JP3508183B2 - 基板搬送装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、搬送中の物品に発生す
る静電気を高速度で除去する搬送装置に係わり、特に液
晶製造におけるガラス大型基板の搬送途上で発生する帯
電の除去に威力を発揮するガラス基板の搬送装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ノートブック型のパソコンあるい
は液晶テレビの普及とともに、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ
（ＡＭ−ＬＣＤ）の量産技術の確立が要求されている。
ＡＭ−ＬＣＤ製造工程は、ガラス基板上にアモルファス
シリコン、絶縁体、導電体などの各種薄膜を堆積しパタ
ーン加工してＴＦＴや液晶駆動用の表示電極や配線を形
成するＴＦＴ工程、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ（Ｃ
Ｆ）基板とを位置合わせして重ね隙間に液晶を注入する
パネル工程、パネル周辺に駆動回路ＩＣを接続しバック
ライトなどを実装するモジュール工程からなる。

【０００３】ところで、ＬＣＤの量産を押し進めるため
には、静電気対策が、類似の製造工程を有するＬＳＩ製
造の場合よりも、遥かに重要で、歩留まり確保のための
最大の問題点である。すなわち、ＬＣＤの基板材料は絶
縁性のガラスであるため、ＬＳＩの基板材料であるシリ
コン単結晶（半導体）と比べて、静電気による帯電が遥
かに生じやすく、パーティクルの吸着や、堆積膜の絶縁
破壊を招きやすいからである。

【０００４】しかしながら、ＬＣＤ製造はＬＳＩ製造と
比較して、次のような固有の問題を有している。すなわ
ち、第１に、ＬＣＤの基板形状は角型で、大きく、重い
ことから、バッチ処理が困難であり、搬送など取扱いも
難しい。第２に、線幅、線間隔などのパターン加工精度
はＬＳＩに比べて１桁緩いものの、シリコン基板の数倍
に及ぶ広い面積での加工の均一性が必要である。第３
に、歩留まりの概念が相違する。すなわち、１ＭＤＲＡ
Ｍに相当する１０型クラスのＴＦＴ−ＬＣＤでは１枚の
ガラス基板上に２パネル分しか面付けできず、歩留まり
は０％、５０％、１００％の３値しか取り得ない。ＬＳ
Ｉが、１枚のシリコン基板上に数百チップを配置できる
のとは対象的である。

【０００５】したがって、ＬＣＤ製造工程における静電
対策を確立するためには、上記のような固有の問題の解
決をあわせて考える必要がある。このような観点を踏ま
えた帯電物体の除電技術として、従来よりコロナ放電を
利用した各種のイオナイザが知られている。また最近で
は、帯電物体の周囲雰囲気の空気に軟Ｘ線を照射してそ
の空気を電離・イオン化し、帯電を中和する方法も開発
されている。これらの除電技術の原理は、いずれも空気
を電離して（コロナ、軟Ｘ線を問わない）発生する空気
イオンで帯電電荷を中和する方法である。

【０００６】これらの技術のうち、本願発明者らが先に
出願した特願平５−８８１７２号に開示されている液晶
用イオナイザの概要を、図７に示す。このイオナイザ１
００は、搬送装置１０１上を運ばれてくる大型ガラス基
板１０２（３００×４００ｍｍ²）の帯電（数ｋＶ）
を、３秒間で、全面にわたってムラなく一様に、９９％
以上除電できるものである。その特徴を以下に示す。

【０００７】１）イオンコントローラ１０３により制御
可能なパワーユニットトランス部１０４よりＡＣ電圧を
放電極１０５に印加するとともにＤＣ電圧を対極１０６
に印加し、同時に送風ユニット１０７より除塵された空
気を供給することにより、空気イオンを含んだ気流がス
リットノズル１０８から吹き出して、その気流が大型ガ
ラス基板１０２の表面全面を覆いつくすように広がるた
め、除電ムラがない。気流速度はノズル出口において１
２ｍ／ｓ、ノズル出口から１５ｃｍ離れた位置で２〜３
ｍ／ｓである。ノズル出口からの気流がガラス基板に到
達するまでの時間は、十分の一秒以下と短く、この気流
を数秒だけガラス基板に照射するだけで、数ｋＶの帯電
の９０％以上を除去できる。

【０００８】２）また、スリットノズル１０８吹出口に
配置される上記金属製の放電極１０５を石英ガラスで被
覆することにより、放電に伴う電極の劣化と発塵を防止
することが可能である。

【０００９】３）さらに、放電極の下流側に穴開きステ
ンレス板を対極１０６として設けた。ノズルから吹き出
したイオン気流はこの開口部を通過する。この際、正と
負のイオン濃度を均衡させるために、対極に＋３０Ｖ〜
＋５００Ｖの直流電圧を印加して、気流中に過剰に含ま
れる負イオンを対極に吸収することが可能である。

【００１０】つぎに、最近開発された軟Ｘ線による除電
技術について簡単に説明する。この技術は、帯電体近傍
に軟Ｘ線を照射して空気を電離し、発生する空気イオン
のうち、帯電と逆極性のイオンがクローン力によって帯
電体に吸収され、帯電を除去するものである。その特徴
を以下に示す。

【００１１】１）イオナイザ（コロナ放電方式）では不
可欠の、発生イオンを放電極から帯電物体まで搬送する
ための気流を全く必要としない。

【００１２】２）イオナイザのように発生した正と負の
イオンを気流で搬送する場合には、帯電物体にイオンが
到達するまでの搬送途上で、正負イオンが結合・中和し
てイオン濃度が減衰してしまう。一方、軟Ｘ線では、帯
電物体近傍の空気を直接電離するため、電離直後の高濃
度イオンが、減衰することなく帯電物体に到達して、除
電に利用される。軟Ｘ線方式がコロナ放電方式よりも除
電時間が大幅に短い所以である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な液晶用イオナイザは空気イオンを気流で搬送するた
め、気流速度によっては除電の対象となる帯電物体周辺
の雰囲気をかき乱すことになる。清浄度があまり高くな
いクリーンルーム内で使用する場合、周囲表面に沈着し
たゴミを舞い上げ、結晶パネル表面を汚すことになる。

