CN110178238B - 用于处理基板的方法和设备和对应的显示元件 - Google Patents
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Abstract
根据本公开的一个方面，描述一种用于处理基板(10)的方法和设备，所述基板例如显示元件。所述基板具有电绝缘背侧(12)和与所述电绝缘背侧相对的前侧(14)。所述方法包括：用导电层(20)涂布所述电绝缘背侧(12)，以提供导电背侧(22)；将所述导电背侧与接地(25)或与参考电位连接；以及处理所述基板，特别是处理所述前侧和/或形成于所述前侧上的一个或多个电子装置(32)。另外，说明一种用于处理基板的设备。根据另外的方面，描述一种显示元件，所述显示元件包括基板(10)，所述基板(10)具有电绝缘背侧，所述电绝缘背侧涂布有导电层(20)。
Description
技术领域
本公开的实施方式涉及基板处理，特别是用于显示元件的制造的基板的处理。本公开的实施方式特别地涉及用于基板处理的方法和设备，所述基板具有形成于基板的前侧上的一个或多个电子装置。另外，提出一种根据本文所述的方法制造的显示元件。
背景技术
目前的趋势是在基板上制造数量增加的电子装置并且特别是光电装置，以例如提供显示器、电路板和/或太阳能电池。特别地，存在对于诸如平面屏幕的平面显示元件的增长的需求。对于使用控制元件(例如薄膜晶体管(thin film transistor，TFT))的液晶显示器(liquid crystal display，LCD)和其他显示元件的标准提高。另外，显示器的增加的分辨率带来减小的结构尺寸(临界尺寸(critical dimension))和减小的层厚度，而提高这些显示装置对于静电放电(ESD)引起的缺陷的敏感性。这些显示元件一般具有配置成矩阵的像素，其中像素各提供功能性的电子装置。另外，在其他领域中也要在基板上形成数量增加的电子装置。这些电子装置例如包括薄膜晶体管、芯片的连接网络、晶体管、发射器阵列的电子发射器、用于显示器的像素的电极、和/或可特别是由作为多个元件(例如多于100,000到多达数个1,000,000)存在而出名的其他装置。各元件可为电性可控的。
针对例如消费类电子装置的在基板上制造电子装置的领域中的薄膜沉积来说，测试在基板上的电子装置是一般要进行的工作。为了取得例如显示元件的良好的图像质量，仅允许数百万像素的其中几个有缺陷。为了确保具有成本效益的生产，提供高能力(high-capacity)的原位测试方法因而是有利的。
平板显示器的基板可由玻璃或另一绝缘材料制成。在处置和处理基板期间，可聚积于基板的表面上的电荷可能致使基板的电极化。这可能在处置和处理基板期间增加因静电放电(electrostatic discharge，ESD)损坏的风险。因此，保护基板不受到可能由ESD导致的损坏会是有利的。
发明内容
有鉴于上述，提供一种处理基板的方法、一种用于处理基板的设备以及一种包括基板的显示元件。
根据本公开的一个方面，提出一种处理基板的方法，其中所述基板具有电绝缘背侧和与电绝缘背侧相对的前侧。所述方法包括用导电层涂布所述电绝缘背侧，以提供导电背侧；将所述导电背侧与接地或与参考电位连接；以及处理所述基板。
所述基板的所述处理可包括所述前侧的处理和/或形成于所述前侧上的一个或多个电子装置的处理。
根据另外的方面，提出一种用于处理基板的设备，其中所述基板具有电绝缘背侧和与所述电绝缘背侧相对的前侧。所述设备包括：第一涂布器，所述第一涂布器用于用导电层涂布所述电绝缘背侧，以提供导电背侧；基板支撑件，所述基板支撑件经配置以用于支撑所述基板和用于将所述导电背侧与接地或与参考电位连接；和处理装置，所述处理装置经配置以用于处理所述前侧和/或处理形成于所述前侧上的一个或多个电子装置。
根据再另外的方面，提出一种显示元件，特别是一种根据本文所述的任一方法处理的显示元件。所述显示元件包括基板，所述基板具有电绝缘背侧和与所述电绝缘背侧相对的前侧，其中一个或多个电子装置(特别是薄膜晶体管和/或显示像素)形成于所述前侧上，其中所述电绝缘背侧涂布有导电层，以提供所述基板的导电背侧。
本公开另外的方面、优点和特征通过从属权利要求、说明书和附图而清楚。
附图简要说明
为了可详细理解本公开的上述特征，可通过参考实施方式获得简要概述于上的本公开的更具体说明。附图涉及本公开的实施方式并且在下文中描述附图。典型实施方式描绘于图中并且于下方说明中详细阐述。
图1是示出根据本文所述一些实施方式的处理基板的方法的各种阶段的示意图；
图2是示出根据本文所述一些实施方式的处理基板的方法的各种阶段的示意图；
图3是示出根据本文所述一些实施方式的处理基板的方法的各种阶段的示意图；
图4是示出比较示例的处理基板的方法的各种阶段的示意图；
图5是示出根据本文所述一些实施方式的处理基板的方法的可选的另外的阶段的示意图；
图6是根据本文所述一些实施方式的用于处理基板的设备的示意图；以及
图7是示出根据本文所述实施方式的处理基板的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参照各种实施方式，在各图中示出实施方式的一个或多个示例。各示例是以解释的方式提供而不意味为限制。举例来说，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可用于任何其他实施方式或与任何其他实施方式结合，以取得再另外的实施方式。本公开意欲包括这样的调整和变化。
在下面对图的说明中，相同的参考数字表示相同或类似的部件。一般来说，仅描述有关于个别实施方式的相异处。除非另有说明，对一个实施方式中的部分或方面的说明也应用于另一实施方式中的对应部分或方面。
如本文所使用的术语“基板”包含非柔性基板和柔性基板两者，非柔性基板例如玻璃基板或玻璃板，柔性基板诸如卷材(web)或箔。基板可为经涂布的基板，其中例如通过物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺或化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)工艺，一个或多个材料薄层涂布或沉积于基板的前侧上。举例来说，基板可包括一个或多个电子装置，所述一个或多个电子装置例如经由带掩模的(masked)沉积和/或图案化沉积于基板的前侧上。电子装置可设置于薄透明箔上，薄透明箔可贴附于基板的前侧上。在其他实施方式中，基板可为未涂布的基板，例如未涂布的玻璃板。
一般来说，平板显示器(例如液晶显示器、有机发光二极管显示器或其他平板显示器)包括绝缘基板，绝缘基板可为非柔性或可具有有限的柔性。然而，也可制造柔性显示器。当卷对卷地(from roll to roll)完成工艺时，柔性显示器的具成本效益的制造成为可行的。举例来说，可沉积并且图案化层，以在基板从一个辊移动至另一辊时在柔性基板上产生晶体管阵列。也有在柔性基板上印刷晶体管阵列和用于柔性基板上的晶体管阵列的功能测试的构思。
本文所述的实施方式特别地涉及大面积基板，更特别地涉及用于显示市场的大面积基板，例如大面积玻璃基板。根据一些实施方式，大面积基板可具有至少1m2的尺寸，例如2m2或更大、4m2或更大、或8m2或更大的尺寸。举例来说，尺寸可为从约1.375m2(1100mm x1250mm–第5代)至约9m2，更特别是从约2m2至约9m2或甚至大至12m2。提供根据本文所述实施方式的结构、设备和方法所用于的基板或基板接收区域可为如本文所述的大面积基板。举例来说，大面积基板可为第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第5代对应于约1.375m2的基板(1.1m x 1.25m)、第7.5代对应于约4.39m2的基板(1.95m x 2.25m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m x 2.5m)、第10代对应于约9m2的基板(2.88m×3.13m)。可以类似地应用甚至诸如第11代和第12代的更高代和对应的基板面积。
可使用于制造电子元件的基板一般具有电绝缘背侧和相对于电绝缘背侧的前侧，电子元件例如显示器，电绝缘背侧例如玻璃背侧。主动层和/或主动元件(例如显示器的像素、晶体管、其他电子或光电装置)、导电层、间隔物层和/或其他层或装置一般形成于基板的前侧上，基板的前侧相对于电绝缘背侧而布置。电子装置可直接地或间接地设置于基板的前侧上。举例来说，电子装置可形成于薄塑料箔上，薄塑料箔可直接地或间接地贴附于基板的前侧。
例如由于在电绝缘背侧和前侧的其中之一或两者上的电荷，基板的电极化可增加因静电放电(electrostatic discharge，ESD)损坏的危险。特别高的风险施加于具有电绝缘背侧的基板，例如玻璃基板。电荷可例如在处置和/或传送基板期间聚积于电绝缘背侧上，带电的电绝缘背侧不能完全地放电而导致基板的极化。极化可能在处置期间导致极端的电压峰值，而可能损坏或甚至毁坏基板的前侧上的结构，例如晶体管或像素。这可导致若干百分比的产量损失。
更薄的基板的趋势可能放大极化效应和有关于极化效应的风险。随着减小基板厚度和更小的定临界尺寸(critical dimensioning)，电子装置对ESD损坏变得越来越敏感。特别是对于移动装置来说，更好的ESD控制有利于保护产量免受ESD的影响。控制基板表面上的电荷的方法和/或减少或消除可导致基板的前侧与背侧之间的极化的电场的方法会是有利的。根据本文所述的实施方式，提出具有减少的ESD损坏风险的处理基板的方法。
图1是用于示出根据本文所述实施方式的处理基板10的方法的各种阶段的示意图。基板10具有电绝缘背侧12和相对于电绝缘背侧12的前侧14。在一些实施方式中，前侧14可设置有形成于前侧14上的一个或多个电子装置和/或层。举例来说，多个像素和/或晶体管可形成于前侧14上。
图1的阶段a)示出具有电绝缘背侧12和前侧14的基板10，基板10例如大面积玻璃基板。
在图1的阶段b)中，以导电层20涂布电绝缘背侧12，以提供基板10的导电背侧22。导电层20可至少部分地覆盖基板的绝缘背侧12，特别是在绝缘背侧大于50％的面积上，更特别是在绝缘背侧大于80％的面积上。更特别地，导电层20可基本上完全地覆盖基板10的绝缘背侧。因此，提供具有导电背侧22的基板10。
举例来说，以导电涂层涂布基板的绝缘背侧12，导电涂层例如金属、透明导电氧化物层(TCO层)或具有高于基板的导电率的导电率的另一层。特别地，导电层可以是或包括抗静电(antistatic)材料或静电放电材料(ESD材料)，也就是减少静电的材料，来保护静电敏感装置。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，导电层20包括具有低导电率的材料。导电层可具有在数百万欧姆(ohm)的范围中的薄层电阻(sheet resistance)，例如1x104或更大并且1x109或更小的薄层电阻(欧姆每方块(Ohms per square))，特别是1x105或更大并且1x107或更小的薄层电阻。
在图1的阶段c)中，导电背侧22例如经由高电阻连接件27与接地25或与参考电位连接。因此，可减少或甚至消除可能存在于导电背侧22上的电荷，并且可提供电中性的背侧。可减少ESD导致损害的风险。
可同时和/或后续地处理基板。特别地，前侧14和/或形成于前侧上的一个或多个电子装置可被处理(以参考数字30标注)。举例来说，在处理30期间，导电背侧22可保持持续与接地25或与参考电位连接。在一些实施方式中，基板的导电背侧可在处理期间至少暂时地接地。
本文所使用的术语“形成于前侧上的电子装置”可表示直接地或间接地形成于基板的前侧上的电子装置，例如在基板与电子装置之间不具有层或具有一个或多个层。值得注意的是，电子装置形成在基板的相较于一般直接沉积于基板的电绝缘背侧12上的导电层20的相对侧上。
本文不具体地限制基板的处理30，特别是前侧14的处理，并且处理30可包括基板的任何处置操作和/或处理，例如传送基板使得前侧面对处理装置、从基板支撑件或基板载体装载和/或卸载基板、前侧的任何处理(例如利用电离器)、前侧的涂布(例如带掩模的沉积)、沉积于前侧上的一个或多个层的图案化、蚀刻前侧或沉积于前侧上的层、例如通过在前侧上贴附箔(箔具有形成在箔上的电子装置)来在前侧上提供一个或多个电子装置、测试形成于前侧上的电子装置、和/或类似处理、处置操作和/或以上项的组合。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，前侧14的处理30可包括形成于前侧上的一个或多个电子装置的功能测试。例如显示器的像素或晶体管的一个或多个电子装置的功能测试可包括利用电子束阵列测试器和/或利用探测装置的功能测试，探测装置经配置以用于接触所述一个或多个电子装置。
在一些实施方式中，前侧的处理30可以可选地包括在前侧14上沉积一个或多个导电层，特别是例如通过带掩模的沉积和/或图案化来在前侧上沉积一个或多个电子装置32。在沉积之后，例如在测试设备中，特别是在电子束测试设备中，可测试形成于前侧上的电子装置32。
在处理30之前、处理30期间和/或处理30之后，由于导电背侧22与接地25或参考电位的直接或间接连接，没有电荷可在基板的背侧上累积。因此，在处理期间只要基板的前侧不带电，基板可在基板的近场中和远场中皆保持电中性。
当包括前侧和背侧的基板的外表面上的电荷的总和加起来为零时，基板可在远场中视为电中性。然而，即使基板在远场中是中性，基板在近场中也可能不为中性，例如在前面上的电荷的极性不同于背面上的电荷的极性时。在此情况中，尽管整个基板上净量为零电荷，基板可能极化。
基板的处置和/或传送对ESD导致的缺陷可为关键的。当导电背侧22通过处置工具(例如通过接地叉(grounded fork)终端受动器)连接于地或连接于参考电位时，导电层20可特别地也在基板的任何处置或传送动作期间保护基板的前侧。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，在基板的处置和/或传送期间，导电背侧22可至少暂时地或连续地与接地25或与参考电位连接，基板的处置和/或传送期间例如基板在两个或更多个处理阶段之间的传送期间、改变基板的定向期间、装载基板于基板载体或基板支撑件上期间、从基板载体或基板支撑件升离或卸载基板期间和/或其他处置动作期间。在处置操作期间，导电背侧的接地连接可保护形成于基板的前侧上的电子装置。
举例来说，如果基板支撑件和置于基板支撑件上的基板之间的电容起初是高的，并且电容在基板从基板支撑件卸载期间变低，也就是在升离期间变低，ESD导致的缺陷可以是基于电容效应的。在卸载期间，电压可与电容改变成反比而升高。然而，如果导电背侧22在基板处置期间连接于地或连接于参考电位，可减少电容改变和因此的电压升高。因此，导电背侧22可在一些或全部的基板处置动作期间连接于地或连接于参考电位，以减少ESD损坏。
在步骤d)中，描绘在处理30之后的基板。在处理30之后，导电背侧22可在不带电的情况下与接地25或参考电位分离。当前侧或形成于前侧上的电子装置不带电时，基板可在近场中和远场中皆为中性。这可减少或消除因静电放电(ESD)损坏的风险。
因此，当处理根据本文所述实施方式的具有电绝缘背侧的基板时，可减少或消除在处理期间和处理之后的基板的电极化。
图2是用于示出根据本文所述一些实施方式的处理基板10的方法的各种阶段的示意图。基板10具有电绝缘背侧12和相对于电绝缘背侧12的前侧14。在一些实施方式中，前侧14可设置有形成于前侧14上的一个或多个电子装置32和/或层。举例来说，显示器的多个像素和/或晶体管可形成于前侧14上。
类似于图1的方法，在处理前侧之前，基板的绝缘背侧可涂布有导电层20，以提供基板的导电背侧22。参考上述解释，而不于此重复。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，基板10可由电绝缘材料制成。基板可以是或包括玻璃基板、显示基板、液晶显示器(LCD)玻璃基板、晶片、印刷电路板、太阳能电池基板、和适用于卷对卷处理的柔性基板的至少一种，柔性基板例如箔或卷材基板。基板可为透明的。
在一些实施方式中，基板可为大面积基板。举例来说，基板10可具有1m2或更大的表面积，特别是2m2或更大的表面积，更特别是8m2或更大的表面积。也就是说，前侧和背侧皆可分别具有1m2或更大、或甚至是8m2或更大的表面积。
替代地或附加地，基板10可为薄基板，例如具有1mm或更小的厚度，特别是0.7mm或更小的厚度，更特别是0.5mm或更小的厚度。本文使用的基板的厚度可定义为基板的电绝缘背侧12和前侧14之间的距离，一个或多个电子装置和/或另外的层可沉积于基板上。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，所述一个或多个电子装置32可包括微电子装置、光电装置、薄膜晶体管、显示元件的像素、芯片的连接网络、发射器阵列的电子发射器、用于显示器的像素的电极或以上项的任何组合中的一种或多种。电子装置可以阵列或矩阵形成于基板的前侧上。举例来说，可提供1,000或更多，特别是10,000或更多，更特别是100,000或更多，或甚至是1,000,000或更多的电子装置。
在一些实施方式中，所述一个或多个电子装置可设置于透明箔上，例如设置于聚合物膜上，诸如聚酰亚胺(PI)膜，透明箔可贴附于基板的前侧上，例如叠层于基板的前侧上。在此情况中，基板可为载体，用于具有设置在透明箔上的一个或多个电子装置的透明箔。具有贴附于基板上的透明箔的基板可允许以相同于直接位于基板的前侧上的电子装置的方式处理所述一个或多个电子装置，所述基板例如玻璃基板。
图2的阶段a)示出具有电绝缘背侧的基板10，电绝缘背侧涂布有导电层20，以提供导电背侧22。另外，一个或多个电子装置32形成于基板的前侧上。
如图2的阶段b)中所示，基板的导电背侧22可置于基板支撑件50的支撑表面上。支撑表面可部分地或全部地导电，使得提供导电支撑表面52。举例来说，导电支撑表面52或整个基板支撑件50可由金属制成。在一些实施方式中，基板支撑件50是金属台。
基板可置于基板支撑件50上，使得基板的导电背侧22直接与基板支撑件的导电支撑表面52电接触。
导电支撑表面52可直接地或间接地连接于接地25或参考电位，参考电位例如由电压源提供的参考电压。因此，基板的导电背侧22也直接地或间接地连接于接地25或参考电位。
在一些实施方式中，在处理基板的前侧或形成于基板的前侧上的一个或多个电子装置32期间，基板的导电背侧22可置于基板支撑件50的接地导电支撑表面上。举例来说，在电子装置32的功能测试期间，基板可置于基板支撑件50上。
如图2的阶段c)中所示，在导电背侧22可例如经由基板支撑件50接地的同时，可处理基板的前侧或形成于基板的前侧上的一个或多个电子装置32。处理可包括测试形成于前侧14上的一个或多个电子装置32，特别是包括利用至少一个探头(prober)42接触所述一个或多个电子装置32。可利用电子束测试设备进行所述一个或多个电子装置32的功能测试。
由于基板的导电背侧可在测试期间保持直接地或间接地连接于参考电位，可在整个功能测试期间限定导电背侧的电位。因此，在前侧不带电的情况中，没有电荷可经由可在测试期间接触电子装置32的探头42离开基板的前侧。因此，前侧也可保持电中性，并且可减少基板的极化。
在图2的阶段d)中，示出处理之后的基板。在处理之后，导电背侧22可在不带电或极化的情况下从基板支撑件50升离。因此，基板可在近场中和在远场中皆为中性。可减少或消除因静电放电(ESD)损坏的风险。
图3是用于示出根据本文所述一些实施方式的处理基板10的方法的各种阶段的示意图。基板10具有电绝缘背侧12和相对于电绝缘背侧12的前侧14。前侧14可设置有形成于前侧14上的一个或多个电子装置32和/或层。举例来说，显示器的多个像素和/或晶体管可形成于前侧14上。电绝缘背侧可涂布有导电层20，以提供导电背侧22。
如图3的阶段a)中所示，基板的背侧可由于基板较早的处置或处理阶段而带电，例如带负电。因此，基板的背侧与前侧之间可存有电位差(V≠0)。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，特别是在处理之前，导电背侧22可放电。举例来说，导电背侧22可经由高电阻连接件27放电，高电阻连接件27例如到地的高电阻连接件。在一些实施方式中，在放置导电背侧于基板支撑件50上以处理基板的前侧之前，导电背侧22放电。这示出于图3的阶段b)中。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，特别是通过利用电离器60处理前侧14，前侧14和/或形成于前侧14上的一个或多个电子装置32可放电或被中和。在利用电离器60处理前侧期间，导电背侧22可例如经由高电阻连接件27连接于接地25或参考电位。因此，在处理之前，基板的前侧和后侧皆可被中和。于是，基板的背侧与前侧之间的电位差可基本上为零。利用静电伏特计(static volt meter)的测量可检测到基板在近场中和在远场中不带电(V≈0)。
如图3的阶段c)中所示，基板的导电背侧22可接着置于基板支撑件50的支撑表面52上，例如置于金属台上。支撑表面可部分地或全部地导电。支撑表面52可连接于接地25或参考电位。参考上述解释，而不于此重复。
当基板置于基板支撑件上时，基板的电中性前侧和电中性背侧不显著地改变电位。特别地，导电的基板支撑件不屏蔽基板的背侧上的任何电荷，屏蔽会导致基板更为带正电。而是，当基板置于基板支撑件上时，基板保持基本上电中性和/或基本上未极化(unpolarized)。
如图3的阶段c)中所示，在导电背侧22可例如经由基板支撑件50接地的同时，处理基板的前侧或形成于基板的前侧上的一个或多个电子装置32。处理可包括测试形成于前侧14上的一个或多个电子装置32，如以上更详细描述的。特别地，甚至当测试设备的探头42电接触电子装置32时，不改变电荷平衡并且没有电荷可基于探头的接触而从基板的前侧移除。因此，在功能测试期间，当基板置于接地的基板支撑件上时，基板保持基本上电中性和/或基本上未极化(V≈0)。
如图3的阶段d)中所示，在从基板支撑件50升离基板之后，基板不充电成高电压，而是在远场中为基本上电中性(V≈0)。可减少或消除因静电放电(ESD)损坏的风险。
图4是示出比较示例的处理基板的方法的各种阶段的示意图。图4的比较示例示出相似于图3中处理基板10的处理基板500。然而，在图4中，基板500的电绝缘背侧没有涂布导电层。
在图4的阶段I中，基板的电绝缘背侧可由于基板的较早的处置或处理阶段而带电，例如带负电。因此，基板的背侧与前侧之间可存有电位差V(V≠0)。
在图4的阶段II中，可利用电离器60处理基板来中和电荷，使得基板在远场中为电中性(V≈0)。然而，由于前侧上的电荷的极性可能不同于背侧上的电荷的极性，基板目前是极化的。
在图4的阶段III中，利用静电伏特计的测量将检测到基板不带电(V≈0)。然而，基板实际上在近场中极化并且带电。
在图4的阶段IV中，基板500的电绝缘背侧可置于可连接于接地25的基板支撑件50上。
在图4的阶段V中，当基板置于基板支撑件50上时，基板500的带(负)电的背侧可由接地的基板支撑件屏蔽，使得基板可在远场中看起来更带正电(V≠0)，即使实际上基板是电中性的。
在图4的阶段VI中，处理基板500的前侧。当测试设备的探头42接触前侧上的电子装置时，到基板支撑件的电容和通过探头的接触可改变平衡。因此，接触的探头可从基板移除电荷，例如从图4的示例中的前侧移除正电荷。在处理之后，基板可在远场中看来似乎为电中性(V≈0)。
在图4的阶段VII中，在从基板支撑件50升离基板500之后，基板可充电成高电压(V≠0)。这是因为背侧上的负电荷不再由导电的基板支撑件屏蔽。可存有因静电放电(ESD)损坏的高风险。值得注意的是，无论初始的充电来自何处，通过从基板支撑件升离基板而减小电容可造成高电压。
图5是示出根据本文所述一些实施方式的处理基板方法的可选的另外的阶段的示意图。图5中所示的阶段可在处理基板之后执行，特别是在电子装置32的功能测试之后执行和/或在从基板支撑件升离经处理的基板之后执行，如上方任意实施方式中所示。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，导电层20可为抗静电涂层或ESD涂层。特别地，导电层20可为可移除涂层，更特别是水可移除(water-removable)涂层。
图5的阶段a)示出处理之后具有在背侧上的导电层20的基板10。
图5的阶段b)示出利用移除装置140处理之后的导电层20的移除。举例来说，可洗去(wash off)导电层并且/或者移除装置140可为可使用诸如水的流体来移除导电层的清洁装置。
或者，导电层20可通过研磨(abrasive)工艺移除。举例来说，特别是针对像是移动显示器的薄基板应用来说，基板可在处理之后通过研磨工艺减薄，研磨工艺也可移除导电层20。
图5的阶段c)示出移除导电层20之后的经处理的基板10。电子装置32布置于基板10的前侧上。可提供具有多个像素的显示元件。
在其他实施方式中，可不移除导电层20。
图6是根据本文所述一些实施方式用于处理基板的设备100的示意图。
设备100经配置以用于处理基板，所述基板具有电绝缘背侧和相对于电绝缘背侧的前侧。箭头101示出基板以所描绘的方式通过设备的路径。设备可经配置以用于根据本文所述的其中一个方法处理基板。参考上述解释，而不于此重复。
设备100包括第一涂布器110，第一涂布器110用于以导电层20涂布基板的电绝缘背侧，以提供导电背侧。设备可进一步包括连接件，连接件用于在处理期间将导电层20与地或与参考电位连接。举例来说，可提供基板支撑件50，基板支撑件50经配置以用于支撑基板和用于直接地或间接地将基板的导电背侧与接地25或与参考电位连接。另外，设备100包括处理装置120，处理装置120经配置以用于特别是在基板被支撑于基板支撑件50上的同时，处理前侧和/或形成于前侧上的一个或多个电子装置。
在一些实施方式中，设备100可进一步包括移除装置140，移除装置140经配置以用于在处理之后移除导电层20。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，处理装置120可包括第二涂布器，第二涂布器经配置以用于在前侧上沉积一个或多个层，例如导电层和/或介电层。在一些实施方式中，第二涂布器可配置为蒸发器、CVD系统、PVD系统和/或溅射系统。
例如通过图案化已沉积的层和/或通过带掩模的沉积，第二涂布器可经配置以用于在基板的前侧上沉积一个或多个电子装置。举例来说，第二涂布器可经配置以用于形成微电子装置、光电装置、微机械装置、薄膜晶体管、显示元件的像素、芯片的连接网络、发射器阵列的电子发射器、用于显示器的像素的电极或以上项的任何组合中的一种或多种。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，处理装置120可包括测试装置，测试装置用于形成于前侧上的一个或多个电子装置32的功能测试，测试装置特别地包括至少一个探头42，探头42经配置以用于电接触一个或多个电子装置32。
举例来说，处理装置120可包括电子束测试系统(electron beam test system，EBT system)，可提供动态像素和TFT特性鉴定和平板矩阵的功能测试。电子束测试系统可经配置以用于产生多电子束来平行地测试并且实现高产量，特别是在例如用于平板显示器的大面积TFT-LCD显示器的情况下。
在一些实施方式中，设备100可进一步包括基板支撑件50，特别是具有导电支撑表面52的基板支撑件50，导电支撑表面52可例如经由高电阻连接件连接于接地25或连接于参考电位。基板支撑件50可相对于处理装置120布置，使得在基板的导电背侧可与支撑表面直接电接触的同时，可利用处理装置120处理基板的前侧。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，设备100可包括静电消除器(static remover)，本文中也称为电离器60。电离器可布置于第一涂布器110下游和处理装置120上游。电离器可经配置以用于中和来自基板的前侧的静电或中和来自形成于前侧上的电子装置的静电。电离器60可经配置以产生离子。
替代地或附加地，设备100可包括电连接件，电连接件经配置以例如在放置基板于基板支撑件上之前，用于使导电背侧22放电。电连接件可配置为高电阻连接件27。在利用电离器60处理前侧的同时和/或在传送或以其他方式处理基板的同时，高电阻连接件27可经配置以用于将基板的导电背侧连接于地。
在一些实施方式中，导电层可为抗静电涂层或ESD涂层，特别是可移除涂层，更特别是能够例如利用水洗去的涂层。
根据本文所述的另外的方面，提供显示元件，如例如图1d)、2d)、3d)中、或图5a)中所示。显示元件包括基板，基板具有电绝缘背侧和相对于电绝缘背侧的前侧。一个或多个电子装置(特别是薄膜晶体管和/或像素)形成于前侧上。电绝缘背侧涂布有导电层，以提供基板的导电背侧。
在一些实施方式中，导电层可为抗静电涂层或ESD涂层，特别是可移除涂层，更特别是能洗去的涂层。
图7是示出根据本文所述实施方式的处理基板的方法的流程图。
在框710中，提供基板10，其中基板具有电绝缘背侧12和相对于电绝缘背侧的前侧14，其中一个或多个电子装置32可以可选地形成于前侧14上。
在框720中，电绝缘背侧12涂布有导电层20，以提供导电背侧22。
在(可选的)框730中，特别是在导电背侧连接于地或连接于参考电位的同时，利用电离器60中和基板。
在框740中，特别是通过将基板放置于可接地的导电的基板支撑件上，导电背侧22与地或与参考电位连接。
在框750中，处理基板，特别是处理前侧和/或前侧上的一个或多个电子装置32，特别是通过例如使用探头接触一个或多个电子装置来进行的一个或多个电子装置的功能测试。在处理期间，导电背侧可直接地或间接地连接于地或连接于参考电位。
在(可选的)框760中，基板从基板支撑件升离。
在(可选的)框770中，导电层20可从基板移除。
虽然前述内容针对本公开的实施方式，可在不脱离本公开的基本范围的情况下，设计本公开其他和进一步的实施方式，并且本公开的保护范围由随附的权利要求书确定。
Claims (21)
1.一种处理基板(10)的方法，其中所述基板具有电绝缘背侧(12)和与所述电绝缘背侧(12)相对的前侧(14)，所述方法包括：
用导电层(20)涂布所述电绝缘背侧(12)，以提供导电背侧(22)；
将所述导电背侧(22)与接地(25)连接或与参考电位连接；
利用电离器(60)处理以下项中的至少一项：所述前侧(14)和形成于所述前侧(14)上的一个或多个电子装置(32)，其中在利用所述电离器(60)处理期间，所述导电背侧(22)连接于所述接地(25)或连接于所述参考电位；以及
处理(30)所述基板。
2.如权利要求1所述的方法，其中处理所述基板包括处理以下项中的至少一项：所述前侧(14)和形成于所述前侧上的所述一个或多个电子装置(32)。
3.如权利要求2所述的方法，其中处理(30)包括形成于所述前侧(14)上的所述一个或多个电子装置(32)的功能测试。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述功能测试包括利用至少一个探头(42)接触所述一个或多个电子装置(32)。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述基板的所述导电背侧(22)置于基板支撑件(50)的导电支撑表面(52)上，所述基板支撑件的所述导电支撑表面连接于所述接地(25)或连接于所述参考电位。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述导电背侧(22)在处理之前放电。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述导电背侧(22)经由高电阻连接件(27)放电。
8.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述基板(10)包括玻璃基板、显示基板、晶片、印刷电路板、太阳能电池基板、和适用于卷对卷处理的柔性基板的至少一种。
9.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述基板(10)包括液晶显示器(LCD)玻璃基板。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个电子装置包括微电子装置。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个电子装置包括光电装置、薄膜晶体管、显示元件的像素、芯片的连接网络、发射器阵列的电子发射器、和用于显示器的像素的电极中的一种或多种。
12.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述基板(10)具有以下项中的至少一项：1mm或更小的厚度和1m2或更大的表面积。
13.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述导电层(20)是抗静电(antistatic)涂层或静电放电(ESD)涂层。
14.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述导电层(20)是可移除涂层。
15.如权利要求14所述的方法，其中在处理(30)之后移除所述导电层(20)。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述可移除涂层是水可移除(water-removable)涂层。
17.如权利要求16所述的方法，其中在处理(30)之后洗去所述导电层(20)。
18.一种用于处理基板(10)的设备(100)，其中所述基板具有电绝缘背侧和与所述电绝缘背侧相对的前侧，所述设备包括：
第一涂布器(110)，所述第一涂布器用于以导电层涂布所述电绝缘背侧，以提供导电背侧(22)；
基板支撑件(50)，所述基板支撑件经配置以用于支撑所述基板和用于将所述导电背侧(22)与接地(25)或与参考电位连接；
处理装置(120)，所述处理装置经配置以用于处理以下项中的至少一项：所述前侧和形成于所述前侧上的一个或多个电子装置(32)；以及
电离器(60)，所述电离器经配置以用于在所述导电背侧(22)连接于所述接地(25)或连接于所述参考电位的同时中和来自以下项中的至少一项的静电：所述前侧和形成在所述前侧上的所述一个或多个电子装置(32)。
19.如权利要求18所述的设备，进一步包括：
移除装置(140)，所述移除装置经配置以用于在处理之后移除所述导电层(20)。
20.如权利要求18或19所述的设备，其中所述处理装置(120)包括测试装置，所述测试装置用于测试形成于所述前侧上的所述一个或多个电子装置(32)，所述测试装置包括至少一个探头(42)，所述探头(42)经配置以用于电接触所述一个或多个电子装置(32)。
21.一种显示元件，包括基板(10)，所述基板具有电绝缘背侧(12)和与所述电绝缘背侧相对的前侧(14)，其中一个或多个电子装置(32)形成于所述前侧上，
其中所述电绝缘背侧(12)涂布有导电层(20)，以提供所述基板的导电背侧(22)，
并且其中在所述基板的处理(30)之前，将所述导电背侧(22)连接到接地(25)或连接到参考电位，并且利用电离器(60)处理以下项中的至少一项：所述前侧(14)和形成于所述前侧(14)上的所述一个或多个电子装置(32)。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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