JPH07130488A - 基板搬送装置 - Google Patents

基板搬送装置

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JPH07130488A
JPH07130488A JP29268393A JP29268393A JPH07130488A JP H07130488 A JPH07130488 A JP H07130488A JP 29268393 A JP29268393 A JP 29268393A JP 29268393 A JP29268393 A JP 29268393A JP H07130488 A JPH07130488 A JP H07130488A
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glass
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総一郎 阪田
Hideto Takahashi
秀人 高橋
Katsumi Sato
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 搬送途上の基板の剥離帯電による絶縁破壊を
回避可能な基板搬送装置を提供する。 【構成】 本発明装置は、除電対象であるガラス基板と
の接触面が絶縁性のセラミックスからなりかつ接地され
た基板支持部を備えた搬送機構と、少なくとも前記基板
支持部から前記基板が離れる直前に前記基板と前記基板
支持部の接触面の両方に対して搬送空間よりも相対湿度
の高いエアを吹きかけるための送気手段とを備えてい
る。かかる構成により相対湿度の高いエアをガラス基板
に吹き掛けることにより、ガラス基板の表面電荷の大部
分を、ガラス基板とセラミックス支持部の双方の接触表
面に付着した水分子層を経由して接地側へ漏洩させ、ガ
ラス面の帯電電荷の一部を気中へ直接漏洩させることが
可能なので、瞬時にガラス基板を除電することが可能で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、搬送中の物品に発生す
る静電気を高速度で除去する搬送装置に係わり、特に液
晶製造におけるガラス大型基板の搬送途上で発生する帯
電の除去に威力を発揮するガラス基板の搬送装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、ノートブック型のパソコンあるい
は液晶テレビの普及とともに、TFT(薄膜トランジス
タ)を用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ
(AM−LCD)の量産技術の確立が要求されている。
AM−LCD製造工程は、ガラス基板上にアモルファス
シリコン、絶縁体、導電体などの各種薄膜を堆積しパタ
ーン加工してTFTや液晶駆動用の表示電極や配線を形
成するTFT工程、TFT基板とカラーフィルタ(C
F)基板とを位置合わせして重ね隙間に液晶を注入する
パネル工程、パネル周辺に駆動回路ICを接続しバック
ライトなどを実装するモジュール工程からなる。
【0003】ところで、LCDの量産を押し進めるため
には、静電気対策が、類似の製造工程を有するLSI製
造の場合よりも、遥かに重要で、歩留まり確保のための
最大の問題点である。すなわち、LCDの基板材料は絶
縁性のガラスであるため、LSIの基板材料であるシリ
コン単結晶(半導体)と比べて、静電気による帯電が遥
かに生じやすく、パーティクルの吸着や、堆積膜の絶縁
破壊を招きやすいからである。
【0004】しかしながら、LCD製造はLSI製造と
比較して、次のような固有の問題を有している。すなわ
ち、第1に、LCDの基板形状は角型で、大きく、重い
ことから、バッチ処理が困難であり、搬送など取扱いも
難しい。第2に、線幅、線間隔などのパターン加工精度
はLSIに比べて1桁緩いものの、シリコン基板の数倍
に及ぶ広い面積での加工の均一性が必要である。第3
に、歩留まりの概念が相違する。すなわち、1MDRA
Mに相当する10型クラスのTFT−LCDでは1枚の
ガラス基板上に2パネル分しか面付けできず、歩留まり
は0%、50%、100%の3値しか取り得ない。LS
Iが、1枚のシリコン基板上に数百チップを配置できる
のとは対象的である。
【0005】したがって、LCD製造工程における静電
対策を確立するためには、上記のような固有の問題の解
決をあわせて考える必要がある。このような観点を踏ま
えた帯電物体の除電技術として、従来よりコロナ放電を
利用した各種のイオナイザが知られている。また最近で
は、帯電物体の周囲雰囲気の空気に軟X線を照射してそ
の空気を電離・イオン化し、帯電を中和する方法も開発
されている。これらの除電技術の原理は、いずれも空気
を電離して(コロナ、軟X線を問わない)発生する空気
イオンで帯電電荷を中和する方法である。
【0006】これらの技術のうち、本願発明者らが先に
出願した特願平5−88172号に開示されている液晶
用イオナイザの概要を、図7に示す。このイオナイザ1
00は、搬送装置101上を運ばれてくる大型ガラス基
板102(300×400mm2)の帯電(数kV)
を、3秒間で、全面にわたってムラなく一様に、99%
以上除電できるものである。その特徴を以下に示す。
【0007】1)イオンコントローラ103により制御
可能なパワーユニットトランス部104よりAC電圧を
放電極105に印加するとともにDC電圧を対極106
に印加し、同時に送風ユニット107より除塵された空
気を供給することにより、空気イオンを含んだ気流がス
リットノズル108から吹き出して、その気流が大型ガ
ラス基板102の表面全面を覆いつくすように広がるた
め、除電ムラがない。気流速度はノズル出口において1
2m/s、ノズル出口から15cm離れた位置で2〜3
m/sである。ノズル出口からの気流がガラス基板に到
達するまでの時間は、十分の一秒以下と短く、この気流
を数秒だけガラス基板に照射するだけで、数kVの帯電
の90%以上を除去できる。
【0008】2)また、スリットノズル108吹出口に
配置される上記金属製の放電極105を石英ガラスで被
覆することにより、放電に伴う電極の劣化と発塵を防止
することが可能である。
【0009】3)さらに、放電極の下流側に穴開きステ