【００１４】一方、軟Ｘ線による除電法では、軟Ｘ線が
薄い空気層によっても容易に吸収されてしまう特性を有
するものの、作業者の被曝を完全に防止するためには、
照射空間全体を厚み１〜２ｍｍの塩ビ板のようなもので
覆う必要がある。液晶パネルは遮蔽板で覆われた閉空間
内部を搬送されることになり、クリーンルーム全体の清
浄化技術に加え、この閉空間の清浄化技術が新たに必要
となる。そのため、液晶パネルをクリーンルーム内の清
浄空気に対して開放された状態で搬送するという従来形
式搬送法のコスト面での有利性が失われてしまう。

【００１５】さらに、イオナイザと軟Ｘ線のいずれの除
電法も剥離帯電とその瞬間に起こる素子の絶縁破壊を防
止することは不可能である。その理由を図８を用いて説
明する。図８は大型ガラス基板の搬送装置１２０の概要
で、一端で搬送ベルト１２１上に搭載されたガラス基板
１２２は他端において搬送アーム１２３の吸着チャック
１２４で持ち上げられる。搬送途上において、互いに接
触したガラス面とベルト面がわずかでも擦れ合うと、ガ
ラス面は正に、ベルト面は負に帯電する。この段階では
異符号に帯電した面は密着しており、見かけ上互いに中
和した状態にある。ところが、真空チャック１２４で両
面を分離すると、剥離帯電によって瞬時にガラス基板１
２５の厚み方向に正帯電に起因する電界が現れ、ガラス
基板１２５上に形成された素子を絶縁破壊する。

【００１６】また、イオナイザや軟Ｘ線のように空気イ
オンによって帯電を中和する方法では、剥離帯電によっ
てガラス基板に生じた帯電を除去するのに０．５秒〜数
秒も要し、素子の絶縁破壊防止には役立たない。また、
ガラス基板に生じた帯電を空気イオンを利用して中和し
ようとする場合には、図９に示すようにガラス基板１３
０の表面１３０Ａに帯電物品の中和装置１３１により形
成された空気イオンが吸着すると、剥離帯電によってガ
ラス基板の裏面１３０Ｂに生じた帯電とは異なる極性の
帯電がガラス基板の表面に生じることになる。電界はガ
ラス基板内部にのみ収束するので、見かけ上、帯電は中
和されたようになるが、基板内部の素子の劣化や液晶分
子の配向ムラの原因となる。

【００１７】さらに、イオナイザと軟Ｘ線源のいずれの
除電装置も、装置１台当たりの除電可能な範囲は限定さ
れている。そのため、搬送経路の帯電が発生する可能性
のある全ての箇所に多数の除電装置を設置しなければな
らず、多数の除電装置を同時に稼働させれば、個々の除
電装置の故障、メンテナンスの煩雑さが必然的に生じる
ことになる。

【００１８】したがって、本発明は、ガラス基板の搬送
時に使用される従来の除電装置が有するこのような問題
を解決し、高品質のＬＣＤの量産を可能にすることを課
題としたものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１の観点によれば、本発明に基づいて構成された
基板搬送装置は、除電対象基板との接触面が絶縁性材
料、たとえばセラミックスからなりかつ接地された基板
支持部を備えた搬送機構と、少なくとも基板支持部から
基板が離れる直前に基板と基板支持部の接触面の両方及
び基板の周囲雰囲気に対して搬送空間よりも相対湿度の
高いエアを吹きかけるための送気手段と、空気を電離し
て発生する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物
中和装置とを備え、相対湿度の高いエアを基板と基板支
持部の接触面の両方に対して平行に、基板の表裏両面を
なぞるように投射することを特徴としている。また、本
発明の第２の観点によれば、本発明に基づいて構成され
た基板搬送装置は、除電対象基板との接触面が絶縁性材
料、たとえばセラミックスからなりかつ接地された基板
支持部を備えた搬送機構と、少なくとも基板支持部から
基板が離れる直前に基板と基板支持部の接触面の両方及
び基板の周囲雰囲気に対して搬送空間よりも相対湿度の
高いエアを吹きかけるための送気手段と、空気を電離し
て発生する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物
中和装置とを備え、相対湿度の高いエアを基板と基板支
持部の接触面の両方に対して平行に、基板の表裏両面を
なぞるように投射し、基板の近傍を相対湿度７０％以上
とすることを特徴としている。 また、帯電物中和装置
を、基板の搬送方向に対して、送気手段の上流側に設け
るように構成することもできる。 また、本発明の第３の
観点によれば、クリーンルーム内に設置される基板搬送
装置は、除電対象たる基板との接触面が絶縁性材料、た
とえばセラミックスからなりかつ接地された基板支持部
を備えた搬送機構と、搬送機構を覆い込むように搬送機
構の上部に配置され、基板と基板支持部の接触面の両方
及び基板の周囲雰囲気に対してクリーンルーム内よりも
相対湿度の高いエアを一様流として吹きかけるための一
様流形成用の吹き出し口を有した送気チャンバとを備
え、基板の近傍を相対湿度７０％以上とすることを特徴
としている。

【００２０】また、基板支持台の近傍の相対湿度を検出
するためのセンサを設け、そのセンサからの信号に応じ
て送気手段から送気される空気の温湿度を制御する構成
にすることも可能である。

【００２１】

【００２２】

【作用】本発明装置は、本願発明者らが知見した、物体
表面上の静電荷がその物体の表面を通じて接地側に漏洩
する現象を利用したものであり、さらには、空気中の湿
度が大きい場合に物体表面の静電荷が直接空気中に漏洩
する、いわゆる「気中漏洩」による静電荷の減衰を利用
したものである。

【００２３】このように相対湿度が増すと表面帯電の減
衰が著しくなる理由は、基板のガラス表面と基板支持部
のセラミックス製接触面の水の吸着量が増加して表面抵
抗値が減少するためである。ガラス基板の主成分である
ＳｉＯ₂のＯ原子は孤立電子対を持ち、水分子のＨと水
素結合しやすいため、ガラス表面に水分子層が形成され
やすい。また、基板支持部の接触面によく使用されるセ
ラミックス素材のＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などには
いずれも孤立電子対を有するＯやＮ原子が含まれる。こ
のような絶縁性セラミックス面も水分子のＨと水素結合
して、その表面に水分子層が形成されやすい。なお、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤの製造工程は、ガラス基板上に薄膜電極、
絶縁膜を形成するものであり、複数層の電極を絶縁膜で
保護していくため、工程のなかで絶縁膜形成工程の占め
る割合は大きい。しかしながら、絶縁膜は、ＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等であり、これら絶縁膜質
のＯやＮ原子はＳｉＯ₂のＯ原子と同様に孤立電子対を
持つことを考慮すれば、このような絶縁膜付きガラス基
板に対しても本発明装置は有効である。さらに、相対湿
度が８０％以上では、表面電荷の気中漏洩による減衰も
ガラス基板表面と基板支持部のセラミックス製接触面の
両方の除電に効果的に作用する。

