JP4703549B2

JP4703549B2 - 基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP4703549B2
Application number: JP2006338205A
Authority: JP
Inventors: 淳一小西
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2006-12-15
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2026-12-15
Also published as: JP2008153343A

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置やプラズマディスプレイなどのガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板及びフォトマスク用基板などの基板を処理するための基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。

半導体装置や表示装置の製造工程では、加工対象である基板に対して様々な処理を行なう。それら処理には基板表面に静電気が発生してしまう工程もある。例えばシリコンウエハの表面に絶縁膜を形成したものに純水洗浄を行なうと絶縁膜表面に静電気が発生することは良く知られている。これはウエハ上の絶縁膜と、絶縁体である純水との間で摩擦により静電気が発生するためである。静電気により基板表面が帯電していると、製造処理装置の基板搬送ロボットのアームなどに基板が張り付くなどの不具合が生じることがある。

また、静電気は半導体基板表面に形成された半導体デバイスに静電破壊（ＥＳＤ：Electrostatic Discharge）を引き起こし、半導体デバイスの品質に重大な悪影響を及ぼすことがある。近年の半導体製品の微細化により、基板上に作りこまれる半導体デバイスの寸法はより小さく、また基板上に形成される薄膜はより薄くなっており、静電破壊に対する耐性は減少している傾向にある。したがって、基板上の静電気を除去することが非常に重要になってきている。

静電気により帯電した基板に対して静電気を除去する方法がいくつか提案され実用化されている。代表的なものにイオナイザ（静電気除去装置）が挙げられる。これはプラス電荷及びマイナス電荷をもつガスを対象物に当て、対象物がある極性の静電気を帯びていれば、イオナイザから送られる逆極性のイオンが対象物に静電気力により引き付けられ、電気的に中和されて静電気を除去するものである。イオナイザについては、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３に開示されている。

特開２００５−０７２３７４号公報特開２００１−３５７９９６号公報実開平０６−０４４１３５号公報特開平０９−０６９４７８号公報特開平０７−０１４７５９号公報

ところが発明者の調査によると、半導体基板などの導電性基板表面に絶縁膜が形成され、その絶縁膜表面に静電気が発生した状態では、イオナイザによる静電気除去の効果は小さいことがわかった。
この現象について図１５及び図１６を参照して説明する。

図１５に示すように、導体又は半導体からなるベース基板７ａの表面に絶縁膜７ｂが形成された除電対象基板７において、絶縁膜７ｂ表面に静電気によって例えばマイナス電荷１３（図ではマイナス電荷１３があることを模式的に示している）が発生すると、絶縁膜７ｂを挟んで絶縁膜７ｂとベース基板７ａの界面のベース基板７ａ側にマイナス電荷１３とは逆極性のプラス電荷１５（図ではプラス電荷１５があることを模式的に示している）が誘起される。誘起されたプラス電荷１５の影響で絶縁膜７ｂは電気的に中性に近い状態になる。

この状態で、除電対象基板７を基板処理装置に配置し、イオン発生部３からプラス電荷及びマイナス電荷をもつガス５を絶縁膜７ｂの表面に当てても、絶縁膜７ｂ表面のマイナス電荷１３はベース基板７ａ表面近傍のプラス電荷１５の存在によってガス５側へは引き付けられにくい。

図１６に従来の基板処理装置による除電処理終了時の除電対象基板７の模式図を示す。
絶縁膜７ｂ表面のマイナス電荷１３は、ベース基板７ａ表面近傍に誘起されたプラス電荷１５によって見かけ上電気的に中性になっており、除去できずにそのまま残留している。

その他の基板処理方法としては、例えば（１）紫外線などのエネルギー光線を照射する、（２）熱処理をする、（３）湿度の高い状態にするなどの方法がある。紫外線を照射するものとしては例えば特許文献４、熱処理や湿度については例えば特許文献５に開示されている。