ンレス板を対極106として設けた。ノズルから吹き出
したイオン気流はこの開口部を通過する。この際、正と
負のイオン濃度を均衡させるために、対極に+30V〜
+500Vの直流電圧を印加して、気流中に過剰に含ま
れる負イオンを対極に吸収することが可能である。
【0010】つぎに、最近開発された軟X線による除電
技術について簡単に説明する。この技術は、帯電体近傍
に軟X線を照射して空気を電離し、発生する空気イオン
のうち、帯電と逆極性のイオンがクローン力によって帯
電体に吸収され、帯電を除去するものである。その特徴
を以下に示す。
【0011】1)イオナイザ(コロナ放電方式)では不
可欠の、発生イオンを放電極から帯電物体まで搬送する
ための気流を全く必要としない。
【0012】2)イオナイザのように発生した正と負の
イオンを気流で搬送する場合には、帯電物体にイオンが
到達するまでの搬送途上で、正負イオンが結合・中和し
てイオン濃度が減衰してしまう。一方、軟X線では、帯
電物体近傍の空気を直接電離するため、電離直後の高濃
度イオンが、減衰することなく帯電物体に到達して、除
電に利用される。軟X線方式がコロナ放電方式よりも除
電時間が大幅に短い所以である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な液晶用イオナイザは空気イオンを気流で搬送するた
め、気流速度によっては除電の対象となる帯電物体周辺
の雰囲気をかき乱すことになる。清浄度があまり高くな
いクリーンルーム内で使用する場合、周囲表面に沈着し
たゴミを舞い上げ、結晶パネル表面を汚すことになる。
【0014】一方、軟X線による除電法では、軟X線が
薄い空気層によっても容易に吸収されてしまう特性を有
するものの、作業者の被曝を完全に防止するためには、
照射空間全体を厚み1〜2mmの塩ビ板のようなもので
覆う必要がある。液晶パネルは遮蔽板で覆われた閉空間
内部を搬送されることになり、クリーンルーム全体の清
浄化技術に加え、この閉空間の清浄化技術が新たに必要
となる。そのため、液晶パネルをクリーンルーム内の清
浄空気に対して開放された状態で搬送するという従来形
式搬送法のコスト面での有利性が失われてしまう。
【0015】さらに、イオナイザと軟X線のいずれの除
電法も剥離帯電とその瞬間に起こる素子の絶縁破壊を防
止することは不可能である。その理由を図8を用いて説
明する。図8は大型ガラス基板の搬送装置120の概要
で、一端で搬送ベルト121上に搭載されたガラス基板
122は他端において搬送アーム123の吸着チャック
124で持ち上げられる。搬送途上において、互いに接
触したガラス面とベルト面がわずかでも擦れ合うと、ガ
ラス面は正に、ベルト面は負に帯電する。この段階では
異符号に帯電した面は密着しており、見かけ上互いに中
和した状態にある。ところが、真空チャック124で両
面を分離すると、剥離帯電によって瞬時にガラス基板1
25の厚み方向に正帯電に起因する電界が現れ、ガラス
基板125上に形成された素子を絶縁破壊する。
【0016】また、イオナイザや軟X線のように空気イ
オンによって帯電を中和する方法では、剥離帯電によっ
てガラス基板に生じた帯電を除去するのに0.5秒〜数
秒も要し、素子の絶縁破壊防止には役立たない。また、
ガラス基板に生じた帯電を空気イオンを利用して中和し
ようとする場合には、図9に示すようにガラス基板13
0の表面130Aに帯電物品の中和装置131により形
成された空気イオンが吸着すると、剥離帯電によってガ
ラス基板の裏面130Bに生じた帯電とは異なる極性の
帯電がガラス基板の表面に生じることになる。電界はガ
ラス基板内部にのみ収束するので、見かけ上、帯電は中
和されたようになるが、基板内部の素子の劣化や液晶分
子の配向ムラの原因となる。
【0017】さらに、イオナイザと軟X線源のいずれの
除電装置も、装置1台当たりの除電可能な範囲は限定さ
れている。そのため、搬送経路の帯電が発生する可能性
のある全ての箇所に多数の除電装置を設置しなければな
らず、多数の除電装置を同時に稼働させれば、個々の除
電装置の故障、メンテナンスの煩雑さが必然的に生じる
ことになる。
【0018】したがって、本発明は、ガラス基板の搬送
時に使用される従来の除電装置が有するこのような問題
を解決し、高品質のLCDの量産を可能にすることを課
題としたものである。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に基づいて構成された基板搬送装置は、除電
対象基板との接触面が絶縁性材料、たとえばセラミック
スからなりかつ接地された基板支持部を備えた搬送機構
と、少なくともその基板支持部から基板が離れる直前に
基板と基板支持部の接触面の両方に対して搬送空間より
も相対湿度の高いエアを吹きかけるための送気手段とを
備えたことを特徴としている。
【0020】また本発明装置に使用可能な送気手段に
は、風量調節手段、調湿手段、調温手段、あるいは空気
濾過手段を設けることが可能である。さらに送気手段
に、基板に対して一様気流、ジェット気流またはカーテ
ン気流を吹き付けるための送気口を設けることも可能で
ある。あるいは、基板支持台の近傍の相対湿度を検出す
るためのセンサを設け、そのセンサからの信号に応じて
送気手段から送気される空気の温湿度を制御する構成に
することも可能である。
【0021】さらにまた、送気手段の上流側に、コロナ
放電電極や軟X線照射装置などの空気を電離して発生す
る空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物中和装置
を設ける構成を採用することも可能である。
【0022】
【作用】本発明装置は、本願発明者らが知見した、物体
表面上の静電荷がその物体の表面を通じて接地側に漏洩
する現象を利用したものであり、さらには、空気中の湿
度が大きい場合に物体表面の静電荷が直接空気中に漏洩
する、いわゆる「気中漏洩」による静電荷の減衰を利用
したものである。
【0023】このように相対湿度が増すと表面帯電の減
衰が著しくなる理由は、基板のガラス表面と基板支持部
のセラミックス製接触面の水の吸着量が増加して表面抵
抗値が減少するためである。ガラス基板の主成分である
SiO2のO原子は孤立電子対を持ち、水分子のHと水
素結合しやすいため、ガラス表面に水分子層が形成され
やすい。また、基板支持部の接触面によく使用されるセ
ラミックス素材のSiO2、SiN、Al23などには
いずれも孤立電子対を有するOやN原子が含まれる。こ
のような絶縁性セラミックス面も水分子のHと水素結合
して、その表面に水分子層が形成されやすい。なお、T
FT−LCDの製造工程は、ガラス基板上に薄膜電極、
絶縁膜を形成するものであり、複数層の電極を絶縁膜で
保護していくため、工程のなかで絶縁膜形成工程の占め
る割合は大きい。しかしながら、絶縁膜は、SiN、S
iO2、Al23、Ta25等であり、これら絶縁膜質
のOやN原子はSiO2のO原子と同様に孤立電子対を
持つことを考慮すれば、このような絶縁膜付きガラス基
板に対しても本発明装置は有効である。さらに、相対湿
度が80%以上では、表面電荷の気中漏洩による減衰も
ガラス基板表面と基板支持部のセラミックス製接触面の
両方の除電に効果的に作用する。
【0024】次に、本発明に基づいて構成された基板搬
送装置において、除電対象であるガラス基板との接触面
を絶縁性のセラミックスにして接地する構成を採用した
理由を図1および図2を参照しながら説明する。
【0025】図1は、カセットケース1に入ったLCD
基板2をロボットアーム3で取り出そうとする様子を示
す図である。ここでLCD基板2はガラス基板2aの表
面にTFT素子2bを形成したものであり、そのガラス
基板裏面は正に帯電しているものとする。このLCD基
板2を取り出すため、図2(a)に示すように金属製の
ロボットアーム3aをLCD基板に近づける従来の場合
と、図2(b)に示すように絶縁性セラミックスのロボ
ットアーム3bをLCD基板2に近づける本願の場合と
の、2つのケースを比較して考えてみよう。図2(a)
に示す従来の場合には、静電誘動作用によりTFT金属
パターン2bの正の電荷と金属アーム3aの負の電荷が
引き寄せあって、基板に接近したアームと基板の最短距
離間に強力な電界が形成される。アームと基板の最短距
離が小さくなって、この電界強度がある限度を越えた時
に放電が起こり、TFT素子が破壊される。これに対し
て図2(b)に示す本願の場合には、静電誘導作用によ
る電荷の移動が起こらないため、放電によるTFT素子
の破壊は起こらない。
【0026】もちろん、アームを近づける前の図1に示
す状態において、除電装置(イオナイザや軟X線)を使
用して、LCD基板の帯電を十分に中和しておけば、金
属アームを近づけても全く問題はない。しかし現実の製
造工程では、帯電基板の十分な除電が行われないままの
状態で、基板の搬送移動が実行される場合がよくあるた
め、本発明のように除電対象基板の接触面を絶縁性材料
から構成することにより、静電誘導作用による素子破壊
を防止することが可能である。
【0027】さらに本発明によれば、送気手段から吐出
される周囲雰囲気よりも大きな相対湿度を有する気流を
基板に吹きかけることにより、気流が触れた基板面と基
板支持部接触面の近傍は、周囲雰囲気よりも大きな相対
湿度の雰囲気に包まれ、基板面と基板支持部接触部を引
き離そうとする際に生じる帯電電荷の大部分は基板面に
付着した水分子層と基板支持部のセラミックス製接触面
に付着した水分子層を経由して接地側へ漏洩し、基板表
面と基板支持部のセラミックス製接触面の両方に生じる
帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩する。この結果、短時
間に基板面に帯電した静電荷が除電されるので、基板を
支持台から離した場合であっても剥離帯電現象が生じ
ず、基板に形成された素子の絶縁破壊を有効に防止する
ことができる。
【0028】送気手段に、風量調節手段、調湿手段、調
温手段、あるいは空気濾過手段を設けることにより、風
量、湿度、温度を搬送環境に応じて調節することが可能
となり、あるいはULPAフィルタなどにより除塵した
空気を用いることにより、気中の微粒子による基板の汚
染を防止することができる。また、送気口を工夫するこ
とにより、搬送環境に応じて、吹出エアを一様気流、ジ
ェット気流またはカーテン気流として基板に吹き掛ける
ことができる。例えば、通常の搬送時には低風速かつ大
流量の一様気流としてエアを吹き掛け、周囲雰囲気の清
浄度が高くゴミの舞い上げによるパネル表面の汚染の心
配がない場合には高風速かつ小流量のカーテン気流ない
しジェット気流としてエアを吹き掛け、あるいは基板の
両面が帯電している場合には基板に対して平行な一様流
を吹き掛けることにより所望の除電効果を得ることがで
きる。さらにセンサにより基板支持部近傍の相対湿度を
検出し、その信号に応じて、風量、湿度、温度をフィー
ドバック制御することにより、より安定した除電環境を
提供することができる。
【0029】さらにまた、本発明装置は、送気手段の上
流側に設置された、コロナ放電電極や軟X線照射装置な
どの空気を電離して発生する空気イオンにより帯電電荷
を中和する帯電物中和装置と組み合わせて使用すること
もできる。かかる組合わせにより、帯電物中和装置によ
り基板に帯電したあらかたの静電荷を前処理として除電
し、相対湿度の高いエアにより基板を基板支持部から離
した場合に生じる剥離電荷を主として除電することによ
り、より完全な除電効果を得ることができる。
【0030】
【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
いて構成された基板搬送装置の好適な実施例について説
明する。まず本発明の理解を容易にするために、周囲雰
囲気の湿度とガラス基板表面およびセラミックス製接触
面の汚れに注目して、これら温度と汚れが、接地された
セラミックス製接触面に接して置かれたLCD用ガラス
基板の帯電電荷の漏洩特性にどのような影響を及ぼすか
を調べた実験について説明する。
【0031】1.実験方法 (1)ガラス基板とセラミックス接触面 実験に使用したガラス基板は全て、コーニング社製の無
アルカリガラス(Fusion7059)である。その
比誘電率は5.84[−]であり、その成分はSi
2:49%、BaO:25%、B23:15%、Al2
3:10%、その他:1%であった。また、実験に使
用したセラミックス接触面は、石英ガラス表面に100
0 のSiN膜またはSiO2膜をスパッタリング法で
成膜したものである。
【0032】(2)帯電電位の測定法 図8に示すように、22.5±0.5℃、42±1%R
Hの恒温恒湿槽中(清浄度は米国連邦規格0.5μm粒
子径基準Class 1)に、液晶用のガラス基板とし
て使用されるコーニング社製の無アルカリガラス(Fu
sion7059、50×50×1.1tmm)の裏面
を接地した金属平板(図中のITO膜が金属平板に相
当)上に置いた。このガラス基板の表面を正極性にコロ
ナ帯電させた。その後、恒温恒湿槽内の温湿度条件を様
々に変え、ガラス基板上の帯電電荷密度の減衰特性を調
べた。なお、ガラス基板の表面電位は、零位法のプロー
ブ(MONROE Model 1017E)による表
面電位計(Model 244)で測定した。表面電位
の測定は、ガラス基板表面の均等に分布した25カ所に
ついて行った。うち基板中心点については、実験中の表
面電位の経時変化を記録した。測定中の温湿度は鏡面冷
却式露点計(GENERAL EASTERNHygr
o−M2)で記録した。表面電位の測定値は次式(1)
によって表面電荷密度に換算した。
【0033】 Vs=Vb−V=σd/εrεo (1) ここで、 σ :ガラス基板上面の等価表面電荷密度 [Coulomb/m2] Vs :ガラス基板厚み分の電位差 [V] Vb :表面電位測定値 [V] V :プローブガラス表面間電位差 [=0V] εr :ガラスの比誘電率 [=5.84] εo :空気の誘電率 [=8.85×10-12F/m] d :ガラス基板の厚み [=1.1×10-3m]
【0034】(3)表面抵抗率の測定 ガラス基板の表面抵抗率を様々な温湿度条件で測定し
た。ハイレジスタンスメータ(HP社製4339A)の
リング電極部(HP社製16008B、主電極50mm
φ、ガード電極60mmφ)を恒温恒湿槽内に設置し、
ガラス基板(80×80×1.1tmm)の表面抵抗率
をさまざまな湿度条件で測定した。まず、温湿度条件2
3℃、40%RHの槽内にガラス基板を置いた。この温
湿度条件から所定の温湿度条件に変化するまでの過渡時
間は20分である。槽内の雰囲気が所定の温湿度条件に
到達してから1時間後に、ガラス基板をリング電極部に
装填し、測定を行った。ガラス基板のハンドリングは全
て、槽内外の雰囲気を隔離した状態で、槽内において行
われた。リング電極部への印加電圧は500V、60秒
とした。測定中の温湿度の記録は鏡面冷却式露点計を用
いて行った。またセラミックス接触面の表面抵抗率につ
いても、ガラス基板と同様の方法で測定した。
【0035】(4)ガラス基板とセラミックス接触面の
洗浄 いかに清浄なガラス基板面も、クリーンルームの雰囲気
に曝されるだけで、空気中の炭化水素系ガスに由来する
有機物不純物が表面に付着してくる。通常この不純物
は、紫外線とオゾンガスを組み合わせたUV/O3洗浄
(日本電池 DUV−25×4A)と呼ばれる方法で完
全に除去できる。超純水(17〜18MΩ・cm)によ
る60分間の超音波洗浄とUV/O3洗浄を組み合わせ
た洗浄直後の状態を「洗浄」ガラス基板、その洗浄後1
ケ月間クリーンルーム内に装置した状態を「未洗浄」ガ
ラス基板とそれぞれ称して、実験に使用した。セラミッ
クス接触面についても、ガラス基板と同様の「洗浄」を
行い、その洗浄後にクリーンルーム内に装置した経過時
間と表面抵抗率の相関を、周囲雰囲気の相対湿度を変え
て測定した。
【0036】(5)ガラス基板表面の汚染状態の評価 ガラス基板の表面が有機物によってどの程度汚れている
かを評価するために、接触角計(協和界面科学CA−S
150型)とX線光電子分光法(略称XPS:FIS
ONS Instrument INSPECTO
R))によって調べた。なお液滴として超純水を使用し
た。
【0037】2.実験結果 (1)表面電荷密度減衰に対する湿度の影響 正極性にコロナ帯電させた「未洗浄」ガラス基板につい
て、様々な湿度条件における表面電荷の減衰特性を調べ
た。
【0038】図11に、22.5±0.5℃、42±1
%RHにおける基板表面の25ケ所の表面電荷密度を繰
り返し5回測定した場合の各測定点における平均値およ
び標準偏差を示す。図11(a)に示されるように、ガ
ラス基板中央部の方が周辺部に比べて少し強く帯電して
いた。 平均表面電荷密度の全測定点の平均値は4.3
×10-5Coulomb/m2である。また図11(b)に示さ
れるように、標準偏差は測定点によって異なり、±1×
10-6〜±5×10-6Coulomb/m2である。
【0039】恒温恒湿槽内の温度を22.5℃(一定)
に設定し、所定の相対湿度に1時間曝した後の表面電荷
密度の減衰率(=σ/σo)を図10に示す。横軸は測
定点のガラス基板中心点からの距離を示している。相対
湿度が高いほど、また、基板周辺部に近いほど電荷密度
の減衰は大きくなった。40%RHにおいては、1時間
後の減衰率はσ/σo=0.97であり、逆に電荷密度
がわずかに増加した部分も観測された。
【0040】次に、相対湿度は60%RHまたは70%
RH(各一定)のままで温度のみを変え、つまり絶対湿
度が変化する場合の減衰率を測定した結果を図13に示
す。図示のように、相対湿度が同じであれば、絶対湿度
が変化しても減衰率は変化しないことが分かる。
【0041】図14は、ガラス基板中心点の表面電荷密
度の減衰時間を測定して求めた時定数を基に、様々な相
対湿度に対する表面電荷密度の時間減衰を計算したもの
である。製造工程のクリーンルームの湿度は通常40%
RH前後であるが、この場合には「未洗浄」ガラス基板
が接地導体に接触していても帯電電荷はなかなか減衰し
ないことが分かる。
【0042】(2)表面汚染と帯電電荷の漏洩特性 「洗浄」ガラス基板(超音波洗浄+UV/O3洗浄)
と、「未洗浄」ガラス基板(同洗浄後1カ月クリーンル
ーム内に放置)を、正極性にコロナ帯電させ、5分後の
表面電荷密度を測定した結果、「未洗浄」ガラス基板の
表面電荷密度4.3×10-5Coulomb/m2に対して、
「洗浄」ガラス基板は4.7×10-8Coulomb/m2以下
の大きさであった。
【0043】図15は、さまざまな相対湿度において、
「洗浄」・「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率(ρ
s〔Ω/□〕)を測定した結果である。「未洗浄」ガラ
ス基板の表面抵抗率は「洗浄」ガラス基板の102〜1
5倍も大きく、両者の表面抵抗率はいずれも湿度が高
くなるにつれて減少した。
【0044】また、「洗浄」および「未洗浄」のガラス
基板表面の接触角を測定した結果、「洗浄」のものは4
度、「未洗浄」のものは70度(標準偏差は2度)を示
した。このように、「未洗浄」の接触角は「洗浄」に比
べて明らかに大きく、「洗浄」基板がクリーンルーム雰
囲気に長時間曝された場合には、表面汚染が起こること
が分かる。
【0045】さらに、XPS(X-ray photoelectron sp
ectroscopy)でガラス基板表面の元素構成率(%)を分
析した結果、「洗浄」ガラス基板では、C:4.8、
O:62.9(66)、Si:23.8(25)、A
l:5.7(6)、Ba:2.8(3)、B:未検出で
あり、「未洗浄」ガラス基板では、C:15.9、O:
55.7(66)、Si:21.3(25)、Al:
4.2(5)、Ba:2.9(3)、B:未検出であっ
た。なお、括弧内の数値は炭素が含まれない場合の元素
構成率を示している。今回のXPSの測定条件において
は、表面から深さ約100オングストロームまでの領域
を分析している。本分析において、もともとのガラス基
板の組成元素である、O、Si、Al、Baの元素組成
比は、ガラス基板製造元仕様値から求めた元素組成比、
すなわち、O:67、Si:19、Al:5、Ba:
5、B:5とほぼ一致した。なおこれらの元素の他にC
が検出されたが、Cはクリーンルーム空気中の炭化水素
成分に由来するものと考えられる。ガラス基板表面のC
元素付着量については、「未洗浄」が「洗浄」の約3倍
であった。
【0046】SiNとSiO2のセラミックス接触面を
対象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した
経過時間と表面抵抗率の相関を、周囲雰囲気の相対湿度
が40%と80%の2とおりの場合に測定した。測定結
果を図B、図Cに示す。図から明らかなように、「洗
浄」セラミックス接触面がクリーンルーム雰囲気に曝さ
れた場合には、暴露時間が長くなるとともに表面抵抗率
が増大することがわかる。また、同一の暴露時間におけ
る表面抵抗率の相対湿度による違いを調べると、40%
RHの表面抵抗率が80%RHの表面抵抗率の約101
〜102倍になる。
【0047】3.考察 以上の実験データより、LCD用ガラス基板とセラミッ
クス接触面の帯電電荷の漏洩特性に及ぼす湿度と表面汚
染の影響を調べた。
【0048】(1)湿度の影響 LCD用ガラス基板はアルミナ・シリカ系吸着剤の化学
組成と同一のものを含んでいる。吸着剤の水分吸着量は
相対湿度に依存していることから、ガラス基板において
も相対湿度の上昇とともに表面の吸着水分量が増加して
表面抵抗率が低下したものと考えられる。表面抵抗率が
低下すると、ガラス基板表面上の電荷は表面を移動して
接地金属平板へ漏洩しやすくなる。
【0049】SiNとSiO2のセラミックス接触面に
ついても、孤立電子対を有するOやN原子が含まれるこ
とから、このような絶縁性セラミックス面も水分子のH
と水素結合して、その表面に水分子層が形成されやす
い。このため、相対湿度の上昇とともに表面の吸着水分
量が増加して表面抵抗率が低下したものと考えられる。
【0050】(2)表面汚染の影響 ガラス基板の表面抵抗率は、相対湿度が上昇すると、
「洗浄」・「未洗浄」を問わず、ともに低下した。とこ
ろが、表面抵抗率の値は「未洗浄」が「洗浄」の102
〜105倍程度の大きさになった。また、「洗浄」ガラ
ス基板の表面電荷密度の減少率は、「未洗浄」ガラス基
板と比較して著しく大きくなった。これらの結果は、接
触角の測定とXPSの表面分析から、つぎのように説明
される。UV/O3洗浄によって一旦有機系汚染物をガ
ラス基板表面から除去しても、ガラス基板表面をクリー
ンルーム雰囲気に長時間曝すことによって、再び大気由
来の炭化水素成分が表面を汚染する。この汚染は、表面
抵抗率を増加させ、表面帯電電荷を漏洩しにくくする。
【0051】またSiNとSiO2のセラミックス接触
面についても、図16、図17に示されたように、「洗
浄」セラミックス接触面がクリーンルーム雰囲気に曝さ
れた場合には、暴露時間が長くなるとともに、大気由来
の炭化水素成分による表面汚染が進行して、表面抵抗率
を増加させることがわかる。
【0052】クリーンルーム雰囲気由来の炭化水素成分
による表面汚染に関して、高萩隆行氏著の「表面有機物
(応用物理第61巻第11号(1992)1168ペー
ジ)」によれば、シリコンウェハ表面の有機物の量は空
気中保存によって経時的に増大し、3週間程度でUV洗
浄前と同程度まで増大することが報告されている。しか
しながら30分以下の時間では、洗浄前の10分の1以
下のレベルを維持している。したがって、空気中で1〜
5分間扱う程度では、表面有機物の増大はほとんど無視
できるものと考えられる。ガラス基板表面に有機物が付
着すると、TFT−LCDの製造工程における薄膜電
極、絶縁膜を形成する際に、膜の密着性が悪くなるとい
う問題があるので、洗浄後にはできる限り速やかにつぎ
のプロセスに進む必要がある。
【0053】ところで、本発明装置は、物体表面上の静
電荷が、その物体の表面を通じて接地側に漏洩する現象
を利用したものであるが、「静電気学会講演論文集’8
6((1986.10)123ページ)」や「静電気学
会講演論文集’87((1987.10)145ペー
ジ)」によると、空気中の湿度が大きい場合には、表面
の静電荷が直接空気中に漏洩すること(いわゆる「気中
漏洩」)が報告されている。また本発明者らの実験によ
れば、気中漏洩による減衰は、相対湿度が80%以上に
なると、表面を通じた漏洩減衰と比較して無視できない
ほど大きくなることが判明している。
【0054】次に、これまで説明してきた知見に基づい
て、本発明に基づいて構成された基板搬送装置の作用に
ついて詳細に説明する。図18は、図14に示す「未洗
浄」ガラスの帯電漏洩特性に、「洗浄」ガラスの帯電漏
洩特性の計算結果を加えたものである。計算値は、次の
ようにして求めた。
【0055】まず、ガラス基板の容量をCa〔ファラッ
ド〕、帯電の漏洩経路抵抗R〔オーム〕、漏洩開始後の
時間をt〔秒〕とすると、 初期帯電量σ0〔Coulomb/
2〕と、時間t〔秒〕経過後の帯電量σ〔Coulomb/m
2〕の関係は次式(2)で表される。 σ=σ0 exp[−t/RCa] (2)
【0056】この式(2)において、Caを一定と仮定
すれば、「未洗浄」ガラスと「洗浄」ガラスの帯電が一
定割合、例えば1/10にまで減衰するそれぞれの減衰
時間の比は、それらのガラスの表面抵抗の比(図15か
ら求まる)と一致することがわかる。
【0057】図18より、帯電が1/10まで減衰する
までの時間を「未洗浄」・「洗浄」ガラスについて求
め、表1にまとめた。なおここに言う「洗浄」ガラスと
は、超純水(17〜18MΩ・cm)で60分間超音波
洗浄した後、両面各々10分間UV/O3洗浄(日本電
池DUV−25×4A)したものを指す。また「未洗
浄」ガラスとは、洗浄後1ケ月間クリーンルーム内に放
置した状態を指す。表に示すように「洗浄」ガラスで
は、相対湿度を70%以上にすると、わずか1/100
秒のオーダで1/10減衰になる。
【0058】
【表1】
【0059】表2は、相対湿度60%において、洗浄後
クリーンルーム内に放置されたガラス基板の1/10減
衰特性が、時間経過と共にどのように変化するかを実測
したものである。洗浄直後の減衰時間0.2秒は、2時
間放置された後も表面の有機物汚染はさほど進行してい
ないため、1.1秒に増加するのみである。
【0060】
【表2】
【0061】すでに説明したようにTFT工程は、洗浄
→成膜→リソグラフィ→洗浄のサイクルの繰り返しであ
り、ある洗浄からつぎの洗浄までに1時間も要すること
はあまりないことを考えると、実際の製造工程では、ガ
ラス基板近傍の雰囲気の相対湿度を大きくして基板を接
地することで、1/100〜1/10秒の短時間で帯電
をほぼ完全に漏洩除去可能である。
【0062】相対湿度が増すと表面帯電の減衰が著しく
なる主な理由は、ガラス表面の水の吸着量が増加して表
面抵抗値が減ったためであると考えられる。ガラスの主
成分であるSiO2のO原子は孤立電子対を持つため、
水分子のHと水素結合する。ここで、ガラス基板支持部
のガラス基板との接触面は、SiNやSiO2の絶縁性
のセラミックスからなるが、これらセラミックスを構成
するOやN原子もガラス基板のSiO2のO原子と同様
に孤立電子対をもち、水分子のHと水素結合する。した
がって、本発明に基づいて構成された基板搬送装置は、
その基板支持部から基板が離れる直前に基板と基板支持
部の接触部の両方に対して搬送空間よりも相対湿度の高
いエアを吹きかけることによって、ガラス基板と基板支
持部の双方の接触面に水分子層が形成され、ガラス基板
の帯電はこの水分子層を伝わって基板支持部接地側に速
やかに漏洩される。
【0063】さらに、TFT−LCDの製造工程は、ガ
ラス基板上に薄膜電極、絶縁膜を形成するものであり、
複数層の電極を絶縁膜で保護していくため、工程のなか
で絶縁膜形成工程の占める割合は大きい。絶縁膜は、S
iN、SiO2、Al23、Ta25等であり、OやN
原子はSiO2のO原子と同様に孤立電子対を持つこと
を考慮すれば、このような絶縁膜付きガラス基板に対し
ても本発明装置は有効である。さらに、相対湿度が80
%以上では、表面電荷の気中漏洩による減衰も期待でき
るので、より効果的な除電を行うことができる。
【0064】以上説明したように本発明装置によると、
送気チャンバーから吐出される周囲雰囲気よりも大きな
相対湿度を有する気流により、送気チャンバーの幅いっ
ぱい若しくはこれより若干小さな一辺の長さをもつ広い
表面積の帯電ガラスの除電ができる。特に、ガラス基板
の表裏両面が帯電している場合には、気流を基板に対し
て平行に、基板の表裏両面をなぞるように投射すると一
層有効である。さらに本発明によれば、送気手段から吐
出される周囲雰囲気よりも大きな相対湿度を有する気流
を基板に吹きかけることにより、気流がふれた基板面と
基板支持部接触面の近傍は、周囲雰囲気よりも大きな相
対湿度の雰囲気に包まれ、基板面と基板支持部接触部を
引き離そうとする際に生じる帯電電荷の大部分は基板面
に付着した水分子層と基板支持部のセラミックス製接触
面に付着した水分子層を経由して接地側へ漏洩し、基板
表面と基板支持部のセラミックス製接触面の両方に生じ
る帯電電荷の一部は気中へ直接漏洩する。この結果、短
時間に基板面に帯電した静電荷が除電されるので、基板
を支持台から離した場合であっても剥離帯電現象が生じ
ず、基板に形成された素子の絶縁破壊を有効に阻止する
ことができる。
【0065】次に本発明を実際の装置に応用したいくつ
かの実施例について説明する。図3は、温度24℃、相
対湿度40%のクラス1000のクリーンルーム内に設
置された本発明のガラス基板の搬送装置の一実施例を示
したものである。表面が絶縁性の窒化膜SiNで覆われ
た石英ガラス製のステージ11上に、TFT素子を表面
に形成したガラス基板12が搭載されている。ステージ
11は、駆動装置13の作用でボールネジ14に沿って
レール15を移動する。レール15の一端でステージ1
1に搭載されたガラス基板12は、レール15の他端に
おいて、真空チャック16によりステージ11から離
れ、つぎの工程に移動する。加湿器17と送風機18か
らなる送気源19に接続されたジェット気流形成用の吹
き出し口を有した送気チャンバ10より、温度23℃、
相対湿度80%の加湿空気101が、真空チャック16
によりステージ11から離れる直前のステージ11に搭
載されたガラス基板12に吹き付けられる。ステージ1
1からガラス基板12が離れるまでの間、気流が触れた
ガラス面近傍は、相対湿度70%以上の雰囲気に包ま
れ、ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガラス面に付着し
た水分子層とガラス基板支持台である石英ガラス製のス
テージの窒化膜表面に付着した水分子層を経由して、接
地側へ漏洩し、ガラス面の帯電電荷の一部は気中へ直接
漏洩し、1/100秒のオーダで瞬時に除電される。
【0066】なお、比較例として、送気源19よりの加
湿空気101を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板12が真空チャック16
によりステージ11から離れた瞬間に、ガラス基板12
には数kVの帯電が生じ、TFT素子は破壊された。
【0067】図4は、温度24℃、相対湿度40%のク
ラス1000のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。表面が絶縁性の窒化膜で覆われた樹脂製のロボット
アーム21上に、TFT素子を表面に形成したガラス基
板22が搭載されている。ロボットアーム21は、駆動
装置23の作用でカセットケース24の入り口まで移動
し、アーム上に搭載されたガラス基板22をケース24
に収納した後、アーム21はガラス基板22から離れ
る。加湿器27と送風機28からなる送気源29に接続
されたカーテン気流形成用の吹き出し口を有した送気チ
ャンバ20より、温度23℃、相対湿度80%の加湿空
気201が、ロボットアーム21からガラス基板22が
離れてカセットケース24に収納される直前にカセット
ケース24の内部に吹き込まれる。ロボットアーム21
からガラス基板22が離れるまでの間、気流が触れたガ
ラス面近傍は、相対湿度70%以上の雰囲気に包まれ、
ガラス面の帯電電荷の大部分は、ガラス面に付着した水
分子層とガラス基板支持台であるロボットアーム21の
窒化膜表面に付着した水分子層を経由して、接地側へ漏
洩し、ガラス面の帯電電荷の一部は、気中へ直接漏洩
し、瞬時に除電される。
【0068】なお、比較例として、送気源29よりの加
湿空気201を止めて、本発明のガラス基板の搬送装置
を作動させた場合、ガラス基板22がロボットアーム2
1から離れた瞬間に、ガラス基板22には数kVの帯電
が生じ、TFT素子は破壊された。
【0069】図5は、温度24℃、相対湿度40%のク
ラス1000のクリーンルーム内に設置された本発明の
ガラス基板の搬送装置の別の実施例を示したものであ
る。図3の第1実施例と異なる点は、ステージ31の移
動経路であるレール35の上に、移動経路全体を覆い込
むように送気源39に接続された一様流形成用の吹き出
し口を有した送気チャンバ30が配置されている点であ
る。さらに送気チャンバ30の吹き出し口の周囲にはビ
ニールカーテン301が垂れ下がっており、吹き出し口
からの一様流が散逸することを防いでいる。送気源39
には、冷却コイル391と加熱コイル392と加湿器3
93と送風機394と空気ろ過器(高性能フィルタ)3
95から構成される。ガラス基板32は、レール35の
一端において、真空チャック36によりステージ31か
ら離れ、つぎの工程に移動するが、この搬送操作は送気
チャンバ30から吹き出す一様流中で行われる。ステー
ジ31から離れる間際のガラス基板32の近傍には、相
対湿度検知センサ396が設けられ、このセンサで検知
されたガラス基板32およびステージ31の周囲雰囲気
の相対湿度が、70%から75%までの範囲に収まるよ
うに、送気源39から送り出される空気301の温湿度
がフィードバック制御される。
【0070】なお、図3に示す第1実施例及び図4に示
す第2実施例では、送気チャンバから吹き出す気流形状
は、ジェット気流またはカーテン気流であるため、吹き
出し風量は一様流の場合よりも少なくすることが可能で
あるが、ガラス基板面と基板支持台に効果的に当たるよ
うに、吹き出し方向を設定する必要がある。他方、図5
に示す第3実施例では、ガラス基板の搬送操作の全体を
覆い尽くす一様流を用いるため、ジェットやカーテン気
流のように吹き出し方向制御の難しさはないものの、あ
る程度の吹き出し風量が必要となる。
【0071】図6には、図3に示す実施例の送気チャン
バ10の上流側、すなわち搬送方向上手側に、放電電極
40と対向電極41を備えコロナ放電により空気をイオ
ン化するためのイオナイザ42を備えた基板搬送装置が
示されている。このように、送気チャンバ10の搬送方
向上手側に別の除電装置を設けることにより、この前処
理用除電装置によりガラス基板の表面の帯電をあらかた
除電し、その後、本発明装置により、上記ガラス基板が
搬送用基台から離れる直前に除電し、剥離帯電を防止す
る構成とすることも可能である。なお、図6に示す実施
例においては、前処理用除電装置として、コロナ放電電
極を用いたイオナイザを設置しているが、その代わり
に、軟X線照射などの空気イオン化装置を採用すること
も本発明の範囲内において可能である。
【0072】本発明における送気源の構成は、周辺雰囲
気よりも大きな相対湿度を有する清浄気流を送気チャン
バーから吐出するという目的を達成できればどのような
ものでもよく、空気の加湿と冷却と清浄化を行う機器を
さまざまに組み合わせて使用することが可能である。例
えば、過冷却防止のためや、吹き出し加熱空気が周囲空
気を巻き込む際に冷却されて相対湿度が上昇する効果を
狙って、加熱を行う機器を組み合わせることも可能であ
る。その他にも、例えば、加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加湿器と送風機の組み合わせ、冷却コ
イルと送風機の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加熱コイルと送風機
の組み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと
送風機の組み合わせ、冷却コイルと加湿器と送風機の組
み合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加湿器と送風機の
組み合わせ、加熱コイルと加湿器と送風機の組み合わ
せ、空気ろ過器と加熱コイルと加湿器と送風機の組み合
わせ、冷却コイルと加熱コイルと加湿器と送風機の組み
合わせ、空気ろ過器と冷却コイルと加熱コイルと加湿器
と送風機の組み合わせなどが、特許請求の範囲に記載さ
れた本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で考えられ
る。
【0073】さらにまた、本発明に基づいて相対湿度の
高い空気が吹き付けられるガラス基板と基板支持部の周
囲の湿度、あるいは温度などを検出するためのセンサを
設け、そのセンサからの信号により、上記各出力装置を
フィードバック制御することにより、常に最適な除電環
境を構築することが可能となり、基板の絶縁破壊を防止
し、製品の歩留まりを向上させることが可能である。
【0074】
【発明の効果】以上説明したように、本発明装置によれ
ば、ガラス基板を載置する接触面が絶縁性のセラミック
スからなりかつ接地された基板支持台上を搬送されるガ
ラス基板に対して、少なくともそのガラス基板が基板支
持台を離れる直前に、その搬送空間よりも相対湿度の高
い空気流を吹きかけることにより、ガラス基板の表面の
帯電電荷の大部分をガラス面に付着した水分子層とガラ
ス基板支持台表面に付着した水分子層を経由して接地側
へ漏洩させ、ガラス面の帯電電荷の一部を気中へ直接漏
洩させることが可能なので、瞬時にガラス基板を除電す
ることが可能である。その結果、基板に形成された素子
の剥離電荷による絶縁破壊を防止することができるの
で、製品の歩留まりを飛躍的に向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】正に帯電したTFTパターン付きLCD用ガラ
ス基板を、金属製または絶縁性のロボットアームによっ
て、カセットケースから取り出そうとする様子を示す
図。
【図2】正に帯電したTFTパターン付きLCD用ガラ
ス基板に、金属製ロボットアームを近付けた場合(a)
と、絶縁性ロボットアームを近付けた場合(b)の、帯
電電荷分布の違いを説明する図。
【図3】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送ステージに適用した一実施例を示す概略的
な説明図である。
【図4】本発明に基づいて構成された基板搬送装置をガ
ラス基板搬送アームに適用した一実施例を示す概略的な
説明図である。
【図5】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を一
様流型吹出口を有する送気手段に適用した一実施例を示
す概略的な説明図である。
【図6】本発明に基づいて構成された基板搬送装置を前
処理用除電装置と組み合わせた一実施例を示す概略的な
説明図である。
【図7】従来のスリットノズル型コロナ放電式イオナイ
ザの主要構成機器を示す概略的な説明図である。
【図8】従来の大型ガラス基板の搬送装置の構成を示す
説明図である。
【図9】裏面が正に帯電したガラス基板を帯電中和装置
により除電する様子を示す概略的な説明図である。
【図10】LCD用ガラス基板の帯電電荷の様子を測定
するための装置構成を示すブロック図である。
【図11】LCD用ガラス基板の表面電荷密度の測定平
均値および標準偏差の分布を示すグラフである。
【図12】LCD用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度を変えずに1時間クリーンルーム内雰囲気に曝した
後の表面電荷密度の減衰率を示すグラフである。
【図13】LCD用ガラス基板を所定の相対湿度の下で
温度環境を変えた場合の表面電荷密度の減衰率を示すグ
ラフである。
【図14】LCD用ガラス基板のさまざまな相対湿度環
境における表面電荷密度の時間減衰を示すグラフであ
る。
【図15】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面抵抗率を示すグラフであ
る。
【図16】SiNとSiO2のセラミックス接触面を対
象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した経
過時間と表面抵抗率の相関を示すグラフである。周囲雰
囲気の相対湿度は40%である。
【図17】SiNとSiO2のセラミックス接触面を対
象として、「洗浄」後にクリーンルーム内に装置した経
過時間と表面抵抗率の相関を示すグラフである。周囲雰
囲気の相対湿度は80%である。
【図18】さまざまな相対湿度環境における「洗浄」・
「未洗浄」ガラス基板の表面電荷密度の時間減衰を示す
グラフである。
【符号の説明】
10 送気チャンバ 11 搬送ステージ 12 ガラス基板 13 駆動装置 14 ボールネジ 15 搬送レール 16 真空チャック 17 加湿器 18 送風機 19 送気源

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 除電対象基板との接触面が絶縁性材料か
    らなりかつ接地された基板支持部を備えた搬送機構と、
    少なくとも前記基板支持部から前記基板が離れる直前に
    前記基板と前記基板支持部の接触面の両方に対して搬送
    空間よりも相対湿度の高いエアを吹きかけるための送気
    手段を備えたことを特徴とする、基板搬送装置。
  2. 【請求項2】 前記送気手段がさらに風量調節手段を備
    えていることを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送
    装置。
  3. 【請求項3】 前記送気手段がさらに調湿手段を備えて
    いることを特徴とする、請求項1または2に記載の基板
    搬送装置。
  4. 【請求項4】 前記送気手段がさらに調温手段を備えて
    いることを特徴とする、請求項1、2または3のいずれ
    かに記載の基板搬送装置。
  5. 【請求項5】 前記送気手段がさらに空気濾過手段を備
    えていることを特徴とする、請求項1、2、3または4
    のいずれかに記載の基板搬送装置。
  6. 【請求項6】 前記送気手段がさらに前記基板に対して
    一様気流、ジェット気流またはカーテン気流形成用の送
    気口を備えていることを特徴とする、請求項1、2、
    3、4または5のいずれかに記載の基板搬送装置。
  7. 【請求項7】 前記基板支持部の近傍の相対湿度を検出
    するためのセンサと、そのセンサからの信号に応じて前
    記送気手段から送気される空気の温湿度を制御するため
    の制御手段をさらに設けたことを特徴とする、請求項
    1、2、3、4、5または6のいずれかに記載の基板搬
    送装置。
  8. 【請求項8】 前記送気手段の上流側に、空気を電離し
    て発生する空気イオンにより帯電電荷を中和する帯電物
    中和装置を設けたことを特徴とする、請求項1、2、
    3、4、5、6または7のいずれかに記載の基板搬送装
    置。
  9. 【請求項9】 前記帯電物中和装置がコロナ放電電極を
    備えていることを特徴とする、請求項8に記載の基板搬
    送装置。
  10. 【請求項10】 前記帯電物中和装置が軟X線照射装置
    を備えていることを特徴とする、請求項8に記載の基板
    搬送装置。
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