【００２４】次に、本発明に基づいて構成された基板搬
送装置において、除電対象であるガラス基板との接触面
を絶縁性のセラミックスにして接地する構成を採用した
理由を図１および図２を参照しながら説明する。

【００２５】図１は、カセットケース１に入ったＬＣＤ
基板２をロボットアーム３で取り出そうとする様子を示
す図である。ここでＬＣＤ基板２はガラス基板２ａの表
面にＴＦＴ素子２ｂを形成したものであり、そのガラス
基板裏面は正に帯電しているものとする。このＬＣＤ基
板２を取り出すため、図２（ａ）に示すように金属製の
ロボットアーム３ａをＬＣＤ基板に近づける従来の場合
と、図２（ｂ）に示すように絶縁性セラミックスのロボ
ットアーム３ｂをＬＣＤ基板２に近づける本願の場合と
の、２つのケースを比較して考えてみよう。図２（ａ）
に示す従来の場合には、静電誘動作用によりＴＦＴ金属
パターン２ｂの正の電荷と金属アーム３ａの負の電荷が
引き寄せあって、基板に接近したアームと基板の最短距
離間に強力な電界が形成される。アームと基板の最短距
離が小さくなって、この電界強度がある限度を越えた時
に放電が起こり、ＴＦＴ素子が破壊される。これに対し
て図２（ｂ）に示す本願の場合には、静電誘導作用によ
る電荷の移動が起こらないため、放電によるＴＦＴ素子
の破壊は起こらない。

【００２６】もちろん、アームを近づける前の図１に示
す状態において、除電装置（イオナイザや軟Ｘ線）を使
用して、ＬＣＤ基板の帯電を十分に中和しておけば、金
属アームを近づけても全く問題はない。しかし現実の製
造工程では、帯電基板の十分な除電が行われないままの
状態で、基板の搬送移動が実行される場合がよくあるた
め、本発明のように除電対象基板の接触面を絶縁性材料
から構成することにより、静電誘導作用による素子破壊
を防止することが可能である。

【００２７】さらに本発明によれば、送気手段から吐出
される周囲雰囲気よりも大きな相対湿度を有する気流を
基板に吹きかけることにより、気流が触れた基板面と基
板支持部接触面の近傍は、周囲雰囲気よりも大きな相対
湿度の雰囲気に包まれ、基板面と基板支持部接触部を引
き離そうとする際に生じる帯電電荷の大部分は基板面に
付着した水分子層と基板支持部のセラミック製接触面に
付着した水分子層を経由して接地側へ漏洩し、基板表面
と基板支持部のセラミック製接触面の両方に生じる帯電
電荷の一部は気中へ直接漏洩する。この結果、短時間に
基板面に帯電した静電荷が除電されるので、基板を支持
台から離した場合であっても剥離帯電現象が生じず、基
板に形成された素子の絶縁破壊を有効に防止することが
できる。特に、エアを基板と基板支持部の接触面の両方
に対して平行に、基板の表裏両面をなぞるように投射す
ると、基板の表裏両面が帯電している場合に有効であ
る。

【００２８】また、基板近傍が相対湿度７０％以上の雰
囲気に包まれると、基板の帯電電荷の大部分は、基板に
付着した水分子層と基板支持台を経由して、接地側へ漏
洩し、基板の帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩し、１／
１００秒のオーダで瞬時に除電される。また、一様流形
成用の吹き出し口を有した送気手段を、基板支持部の移
動経路上に配置するようにすれば、ジェットやカーテン
気流のように吹き出し方向制御の難しさがなくなる。さ
らにセンサにより基台近傍の相対湿度を検出し、その信
号に応じて、風量、湿度、温度をフィードバック制御す
ることにより、より安定した除電環境を提供することが
できる。

【００２９】さらにまた、本発明装置は、送気手段の上
流側に設置された、コロナ放電電極や軟Ｘ線照射装置な
どの空気を電離して発生する空気イオンにより帯電電荷
を中和する帯電物中和装置と組み合わせて使用すること
もできる。かかる組合わせにより、帯電物中和装置によ
り基板に帯電したあらかたの静電荷を前処理として除電
し、相対湿度の高いエアにより基板を基板支持部から離
した場合に生じる剥離電荷を主として除電することによ
り、より完全な除電効果を得ることができる。

【００３０】

【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
いて構成された基板搬送装置の好適な実施例について説
明する。まず本発明の理解を容易にするために、周囲雰
囲気の湿度とガラス基板表面およびセラミックス製接触
面の汚れに注目して、これら温度と汚れが、接地された
セラミックス製接触面に接して置かれたＬＣＤ用ガラス
基板の帯電電荷の漏洩特性にどのような影響を及ぼすか
を調べた実験について説明する。

【００３１】１．実験方法 （１）ガラス基板とセラミックス接触面 実験に使用したガラス基板は全て、コーニング社製の無
アルカリガラス（Ｆｕｓｉｏｎ７０５９）である。その
比誘電率は５．８４［−］であり、その成分はＳｉ
Ｏ₂：４９％、ＢａＯ：２５％、Ｂ₂Ｏ₃：１５％、Ａｌ₂
Ｏ₃：１０％、その他：１％であった。また、実験に使
用したセラミックス接触面は、石英ガラス表面に１００
０ のＳｉＮ膜またはＳｉＯ₂膜をスパッタリング法で
成膜したものである。

