143による基板Wの帯電電位の情報が常時送られてきている。そして、除電終了時において基板Wの帯電電位が所定値を超えているときには、メインコントローラ140を介して警報が発せられる。
【0041】
この基板処理装置1では、レジスト塗布から現像に至るまでのレジスト塗布ユニット30、プリベークユニット40a,40b、露光機50、タイトラー60、エッジ露光機70、及び現像ユニット80のように一定量以上の光が照射されると感光して現像ムラが発生する恐れのあるユニット等においても、軟X線イオナイザ101を配備して効率的な除電を行っている。そして、基板Wに一定量以上の軟X線が照射されないように、イオナイザ制御部142による制御が行われている。したがって、軟X線を常時照射し続ける場合に較べて、現像後の基板Wの現像ムラの発生が抑えられている。
【0042】
<その他>
なお、前述のように、基板W内では電荷が自由に移動するので必ずしも基板Wの表面全体に軟X線を照射する必要はないが、除電するために比較的長い時間の軟X線の照射が必要な場合には、図6及び図7に示すように、あるいは図8に示すようにして軟X線イオナイザ101のヘッド部102を基板Wに対して相対的に移動させることが望ましい。
【0043】
図6及び図7に示すヘッド部102は、基板Wの上方においてロータリーアクチュエータ151に支持されており、図示しない駆動装置によって揺動する。これによって基板W表面上の特定の部分に軟X線の照射が集中することが抑えられ、多少感光してしまうような場合にも現像後の基板Wにムラができにくくなる。
【0044】
また、図8に示すヘッド部102は、基板Wの上方において図示しない支持装置によって支持されており、この支持装置を水平移動させる図示しないボールねじ電動シリンダ等の駆動装置によって水平移動する。すなわち、ヘッド部102は、基板Wの表面に対して平行に移動する。このようにヘッド部102を移動させることによって、基板W表面上の特定の部分に軟X線の照射が集中することが抑えられ、多少感光してしまうような場合にも現像後の基板Wにムラができにくくなる。
【0045】
[参考例]
上記第1実施形態においては、イオナイザ制御部142は、所定時間だけ軟X線イオナイザ101を作動させて基板Wの除電をおこなっているが、以下に記載するように、静電モニタ143による基板Wの帯電電位を基にして軟X線イオナイザ101の作動/非作動を切り替えることもできる。
【0046】
この例では、基板Wが各ユニット等に搬送されてくると、各ユニット等における処理が基板Wに施された後に、メインコントローラ140からの指令によってイオナイザ制御部142はオン/オフスイッチ106をオンの状態とする。オン/オフスイッチ106が入ると、電源105から軟X線イオナイザ101に電流が流れ、基板Wに軟X線が照射される。そして、静電モニタ143によって監視している基板Wの帯電電位が所定値以下となり十分に除電されたと判断されると、イオナイザ制御部142はオン/オフスイッチ106をオフの状態とする。このように、各ユニット等においては、基板Wに対する処理を行った後に、基板Wの帯電電位が所定値以下となるまで軟X線を基板Wに照射して基板Wの除電を行う。
【0047】
ここでは、基板Wに必要な除電が施された後は、基板W表面のレジストが不要な感光をしないように軟X線の照射を停止している。イオナイザ制御部142によってこのような制御が行われることにより、軟X線イオナイザ101を使って精密な除電を行い、周囲に発生する誘導電荷を抑えるとともに、不要な感光が起こらないようにされている。
【0048】
[第2実施形態]
上記第1実施形態においては、オン/オフスイッチ106を切り替えることによって基板Wに軟X線が当たっている状態と基板Wに軟X線が当たっていない状態とを切り替えているが、図9あるいは図10に示すように、軟X線イオナイザ101のヘッド部102の向き、すなわちヘッド部102が照射する軟X線の照射の向きを変えることによって基板Wに軟X線が当たっている状態と基板Wに軟X線が当たっていない状態とを切り替えることもできる。
【0049】
図9に示すヘッド部102は、図示しない駆動装置によってヘッド部102を180度近く回転させて照射の向きを下方から上方に切り替える。図10に示すヘッド部102は、図示しない駆動装置によってヘッド部102を90度近く回転させて照射の向きを下方から側方に切り替える。この図10に示す場合でも、基板Wが収容されているチャンバーの天井部155の存在により、基板W付近には軟X線は到達しない。
【0050】
ここでは、図9あるいは図10に示すようにヘッド部102の向きを変えることで基板Wへの照射を切り替えられるので、軟X線イオナイザ101を常時作動させておくことができる。
【0051】
[第3実施形態]
上記第1実施形態においては、オン/オフスイッチ106を切り替えることによって基板Wに軟X線が当たっている状態と基板Wに軟X線が当たっていない状態とを切り替えているが、図11及び図12に示すように、シャッター(遮蔽部材)161及びこれを移動させるシリンダー160によって基板Wに軟X線が当たっている状態と基板Wに軟X線が当たっていない状態とを切り替えることもできる。
【0052】
シャッター161は、シリンダー160のロッドに固定されており、基板Wと軟X線イオナイザ101のヘッド部102との間に配置され、基板Wに対する軟X線の照射を遮蔽している(図12参照)。そして、イオナイザ制御部142からの指令により、シリンダー160が作動して、所定時間だけ図11に示すようにシャッター161をヘッド部102から遠ざけ、基板W付近へ軟X線を照射させる。
【0053】
ここでは、このようにシャッター161を移動させることで基板Wへの照射を切り替えられるので、軟X線イオナイザ101を常時作動させておくことができる。
【0054】
[第4実施形態]
上記第1実施形態においては、イオナイザ制御部142は、各ユニット等における処理が基板Wに施された後にメインコントローラ140からの指令によってオン/オフスイッチ106をオンの状態とし、所定時間後にオフの状態とする。このように、第1実施形態では、各ユニット等において、基板Wに対する処理を行った後に、所定時間だけ軟X線を基板Wに照射して基板Wの除電を行っている。
【0055】
本実施形態では、イオナイザ制御部142によるこのような制御は行わず、原則として常時軟X線イオナイザ101による基板Wへの軟X線の照射を行う。そして、レジスト塗布ユニット30のスピンコータ部32内を洗浄するような場合、露光機50においてマスクの交換を行う場合などのように、基板Wに対する連続的な処理が一時的に停止するときにだけ、オン/オフスイッチ106を切り替えて軟X線イオナイザ101の作動を止める。