上記（１），（２），（３）の基板処理方法は以下のような不具合がある。
（１）紫外線などのエネルギー光線をシリコンなどの半導体に照射すると、その内部に電子−正孔対が発生し、光エネルギーのために発生する起電力で電子や正孔が拡散し、シリコンや絶縁膜中の準位に捕獲されて、半導体デバイスの電気的特性が変動する不具合がある。
（２）半導体プロセスでは、例えば金属配線を形成した後の状態では低温プロセスしか適用できないので、熱処理による静電気除去の適用が困難となる。
（３）湿度の高い状態にすれば静電気除去効果が見られるが、ウエハ表面での結露によるシミ（ウォーターマークと呼ばれる）、異物の付着などが予想される。特に近年の微細化された複雑な構造をもつデバイスでは、そのデバイス間の隙間などに結露によるシミが発生することがある。

このように、半導体などの導電性基板表面に形成された絶縁膜表面に発生した静電気を除去する有効な手段はない。
本発明の目的は、導電性基板表面に形成された絶縁膜表面に発生した静電気を容易に除去することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供するものである。

本発明にかかる基板処理方法は、プラス電荷及びマイナス電荷を有するガス雰囲気に除電対象基板を暴露して除電対象基板表面の静電気を除去する基板処理方法であって、第１局面は、上記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、上記ベース基板に、上記絶縁膜表面がプラス帯電しているときはプラス電位を、上記絶縁膜表面がマイナス帯電しているときはマイナス電位を与えながら、上記絶縁膜表面を上記ガス雰囲気に暴露して上記絶縁膜表面の静電気を除去する。

本発明にかかる基板処理装置は、プラス電荷及びマイナス電荷を有するガスを発生させるためのイオン発生部と、イオン発生部により発生したガス雰囲気に除電対象基板を暴露するために除電対象基板を保持するための基板保持部を備えた基板処理装置であって、第１態様は、上記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、上記ベース基板に、上記絶縁膜表面がプラス帯電しているときはプラス電位を、上記絶縁膜表面がマイナス帯電しているときはマイナス電位を与えるための電源部を備えたものである。

本発明の基板処理方法の第１局面及び基板処理装置の第１態様では、絶縁膜表面が帯電している極性と同じ極性の電位をベース基板に与えながら絶縁膜表面をプラス電荷及びマイナス電荷を有するガスに暴露して絶縁膜表面の静電気を除去する。このとき、静電気による絶縁膜表面の帯電に起因して絶縁膜直下のベース基板表面側に誘起された電荷はベース基板に与えた電位により打ち消される。

本発明にかかる基板処理方法の第２局面は、上記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、上記ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えながら、上記絶縁膜表面を上記ガス雰囲気に暴露して上記絶縁膜表面の静電気を除去する。

本発明にかかる基板処理装置の第２態様は、上記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、上記ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えるための電源部を備えている。

本発明の基板処理方法の第２局面及び基板処理装置の第２態様では、ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えながら上記絶縁膜表面を上記ガス雰囲気に暴露して上記絶縁膜表面の静電気を除去する。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、上記絶縁膜表面の静電気が消滅したときに上記ベース基板をアース電位に接続するようにしてもよい。
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、上記電源部は上記絶縁膜表面の静電気が消滅したときに上記ベース基板をアース電位に接続するようにしてもよい。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、上記絶縁膜表面の静電気が消滅する前に上記ベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させるようにしてもよい。
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、上記電源部は、上記絶縁膜表面の静電気が消滅する前に上記ベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させるようにしてもよい。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、プラス電荷及びマイナス電荷を有する上記ガスはプラズマ状態であるようにしてもよい。
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、上記イオン発生部に替えてプラズマ発生部を用いるようにしてもよい。

本発明の基板処理方法の第１局面及び基板処理装置の第１態様では、絶縁膜表面が帯電している極性と同じ極性の電位をベース基板に与えながら絶縁膜表面をプラス電荷及びマイナス電荷を有するガスに暴露して絶縁膜表面の静電気を除去するようにしたので、静電気による絶縁膜表面の帯電に起因して絶縁膜直下のベース基板表面側に誘起された電荷をベース基板に与えた電位により打ち消すことができ、絶縁膜表裏面で見かけ上電気的に中性になるのを防止することができ、絶縁膜表面の静電気を効率的に、かつ容易に除去することができる。さらに、ベース基板が半導体基板である場合は、半導体デバイスの特性に影響を与えずに静電気を除去することができる。

本発明の基板処理方法の第２局面及び基板処理装置の第２態様では、ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えながら絶縁膜表面を上記ガス雰囲気に暴露して絶縁膜表面の静電気を除去するようにしたので、絶縁膜表面が帯電している極性と同じ極性の電位をベース基板に与えたときに絶縁膜直下のベース基板表面側に誘起された電荷を打ち消すことができ、絶縁膜表面がいずれの極性に帯電している場合であっても対応することができる。さらに、ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えることによりベース基板の電位に起因して絶縁膜表面が帯電するのを防止することができる。静電気により絶縁膜表面がプラス帯電している領域とマイナス帯電している領域をもっている場合に有効である。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、絶縁膜表面の静電気が消滅したときにベース基板をアース電位に接続するようにし、
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、電源部は絶縁膜表面の静電気が消滅したときにベース基板をアース電位に接続するようにすれば、ベース基板に与えた電位に起因して絶縁膜表面が帯電するのを防止することができる。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、絶縁膜表面の静電気が消滅する前にベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させるようにし、
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、電源部は、絶縁膜表面の静電気が消滅する前にベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させるようにすれば、絶縁膜表面の静電気が消滅した時を正確に把握できなくても、ベース基板に与えた電位に起因して絶縁膜表面が帯電するのを防止することができる。

本発明の基板処理方法の第１局面及び第２局面において、プラス電荷及びマイナス電荷を有する上記ガスはプラズマ状態であるようにし、
本発明の基板処理装置の第１態様及び第２態様において、イオン発生部により発生させるプラス電荷及びマイナス電荷を有する上記ガスはプラズマ状態であるようにすれば、高濃度の電荷によって短時間で効率的に静電気を除去することができる。

図１は基板処理装置の一実施例の構成を示す概略図であり、（Ａ）は除電処理前、（Ｂ）は除電処理中、（Ｃ）は除電処理後を示す。

基板処理装置１はプラス電荷及びマイナス電荷を有するガス５（（Ｂ）を参照）を発生させるためのイオン発生部３を備えている。イオン発生部３により発生したガス５の雰囲気に除電対象基板７の表面を暴露するために除電対象基板７を保持するための基板保持部９を備えている。除電対象基板７は導体又は半導体からなるベース基板７ａの上に例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜７ｂが形成されたものである。

ベース基板７ａにマイナス電位を与えるための電源部１１を備えている。基板保持部９にはベース基板７ａと電源部１１を電気的に接続するための電極９ａが設けられている。電源部１１はベース基板７ａへの電位の供給をオン・オフするためのスイッチ１１ａを備えている。

（Ａ）に示すように、除電処理前の絶縁膜７ｂの表面は、静電気による例えばマイナス電荷１３によりマイナス帯電している。絶縁膜７ｂとベース基板７ａの界面のベース基板７ａ表面近傍にマイナス電荷１３によって逆極性のプラス電荷１５が誘起されている。（Ａ）の状態では、スイッチ１１ａは開いている。

（Ｂ）に示すように、スイッチ１１ａを閉じ、電源部１１によりベース基板７ａにマイナス電位を与えると、ベース基板７ａに流れ込む電子によってベース基板７ａ表面近傍に誘起されていたプラス電荷１５が打ち消され、その量が減少する。これにより、静電気によるマイナス電荷１３がベース基板７ａ表面近傍に誘起されたプラス電荷１５によって中性化される量も減少し、絶縁膜７ｂ表面は電気的にマイナスの電位になる。

この状態でイオン発生部３からのプラス電荷及びマイナス電荷を含むガス５に絶縁膜７ｂ表面を暴露することにより、ガス５中のプラス電荷が静電気力により絶縁膜７ｂ表面に引き付けられ、絶縁膜７ｂ表面が電気的に中和される。これにより、（Ｃ）に示すように、絶縁膜７ｂ表面のマイナス電荷１３（静電気）を除去することができる。所定時間経過後、スイッチ１１ａを開き、ベース基板７ａへのマイナス電位の供給を停止する。

図２は基板処理装置の他の実施例の構成を示す概略図である。
この実施例では、基板保持部９に設けられた電極９ｂは、ベース基板７ａの裏面全体に接触するようにベース基板７ａの裏面と同じ大きさ又はベース基板７ａの裏面よりも大きく形成されている。
これにより、ベース基板７ａへの電子の供給を効率良く行なうことができ、高い静電気除去効果を得ることができる。

図３は基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。
この実施例では、絶縁膜７ｂ表面の電位を測定するための表面電位計１７を備えている。表面電位計１７の測定信号は電源部１１に送られる。電源部１１と電極９ｂを接続するためのスイッチ１１ｂは、電極９ｂを電源部１１とアース電位に切り替えて接続する。

除電処理時には、スイッチ１１ｂは電極９ｂと電源部１１を接続する。電源部１１はベース基板７ａにマイナス電位を与える。表面電位計１７により絶縁膜７ｂ表面の電位を測定しつつ、イオン発生部３からプラス電荷及びマイナス電荷をもったガス５に絶縁膜７ｂ表面を暴露する。

図４は電源部１１がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフであり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
除電処理の開始時に、電源部１１はベース基板７ａにマイナス電位を与える。その後、電源部１１は、表面電位計１７からの測定信号に基づいて絶縁膜７ｂ表面の電位値を監視し、絶縁膜７ｂ表面の電位値が０又は予め設定された電位値の絶対値以下になったときにスイッチ１１ｂを切り替えてベース基板７ａをアース電位に接続し、ベース基板７ａへの電位の供給を停止する。

静電気による絶縁膜７ｂ表面のマイナス電荷１３が除去された後もベース基板７ａへのマイナス電位の供給を継続した場合、そのマイナス電位により、ガス５のうちプラス電荷が静電気力により絶縁膜７ｂ表面に誘引され、絶縁膜７ｂ表面がプラス電位に帯電してしまう可能性がある。したがって、ベース基板７ａにマイナス電位を与えた状態で除電処理をし過ぎると、最初に発生していた静電気の極性（この実施例ではマイナス）とは逆の極性（プラス）の電荷が絶縁膜７ｂ表面に溜まってしまう可能性がある。

図３に示した実施例では、電源部１１は、絶縁膜７ｂ表面の電位値が０又は予め設定された電位値の絶対値以下になったときに、スイッチ１１ｂを切り替えてベース基板７ａの電位をゼロ（アース電位）に変化させるので、上述のような逆極性への帯電を避けることができる。

図５は基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。
この実施例では、ベース基板７ａにマイナス電位を与えるための電源部として可変電源部１９を備えている。可変電源部１９はベース基板７ａに任意の大きさのマイナス電位を与えることができ、ベース基板７ａをアース電位に接続することもできる。

図６は可変電源部１９がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフの一例であり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
除電処理の開始後、可変電源部１９は予め設定された大きさのマイナス電位を所定の時間だけ与える。絶縁膜７ｂ表面の静電気が消滅する前であって、除電処理の開始から所定時間経過後、可変電源部１９はベース基板７ａに与える電位の絶対値を小さい方へ徐々に変化させる。そして除電処理終了時には、可変電源部１９はベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にする。
この電位供給方法は、静電気の除去が完了する時間が明確にわからない時に有効な方法である。

図７は可変電源部１９がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフの他の例であり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
この例では、除電処理の開始時に、可変電源部１９は予め設定された大きさのマイナス電位をベース基板７ａに与える。そして除電処理の開始直後から、可変電源部１９はベース基板７ａに与える電位の絶対値を小さい方へ徐々に変化させる。除電処理終了時には、可変電源部１９はベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にする。
この電位供給方法も、静電気の除去が完了する時間が明確にわからない時に有効な方法である。

図５に示した基板処理装置において、図３に示した基板処理装置と同様に、表面電位計１７を備え、可変電源部１９は表面電位計１７からの測定信号に基づいて絶縁膜７ｂ表面の電位値が０又は予め設定された電位値の絶対値以下になったときにベース基板７ａをアース電位に接続するようにしてもよい。

上記の実施例で、電源部１１，１９はベース基板７ａにマイナス電位を与えるものであるが、絶縁膜７ｂ表面がプラス帯電している場合には電源部としてベース基板７ａにプラス電位を与えることができるものを用いる。

図８は基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。
この実施例では、ベース基板７ａにプラス電位及びマイナス電位を交互に与えるための電源部２１を備えている。電源部２１はベース基板７ａをアース電位に接続することもできる。

図９は電源部２１がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフの一例であり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
除電処理の開始後、電源部２１は予め設定された大きさのプラス電位及びマイナス電位を交互に所定の時間だけ与える。除電処理の開始から所定時間経過後、電源部２１はベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にし、除電処理を終了する。

図１０は電源部２１がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフの他の例であり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
除電処理の開始後、電源部２１はプラス電位及びマイナス電位を交互に所定の時間だけ与える。このとき、電源部２１は時間の経過とともにベース基板７ａに与える電位の絶対値を小さい方へ徐々に変化させる。除電処理終了時には、可変電源部１９はベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にする。
この電位供給方法は、静電気の除去が完了する時間が明確にわからない時に有効な方法である。

図１１は基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。
この実施例は、図８に示した実施例に比べて、絶縁膜７ｂ表面の電位を測定するための表面電位計１７を備えている。表面電位計１７の測定信号は電源部２１に送られる。

図１２は電源部２１がベース基板７ａに与える電位の経時変化を示すグラフの他の例であり、縦軸はベース基板に与える電位（任意単位）、横軸は除電処理時間（任意単位）を示す。
除電処理を開始した後、電源部２１は予め設定された大きさのプラス電位及びマイナス電位を交互に与える。そして、電源部２１は表面電位計１７からの測定信号に基づいて絶縁膜７ｂ表面の電位値を監視し、絶縁膜７ｂ表面の電位値が０又は予め設定された電位値の絶対値以下になったときにベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にし、ベース基板７ａへの電位の供給を停止する。

また、除電処理の開始後、電源部２１は時間の経過とともにベース基板７ａに与える電位の絶対値を小さい方へ徐々に変化させつつプラス電位及びマイナス電位を交互に与え、表面電位計１７からの測定信号に基づいて絶縁膜７ｂ表面の電位値を監視し、絶縁膜７ｂ表面の電位値が０又は予め設定された電位値の絶対値以下になったときにベース基板７ａをアース電位に接続又は電気的にフローティングな状態にし、ベース基板７ａへの電位の供給を停止するようにしてもよい。

図８から図１２を参照して説明した実施例では、絶縁膜７ｂ表面が帯電している極性と同じ極性の電位をベース基板７ａに与えたときに絶縁膜７ｂ直下のベース基板７ａ表面側に誘起された電荷を打ち消すことができ、絶縁膜７ｂ表面がいずれの極性に帯電している場合であっても対応することができる。さらに、ベース基板７ａにプラス電位及びマイナス電位を交互に与えることにより、ベース基板７ａの電位に起因して絶縁膜７ｂ表面が帯電するのを防止することができる。

図１３は、除電対象基板７の絶縁膜７ｂ表面の帯電分布の一例を示す平面図である。
図１３に示した除電対象基板７では、絶縁膜７ｂ表面は静電気によりプラス帯電している領域２４とマイナス帯電している領域２６をもっている。
図８から図１２を参照して説明した実施例は、図１３に示したように絶縁膜７ｂ表面にプラス帯電領域２４とマイナス帯電領域２６をもつ除電対象基板７の除電処理に特に有効である。

図８及び図１１に示した基板処理装置において、電源部２１がベース基板７ａに与える電位の波形は図９、図１０及び図１２に示したものに限定されるものではない。電源部２１がベース基板７ａに与える電位の波形は、例えば図１４に示すように櫛歯状のものであってもよいし、他の波形であってもよい。

上記の実施例ではプラス電荷及びマイナス電荷を有するガス５を発生させるためのイオン発生部３を用いているが、イオン発生部３に替えてプラズマ発生部を用い、プラス電荷及びマイナス電荷を有するガス５はプラズマ状態であるようにしてもよい。これにより、高濃度の電荷によって短時間で効率的に静電気を除去することができる。

以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。

基板処理装置の一実施例の構成を示す概略図であり、（Ａ）は除電処理前、（Ｂ）は除電処理中、（Ｃ）は除電処理後を示す。基板処理装置の他の実施例の構成を示す概略図である。基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。図３の実施例の電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフである。基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。図５の実施例の可変電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの一例である。図５の実施例の可変電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの他の例である。基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。図８の実施例の電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの一例である。図８の実施例の電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの他の例である。基板処理装置のさらに他の実施例の構成を示す概略図である。図１１の実施例の電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの一例である。除電対象基板の絶縁膜表面の帯電分布の一例を示す平面図である。図１１の実施例の電源部がベース基板に与える電位の経時変化を示すグラフの他の例である。従来の基板処理装置の構成を示す概略図である。従来の基板処理装置による除電処理後の除電対象基板を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１基板処理装置
３イオナイザ
５プラス電荷及びマイナス電荷を有するガス５
７除電対象基板
７ａベース基板
７ｂ絶縁膜
９基板保持部
１１電源部
１３マイナス電荷
１５プラス電荷

Claims

プラス電荷及びマイナス電荷を有するガス雰囲気に除電対象基板を暴露して除電対象基板表面の静電気を除去する基板処理方法において、
前記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、
前記ベース基板に、前記絶縁膜表面がプラス帯電しているときはプラス電位を、前記絶縁膜表面がマイナス帯電しているときはマイナス電位を与えながら、前記絶縁膜表面を前記ガス雰囲気に暴露して前記絶縁膜表面の静電気を除去することを特徴とする基板処理方法。
プラス電荷及びマイナス電荷を有するガス雰囲気に除電対象基板を暴露して除電対象基板表面の静電気を除去する基板処理方法において、
前記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、
前記ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えながら、前記絶縁膜表面を前記ガス雰囲気に暴露して前記絶縁膜表面の静電気を除去することを特徴とする基板処理方法。
前記絶縁膜表面の静電気が消滅したときに前記ベース基板をアース電位に接続する請求項１又は２に記載の基板処理方法。
前記絶縁膜表面の静電気が消滅する前に前記ベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させる請求項１又は２に記載の基板処理方法。
プラス電荷及びマイナス電荷を有する前記ガスはプラズマ状態である請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
プラス電荷及びマイナス電荷を有するガスを発生させるためのイオン発生部と、イオン発生部により発生したガス雰囲気に除電対象基板を暴露するために除電対象基板を保持するための基板保持部を備えた基板処理装置において、
前記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、
前記ベース基板に、前記絶縁膜表面がプラス帯電しているときはプラス電位を、前記絶縁膜表面がマイナス帯電しているときはマイナス電位を与えるための電源部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
プラス電荷及びマイナス電荷を有するガスを発生させるためのイオン発生部と、イオン発生部により発生したガス雰囲気に除電対象基板を暴露するために除電対象基板を保持するための基板保持部を備えた基板処理装置において、
前記除電対象基板は導体又は半導体からなるベース基板の上に絶縁膜が形成されたものであり、
前記ベース基板にプラス電位及びマイナス電位を交互に与えるための電源部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
前記電源部は、前記絶縁膜表面の静電気が消滅したときに前記ベース基板をアース電位に接続する請求項６又は７に記載の基板処理装置。
前記電源部は、前記絶縁膜表面の静電気が消滅する前に前記ベース基板に与える電位の絶対値を小さい方へ変化させる請求項６又は７に記載の基板処理装置。
前記イオン発生部に替えてプラズマ発生部を用いる請求項６から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。