【００３２】（２）帯電電位の測定法 図８に示すように、２２．５±０．５℃、４２±１％Ｒ
Ｈの恒温恒湿槽中（清浄度は米国連邦規格０．５μｍ粒
子径基準Ｃｌａｓｓ １）に、液晶用のガラス基板とし
て使用されるコーニング社製の無アルカリガラス（Ｆｕ
ｓｉｏｎ７０５９、５０×５０×１．１^tｍｍ）の裏面
を接地した金属平板（図中のＩＴＯ膜が金属平板に相
当）上に置いた。このガラス基板の表面を正極性にコロ
ナ帯電させた。その後、恒温恒湿槽内の温湿度条件を様
々に変え、ガラス基板上の帯電電荷密度の減衰特性を調
べた。なお、ガラス基板の表面電位は、零位法のプロー
ブ（ＭＯＮＲＯＥ Ｍｏｄｅｌ １０１７Ｅ）による表
面電位計（Ｍｏｄｅｌ ２４４）で測定した。表面電位
の測定は、ガラス基板表面の均等に分布した２５カ所に
ついて行った。うち基板中心点については、実験中の表
面電位の経時変化を記録した。測定中の温湿度は鏡面冷
却式露点計（ＧＥＮＥＲＡＬ ＥＡＳＴＥＲＮＨｙｇｒ
ｏ−Ｍ２）で記録した。表面電位の測定値は次式（１）
によって表面電荷密度に換算した。

【００３３】 Ｖ_s＝Ｖ_b−Ｖ＝σｄ／ε_rε_o （１） ここで、 σ ：ガラス基板上面の等価表面電荷密度 ［Coulomb／ｍ²］ Ｖ_s ：ガラス基板厚み分の電位差 ［Ｖ］ Ｖ_b ：表面電位測定値 ［Ｖ］ Ｖ ：プローブガラス表面間電位差 ［＝０Ｖ］ ε_r ：ガラスの比誘電率 ［＝5.84］ ε_o ：空気の誘電率 ［＝8.85×10^-12Ｆ／ｍ］ ｄ ：ガラス基板の厚み ［＝1.1×10^-3ｍ］

【００３４】（３）表面抵抗率の測定 ガラス基板の表面抵抗率を様々な温湿度条件で測定し
た。ハイレジスタンスメータ（ＨＰ社製４３３９Ａ）の
リング電極部（ＨＰ社製１６００８Ｂ、主電極５０ｍｍ
φ、ガード電極６０ｍｍφ）を恒温恒湿槽内に設置し、
ガラス基板（８０×８０×１．１^tｍｍ）の表面抵抗率
をさまざまな湿度条件で測定した。まず、温湿度条件２
３℃、４０％ＲＨの槽内にガラス基板を置いた。この温
湿度条件から所定の温湿度条件に変化するまでの過渡時
間は２０分である。槽内の雰囲気が所定の温湿度条件に
到達してから１時間後に、ガラス基板をリング電極部に
装填し、測定を行った。ガラス基板のハンドリングは全
て、槽内外の雰囲気を隔離した状態で、槽内において行
われた。リング電極部への印加電圧は５００Ｖ、６０秒
とした。測定中の温湿度の記録は鏡面冷却式露点計を用
いて行った。またセラミックス接触面の表面抵抗率につ
いても、ガラス基板と同様の方法で測定した。

【００３５】（４）ガラス基板とセラミックス接触面の
洗浄 いかに清浄なガラス基板面も、クリーンルームの雰囲気
に曝されるだけで、空気中の炭化水素系ガスに由来する
有機物不純物が表面に付着してくる。通常この不純物
は、紫外線とオゾンガスを組み合わせたＵＶ／Ｏ₃洗浄
（日本電池 ＤＵＶ−２５×４Ａ）と呼ばれる方法で完
全に除去できる。超純水（１７〜１８ＭΩ・ｃｍ）によ
る６０分間の超音波洗浄とＵＶ／Ｏ₃洗浄を組み合わせ
た洗浄直後の状態を「洗浄」ガラス基板、その洗浄後１
ケ月間クリーンルーム内に装置した状態を「未洗浄」ガ
ラス基板とそれぞれ称して、実験に使用した。セラミッ
クス接触面についても、ガラス基板と同様の「洗浄」を
行い、その洗浄後にクリーンルーム内に装置した経過時
間と表面抵抗率の相関を、周囲雰囲気の相対湿度を変え
て測定した。

【００３６】（５）ガラス基板表面の汚染状態の評価 ガラス基板の表面が有機物によってどの程度汚れている
かを評価するために、接触角計（協和界面科学ＣＡ−Ｓ
１５０型）とＸ線光電子分光法（略称ＸＰＳ：ＦＩＳ
ＯＮＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ＩＮＳＰＥＣＴＯ
Ｒ））によって調べた。なお液滴として超純水を使用し
た。

【００３７】２．実験結果 （１）表面電荷密度減衰に対する湿度の影響 正極性にコロナ帯電させた「未洗浄」ガラス基板につい
て、様々な湿度条件における表面電荷の減衰特性を調べ
た。

【００３８】図１１に、２２．５±０．５℃、４２±１
％ＲＨにおける基板表面の２５ケ所の表面電荷密度を繰
り返し５回測定した場合の各測定点における平均値およ
び標準偏差を示す。図１１（ａ）に示されるように、ガ
ラス基板中央部の方が周辺部に比べて少し強く帯電して
いた。 平均表面電荷密度の全測定点の平均値は４．３
×１０^-5Coulomb／ｍ²である。また図１１（ｂ）に示さ
れるように、標準偏差は測定点によって異なり、±１×
１０^-6〜±５×１０^-6Coulomb／ｍ²である。

【００３９】恒温恒湿槽内の温度を２２．５℃（一定）
に設定し、所定の相対湿度に１時間曝した後の表面電荷
密度の減衰率（＝σ／σ_o）を図１０に示す。横軸は測
定点のガラス基板中心点からの距離を示している。相対
湿度が高いほど、また、基板周辺部に近いほど電荷密度
の減衰は大きくなった。４０％ＲＨにおいては、１時間
後の減衰率はσ／σ_o＝０．９７であり、逆に電荷密度
がわずかに増加した部分も観測された。

【００４０】次に、相対湿度は６０％ＲＨまたは７０％
ＲＨ（各一定）のままで温度のみを変え、つまり絶対湿
度が変化する場合の減衰率を測定した結果を図１３に示
す。図示のように、相対湿度が同じであれば、絶対湿度
が変化しても減衰率は変化しないことが分かる。

【００４１】図１４は、ガラス基板中心点の表面電荷密
度の減衰時間を測定して求めた時定数を基に、様々な相
対湿度に対する表面電荷密度の時間減衰を計算したもの
である。製造工程のクリーンルームの湿度は通常４０％
ＲＨ前後であるが、この場合には「未洗浄」ガラス基板
が接地導体に接触していても帯電電荷はなかなか減衰し
ないことが分かる。

【００４２】（２）表面汚染と帯電電荷の漏洩特性 「洗浄」ガラス基板（超音波洗浄＋ＵＶ／Ｏ₃洗浄）
と、「未洗浄」ガラス基板（同洗浄後１カ月クリーンル
ーム内に放置）を、正極性にコロナ帯電させ、５分後の
表面電荷密度を測定した結果、「未洗浄」ガラス基板の
表面電荷密度４．３×１０^-5Coulomb／ｍ²に対して、
「洗浄」ガラス基板は４．７×１０^-8Coulomb／ｍ²以下
の大きさであった。

【００４３】図１５は、さまざまな相対湿度において、
「洗浄」・「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率（ρ
_s〔Ω／□〕）を測定した結果である。「未洗浄」ガラ
ス基板の表面抵抗率は「洗浄」ガラス基板の１０²〜１
０⁵倍も大きく、両者の表面抵抗率はいずれも湿度が高
くなるにつれて減少した。

【００４４】また、「洗浄」および「未洗浄」のガラス
基板表面の接触角を測定した結果、「洗浄」のものは４
度、「未洗浄」のものは７０度（標準偏差は２度）を示
した。このように、「未洗浄」の接触角は「洗浄」に比
べて明らかに大きく、「洗浄」基板がクリーンルーム雰
囲気に長時間曝された場合には、表面汚染が起こること
が分かる。

【００４５】さらに、ＸＰＳ（X-ray photoelectron sp
ectroscopy）でガラス基板表面の元素構成率（％）を分
析した結果、「洗浄」ガラス基板では、Ｃ：４．８、
Ｏ：６２．９（６６）、Ｓｉ：２３．８（２５）、Ａ
ｌ：５．７（６）、Ｂａ：２．８（３）、Ｂ：未検出で
あり、「未洗浄」ガラス基板では、Ｃ：１５．９、Ｏ：
５５．７（６６）、Ｓｉ：２１．３（２５）、Ａｌ：
４．２（５）、Ｂａ：２．９（３）、Ｂ：未検出であっ
た。なお、括弧内の数値は炭素が含まれない場合の元素
構成率を示している。今回のＸＰＳの測定条件において
は、表面から深さ約１００オングストロームまでの領域
を分析している。本分析において、もともとのガラス基
板の組成元素である、Ｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂａの元素組成
比は、ガラス基板製造元仕様値から求めた元素組成比、
すなわち、Ｏ：６７、Ｓｉ：１９、Ａｌ：５、Ｂａ：
５、Ｂ：５とほぼ一致した。なおこれらの元素の他にＣ
が検出されたが、Ｃはクリーンルーム空気中の炭化水素
成分に由来するものと考えられる。ガラス基板表面のＣ
元素付着量については、「未洗浄」が「洗浄」の約３倍
であった。

【００４６】ＳｉＮとＳｉＯ₂のセラミックス接触面を
対象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した
経過時間と表面抵抗率の相関を、周囲雰囲気の相対湿度
が４０％と８０％の２とおりの場合に測定した。測定結
果を図Ｂ、図Ｃに示す。図から明らかなように、「洗
浄」セラミックス接触面がクリーンルーム雰囲気に曝さ
れた場合には、暴露時間が長くなるとともに表面抵抗率
が増大することがわかる。また、同一の暴露時間におけ
る表面抵抗率の相対湿度による違いを調べると、４０％
ＲＨの表面抵抗率が８０％ＲＨの表面抵抗率の約１０¹
〜１０²倍になる。

【００４７】３．考察 以上の実験データより、ＬＣＤ用ガラス基板とセラミッ
クス接触面の帯電電荷の漏洩特性に及ぼす湿度と表面汚
染の影響を調べた。

【００４８】（１）湿度の影響 ＬＣＤ用ガラス基板はアルミナ・シリカ系吸着剤の化学
組成と同一のものを含んでいる。吸着剤の水分吸着量は
相対湿度に依存していることから、ガラス基板において
も相対湿度の上昇とともに表面の吸着水分量が増加して
表面抵抗率が低下したものと考えられる。表面抵抗率が
低下すると、ガラス基板表面上の電荷は表面を移動して
接地金属平板へ漏洩しやすくなる。

【００４９】ＳｉＮとＳｉＯ₂のセラミックス接触面に
ついても、孤立電子対を有するＯやＮ原子が含まれるこ
とから、このような絶縁性セラミックス面も水分子のＨ
と水素結合して、その表面に水分子層が形成されやす
い。このため、相対湿度の上昇とともに表面の吸着水分
量が増加して表面抵抗率が低下したものと考えられる。

【００５０】（２）表面汚染の影響 ガラス基板の表面抵抗率は、相対湿度が上昇すると、
「洗浄」・「未洗浄」を問わず、ともに低下した。とこ
ろが、表面抵抗率の値は「未洗浄」が「洗浄」の１０²
〜１０⁵倍程度の大きさになった。また、「洗浄」ガラ
ス基板の表面電荷密度の減少率は、「未洗浄」ガラス基
板と比較して著しく大きくなった。これらの結果は、接
触角の測定とＸＰＳの表面分析から、つぎのように説明
される。ＵＶ／Ｏ₃洗浄によって一旦有機系汚染物をガ
ラス基板表面から除去しても、ガラス基板表面をクリー
ンルーム雰囲気に長時間曝すことによって、再び大気由
来の炭化水素成分が表面を汚染する。この汚染は、表面
抵抗率を増加させ、表面帯電電荷を漏洩しにくくする。

【００５１】またＳｉＮとＳｉＯ₂のセラミックス接触
面についても、図１６、図１７に示されたように、「洗
浄」セラミックス接触面がクリーンルーム雰囲気に曝さ
れた場合には、暴露時間が長くなるとともに、大気由来
の炭化水素成分による表面汚染が進行して、表面抵抗率
を増加させることがわかる。

【００５２】クリーンルーム雰囲気由来の炭化水素成分
による表面汚染に関して、高萩隆行氏著の「表面有機物
（応用物理第６１巻第１１号（１９９２）１１６８ペー
ジ）」によれば、シリコンウェハ表面の有機物の量は空
気中保存によって経時的に増大し、３週間程度でＵＶ洗
浄前と同程度まで増大することが報告されている。しか
しながら３０分以下の時間では、洗浄前の１０分の１以
下のレベルを維持している。したがって、空気中で１〜
５分間扱う程度では、表面有機物の増大はほとんど無視
できるものと考えられる。ガラス基板表面に有機物が付
着すると、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程における薄膜電
極、絶縁膜を形成する際に、膜の密着性が悪くなるとい
う問題があるので、洗浄後にはできる限り速やかにつぎ
のプロセスに進む必要がある。

【００５３】ところで、本発明装置は、物体表面上の静
電荷が、その物体の表面を通じて接地側に漏洩する現象
を利用したものであるが、「静電気学会講演論文集’８
６（（１９８６．１０）１２３ページ）」や「静電気学
会講演論文集’８７（（１９８７．１０）１４５ペー
ジ）」によると、空気中の湿度が大きい場合には、表面
の静電荷が直接空気中に漏洩すること（いわゆる「気中
漏洩」）が報告されている。また本発明者らの実験によ
れば、気中漏洩による減衰は、相対湿度が８０％以上に
なると、表面を通じた漏洩減衰と比較して無視できない
ほど大きくなることが判明している。

【００５４】次に、これまで説明してきた知見に基づい
て、本発明に基づいて構成された基板搬送装置の作用に
ついて詳細に説明する。図１８は、図１４に示す「未洗
浄」ガラスの帯電漏洩特性に、「洗浄」ガラスの帯電漏
洩特性の計算結果を加えたものである。計算値は、次の
ようにして求めた。

【００５５】まず、ガラス基板の容量をＣ_a〔ファラッ
ド〕、帯電の漏洩経路抵抗Ｒ〔オーム〕、漏洩開始後の
時間をｔ〔秒〕とすると、 初期帯電量σ₀〔Coulomb／
ｍ²〕と、時間ｔ〔秒〕経過後の帯電量σ〔Coulomb／ｍ
²〕の関係は次式（２）で表される。 σ＝σ₀ ｅｘｐ［−ｔ／ＲＣ_a］ （２）

【００５６】この式（２）において、Ｃ_aを一定と仮定
すれば、「未洗浄」ガラスと「洗浄」ガラスの帯電が一
定割合、例えば１／１０にまで減衰するそれぞれの減衰
時間の比は、それらのガラスの表面抵抗の比（図１５か
ら求まる）と一致することがわかる。

【００５７】図１８より、帯電が１／１０まで減衰する
までの時間を「未洗浄」・「洗浄」ガラスについて求
め、表１にまとめた。なおここに言う「洗浄」ガラスと
は、超純水（１７〜１８ＭΩ・ｃｍ）で６０分間超音波
洗浄した後、両面各々１０分間ＵＶ／Ｏ₃洗浄（日本電
池ＤＵＶ−２５×４Ａ）したものを指す。また「未洗
浄」ガラスとは、洗浄後１ケ月間クリーンルーム内に放
置した状態を指す。表に示すように「洗浄」ガラスで
は、相対湿度を７０％以上にすると、わずか１／１００
秒のオーダで１／１０減衰になる。

【００５８】

【表１】

【００５９】表２は、相対湿度６０％において、洗浄後
クリーンルーム内に放置されたガラス基板の１／１０減
衰特性が、時間経過と共にどのように変化するかを実測
したものである。洗浄直後の減衰時間０．２秒は、２時
間放置された後も表面の有機物汚染はさほど進行してい
ないため、１．１秒に増加するのみである。

【００６０】

【表２】

【００６１】すでに説明したようにＴＦＴ工程は、洗浄
→成膜→リソグラフィ→洗浄のサイクルの繰り返しであ
り、ある洗浄からつぎの洗浄までに１時間も要すること
はあまりないことを考えると、実際の製造工程では、ガ
ラス基板近傍の雰囲気の相対湿度を大きくして基板を接
地することで、１／１００〜１／１０秒の短時間で帯電
をほぼ完全に漏洩除去可能である。

【００６２】相対湿度が増すと表面帯電の減衰が著しく
なる主な理由は、ガラス表面の水の吸着量が増加して表
面抵抗値が減ったためであると考えられる。ガラスの主
成分であるＳｉＯ₂のＯ原子は孤立電子対を持つため、
水分子のＨと水素結合する。ここで、ガラス基板支持部
のガラス基板との接触面は、ＳｉＮやＳｉＯ₂の絶縁性
のセラミックスからなるが、これらセラミックスを構成
するＯやＮ原子もガラス基板のＳｉＯ₂のＯ原子と同様
に孤立電子対をもち、水分子のＨと水素結合する。した
がって、本発明に基づいて構成された基板搬送装置は、
その基板支持部から基板が離れる直前に基板と基板支持
部の接触部の両方に対して搬送空間よりも相対湿度の高
いエアを吹きかけることによって、ガラス基板と基板支
持部の双方の接触面に水分子層が形成され、ガラス基板
の帯電はこの水分子層を伝わって基板支持部接地側に速
やかに漏洩される。

【００６３】さらに、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程は、ガ
ラス基板上に薄膜電極、絶縁膜を形成するものであり、
複数層の電極を絶縁膜で保護していくため、工程のなか
で絶縁膜形成工程の占める割合は大きい。絶縁膜は、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等であり、ＯやＮ
原子はＳｉＯ₂のＯ原子と同様に孤立電子対を持つこと
を考慮すれば、このような絶縁膜付きガラス基板に対し
ても本発明装置は有効である。さらに、相対湿度が８０
％以上では、表面電荷の気中漏洩による減衰も期待でき
るので、より効果的な除電を行うことができる。

【００６４】以上説明したように本発明装置によると、
送気チャンバーから吐出される周囲雰囲気よりも大きな
相対湿度を有する気流により、送気チャンバーの幅いっ
ぱい若しくはこれより若干小さな一辺の長さをもつ広い
表面積の帯電ガラスの除電ができる。特に、ガラス基板
の表裏両面が帯電している場合には、気流を基板に対し
て平行に、基板の表裏両面をなぞるように投射すると一
層有効である。さらに本発明によれば、送気手段から吐
出される周囲雰囲気よりも大きな相対湿度を有する気流
を基板に吹きかけることにより、気流がふれた基板面と
基板支持部接触面の近傍は、周囲雰囲気よりも大きな相
対湿度の雰囲気に包まれ、基板面と基板支持部接触部を
引き離そうとする際に生じる帯電電荷の大部分は基板面
に付着した水分子層と基板支持部のセラミックス製接触
面に付着した水分子層を経由して接地側へ漏洩し、基板
表面と基板支持部のセラミックス製接触面の両方に生じ
る帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩する。この結果、短
時間に基板面に帯電した静電荷が除電されるので、基板
を支持台から離した場合であっても剥離帯電現象が生じ
ず、基板に形成された素子の絶縁破壊を有効に阻止する
ことができる。

【００６５】次に本発明を実際の装置に応用したいくつ
かの実施例について説明する。図３は、温度２４℃、相
対湿度４０％のクラス１０００のクリーンルーム内に設
置された本発明のガラス基板の搬送装置の一実施例を示
したものである。表面が絶縁性の窒化膜ＳｉＮで覆われ
た石英ガラス製のステージ１１上に、ＴＦＴ素子を表面
に形成したガラス基板１２が搭載されている。ステージ
１１は、駆動装置１３の作用でボールネジ１４に沿って
レール１５を移動する。レール１５の一端でステージ１
１に搭載されたガラス基板１２は、レール１５の他端に
おいて、真空チャック１６によりステージ１１から離
れ、つぎの工程に移動する。加湿器１７と送風機１８か
らなる送気源１９に接続されたジェット気流形成用の吹
き出し口を有した送気チャンバ１０より、温度２３℃、
相対湿度８０％の加湿空気１０１が、真空チャック１６
によりステージ１１から離れる直前のステージ１１に搭
載されたガラス基板１２に吹き付けられる。ステージ１
１からガラス基板１２が離れるまでの間、気流が触れた
ガラス面近傍は、相対湿度７０％以上の雰囲気に包ま
れ、ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガラス面に付着し
た水分子層とガラス基板支持台である石英ガラス製のス
テージの窒化膜表面に付着した水分子層を経由して、接
地側へ漏洩し、ガラス面の帯電電荷の一部は気中へ直接
漏洩し、１／１００秒のオーダで瞬時に除電される。

【００６６】なお、比較例として、送気源１９よりの加
湿空気１０１を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板１２が真空チャック１６
によりステージ１１から離れた瞬間に、ガラス基板１２
には数ｋＶの帯電が生じ、ＴＦＴ素子は破壊された。

【００６７】図４は、温度２４℃、相対湿度４０％のク
ラス１０００のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。表面が絶縁性の窒化膜で覆われた樹脂製のロボット
アーム２１上に、ＴＦＴ素子を表面に形成したガラス基
板２２が搭載されている。ロボットアーム２１は、駆動
装置２３の作用でカセットケース２４の入り口まで移動
し、アーム上に搭載されたガラス基板２２をケース２４
に収納した後、アーム２１はガラス基板２２から離れ
る。加湿器２７と送風機２８からなる送気源２９に接続
されたカーテン気流形成用の吹き出し口を有した送気チ
ャンバ２０より、温度２３℃、相対湿度８０％の加湿空
気２０１が、ロボットアーム２１からガラス基板２２が
離れてカセットケース２４に収納される直前にカセット
ケース２４の内部に吹き込まれる。ロボットアーム２１
からガラス基板２２が離れるまでの間、気流が触れたガ
ラス面近傍は、相対湿度７０％以上の雰囲気に包まれ、
ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガラス面に付着した水
分子層とガラス基板支持台であるロボットアーム２１の
窒化膜表面に付着した水分子層を経由して、接地側へ漏
洩し、ガラス面の帯電電荷の一部は、気中へ直接漏洩
し、瞬時に除電される。

【００６８】なお、比較例として、送気源２９よりの加
湿空気２０１を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板２２がロボットアーム２
１から離れた瞬間に、ガラス基板２２には数ｋＶの帯電
が生じ、ＴＦＴ素子は破壊された。

【００６９】図５は、温度２４℃、相対湿度４０％のク
ラス１０００のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。図３の第１実施例と異なる点は、ステージ３１の移
動経路であるレール３５の上に、移動経路全体を覆い込
むように送気源３９に接続された一様流形成用の吹き出
し口を有した送気チャンバ３０が配置されている点であ
る。さらに送気チャンバ３０の吹き出し口の周囲にはビ
ニールカーテン３０１が垂れ下がっており、吹き出し口
からの一様流が散逸することを防いでいる。送気源３９
には、冷却コイル３９１と加熱コイル３９２と加湿器３
９３と送風機３９４と空気ろ過器（高性能フィルタ）３
９５から構成される。ガラス基板３２は、レール３５の
一端において、真空チャック３６によりステージ３１か
ら離れ、つぎの工程に移動するが、この搬送操作は送気
チャンバ３０から吹き出す一様流中で行われる。ステー
ジ３１から離れる間際のガラス基板３２の近傍には、相
対湿度検知センサ３９６が設けられ、このセンサで検知
されたガラス基板３２およびステージ３１の周囲雰囲気
の相対湿度が、７０％から７５％までの範囲に収まるよ
うに、送気源３９から送り出される空気３０１の温湿度
がフィードバック制御される。

【００７０】なお、図３に示す第１実施例及び図４に示
す第２実施例では、送気チャンバから吹き出す気流形状
は、ジェット気流またはカーテン気流であるため、吹き
出し風量は一様流の場合よりも少なくすることが可能で
あるが、ガラス基板面と基板支持台に効果的に当たるよ
うに、吹き出し方向を設定する必要がある。他方、図５
に示す第３実施例では、ガラス基板の搬送操作の全体を
覆い尽くす一様流を用いるため、ジェットやカーテン気
流のように吹き出し方向制御の難しさはないものの、あ
る程度の吹き出し風量が必要となる。

【００７１】図６には、図３に示す実施例の送気チャン
バ１０の上流側、すなわち搬送方向上手側に、放電電極
４０と対向電極４１を備えコロナ放電により空気をイオ
ン化するためのイオナイザ４２を備えた基板搬送装置が
示されている。このように、送気チャンバ１０の搬送方
向上手側に別の除電装置を設けることにより、この前処
理用除電装置によりガラス基板の表面の帯電をあらかた
除電し、その後、本発明装置により、上記ガラス基板が
搬送用基台から離れる直前に除電し、剥離帯電を防止す
る構成とすることも可能である。なお、図６に示す実施
例においては、前処理用除電装置として、コロナ放電電
極を用いたイオナイザを設置しているが、その代わり
に、軟Ｘ線照射などの空気イオン化装置を採用すること
も本発明の範囲内において可能である。

【００７２】本発明における送気源の構成は、周辺雰囲
気よりも大きな相対湿度を有する清浄気流を送気チャン
バーから吐出するという目的を達成できればどのような
ものでもよく、空気の加湿と冷却と清浄化を行う機器を
さまざまに組み合わせて使用することが可能である。例
えば、過冷却防止のためや、吹き出し加熱空気が周囲空
気を巻き込む際に冷却されて相対湿度が上昇する効果を
狙って、加熱を行う機器を組み合わせることも可能であ
る。その他にも、例えば、加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加湿器と送風機の組み合わせ、冷却コ
イルと送風機の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加熱コイルと送風機
の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加湿器と送風機の組
み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加湿器と送風機の
組み合わせ、加熱コイルと加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加熱コイルと加湿器と送風機の組み合
わせ、冷却コイルと加熱コイルと加湿器と送風機の組み
合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと加湿器
と送風機の組み合わせなどが、特許請求の範囲に記載さ
れた本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で考えられ
る。

【００７３】さらにまた、本発明に基づいて相対湿度の
高い空気が吹き付けられるガラス基板と基板支持部の周
囲の湿度、あるいは温度などを検出するためのセンサを
設け、そのセンサからの信号により、上記各出力装置を
フィードバック制御することにより、常に最適な除電環
境を構築することが可能となり、基板の絶縁破壊を防止
し、製品の歩留まりを向上させることが可能である。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明装置によれ
ば、ガラス基板を載置する接触面が絶縁性のセラミック
スからなりかつ接地された基板支持台上を搬送されるガ
ラス基板に対して、少なくともそのガラス基板が基板支
持台を離れる直前に、その搬送空間よりも相対湿度の高
い空気流を吹きかけることにより、ガラス基板の表面の
帯電電荷の大部分をガラス面に付着した水分子層とガラ
ス基板支持台表面に付着した水分子層を経由して接地側
へ漏洩させ、ガラス面の帯電電荷の一部を気中へ直接漏
洩させることが可能なので、瞬時にガラス基板を除電す
ることが可能である。その結果、基板に形成された素子
の剥離電荷による絶縁破壊を防止することができるの
で、製品の歩留まりを飛躍的に向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】正に帯電したＴＦＴパターン付きＬＣＤ用ガラ
ス基板を、金属製または絶縁性のロボットアームによっ
て、カセットケースから取り出そうとする様子を示す
図。

【図２】正に帯電したＴＦＴパターン付きＬＣＤ用ガラ
ス基板に、金属製ロボットアームを近付けた場合（ａ）
と、絶縁性ロボットアームを近付けた場合（ｂ）の、帯
電電荷分布の違いを説明する図。

【図３】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送ステージに適用した一実施例を示す概略的
な説明図である。

【図４】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送アームに適用した一実施例を示す概略的な
説明図である。

【図５】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を一
様流型吹出口を有する送気手段に適用した一実施例を示
す概略的な説明図である。

【図６】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を前
処理用除電装置と組み合わせた一実施例を示す概略的な
説明図である。

【図７】従来のスリットノズル型コロナ放電式イオナイ
ザの主要構成機器を示す概略的な説明図である。

【図８】従来の大型ガラス基板の搬送装置の構成を示す
説明図である。

【図９】裏面が正に帯電したガラス基板を帯電中和装置
により除電する様子を示す概略的な説明図である。

【図１０】ＬＣＤ用ガラス基板の帯電電荷の様子を測定
するための装置構成を示すブロック図である。

【図１１】ＬＣＤ用ガラス基板の表面電荷密度の測定平
均値および標準偏差の分布を示すグラフである。

【図１２】ＬＣＤ用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度を変えずに１時間クリーンルーム内雰囲気に曝した
後の表面電荷密度の減衰率を示すグラフである。

【図１３】ＬＣＤ用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度環境を変えた場合の表面電荷密度の減衰率を示すグ
ラフである。

【図１４】ＬＣＤ用ガラス基板のさまざまな相対湿度環
境における表面電荷密度の時間減衰を示すグラフであ
る。

【図１５】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率を示すグラフであ
る。

【図１６】ＳｉＮとＳｉＯ₂のセラミックス接触面を対
象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した経
過時間と表面抵抗率の相関を示すグラフである。周囲雰
囲気の相対湿度は４０％である。

【図１７】ＳｉＮとＳｉＯ₂のセラミックス接触面を対
象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した経
過時間と表面抵抗率の相関を示すグラフである。周囲雰
囲気の相対湿度は８０％である。

【図１８】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面電荷密度の時間減衰を示す
グラフである。

【符号の説明】

１０ 送気チャンバ １１ 搬送ステージ １２ ガラス基板 １３ 駆動装置 １４ ボールネジ １５ 搬送レール １６ 真空チャック １７ 加湿器 １８ 送風機 １９ 送気源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−203976（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−45928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−44936（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−77111（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−12600（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−77931（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−176822（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−175136（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−45641（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 23/00 H05F 3/04 H05F 3/06 H05F 3/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 除電対象基板との接触面が絶縁性材料か
   らなりかつ接地された基板支持部を備えた搬送機構と、
   少なくとも前記基板支持部から前記基板が離れる直前に
   前記基板と前記基板支持部の接触面の両方及び前記基板
   の周囲雰囲気に対して搬送空間よりも相対湿度の高いエ
   アを吹きかけるための送気手段と、空気を電離して発生
   する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物中和装
   置とを備え、 前記相対湿度の高いエアを前記基板と前記基板支持部の
   接触面の両方に対して平行に、前記基板の表裏両面をな
   ぞるように投射することを特徴とする、基板搬送装置。
2. 【請求項２】 除電対象基板との接触面が絶縁性材料か
   らなりかつ接地された基板支持部を備えた搬送機構と、
   少なくとも前記基板支持部から前記基板が離れる直前に
   前記基板と前記基板支持部の接触面の両方及び前記基板
   の周囲雰囲気に対して搬送空間よりも相対湿度の高いエ
   アを吹きかけるための送気手段と、空気を電離して発生
   する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物中和装
   置とを備え、 前記相対湿度の高いエアを前記基板と前記基板支持部の
   接触面の両方に対して平行に、前記基板の表裏両面をな
   ぞるように投射し、前記基板の近傍を相対湿度７０％以
   上とすることを特徴とする、基板搬送装置。
3. 【請求項３】 前記帯電物中和装置は、前記基板の搬送
   方向に対して、前記送気手段の上流側に設けられること
   を特徴とする、請求項１または２に記載の基板搬送装
   置。