【0056】
通常、基板処理装置1においては、連続的に基板Wの処理が行われて各ユニット等を基板Wが搬送されている。このように連続的な基板Wの処理が滞りなく行われているときには、軟X線イオナイザ101から各ユニット等にある基板Wに軟X線が照射し続けられていても、基板Wの種類によっては現像ムラが出るほどの光を基板Wが受けないこともある。したがって、この場合には、軟X線イオナイザ101の作動を細かく制御しなくとも、現像後の基板Wに現像ムラが出ることは少ない。しかしながら、基板Wに対する連続的な処理が一時的に停止するときには、各ユニット等の内部に長時間基板Wが保持されることとなるため、この時に軟X線が基板Wに照射し続けられていると現像ムラが発生する程の量の光を基板Wが浴びてしまうことになる。
【0057】
ここでは、基板Wの連続的な処理が一時的に停止するときに、その情報を各ユニットCPU141から得たメインコントローラからの指令によって、イオナイザ制御部142が軟X線イオナイザ101の作動を止める。これにより、レジスト塗布ユニット30のスピンコータ部32内を洗浄するような場合、露光機50でマスクの交換を行う場合などに、長時間基板Wに軟X線が当たり続けることが回避され、現像ムラが発生するのを防ぐことができる。
【0058】
【発明の効果】
本発明では、基板に所定時間以上軟X線を照射すると基板処理に支障がある場合でも、軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御しながら基板を除電しているため現像ムラのような基板処理の不具合が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】TFTアレイ基板の製造工程図。
【図2】本発明の一実施形態における基板処理装置の平面概略図。
【図3】軟X線イオナイザの構成図。
【図4】軟X線イオナイザの動作図。
【図5】軟X線イオナイザの制御図。
【図6】軟X線イオナイザのヘッド部の揺動図。
【図7】軟X線イオナイザのヘッド部の支持状態図
【図8】軟X線イオナイザのヘッド部の移動図
【図9】第2実施形態の軟X線イオナイザのヘッド部の回転図。
【図10】第2実施形態の軟X線イオナイザのヘッド部の回転図。
【図11】第3実施形態の軟X線イオナイザのヘッド部とシャッターとの状態図。
【図12】第3実施形態の軟X線イオナイザのヘッド部とシャッターとの状態図。
【符号の説明】
1 基板処理装置
101 軟X線イオナイザ(軟X線照射除電装置)
142 イオナイザ制御部(制御部)
143 静電センサー(帯電電位測定手段)
161 シャッター(遮蔽部材)
Claims (5)
- 連続的に基板に処理を施すための複数の処理部と、
前記処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、
前記軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理部による基板に対する連続的な処理が一時的に停止して前記処理部内に長時間基板が保持されるときにだけ軟X線が基板に照射されないように制御する、
基板処理装置。 - 基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、
前記軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行うとともに、基板や処理に関する情報を基に軟X線の照射時間及び軟X線の出力を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記制御部は、前記軟X線照射除電装置の作動をオン/オフする、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、
前記軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
前記処理部にある基板と前記軟X線照射除電装置との間に移動して前記処理部にある基板に対する軟X線の照射を遮蔽し得る遮蔽部材と、
を備え、
前記制御部は、前記遮蔽部材を移動させる、
基板処理装置。 - 基板に処理を施す処理部と、
前記処理部にある基板に軟X線を照射して基板を除電する軟X線照射除電装置と、
前記軟X線が基板に所定時間以上照射されないように制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記軟X線照射除電装置の向き、あるいは前記軟X線照射除電装置が照射する軟X線の照射の向きを変える、
基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18585998A JP4149568B2 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18585998A JP4149568B2 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000021726A JP2000021726A (ja) | 2000-01-21 |
JP4149568B2 true JP4149568B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=16178137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18585998A Expired - Fee Related JP4149568B2 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4149568B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100928917B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2009-11-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널의 제전방법 및 이를 이용한 횡전계방식 액정패널의 제조방법 |
JP2006066075A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Keyence Corp | 光除電装置 |
KR101126346B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정전기 제거 장치 |
JP4841177B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2011-12-21 | ヤマト科学株式会社 | プラズマ洗浄処理装置 |
KR101522426B1 (ko) * | 2008-06-25 | 2015-05-21 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | X선 조사 시스템 및 x선 조사 장치 |
JP5295829B2 (ja) | 2009-03-12 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法 |
JP6255183B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-12-27 | 高砂熱学工業株式会社 | 電子部品の除電方法および除電装置 |
JP6028602B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
CN105149308B (zh) * | 2015-10-23 | 2017-07-25 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种具有去除静电作用的清洗装置和清洗方法 |
JP6365619B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2018-08-01 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
TWI813718B (zh) * | 2018-07-18 | 2023-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 顯像處理裝置及顯像處理方法 |
JP6642671B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-02-12 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置 |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP18585998A patent/JP4149568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000021726A (ja) | 2000-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4149568B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100699348B1 (ko) | 포토레지스트 용액을 효율적으로 사용하는 분사식포토레지스트 코팅 장치 및 방법 | |
US7651284B2 (en) | Development apparatus and development method | |
JP2002353096A (ja) | 基板搬送方法、露光装置及び露光方法 | |
US11567444B2 (en) | Developing treatment apparatus and developing treatment method | |
JP2008159768A (ja) | ベーキング装置及び基板処理装置 | |
JP4045008B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20110059405A1 (en) | Substrate processing method | |
KR20160141248A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20060004308A (ko) | 포토 마스크 세정장치 및 그 방법 | |
KR102256692B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 방법 | |
JP2007058015A (ja) | 基板除電方法、基板除電装置、及び液晶表示装置の製造方法 | |
JP2006173246A (ja) | 塗布装置及び塗布方法及び塗布処理プログラム | |
JP2017131814A (ja) | エレクトロスプレー装置および薄膜の形成方法 | |
JP4681661B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2010243918A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP3508183B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
KR20160078582A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP5338089B2 (ja) | 電荷消去方法 | |
JPH0773991A (ja) | 基板搬送装置 | |
KR101721148B1 (ko) | 노즐, 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법 | |
JP4044994B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102231773B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
JP3934947B2 (ja) | カラーフィルター又は液晶用構造材の現像方法 | |
JP2004014688A (ja) | 回転処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050506 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080626 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |