JP4140685B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理端末や平面型，壁掛けテレビなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに係り、特に、発光効率と輝度とを大幅に向上させるプラズマディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネルとしては、２種類の表示電極が前面基板側の同一面内に配置され、これら表示電極として透明電極を用いる反射型面放電方式の３電極構造が主流であって、その一例が特開平１０ー２０７４１９号公報に開示されている。
【０００３】
図１２はかかるプラズマディスプレイパネルの構造の一部を示す斜視図であって、ＦＳは前面基板、ＢＳは背面基板、１は前面ガラス基板、２はＸ電極、２ａはＸ透明電極、２ｂはＸバス電極、３はＹ電極、３ａはＹ透明電極、３ｂはＹバス電極、４は保護膜、５は誘電体層、６は背面ガラス基板、７はアドレス電極、８は誘電体層、９は隔壁、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは蛍光体、１１は放電空間である。なお、Ｘ電極５及びＹ電極６は表示電極と呼ばれている。
【０００４】
同図において、背面基板ＢＳでは、背面ガラス基板６上に、アドレス電極７が複数本互いに平行に配置されており、それらアドレス電極７を完全に覆う形で誘電体層８が形成されている。この誘電体層８上には、アドレス電極７を挟む位置に、隔壁９がアドレス電極７と平行に形成されており、これら隔壁９で仕切られるアドレス電極７に平行な方向に伸延した空間が形成されている。そして、これら各空間では、その隔壁９の壁面と誘電体層８の表面とに紫外線照射によって色光を発光する蛍光体が塗布されており、２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｒは赤色光を、他の２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｇは緑色光を、さらに他の２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｂは青色光を夫々発光する。
【０００５】
一方、前面基板ＦＳでは、前面ガラス基板１上に、背面ガラス基板６上に形成されているアドレス電極７とは直交する方向に、Ｘ電極２とＹ電極３とが交互にかつ互いに平行に形成されている。Ｘ電極２はＸ透明電極２ａにＸバス電極２ｂが積層された構成をなし、Ｙ電極３もＹ透明電極３ａにＹバス電極３ｂが積層された構成をなしている。隣り合う１つずつのＸ電極２とＹ電極３とを１つの表示電極対とすると、同じ表示電極対において、Ｘバス電極２ｂはＸ透明電極２ａでのＹ透明電極３ａとは反対側の端部に形成され、また、Ｙバス電極３ｂはＹ透明電極３ａでのＸ透明電極２ａとは反対側の端部に形成されている。そして、これらＸ電極２とＹ電極３とを完全に覆うように誘電体層５が形成されており、さらに、この誘電体層５上にMgO などからなる保護膜４が形成されている。
【０００６】
このように各電極などが設けられた背面ガラス基板６と前面ガラス基板１とは矢印で示すように突き合わされて、隔壁９上に前面ガラス基板１上の保護膜４が接するようにして、ブラズマディスプレイパネルが構成される。
【０００７】
そして、保護膜４と蛍光体１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが塗布された隔壁９や誘電体層８で形成される空間内には、所定のガスが封入されており、また、同じ表示電極対でのＸバス電極２ｂとＹバス電極３ｂと隣り合う２つの隔壁９とで区切られる空間が１つの放電セルの放電空間１１を形成している。
【０００８】
図１３は図１２に示したプラズマディスプレイパネルでの各電極の配線を示す図であって、Ａ１，……，Ａｎ（但し、ｎは１以上の整数）は図１２に示したアドレス電極７、Ｘ１，Ｘ２，……，Ｘｍ（但し、ｍは１以上の整数）は図１２に示したＸ電極２、Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍは図１２に示したＹ電極３である。
【０００９】
同図において、夫々がｍ個のＸ電極Ｘ１，Ｘ２，……，ＸｍとＹ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍとは互いに平行に、かつ交互に配置されており、これらＸ電極Ｘ１，Ｘ２，……，Ｘｍの一端は共通に接続されて同じ駆動電圧が印加されるが（従って、Ｘ電極２は共通表示電極とも呼ばれる）、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍは互いに独立に設けられて夫々に異なる駆動波形が印加される。また、個々のアドレス電極Ａ１，……，Ａｎが互いに独立に、かつ、Ｘ電極Ｘ１，Ｘ２，……，ＸｍとＹ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍと直交するように配置され、これらに異なる駆動波形が印加される。
【００１０】
かかるＡＣ型プラズマディスプレイパネルの駆動方法としては、図１４に示すように、サブフィールド単位で駆動する方法が採られる。
【００１１】
即ち、１フィールド期間Ｆを複数、例えば、８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に区分し、これら８個のサブフィールド分の総和時間と垂直同期信号Vsyncの１周期の期間との差で生じる期間をブランク期間ＴBしており、各サブフィールドＳＦｎ（但し、ｎ＝１，２，……，８）は、図１５に示すように、全書込み及び消去放電期間ＴWとアドレス放電期間ＴAと放電維持期間ＴSとから構成されている。
【００１２】
全書込み及び消去放電期間ＴW及びアドレス放電期間ＴAは夫々、全てのサブフィールドＳＦｎで同じ時間長が必要であり、例えば、アドレス放電期間ＴAの時間長はＹ電極数ｍ（図１３）と各Ｙ電極３に順番に印加されるスキャンパルスの周期とで決まる。また、放電維持期間ＴSは、パルス列をなす維持放電パルスのパルス周期とパルス数とで決まる。また、全書込み及び消去放電期間ＴWでは、全セルについて、Ｘ電極２とＹ電極３との間で放電を行ない、荷電粒子を生成させて壁電荷を形成する。アドレス放電期間ＴAでは、放電維持期間ＴS中に維持放電を行なうべきセル（放電セル）でのＹ電極３とアドレス電極７との間で放電を行ない、放電維持期間ＴS中に維持放電を行なう放電セルを選択する。そして、選択された放電セルでは、サブフィールド内の放電維持期間ＴSに印加される維持放電パルス数だけ放電が繰り返し行なわれる。ここでは、図１４に示したように、１フィールドＦでのサブフィールドＳＦ数を８としており、上記のように、これらサブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，……，ＳＦ８の放電維持期間ＴS で維持放電パルス数には、例えば、２進符号で表わされる重み付けがなされている。
【００１３】
いま、サブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，……,ＳＦ８の放電維持期間ＴSで印加される維持放電パルスのパルス数（即ち、維持放電回数）をＮSF1〜ＮSF8とすると、これら維持放電回数の比は上記重み付けの比、即ち、２進符号で形成されるＮSF1:ＮSF2:……:ＮSF8＝１:２:４:８:……:１２８となり、放電維持期間ＴSで維持放電が行なわれるサブフィールドの組み合わせにより、２５６種の階調表示が可能となる。例えば、ある放電セルにおいて、低輝度から数えて１０番目（階調０を除く）の階調を表示する場合には、維持放電パルス数の相対比が夫々２と８に相当するサブフィールドＳＦ２，ＳＦ４をアドレス放電期間ＴA のアドレス放電によって選択し、夫々の放電維持期間ＴS で維持放電を行なわせればよい。
【００１４】
ところで、かかる従来のプラズマディスプレイパネルにおいては、その内部にグランド電極（接地電極）がない、あるいはグランド電極を設けない構成となっている。このため、グランドを充分に行なうことができず、パネル内部の放電動作が不安定となり、周囲の駆動回路などに悪影響を及ぼす不要電磁輻射が発生するという問題もあった。
【００１５】
また、図１２に示す構成のプラズマディスプレイパネルでは、表示電極（Ｘ電極２，Ｙ電極３）間でグロー放電（プラズマ）を生じさせ、これによって発生する紫外線で蛍光体１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを励起して可視光を発光させるものであるが、表示電極２，３間の距離が大きく取れないと、このグロー放電の放電モードは効果的に紫外線を発生する陽光柱領域が生じにくく、ほとんどが負グロー領域になっている。しかも、この陽光柱を効率良く発生させるためには、上記の維持放電期間ＴS中での放電維持電流を減少させることが必要である。隔壁９（図１２）が誘電体によるものであるため、放電によって生じた荷電粒子がこの隔壁９に拡散して付着する隔壁拡散が生じ、これが損失となって発光効率を低下させる。さらに、放電を維持させるためにも、電流の増加が必要となり、陽光柱の効率を低下させる。
【００１６】
かかる問題を解消するものとして、隔壁として、メタル（導体）からなる隔壁、即ち、メタル隔壁を用いたプラズマディスプレイパネルが特開平１１ー３１２４７０号公報で提案されている。図１６はかかるプラズマディスプレイパネルの１セル分を示す縦断面図であって、１０は蛍光体、１２，１３は下地膜、１４は誘電体層、１５はMgO などの保護層、１６はメタル隔壁、１７は酸化被膜であり、図１２に対応する部分には同一符号を付けている。
【００１７】
同図において、この従来例では、Ｙ電極３が背面基板ＢＳに設けられている。背面基板ＢＳでは、この背面ガラス基板６上にSiO2の下地層１３が形成され、その上にAg系の厚膜導体からなるアドレス電極７が、さらにその上に誘電体層８が夫々設けられ、この誘電体層８の上にAg系の厚膜導体からなるＹ電極３が設けられている。そして、このＹ電極３が誘電体層１４で覆われ、その上にMgOの保護層１５が形成されている。また、前面基板ＦＳ側では、前面ガラス基板１上にSiO2の下地層１２が形成され、その上にAg系のＸ透明電極２ａとAg系の不透明なＸバス電極２ｂとからなるＸ電極２が形成されている。そして、このＸ電極２が誘電体層５で覆われ、その上にMgO の保護層４が形成されている。
【００１８】
このように、各層が形成された前面基板ＦＳと背面基板ＢＳとの間にメタル隔壁１６が設けられ、放電空間１１を形成している。このメタル隔壁１６はガラス基板１，６とほぼ等しい熱膨張係数のFe-Ni系などの薄板に、エッチング加工などにより、夫々のセルの放電空間１１に相当する貫通穴を形成して得られたものであり、図１６で分断線Ｚ−Ｚから背面基板ＢＳをみた図１７に示すように、各セル毎にかかるメタル隔壁１６によって各セルの放電空間１１の全周が囲まれている。かかるメタル隔壁１６の全表面は絶縁性の酸化被膜１７によって覆われており、さらに、放電空間１１を形成する面（即ち、上記の薄板に形成された貫通穴の内面）に蛍光体１０が形成されている。
【００１９】
かかる構成のプラズマディスプレイパネルにおいて、メタル隔壁１６に一定のバイアス電圧を印加すると、そのメタル表面の誘電体層（酸化被膜１７）または蛍光体１０に壁電荷が形成され、これにより上記の荷電粒子の中和が抑制されて隔壁拡散によるエネルギー損失が低減し、陽光柱が安定に形成されて放電効率、従って、発光効率が向上することになる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のプラズマディスプレイパネルでは、放電効率を向上させるために放電維持電流を減少させて陽光柱を安定に形成することが可能となるが、低電流での駆動のため、１パルス当たりの輝度が低下することが問題であり、高発光効率と同時に、高輝度を実現させることがプラズマディスプレイパネルに関する１つの課題となっている。
【００２１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、その目的は、高い発光効率と同時に、高い輝度を維持することができるようにしたプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、セル毎に第１，第２の表示電極が互いに平行に配置されかつ第１，第２の表示電極間に透明な中間電極が配置されてなる前面基板と、セル毎に第１，第２の表示電極と交差する方向にアドレス電極が配置されてなる背面基板と、前面基板と該背面基板との間に配置されセル毎にその放電空間を覆うように設けられたメタル隔壁と、放電空間内に設けられた蛍光体とを有るものである。
【００２３】
第１，第２の表示電極を、これらのいずれか一方をアノード駆動するとき、他方がカソード駆動するようにして、これらを交互にアノード駆動，カソード駆動し、前記中間電極を常時アノード駆動する手段を有する構成とする。このアノード駆動は零ボルトの電圧を印加するものである。
【００２４】
そして、中間電極を第１，第２の表示電極に近接させる手段を設けた構成とする。
【００２５】
かかる手段は、第１，第２の表示電極毎に設けられた中間電極側に突出した突出部とするものであり、あるいは中間電極に両側面に設けられて第１，第２の表示電極側に突出した突出部とするものである。
【００２６】
また、本発明は、中間電極と第１，第２の表示電極との距離を５０〜１００μｍと印加するものである。
【００２７】
また、これらの本発明において、中間電極を所定の電位に安定化する手段を設けたものである。
【００２８】
そして、この手段は、メタル隔壁での、中間電極と交差する部分に設けた突出部、あるいは前面基板内であって、中間電極とメタル隔壁とが交差する部分での中間電極とメタル隔壁との間に配置した導体層であるものである。
【００２９】
かかる導体層は、中間電極に、あるいは前面基板での背面基板側の誘電体層に設けられた突出部内に配置される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は本発明によるプラズマティスプレイパネルの第１の実施形態を示す図であって、同図（ａ）は前面基板側から背面基板側をみた平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）での分断線Ｂ−Ｂに沿う縦断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）での分断線Ｃ−Ｃに沿う縦断面図、同図（ｄ）は同図（ａ）での分断線Ｄ−Ｄに沿う縦断面図である。また、図１（ａ）〜（ｄ）において、１６ａはメタル隔壁の突出部、１８は中間電極、１９は MgO膜などの保護層、２０は中空部であり、図１２及び図１６に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００３１】
図１において、メタル隔壁１６は、上記従来例と同様、ガラス基板１，６とほぼ等しい熱膨張係数のFe-Ni系などの薄板に、夫々のセル毎に、エッチング加工などにより、放電空間１１に相当する貫通穴を形成して得られたものであり、図１（ｂ）に示すように、この貫通穴の内面を含めた全面が絶縁性の酸化被膜１７によって覆われている。従って、図１（ａ）から明らかなように、各セルの放電空間は夫々メタル隔壁１６によって四方が囲まれており、これら放電空間１１がメタル隔壁１６によって互いに隔離されている。
【００３２】
そして、Ｘ電極２とＹ電極３との間に、図１（ａ）から明らかなように、これら表示電極（Ｘ電極２とＹ電極３）と並行に中間電極１８が設けられている。この中間電極１８は、セルの開口率を低下させないようにするために、ITO膜（In2O3:Sn膜）などからなる透明な電極をなしており、Ｘ電極２とＹ電極３とに近接して配置されている（中間電極１８とこれらＸ電極２，Ｙ電極３との間隔は、例えば、５０〜１００μｍ程度、好ましくは、７０〜１００μｍ程度）。
【００３３】
また、メタル隔壁１６の電極２，３，１８と交差する部分（図１（ａ）での分断線Ｃ−Ｃに沿う部分）には、図１（ｃ）に示すように、透明な中間電極１８に対向して突出部１６ａが形成されており、これにより、メタル隔壁１６と中間電極１８との間の距離が小さくなるようにしている。つまり、この中間電極１８と交差する部分でメタル隔壁１６を中間電極１８に近接させ、中間電極１８，メタル隔壁１６間の浮遊容量が大きくなるようにしてこれらの容量結合を大きくし、中間電極１８の駆動電位（アノード駆動）を安定に保持している。この突出部１６ａ以外では、メタル隔壁１６と前面ガラス基板１側の保護膜４との間の間隔は、例えば、２０〜１００μｍ程度、好ましくは５０〜１００μｍ程度に設定されるが、この間隔にほぼ等しい高さで突出部１６ａが設けられる。
【００３４】
なお、メタル隔壁１６に突出部１６ａを設けても、表示電極２，３と中間電極１８とのギャップ長、即ち、放電電圧に影響を与えないようにするために、さらには、このメタル隔壁１６と表示電極２，３との間の容量結合が変化しないようにするために、この突出部１６ａの長さを中間電極１８の幅よりも幾分短くし、この突出部１６ａが表示電極に近づかないようにしている。
【００３５】
また、図１（ｄ）に示すように、背面基板ＢＳに設けられている誘電体層８がアドレス電極７に沿って盛り上げられ、これより上層の保護層１９とメタル隔壁１６の絶縁層１７との間に中空部２０が形成されている。この中空部２０により、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間の距離を大きくし（２０〜１００μｍ程度）、これらアドレス電極７，メタル隔壁１６間の容量結合が小さくなるようにしている。
【００３６】
以上の構成以外は、図１２及び図１６で示した従来のプラズマディスプレイパネルと同様である。
【００３７】
次に、この第１の実施形態の駆動動作について、図２を参照して説明する。
【００３８】
この第１の実施形態は、さきに説明した従来のプラズマディスプレイパネルのような負グロー領域を用いた定常グロー放電によって発光させるものではなく、非正常な放電によって発光させるものである。これは、従来の正常グロー放電の代わりに、タウンゼント放電を用いることにより、強い紫外線を発生し、高輝度，高発光効率が得られるものである。つまり、表示電極２，３間に中間電極１８あるいはメタル隔壁１６を配置し、これらをアノード駆動することにより、表示電極２，３間に実効的な短ギャップを形成し、かつセル内に低電圧で高電界を発生させて狭パルス電流が流れる狭パルス放電を発生させている。
【００３９】
この第１の実施形態の駆動動作では、メタル隔壁１６も含めて、各電極がアノード電極，カソード電極として作用するものであるが、アノード電極には、グランド電圧（０Ｖの電圧）が印加され、カソード電極には、負の電圧が印加される。メタル隔壁１６及び中間電極１８は、常時アノード電極として作用させるために、０Ｖのグランド電圧が印加されている（これをアノード駆動という）。また、Ｘ電極２とＹ電極３とは、放電維持期間ＴS（図１５）で交互にアノード駆動（０Ｖ）とカソード駆動（負の電圧）とに切り換わり、かつＸ電極２とＹ電極３の一方がカソード駆動されると、他方がアノード駆動される。
【００４０】
図２（ａ）はアドレス放電期間ＴAでの状態を示すものであって、アドレスの方法としては、点灯セルを選択するために放電させる点灯セル選択法と消灯セルを選択するために放電させる消灯セル選択法とがある。具体的には後述するが、点灯セル選択法では、アドレス電極７に負電圧のアドレスパルスを印加し、かつＹ電極３にメタル隔壁１６よりも高い正電圧のパルスを印加してアドレス放電を発生させ、Ｙ電極３に負の壁電荷を形成するものである。次の維持放電（サステイン）期間ＴSでは、この壁電荷が逆バイアス電圧となり、点灯セルを形成する。かかる駆動により、まず、Ｙ電極３とメタル隔壁１６との間に放電が生じ、この放電がカソード駆動されるアドレス電極７へと拡がって、アドレス電極７とＹ電極３との間の放電空間１１に放電が生じる。この放電の結果、Ｙ電荷３の近傍の保護膜４上に放電維持期間ＴSで狭パルス放電を生じさせるのに必要な壁電荷（負の壁電荷）が形成される。このように壁電荷が形成されたセルが点灯セルとなるものである。
【００４１】
消灯セル選択法の場合には、Ｙ電極３に負のパルス電圧を印加し、アドレス電極７をメタル隔壁１６よりも高い電圧パルスを印加してアドレス放電させるものである。これにより、上記と同様の過程で放電空間１１で放電が生じ、Ｙ電極３に狭パルス放電を生じさせない壁電荷（正の壁電荷）を形成する。このように正の壁電荷が形成されたセルでは、逆バイアス電圧を発生し、狭パルス放電が生ぜず、発光しない消灯セルとなるものである。
【００４２】
次に、放電維持期間ＴSになると、図２（ｂ）に示すように、Ｙ電極３に負のパルス電圧を印加してカソード駆動とし、中間電極１８をそのまま０Ｖのアノード駆動に維持ながら、同時に、Ｘ電極２に０Ｖのグランド電圧を印加してアノード駆動とする。これにより、まず、▲１▼として示すように、上記の壁電荷にＹ電極３に印加された負の電圧が加算されてＹ電極３と中間電極１８との間にこの加算電圧が印加され、Ｙ電極３，中間電極１８間に充電が行なわれる。この短ギャップ電極間に充電が充分になされて大きな強度の電界が生ずると、Ｙ電極３の近傍で放電が発生し、次に、▲２▼として示すように、瞬時的な絶縁破壊放電がＹ電極３，Ｘ電極２間に移行して生じ、強度の紫外線が発生して蛍光体１０を励起する。この狭パルス放電により、放電効率を大幅に向上させ、強度の可視光を発生させる。この絶縁破壊放電の短い期間、Ｙ電極３及びＸ電極２に狭パルス電流が流れる。このときには、中間電極１８はメタル隔壁１６と同様の作用をし、中間電極１８とメタル隔壁１６とによって狭パルスを発生させる放電経路が形成される。
【００４３】
Ｙ電極３に負のパルス電圧が印加されて中間電極１８との間での充電が開始されてから絶縁破壊放電が完了するまでの期間は、２００μｓｅｃ程度以下と非常に短く、この狭パルス電流が主にＹ電極３，Ｘ電極２間に流れることになる。
【００４４】
以上の動作が終わると、Ｘ電極２の近傍の保護膜４上に負の壁電荷が存在するようになる。そこで、次の動作では、Ｘ電極２に負のパルス電圧を印加してカソード駆動とし、中間電極１８をそのまま０Ｖ（アノード駆動）に維持ながら、同時に、Ｙ電極３にもグランド電圧を印加してアノード駆動とする。これにより、まず、▲３▼として示すように、上記の壁電荷にＸ電極２に印加された負の電圧が加算されてＸ電極２と中間電極１８との間にこの加算電圧が印加され、Ｘ電極２，中間電極１８間に充電が行なわれる。この充電が充分になされて大きな強度の電界が生ずると、Ｘ電極２の近傍で放電が発生し、次に、▲４▼として示すように、瞬時的な絶縁破壊放電がＸ電極２，Ｙ電極３間に移行して生じ、強度の紫外線が発生して蛍光体１０を励起する。これにより、前記した場合と同様に、強度の可視光を発生させる。この絶縁破壊放電の短い期間、上記と同様にして、Ｘ電極２及びＹ電極３に狭パルス電流が流れる。
【００４５】
この絶縁破壊放電が終了すると、Ｘ電極２の近傍の保護膜４上に壁電荷が存在するようになり、再び図２（ｂ）で説明した動作から繰り返される。
【００４６】
このようにして、狭パルス電流を伴う放電（いわゆる狭パルス放電）が行なわれ、これに伴って発生する紫外線によって蛍光体１０が励起されることにより、可視光が発生されるのであるが、この狭パルス放電は短時間に強力に発生するので、発生する紫外線も強力であり、高い放電効率を得ることができる。
【００４７】
図３は従来の負グロー放電を用いるプラズマディスプレイパネルとこの第１の実施形態での放電電流を比較して示す図であって、同図（ａ）は従来のプラズマディスプレイパネルでの、同図（ｂ）はこの第１の実施形態での夫々放電電流を示すものである。
【００４８】
従来のプラズマディスプレイパネルの場合、図３（ａ）に示すように、表示電極（Ｘ，Ｙ電極）に印加される駆動電圧に対し、かかる表示電極に長時間放電電流が流れ、その間負グロー放電が生じて可視光が発生する。これに対し、この第１の実施形態では、負極性の駆動電圧が表示電極に印加されると、その駆動電圧の印加開始部分ほぼ２００μｓｅｃの期間で狭パルス放電が行なわれ、その期間に表示電極にパルス電流が流れるだけである。
【００４９】
このようにして、この第１の実施形態では、可視光発光のための放電は非常に短いものであり、この放電期間に表示電極に電流が狭パルスとして流れるため、図３（ａ）に示すように放電電流が流れる従来の定常グロー放電によるプラズマディスプレイパネルに比べ、紫外線強度が大きく、放電効率が大幅に向上することになる。しかも、かかる狭パルス放電は瞬時に強力に発生するため、発光輝度も高く維持できることになる。従って、この第１の実施形態では、発光効率を高く維持し、かつ、発光輝度を大幅に向上させることができる。
【００５０】
ところで、狭パルス放電を効率良く発生させるためには、表示電極（Ｘ電極２及びＹ電極３）と中間電極１８との間隔をできるだけ小さくし、低電圧で放電を発生し易い構造にし、投入電圧を減少させる必要がある。特に、放電電圧が高くなる高Ｘｅガス分圧の場合、必要となる。図４はこのための方法の具体例を示すものであって、図４（ａ）は表示電極２，３側に突出部２１を設け、同図（ｂ）は中間電極１８側に同様の突出部２２，２３を設けた構造としたものである。
【００５１】
まず、図４（ａ）に示す具体例では、各セル毎に（但し、ここでは、１つのセルについてのみ示している）、表示電極２，３夫々の中間電極１８側の側面に、１つの頂点を先端部として中間電極１８に対向させた二等辺三角形状の突出部２１を設けている。これら突出部２１の先端部は中間電極１８に上記の数値例程度近接しており、これにより、この先端部と中間電極１８のこれに対向する部分との間で強電界が生じ易く、放電電圧を効率良く低減させる。
【００５２】
また、図４（ｂ）は図４（ａ）での突出部２１と同様の形状の突出部２２，２３を中間電極１８の両側面に、表示電極３，２と夫々対向するようにして、設けたものであり、図４（ａ）に示す具体例と同様の効果が得られる。
【００５３】
なお、図４では、突出部２１〜２３の形状を２等辺三角形としたが、円弧状など先端部が狭くなるものであれば、任意の形状とすることができる。
【００５４】
また、図１に示す第１の実施形態では、中間電極１８として、ITO膜のような透明な電極が用いられ、メタルではないため、かかる中間電極１８は抵抗値が大きい。このため、この中間電極１８にグランド電圧が印加されても、放電電流などが流れると、この印加点よりも離れた場所では、その電位が周囲の電極の浮遊電位に影響されることになる。例えば、Ｙ極電極３に負の電圧が印加されると、このＹ電極３と中間電極１８との間の浮遊容量の影響により、中間電極１８の電位がＹ電極３に印加された負の電位に近づいていく。このような現象が生ずると、Ｙ電極３，中間電極１８間で充電が行なわれる場合、Ｙ電極３と中間電極１８との間に充分な電位差を与えにくく、充分な充電が行なわれず、放電を安定に発生させるための強電界が生じにくくなる。
【００５５】
このような問題を解消するためには、中間電極１８の電位を、そのいずれの場所においても、メタル隔壁１６の電位と同様に、グランド電位に安定に保持できるようにすることが必要である。
【００５６】
そこで、この第１の実施形態では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、メタル隔壁１６が中間電極１８と交差する部分に、突出部１６ａを設け、メタル隔壁１６を中間電極１８に、換言すると、中間電極１８をメタル隔壁１６に近づけるようにする。かかる構成によると、突出部１６ａで中間電極１８とメタル隔壁１６との間の容量結合が大きくなって、中間電極１８の電位がメタル隔壁１６の電位に引き込まれ易くなる。ここで、メタル隔壁１６は、グランド電位が常時印加されているので、そのいずれの場所でも、電位はグランド電位（＝０Ｖ）であり、このため、表示電極２，３に負の電圧が印加されても、中間電極１８の電位はほとんどグランド電位に保持される。
【００５７】
図５は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２の実施形態を示す図であって、同図（ａ）は前面ガラス基板側から背面ガラス基板側をみた平面図、同図(ｂ）は同図(ａ）でのアドレス電極上の分断線Ｂ−Ｂに沿う縦断面図、同図(ｃ）は同図(ａ）でのメタル隔壁上の分断線Ｃ−Ｃに沿う縦断面図である。また、図５(ａ）〜(ｃ）において、５’は保護層、２４は導体層、２５は突出部であり、図１に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００５８】
図５（ｂ）は第１の実施形態での図１（ｂ）に対応するものであり、この部分の構成は、前面基板ＦＳのメタル隔壁１６に対向する部分に、セル単位毎に、誘電体層５の上にさらに突出部２５を設け、メタル隔壁１６に沿って誘電体層５とその上に形成された誘電体層からなる突出部２５が設けられている以外、図１に示した第１の実施形態と同様の構成をなしている。この誘電体からなる突出部２５は隣接セル間を隔離するものであり、従って、隣接セル間で一方のセルのＸ電極２とＹ電極３とを近づけて配置することができ、セル内のギャップ長を増加させ、かつセルの開口率を増加させる。
【００５９】
また、図５（ｃ）は第１の実施形態での図１（ｃ）に対応するものであり、この部分の構成は、中間電極１８のメタル隔壁２４側の面でのこのメタル隔壁１６が横切る部分に、導体層２４が設けられている。この導体層２４は、中間電極１８をメタル隔壁１６に近づけてこれら中間電極１８，メタル隔壁１６間の容量結合を大きくし、中間電極１８の電位をメタル隔壁１６の電位に安定化するためのものである。図１に示した第１の実施形態では、図１（ｃ）に示したように、メタル隔壁１６に突出部１６ａを設けることにより、かかる容量結合を大きくしたものであるが、この第２の実施形態は、中間電極１８に等価な突出部（導体層２４）を設け、これにより、第１の実施形態と同様の効果を奏するようにしたものである。
【００６０】
この第２の実施形態のこれ以外の構成は、図４などで説明した構成も含めて、第１の実施形態と同様である。
【００６１】
図６は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３の実施形態の要部、即ち、メタル隔壁１６に沿う部分を示す縦断面図であって、２７は導体層であり、図５に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６２】
同図において、この第３の実施形態は、前面基板ＦＳでのメタル隔壁１６に沿い、かつ中間電極１８とメタル隔壁１６とが交差する部分の対向する部分に、誘電体層２７によって形成された誘電層２６で被覆される形で突出部を形成している。この中間電極１８には、図５（ｃ）に示した第２の実施形態と同様、導体層２４が設けられており、これら導体層２４，２７により、中間電極１８とメタル隔壁１６との容量結合がさらに増加し、中間電極１８の電位がグランド電位に維持されてさらに安定化する。
【００６３】
図７は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第４の実施形態の要部、即ち、メタル隔壁１６に沿う部分を示す縦断面図であって、２８は誘電体からなる突出部であり、図６に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６４】
同図において、この第４の実施形態は、前面基板ＦＳでのメタル隔壁１６に沿い、かつ中間電極１８とメタル隔壁１６とが交差する部分に誘電体層５の突出部２８を設け、中間電極１８上の導体層２４に積層した導体層２７も誘電体層５の内部に埋め込むようにしたものである。
【００６５】
この第４の実施形態においても、中間電極１８が導体層２４，２７を介してメタル隔壁１６により近づけることができるものであり、第３の実施形態と同等の効果が得られる。
【００６６】
図８は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第５の実施形態の要部、即ち、放電空間１１の部分を示す縦断面図であって、２９は蛍光体であり、図５（ｂ）に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６７】
同図において、この第５の実施形態では、セルにおける前面基板ＦＳの保護層５’の表面にも、蛍光体２９を設けたものである。上記のように、表示電極２，３間の放電の場合には、中間電極１８もメタル隔壁１６と同様の作用をなし、これら中間電極１８とメタル隔壁１６とによって放電空間１１内に放電路が形成され、放電空間１１内で紫外線が発生する。この紫外線により、メタル隔壁１６での蛍光体１０ばかりでなく、前面基板ＦＳでの蛍光体２９も励起されて発光する。これにより、さらに、発光効率が大幅に向上することになる。
【００６８】
なお、かかる第５の実施形態は、以上説明した第１〜第４の実施形態にも適用可能であることはいうまでもない。
【００６９】
図９は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第６の実施形態の要部を示す図であって、同図（ａ）はメタル隔壁１６を通るアドレス電極７に垂直な面での縦断面図、同図（ｂ）は背面ガラス基板側の表面を示す平面図である。また、同図において、１６ｂはメタル隔壁１６の中心線、３０は誘電体からなる突出部、３１は保護層であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００７０】
図９（ａ）において、背面基板ＢＳでの誘電体層８とMgo膜などの保護層１９との間に、部分的に、誘電体からなる突起部３０が形成され、この突起部３０は、保護層１９とメタル隔壁１６の絶縁層１７とで接触した構造を形成している。そして、これら突出部がメタル隔壁１６の台座となり、これら台座の上にメタル隔壁１６が載置される。これにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間の間隔を一定に維持し、かつこれら間の容量結合を低減している。
【００７１】
かかる台座３１は、図９（ｂ）に示すように、メタル隔壁１６の中心線１６ｂの交点、即ち、縦方向のメタル隔壁１６と横方向のメタル隔壁１６との交差点であるセルの四隅に形成されている。
【００７２】
上記第１の実施形態では、図１（ｄ）に示すように、メタル隔壁１６のアドレス電極７に対向する部分に、中空部２０により、凹みを設けることにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間隔が拡がるようにしたが、この第６の実施形態では、背面基板ＢＳにメタル隔壁１６の台座３１を設けることにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間隔が拡がるようにしており、メタル隔壁１６での高い位置精度を必要とする凹みの加工が不要となる。
【００７３】
なお、かかる第６の実施形態は、先の各実施形態に適用できることはいうまでもない。
【００７４】
また、以上の各実施形態では、中間電極１８を用いて狭パルス放電を行なわせるようにしたものであるが、メタル隔壁１６を用いて狭パルス放電を行なわせるようにしてもよい。この場合には、Ｘ電極２，Ｙ電極３とメタル隔壁１６との間の間隔が小さくなるようにして電界を集中させ、かつこれら間の容量結合が小さくなるようにし（例えば、図１において、Ｘ電極２とＹ電極３とのメタル隔壁１６側の表面に導体層を積層することにより、これらＸ電極２とＹ電極３とメタル隔壁１６に近づける）、これら間の充電が高速に行なわれるようにしている。中間電極１８はメタル隔壁としての作用のみをするものであって、図４で説明したような構成を用いる必要はない。
【００７５】
次に、表示装置に用いられる以上実施形態のプラズマディスプレイパネルの駆動方法について説明する。
図１０はその一具体例を示すものであって、図１４で示した１つのサブフィールドＳＦでのＸ電極２の電圧Ｖｘ，中間電極１８の電圧Ｖｃ（＝０Ｖ），Ｙ電極３の電圧Ｖｙ，メタル隔壁１６の電圧ＶM（＝０Ｖ）及びアドレス電極７の電圧Ｖａ夫々の電圧波形を示しており、横軸は時間軸である。また、マーク「☆」は矢印で示す電極間などで放電が生ずることを示しており、大きいマーク「☆」はエネルギー的に大きな放電を、小さいマーク「☆」は小さい放電を夫々示している。
【００７６】
同図において、サブフィールドＳＦは、図１５で説明したように、全書込み及び消去放電期間ＴW，アドレス放電期間ＴA及び放電維持（サステイン）期間ＴSとに分けられるが、さらに、この放電維持期間ＴSの次に消去期間ＴEが設けられる。ここでは、全書込み期間ＴWで「自己消去放電法」を用い、全書込みで自己消去放電法を用いて壁電荷を全セルに形成する。また、アドレス放電期間ＴAでは、放電セルとなるセルを選択する「アドレス点灯セル選択法」を用い、放電維持期間ＴSでは、「狭パルス放電法」を用いて放電セルを発光させる。また、消去期間ＴEでは、「細線消去法」を用いる。
【００７７】
まず、フィールドの開始のサブフィールドＳＦ１についてみると、全書込み期間ＴWでの全書込みでは、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）を印加し、また、これと同時に、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）を夫々期間Ｔwだけ印加する。この場合、セル内には荷電粒子がほとんど存在せず、これを生成するために、これら電圧Ｖyw，Ｖawは高く設定され、一例として、
−Ｖyw＝−２４０Ｖ，＋Ｖaw＝＋１００Ｖ
とする。
【００７８】
ここで、上記のように、０Ｖでアノード駆動される中間電極１８と表示電極２，３とが近接して設けられていると、かかる電圧の印加により、まず、負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）でカソード駆動されるＹ電極３と中間電極１８との間で放電▲１▼が発生し、次いで、これを種火として、Ｙ電極３と０Ｖでアノード駆動されるメタル隔壁１６との間に放電▲２▼が生ずるが、このメタル隔壁１６よりの高い正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）が印加されてアノード駆動されるアドレス電極７とメタル隔壁１６との間でも放電▲３▼が拡がり、結局Ｙ電極３とアドレス電極７との間で放電▲４▼が生ずることになる。かかる放電▲４▼により、放電空間１１内に荷電粒子が生じ、Ｙ電極３側に正の壁電荷が、アドレス電極７側に負の壁電荷が夫々形成される。
【００７９】
このような壁電荷の発生は瞬時に行なわれる。このときの電圧Ｖyw，Ｖawの印加期間Ｔw は、壁電荷を充分に形成するために、例えば、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃ程度に設定される。
【００８０】
以上の動作が全セルで行なわれることにより、各セルに上記の壁電荷が形成される。これが１フィールド毎に行なわれる初期の全書込みである。１フィールド内の各サブフィールド内では、１つ前のサブフィールドの消去期間で発生した空間電荷を壁電荷に変換させるため、初期の全書込みは行なわれない。このときの電圧Ｖyw，Ｖawは放電させないで、壁電荷を形成させるため、低い電圧に設定される。
【００８１】
そして、この全書込みが終わって壁電荷が形成されると、これら電圧Ｖyw，Ｖawの印加が終わり、Ｙ電極３の印加電圧Ｖｙ，アドレス電極７の印加電圧Ｖａが夫々０Ｖになると、Ｙ電極３側の正の壁電荷とアドレス電極７側の負の壁電荷とにより、Ｙ電極３に＋電圧が、アドレス電極７に−電圧が夫々印加されたのと同等の状態となり、これにより、Ｙ電極３，アドレス電極７間で放電▲５▼が発生する。これが自己消去放電であって、Ｙ電極３とアドレス電極７に形成された壁電荷により、放電が発生し、正負の荷電粒子が放電空間１１内に発生する。このままの印加状態が進むと、放電空間１１ないでこれら正負の荷電粒子の中和が進むが、これが進む前に直ちにＹ電極３に所定の負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyb）を、また、同時に、アドレス電極７に所定の正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖab）を印加することにより、Ｙ電極３側に正の荷電粒子が、また、アドレス電極７側に負の荷電粒子が夫々引き寄せられる。このようにして、全てのセルでＹ電極３側に正の壁電荷が形成され、アドレス電極７側に負の壁電荷が形成されることになる。これが、全書込み期間ＴWにおける主要な全書込み動作となる。
【００８２】
以上で全書込み期間ＴWが終了し、次のアドレス放電期間ＴAに入るのであるが、ここでは、このアドレス放電期間ＴAでアドレス点灯セル選択法が用いられる。これは、放電維持期間ＴSで点灯セルとなるセルに、アドレス放電により壁電荷を生じさせるものである。上記の全書込みにより、Ｙ電極３に正の壁電荷が保持されているが、アドレスした後の放電維持期間ＴSでは、まず、負の壁電荷が形成されたＹ電極に負の電圧Ｖｙを印加することにより、順バイアスして点灯セルを発生させて、上記のように、Ｘ電極２との間で狭パルス放電を発生させる。アドレス期間ＴAで消灯セルを選択させている場合、Ｙ電極３に正の壁電荷が保持されているため、負の電圧Ｖｙを印加しても、逆バイアスとなり、かかる狭パルス放電は発生しない。
【００８３】
アドレス点灯セル選択法としては、アドレス次において、Ｙ電極３に正の電圧Ｖｙ（＝＋Ｖya）を、アドレス電極７に負の電圧Ｖａ（＝−Ｖaa）を夫々印加し、これらＹ電極３とアドレス電極７との間で放電▲６▼を発生させるものである。この放電▲６▼は、まず、Ｙ電極３と０Ｖのメタル隔壁１６との間で発生し、これが負の電圧のアドレス電極７に拡がるものである。かかる放電▲６▼により、Ｙ電極３側に負の壁電荷が、アドレス電極７側に正の壁電荷が形成される。しかる後、Ｙ電極３に所定の負の電圧Ｖｙが、また、アドレス電極７に所定の正の電圧Ｖａが夫々印加され、アドレス放電期間ＴAが完了する。
【００８４】
次に、放電維持期間ＴSになると、図２で説明したように、Ｙ電極３に負の電圧が印加される。これにより、点灯セルには、壁電荷・壁電圧が形成され、Ｙ電極３と中間電極１８との間で充電が行なわれ、充分な印加電圧が発生する。放電が生じてＹ電極３とＸ電極２との間で狭パルス放電▲７▼が生じ、紫外線が発生して可視光が発光する。この狭パルス放電▲７▼が終了すると、Ｘ電極２側に負の壁電荷が生じ、次いで、Ｘ電極２に負の電圧Ｖｘを印加して同様の狭パルス放電▲８▼を生じさせる。以下、同様にして、かかる動作を所定回数繰り返し、サステイン狭パルス放電法による放電を終了する。
【００８５】
サステイン狭パルス放電法による放電が終了した時点では、Ｘ電極２側に正の壁電荷が、Ｙ電極３側に負の壁電荷が夫々保持されており、かかる壁電荷のうち、Ｙ電極２側の負の電荷を取り除くために、消去細線消去法が用いられる。この消去細線消去法は、Ｙ電極３に負電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）の短パルスを印加するものである。この負電圧Ｖｙにより、放電が発生し、短時間で印加電圧を取り除くため、壁電荷が形成されず、Ｙ電極３から負の壁電荷が夫々取り除かれ、放電空間１１内で結合して中和される。この負電圧の期間が長いと、新たに生じた荷電粒子がＸ電極側に負の壁電荷を、Ｙ電極３側に正の壁電荷を夫々形成することになる。これを防止するために、Ｙ電極３に印加するこの負電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）を短パルスとするものである。
【００８６】
以上により、フィールド期間Ｆ内の第１のサブフィールドＳＦ１の駆動動作が完了する。従来のプラズマディスプレイパネルでは、この第１のサブフィールドＳＦ１に続く他のサブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，ＳＦ４，……においても、以上説明した駆動方法が採られるが、上記の全書込み期間の初期の全書込みでは、で強い放電が行なわれるため、放電空間１１内で強い紫外線が発生し、蛍光体１０が励起されてかなりの量の可視光が発生する。このため、表示画面のコントラストが低下するという問題があった。
【００８７】
そこで、本発明では、各フィールドＦの最初のサブフィールドＳＦ１では、上記の駆動方法を採用するが、これに続くサブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，ＳＦ４，……では、全書込み期間で強い放電を発生せず、自己消去放電のみによる全書込みが行なっている。点灯する最初のサブフィールドがフィールドの最初のサブフィールドＳＦ１でない場合には、次のサブフィールドＳＦ２とする。
【００８８】
即ち、図１０において、全書込み期間では、必ずしも初期の書込みをせず、新たに荷電粒子を生じさせるものではない。放電維持期間ＴSの最後に行なわれる消去細線消去法を行なう期間で発生する荷電粒子を用いている。Ｙ電極３に印加する負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）の印加時間（パルス期間）をＸ電極側２から正の壁電荷が、Ｙ電極３側から負の壁電荷を夫々取り除く程度の短い期間、例えば、０．４μｓｅｃ程度とし、荷電粒子を発生させている。これにより、Ｘ電極側２から取り除かれた正の壁電荷やＹ電極３側から取り除かれた負の壁電荷が、互いに中和されずに、放電空間１１内に存在する状態が生じ、かかる状態で次のサブフィールドＳＦの全書込み期間に移るようにするものである。
【００８９】
そこで、この全書込み期間では、新たに荷電粒子を形成せず、放電空間１１内に存在する電荷を利用するものであって、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ(＝−Ｖyw）を印加し、これと同時に、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）を印加することにより、Ｙ電極３側に放電空間１１内に存在する＋電荷を集めて正の壁電荷とし、アドレス電極７側に放電空間１１内に存在する−電荷を集めて負の壁電荷とする。このようにして、強い放電を起こさせることなく、Ｙ電極３側，アドレス電極７側に夫々所定の壁電荷を生じさせるものであり、このためにＹ電極３側とアドレス電極７とに印加される電圧は夫々、
−Ｖyw＝−２００Ｖ，＋Ｖaw＝＋８０Ｖ
程度であり、第１のサブフィールドＳＦ１の場合の最初の印加電圧よりも充分低いものとなる。また、放電空間１１での電荷を電極に引き付けて壁電荷とするためには、ある程度パルス幅の長い電圧を印加することが必要であり、かかるＹ電極３への負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）やアドレス電極７への正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）の印加時間は、例えば、３０〜１００μｓｅｃ程度に設定される。
【００９０】
このようにして、全書込み時の発光を抑圧してＹ電極３側とアドレス電極７とに所望の壁電荷を生じさせてコントラストを向上させることができる。これ以降の駆動動作は、第１のサブフィールドの場合と同様である。
【００９１】
図１１は上記実施形態の駆動方法の他の実施形態を示す図であって、アドレス放電期間ＴA でアドレス消灯セル選択法を用いるものである。これ以外は、図１０に示した具体例と同様である。
アドレス消灯セル選択法とは、放電維持期間ＴS で点灯させないセルを選択するもので、即ち、消灯させるセルの壁電荷を取り除くようにするものである。
【００９２】
図１１において、自己消去放電▲５▼までは、図１０に示した具体例と同様である。この放電▲５▼により、Ｙ電極３から正の壁電荷が、アドレス電極７から負の壁電荷が夫々離れていき、荷電粒子として放電空間１１内に存在するようになる。このままの状態が続くと、これら正負の荷電粒子の中和が進むが、これが進む前に、Ｙ電極３に正の電圧Ｖｙ（＝＋Ｖyb'）を、アドレス電極７に負の電圧Ｖａ（＝−Ｖab'）を夫々印加すると、Ｙ電極３に負の荷電粒子が、アドレス電極７に正の荷電粒子が夫々引き寄せられる。これにより、Ｙ電極３側に負の壁電荷が、アドレス電極７側の正の壁電荷が夫々形成されることになる。
【００９３】
全てのセルがかかる壁電荷を有する状態となるが、かかる状態では、全てのセルが放電維持期間ＴS で点灯可能な状態となっている。アドレス放電期間ＴAでは、アドレス消灯セル選択法により、これらセルのうちで点灯させないセル（消灯セル）の壁電荷を取り除いて点灯できないような状態にするものである。
【００９４】
即ち、図１１において、上記の全書込み自己消去放電が終了すると、アドレス放電期間ＴAでは、放電維持期間ＴSで点灯させないセルに対し、アドレス時において、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ(＝−Ｖya'）を印加し、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ(＝＋Ｖaa'）を印加することにより、これらＹ電極３，アドレス電極７で図１０の場合と同様の放電▲６▼’が発生し、Ｙ電極３の壁電荷が正の壁電荷、アドレス電極７の壁電荷が負の壁電荷となる。これにより、このセルのＹ電極３上には、順バイアスとなる負の壁電荷が除去され、放電維持期間ＴSで狭パルス放電を発生することができず、点灯することができない消灯セルとなる。
【００９５】
また、放電維持期間ＴS で点灯させる放電セルについては、アドレス放電期間ＴAでは行なわれない。このため、このセルでは、Ｙ電極３側で負の壁電荷が保持された状態のままであり、図１０で説明したように、放電維持期間ＴS で点灯可能となる。
【００９６】
なお、図１０及び図１１においては、消去期間ＴEをサブフィールドＳＦｎの最後の期間としたが、最初の期間としてもよい。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、狭パルス放電によって発光させるものであるから、高い発光効率と同時に、高輝度を得ることができ、消費電力の大幅な低減が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第１の実施形態を示す図である。
【図２】第１の実施形態の駆動動作を示す図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルと第１の実施形態とでの放電電流を対比して示す図である。
【図４】第１の実施形態での表示電極と中間電極との容量結合を大きくするための手段の一具体例を示す平面図である。
【図５】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２の実施形態を示す図である。
【図６】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３の実施形態の要部を示す図である。
【図７】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第４の実施形態の要部を示す図である。
【図８】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第５の実施形態の要部を示す図である。
【図９】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第６の実施形態の要部を示す図である。
【図１０】表示装置に用いた本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の一具体例を示す図である。
【図１１】表示装置に用いた本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の他の具体例を示す図である。
【図１２】従来のプラズマディスプレイパネルの構造の一部を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示すプラズマディスプレイパネルでの各電極の配線を示す図である。
【図１４】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの１フィールドでの駆動方法を示す図である。
【図１５】図１４におけるサブフィールドの構成を示す図である。
【図１６】メタル隔壁を用いたプラズマディスプレイパネルの１セル分を示す縦断面図である。
【図１７】図１６で分断線Ｚ−Ｚ側から背面基板側をみたメタル隔壁の構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 前面ガラス基板
２ Ｘ電極
３ Ｙ電極
６ 背面ガラス基板
７ アドレス電極
１０ 蛍光体
１１ 放電空間
１６ メタル隔壁
１６ａ 突出部
１８ 中間電極
２０ 中空部
２１〜２３ 突出部
２４ 導体層
２５，２６ 突起部
２７ 導体層
２８ 突出部
２９ 蛍光体
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理端末や平面型，壁掛けテレビなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに係り、特に、発光効率と輝度とを大幅に向上させるプラズマディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネルとしては、２種類の表示電極が前面基板側の同一面内に配置され、これら表示電極として透明電極を用いる反射型面放電方式の３電極構造が主流であって、その一例が特開平１０ー２０７４１９号公報に開示されている。
【０００３】
図１２はかかるプラズマディスプレイパネルの構造の一部を示す斜視図であって、ＦＳは前面基板、ＢＳは背面基板、１は前面ガラス基板、２はＸ電極、２ａはＸ透明電極、２ｂはＸバス電極、３はＹ電極、３ａはＹ透明電極、３ｂはＹバス電極、４は保護膜、５は誘電体層、６は背面ガラス基板、７はアドレス電極、８は誘電体層、９は隔壁、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは蛍光体、１１は放電空間である。なお、Ｘ電極５及びＹ電極６は表示電極と呼ばれている。
【０００４】
同図において、背面基板ＢＳでは、背面ガラス基板６上に、アドレス電極７が複数本互いに平行に配置されており、それらアドレス電極７を完全に覆う形で誘電体層８が形成されている。この誘電体層８上には、アドレス電極７を挟む位置に、隔壁９がアドレス電極７と平行に形成されており、これら隔壁９で仕切られるアドレス電極７に平行な方向に伸延した空間が形成されている。そして、これら各空間では、その隔壁９の壁面と誘電体層８の表面とに紫外線照射によって色光を発光する蛍光体が塗布されており、２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｒは赤色光を、他の２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｇは緑色光を、さらに他の２つおきの空間に塗布されている蛍光体１０Ｂは青色光を夫々発光する。
【０００５】
一方、前面基板ＦＳでは、前面ガラス基板１上に、背面ガラス基板６上に形成されているアドレス電極７とは直交する方向に、Ｘ電極２とＹ電極３とが交互にかつ互いに平行に形成されている。Ｘ電極２はＸ透明電極２ａにＸバス電極２ｂが積層された構成をなし、Ｙ電極３もＹ透明電極３ａにＹバス電極３ｂが積層された構成をなしている。隣り合う１つずつのＸ電極２とＹ電極３とを１つの表示電極対とすると、同じ表示電極対において、Ｘバス電極２ｂはＸ透明電極２ａでのＹ透明電極３ａとは反対側の端部に形成され、また、Ｙバス電極３ｂはＹ透明電極３ａでのＸ透明電極２ａとは反対側の端部に形成されている。そして、これらＸ電極２とＹ電極３とを完全に覆うように誘電体層５が形成されており、さらに、この誘電体層５上にMgO などからなる保護膜４が形成されている。
【０００６】
このように各電極などが設けられた背面ガラス基板６と前面ガラス基板１とは矢印で示すように突き合わされて、隔壁９上に前面ガラス基板１上の保護膜４が接するようにして、ブラズマディスプレイパネルが構成される。
【０００７】
そして、保護膜４と蛍光体１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが塗布された隔壁９や誘電体層８で形成される空間内には、所定のガスが封入されており、また、同じ表示電極対でのＸバス電極２ｂとＹバス電極３ｂと隣り合う２つの隔壁９とで区切られる空間が１つの放電セルの放電空間１１を形成している。
【０００８】
図１３は図１２に示したプラズマディスプレイパネルでの各電極の配線を示す図であって、Ａ１，……，Ａｎ（但し、ｎは１以上の整数）は図１２に示したアドレス電極７、Ｘ１，Ｘ２，……，Ｘｍ（但し、ｍは１以上の整数）は図１２に示したＸ電極２、Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍは図１２に示したＹ電極３である。
【０００９】
同図において、夫々がｍ個のＸ電極Ｘ１，Ｘ２，……，ＸｍとＹ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍとは互いに平行に、かつ交互に配置されており、これらＸ電極Ｘ１，Ｘ２，……，Ｘｍの一端は共通に接続されて同じ駆動電圧が印加されるが（従って、Ｘ電極２は共通表示電極とも呼ばれる）、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍは互いに独立に設けられて夫々に異なる駆動波形が印加される。また、個々のアドレス電極Ａ１，……，Ａｎが互いに独立に、かつ、Ｘ電極Ｘ１，Ｘ２，……，ＸｍとＹ電極Ｙ１，Ｙ２，……，Ｙｍと直交するように配置され、これらに異なる駆動波形が印加される。
【００１０】
かかるＡＣ型プラズマディスプレイパネルの駆動方法としては、図１４に示すように、サブフィールド単位で駆動する方法が採られる。
【００１１】
即ち、１フィールド期間Ｆを複数、例えば、８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に区分し、これら８個のサブフィールド分の総和時間と垂直同期信号Vsyncの１周期の期間との差で生じる期間をブランク期間ＴBしており、各サブフィールドＳＦｎ（但し、ｎ＝１，２，……，８）は、図１５に示すように、全書込み及び消去放電期間ＴWとアドレス放電期間ＴAと放電維持期間ＴSとから構成されている。
【００１２】
全書込み及び消去放電期間ＴW及びアドレス放電期間ＴAは夫々、全てのサブフィールドＳＦｎで同じ時間長が必要であり、例えば、アドレス放電期間ＴAの時間長はＹ電極数ｍ（図１３）と各Ｙ電極３に順番に印加されるスキャンパルスの周期とで決まる。また、放電維持期間ＴSは、パルス列をなす維持放電パルスのパルス周期とパルス数とで決まる。また、全書込み及び消去放電期間ＴWでは、全セルについて、Ｘ電極２とＹ電極３との間で放電を行ない、荷電粒子を生成させて壁電荷を形成する。アドレス放電期間ＴAでは、放電維持期間ＴS中に維持放電を行なうべきセル（放電セル）でのＹ電極３とアドレス電極７との間で放電を行ない、放電維持期間ＴS中に維持放電を行なう放電セルを選択する。そして、選択された放電セルでは、サブフィールド内の放電維持期間ＴSに印加される維持放電パルス数だけ放電が繰り返し行なわれる。ここでは、図１４に示したように、１フィールドＦでのサブフィールドＳＦ数を８としており、上記のように、これらサブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，……，ＳＦ８の放電維持期間ＴS で維持放電パルス数には、例えば、２進符号で表わされる重み付けがなされている。
【００１３】
いま、サブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，……,ＳＦ８の放電維持期間ＴSで印加される維持放電パルスのパルス数（即ち、維持放電回数）をＮSF1〜ＮSF8とすると、これら維持放電回数の比は上記重み付けの比、即ち、２進符号で形成されるＮSF1:ＮSF2:……:ＮSF8＝１:２:４:８:……:１２８となり、放電維持期間ＴSで維持放電が行なわれるサブフィールドの組み合わせにより、２５６種の階調表示が可能となる。例えば、ある放電セルにおいて、低輝度から数えて１０番目（階調０を除く）の階調を表示する場合には、維持放電パルス数の相対比が夫々２と８に相当するサブフィールドＳＦ２，ＳＦ４をアドレス放電期間ＴA のアドレス放電によって選択し、夫々の放電維持期間ＴS で維持放電を行なわせればよい。
【００１４】
ところで、かかる従来のプラズマディスプレイパネルにおいては、その内部にグランド電極（接地電極）がない、あるいはグランド電極を設けない構成となっている。このため、グランドを充分に行なうことができず、パネル内部の放電動作が不安定となり、周囲の駆動回路などに悪影響を及ぼす不要電磁輻射が発生するという問題もあった。
【００１５】
また、図１２に示す構成のプラズマディスプレイパネルでは、表示電極（Ｘ電極２，Ｙ電極３）間でグロー放電（プラズマ）を生じさせ、これによって発生する紫外線で蛍光体１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを励起して可視光を発光させるものであるが、表示電極２，３間の距離が大きく取れないと、このグロー放電の放電モードは効果的に紫外線を発生する陽光柱領域が生じにくく、ほとんどが負グロー領域になっている。しかも、この陽光柱を効率良く発生させるためには、上記の維持放電期間ＴS中での放電維持電流を減少させることが必要である。隔壁９（図１２）が誘電体によるものであるため、放電によって生じた荷電粒子がこの隔壁９に拡散して付着する隔壁拡散が生じ、これが損失となって発光効率を低下させる。さらに、放電を維持させるためにも、電流の増加が必要となり、陽光柱の効率を低下させる。
【００１６】
かかる問題を解消するものとして、隔壁として、メタル（導体）からなる隔壁、即ち、メタル隔壁を用いたプラズマディスプレイパネルが特開平１１ー３１２４７０号公報で提案されている。図１６はかかるプラズマディスプレイパネルの１セル分を示す縦断面図であって、１０は蛍光体、１２，１３は下地膜、１４は誘電体層、１５はMgO などの保護層、１６はメタル隔壁、１７は酸化被膜であり、図１２に対応する部分には同一符号を付けている。
【００１７】
同図において、この従来例では、Ｙ電極３が背面基板ＢＳに設けられている。背面基板ＢＳでは、この背面ガラス基板６上にSiO2の下地層１３が形成され、その上にAg系の厚膜導体からなるアドレス電極７が、さらにその上に誘電体層８が夫々設けられ、この誘電体層８の上にAg系の厚膜導体からなるＹ電極３が設けられている。そして、このＹ電極３が誘電体層１４で覆われ、その上にMgOの保護層１５が形成されている。また、前面基板ＦＳ側では、前面ガラス基板１上にSiO2の下地層１２が形成され、その上にAg系のＸ透明電極２ａとAg系の不透明なＸバス電極２ｂとからなるＸ電極２が形成されている。そして、このＸ電極２が誘電体層５で覆われ、その上にMgO の保護層４が形成されている。
【００１８】
このように、各層が形成された前面基板ＦＳと背面基板ＢＳとの間にメタル隔壁１６が設けられ、放電空間１１を形成している。このメタル隔壁１６はガラス基板１，６とほぼ等しい熱膨張係数のFe-Ni系などの薄板に、エッチング加工などにより、夫々のセルの放電空間１１に相当する貫通穴を形成して得られたものであり、図１６で分断線Ｚ−Ｚから背面基板ＢＳをみた図１７に示すように、各セル毎にかかるメタル隔壁１６によって各セルの放電空間１１の全周が囲まれている。かかるメタル隔壁１６の全表面は絶縁性の酸化被膜１７によって覆われており、さらに、放電空間１１を形成する面（即ち、上記の薄板に形成された貫通穴の内面）に蛍光体１０が形成されている。
【００１９】
かかる構成のプラズマディスプレイパネルにおいて、メタル隔壁１６に一定のバイアス電圧を印加すると、そのメタル表面の誘電体層（酸化被膜１７）または蛍光体１０に壁電荷が形成され、これにより上記の荷電粒子の中和が抑制されて隔壁拡散によるエネルギー損失が低減し、陽光柱が安定に形成されて放電効率、従って、発光効率が向上することになる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のプラズマディスプレイパネルでは、放電効率を向上させるために放電維持電流を減少させて陽光柱を安定に形成することが可能となるが、低電流での駆動のため、１パルス当たりの輝度が低下することが問題であり、高発光効率と同時に、高輝度を実現させることがプラズマディスプレイパネルに関する１つの課題となっている。
【００２１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、その目的は、高い発光効率と同時に、高い輝度を維持することができるようにしたプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、セル毎に第１，第２の表示電極が互いに平行に配置されかつ第１，第２の表示電極間に透明な中間電極が配置されてなる前面基板と、セル毎に第１，第２の表示電極と交差する方向にアドレス電極が配置されてなる背面基板と、前面基板と該背面基板との間に配置されセル毎にその放電空間を覆うように設けられたメタル隔壁と、放電空間内に設けられた蛍光体とを有るものである。
【００２３】
第１，第２の表示電極を、これらのいずれか一方をアノード駆動するとき、他方がカソード駆動するようにして、これらを交互にアノード駆動，カソード駆動し、前記中間電極を常時アノード駆動する手段を有する構成とする。このアノード駆動は零ボルトの電圧を印加するものである。
【００２４】
そして、中間電極を第１，第２の表示電極に近接させる手段を設けた構成とする。
【００２５】
かかる手段は、第１，第２の表示電極毎に設けられた中間電極側に突出した突出部とするものであり、あるいは中間電極に両側面に設けられて第１，第２の表示電極側に突出した突出部とするものである。
【００２６】
また、本発明は、中間電極と第１，第２の表示電極との距離を５０〜１００μｍと印加するものである。
【００２７】
また、これらの本発明において、中間電極を所定の電位に安定化する手段を設けたものである。
【００２８】
そして、この手段は、メタル隔壁での、中間電極と交差する部分に設けた突出部、あるいは前面基板内であって、中間電極とメタル隔壁とが交差する部分での中間電極とメタル隔壁との間に配置した導体層であるものである。
【００２９】
かかる導体層は、中間電極に、あるいは前面基板での背面基板側の誘電体層に設けられた突出部内に配置される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は本発明によるプラズマティスプレイパネルの第１の実施形態を示す図であって、同図（ａ）は前面基板側から背面基板側をみた平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）での分断線Ｂ−Ｂに沿う縦断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）での分断線Ｃ−Ｃに沿う縦断面図、同図（ｄ）は同図（ａ）での分断線Ｄ−Ｄに沿う縦断面図である。また、図１（ａ）〜（ｄ）において、１６ａはメタル隔壁の突出部、１８は中間電極、１９は MgO膜などの保護層、２０は中空部であり、図１２及び図１６に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００３１】
図１において、メタル隔壁１６は、上記従来例と同様、ガラス基板１，６とほぼ等しい熱膨張係数のFe-Ni系などの薄板に、夫々のセル毎に、エッチング加工などにより、放電空間１１に相当する貫通穴を形成して得られたものであり、図１（ｂ）に示すように、この貫通穴の内面を含めた全面が絶縁性の酸化被膜１７によって覆われている。従って、図１（ａ）から明らかなように、各セルの放電空間は夫々メタル隔壁１６によって四方が囲まれており、これら放電空間１１がメタル隔壁１６によって互いに隔離されている。
【００３２】
そして、Ｘ電極２とＹ電極３との間に、図１（ａ）から明らかなように、これら表示電極（Ｘ電極２とＹ電極３）と並行に中間電極１８が設けられている。この中間電極１８は、セルの開口率を低下させないようにするために、ITO膜（In2O3:Sn膜）などからなる透明な電極をなしており、Ｘ電極２とＹ電極３とに近接して配置されている（中間電極１８とこれらＸ電極２，Ｙ電極３との間隔は、例えば、５０〜１００μｍ程度、好ましくは、７０〜１００μｍ程度）。
【００３３】
また、メタル隔壁１６の電極２，３，１８と交差する部分（図１（ａ）での分断線Ｃ−Ｃに沿う部分）には、図１（ｃ）に示すように、透明な中間電極１８に対向して突出部１６ａが形成されており、これにより、メタル隔壁１６と中間電極１８との間の距離が小さくなるようにしている。つまり、この中間電極１８と交差する部分でメタル隔壁１６を中間電極１８に近接させ、中間電極１８，メタル隔壁１６間の浮遊容量が大きくなるようにしてこれらの容量結合を大きくし、中間電極１８の駆動電位（アノード駆動）を安定に保持している。この突出部１６ａ以外では、メタル隔壁１６と前面ガラス基板１側の保護膜４との間の間隔は、例えば、２０〜１００μｍ程度、好ましくは５０〜１００μｍ程度に設定されるが、この間隔にほぼ等しい高さで突出部１６ａが設けられる。
【００３４】
なお、メタル隔壁１６に突出部１６ａを設けても、表示電極２，３と中間電極１８とのギャップ長、即ち、放電電圧に影響を与えないようにするために、さらには、このメタル隔壁１６と表示電極２，３との間の容量結合が変化しないようにするために、この突出部１６ａの長さを中間電極１８の幅よりも幾分短くし、この突出部１６ａが表示電極に近づかないようにしている。
【００３５】
また、図１（ｄ）に示すように、背面基板ＢＳに設けられている誘電体層８がアドレス電極７に沿って盛り上げられ、これより上層の保護層１９とメタル隔壁１６の絶縁層１７との間に中空部２０が形成されている。この中空部２０により、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間の距離を大きくし（２０〜１００μｍ程度）、これらアドレス電極７，メタル隔壁１６間の容量結合が小さくなるようにしている。
【００３６】
以上の構成以外は、図１２及び図１６で示した従来のプラズマディスプレイパネルと同様である。
【００３７】
次に、この第１の実施形態の駆動動作について、図２を参照して説明する。
【００３８】
この第１の実施形態は、さきに説明した従来のプラズマディスプレイパネルのような負グロー領域を用いた定常グロー放電によって発光させるものではなく、非正常な放電によって発光させるものである。これは、従来の正常グロー放電の代わりに、タウンゼント放電を用いることにより、強い紫外線を発生し、高輝度，高発光効率が得られるものである。つまり、表示電極２，３間に中間電極１８あるいはメタル隔壁１６を配置し、これらをアノード駆動することにより、表示電極２，３間に実効的な短ギャップを形成し、かつセル内に低電圧で高電界を発生させて狭パルス電流が流れる狭パルス放電を発生させている。
【００３９】
この第１の実施形態の駆動動作では、メタル隔壁１６も含めて、各電極がアノード電極，カソード電極として作用するものであるが、アノード電極には、グランド電圧（０Ｖの電圧）が印加され、カソード電極には、負の電圧が印加される。メタル隔壁１６及び中間電極１８は、常時アノード電極として作用させるために、０Ｖのグランド電圧が印加されている（これをアノード駆動という）。また、Ｘ電極２とＹ電極３とは、放電維持期間ＴS（図１５）で交互にアノード駆動（０Ｖ）とカソード駆動（負の電圧）とに切り換わり、かつＸ電極２とＹ電極３の一方がカソード駆動されると、他方がアノード駆動される。
【００４０】
図２（ａ）はアドレス放電期間ＴAでの状態を示すものであって、アドレスの方法としては、点灯セルを選択するために放電させる点灯セル選択法と消灯セルを選択するために放電させる消灯セル選択法とがある。具体的には後述するが、点灯セル選択法では、アドレス電極７に負電圧のアドレスパルスを印加し、かつＹ電極３にメタル隔壁１６よりも高い正電圧のパルスを印加してアドレス放電を発生させ、Ｙ電極３に負の壁電荷を形成するものである。次の維持放電（サステイン）期間ＴSでは、この壁電荷が逆バイアス電圧となり、点灯セルを形成する。かかる駆動により、まず、Ｙ電極３とメタル隔壁１６との間に放電が生じ、この放電がカソード駆動されるアドレス電極７へと拡がって、アドレス電極７とＹ電極３との間の放電空間１１に放電が生じる。この放電の結果、Ｙ電荷３の近傍の保護膜４上に放電維持期間ＴSで狭パルス放電を生じさせるのに必要な壁電荷（負の壁電荷）が形成される。このように壁電荷が形成されたセルが点灯セルとなるものである。
【００４１】
消灯セル選択法の場合には、Ｙ電極３に負のパルス電圧を印加し、アドレス電極７をメタル隔壁１６よりも高い電圧パルスを印加してアドレス放電させるものである。これにより、上記と同様の過程で放電空間１１で放電が生じ、Ｙ電極３に狭パルス放電を生じさせない壁電荷（正の壁電荷）を形成する。このように正の壁電荷が形成されたセルでは、逆バイアス電圧を発生し、狭パルス放電が生ぜず、発光しない消灯セルとなるものである。
【００４２】
次に、放電維持期間ＴSになると、図２（ｂ）に示すように、Ｙ電極３に負のパルス電圧を印加してカソード駆動とし、中間電極１８をそのまま０Ｖのアノード駆動に維持ながら、同時に、Ｘ電極２に０Ｖのグランド電圧を印加してアノード駆動とする。これにより、まず、▲１▼として示すように、上記の壁電荷にＹ電極３に印加された負の電圧が加算されてＹ電極３と中間電極１８との間にこの加算電圧が印加され、Ｙ電極３，中間電極１８間に充電が行なわれる。この短ギャップ電極間に充電が充分になされて大きな強度の電界が生ずると、Ｙ電極３の近傍で放電が発生し、次に、▲２▼として示すように、瞬時的な絶縁破壊放電がＹ電極３，Ｘ電極２間に移行して生じ、強度の紫外線が発生して蛍光体１０を励起する。この狭パルス放電により、放電効率を大幅に向上させ、強度の可視光を発生させる。この絶縁破壊放電の短い期間、Ｙ電極３及びＸ電極２に狭パルス電流が流れる。このときには、中間電極１８はメタル隔壁１６と同様の作用をし、中間電極１８とメタル隔壁１６とによって狭パルスを発生させる放電経路が形成される。
【００４３】
Ｙ電極３に負のパルス電圧が印加されて中間電極１８との間での充電が開始されてから絶縁破壊放電が完了するまでの期間は、２００μｓｅｃ程度以下と非常に短く、この狭パルス電流が主にＹ電極３，Ｘ電極２間に流れることになる。
【００４４】
以上の動作が終わると、Ｘ電極２の近傍の保護膜４上に負の壁電荷が存在するようになる。そこで、次の動作では、Ｘ電極２に負のパルス電圧を印加してカソード駆動とし、中間電極１８をそのまま０Ｖ（アノード駆動）に維持ながら、同時に、Ｙ電極３にもグランド電圧を印加してアノード駆動とする。これにより、まず、▲３▼として示すように、上記の壁電荷にＸ電極２に印加された負の電圧が加算されてＸ電極２と中間電極１８との間にこの加算電圧が印加され、Ｘ電極２，中間電極１８間に充電が行なわれる。この充電が充分になされて大きな強度の電界が生ずると、Ｘ電極２の近傍で放電が発生し、次に、▲４▼として示すように、瞬時的な絶縁破壊放電がＸ電極２，Ｙ電極３間に移行して生じ、強度の紫外線が発生して蛍光体１０を励起する。これにより、前記した場合と同様に、強度の可視光を発生させる。この絶縁破壊放電の短い期間、上記と同様にして、Ｘ電極２及びＹ電極３に狭パルス電流が流れる。
【００４５】
この絶縁破壊放電が終了すると、Ｘ電極２の近傍の保護膜４上に壁電荷が存在するようになり、再び図２（ｂ）で説明した動作から繰り返される。
【００４６】
このようにして、狭パルス電流を伴う放電（いわゆる狭パルス放電）が行なわれ、これに伴って発生する紫外線によって蛍光体１０が励起されることにより、可視光が発生されるのであるが、この狭パルス放電は短時間に強力に発生するので、発生する紫外線も強力であり、高い放電効率を得ることができる。
【００４７】
図３は従来の負グロー放電を用いるプラズマディスプレイパネルとこの第１の実施形態での放電電流を比較して示す図であって、同図（ａ）は従来のプラズマディスプレイパネルでの、同図（ｂ）はこの第１の実施形態での夫々放電電流を示すものである。
【００４８】
従来のプラズマディスプレイパネルの場合、図３（ａ）に示すように、表示電極（Ｘ，Ｙ電極）に印加される駆動電圧に対し、かかる表示電極に長時間放電電流が流れ、その間負グロー放電が生じて可視光が発生する。これに対し、この第１の実施形態では、負極性の駆動電圧が表示電極に印加されると、その駆動電圧の印加開始部分ほぼ２００μｓｅｃの期間で狭パルス放電が行なわれ、その期間に表示電極にパルス電流が流れるだけである。
【００４９】
このようにして、この第１の実施形態では、可視光発光のための放電は非常に短いものであり、この放電期間に表示電極に電流が狭パルスとして流れるため、図３（ａ）に示すように放電電流が流れる従来の定常グロー放電によるプラズマディスプレイパネルに比べ、紫外線強度が大きく、放電効率が大幅に向上することになる。しかも、かかる狭パルス放電は瞬時に強力に発生するため、発光輝度も高く維持できることになる。従って、この第１の実施形態では、発光効率を高く維持し、かつ、発光輝度を大幅に向上させることができる。
【００５０】
ところで、狭パルス放電を効率良く発生させるためには、表示電極（Ｘ電極２及びＹ電極３）と中間電極１８との間隔をできるだけ小さくし、低電圧で放電を発生し易い構造にし、投入電圧を減少させる必要がある。特に、放電電圧が高くなる高Ｘｅガス分圧の場合、必要となる。図４はこのための方法の具体例を示すものであって、図４（ａ）は表示電極２，３側に突出部２１を設け、同図（ｂ）は中間電極１８側に同様の突出部２２，２３を設けた構造としたものである。
【００５１】
まず、図４（ａ）に示す具体例では、各セル毎に（但し、ここでは、１つのセルについてのみ示している）、表示電極２，３夫々の中間電極１８側の側面に、１つの頂点を先端部として中間電極１８に対向させた二等辺三角形状の突出部２１を設けている。これら突出部２１の先端部は中間電極１８に上記の数値例程度近接しており、これにより、この先端部と中間電極１８のこれに対向する部分との間で強電界が生じ易く、放電電圧を効率良く低減させる。
【００５２】
また、図４（ｂ）は図４（ａ）での突出部２１と同様の形状の突出部２２，２３を中間電極１８の両側面に、表示電極３，２と夫々対向するようにして、設けたものであり、図４（ａ）に示す具体例と同様の効果が得られる。
【００５３】
なお、図４では、突出部２１〜２３の形状を２等辺三角形としたが、円弧状など先端部が狭くなるものであれば、任意の形状とすることができる。
【００５４】
また、図１に示す第１の実施形態では、中間電極１８として、ITO膜のような透明な電極が用いられ、メタルではないため、かかる中間電極１８は抵抗値が大きい。このため、この中間電極１８にグランド電圧が印加されても、放電電流などが流れると、この印加点よりも離れた場所では、その電位が周囲の電極の浮遊電位に影響されることになる。例えば、Ｙ極電極３に負の電圧が印加されると、このＹ電極３と中間電極１８との間の浮遊容量の影響により、中間電極１８の電位がＹ電極３に印加された負の電位に近づいていく。このような現象が生ずると、Ｙ電極３，中間電極１８間で充電が行なわれる場合、Ｙ電極３と中間電極１８との間に充分な電位差を与えにくく、充分な充電が行なわれず、放電を安定に発生させるための強電界が生じにくくなる。
【００５５】
このような問題を解消するためには、中間電極１８の電位を、そのいずれの場所においても、メタル隔壁１６の電位と同様に、グランド電位に安定に保持できるようにすることが必要である。
【００５６】
そこで、この第１の実施形態では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、メタル隔壁１６が中間電極１８と交差する部分に、突出部１６ａを設け、メタル隔壁１６を中間電極１８に、換言すると、中間電極１８をメタル隔壁１６に近づけるようにする。かかる構成によると、突出部１６ａで中間電極１８とメタル隔壁１６との間の容量結合が大きくなって、中間電極１８の電位がメタル隔壁１６の電位に引き込まれ易くなる。ここで、メタル隔壁１６は、グランド電位が常時印加されているので、そのいずれの場所でも、電位はグランド電位（＝０Ｖ）であり、このため、表示電極２，３に負の電圧が印加されても、中間電極１８の電位はほとんどグランド電位に保持される。
【００５７】
図５は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２の実施形態を示す図であって、同図（ａ）は前面ガラス基板側から背面ガラス基板側をみた平面図、同図(ｂ）は同図(ａ）でのアドレス電極上の分断線Ｂ−Ｂに沿う縦断面図、同図(ｃ）は同図(ａ）でのメタル隔壁上の分断線Ｃ−Ｃに沿う縦断面図である。また、図５(ａ）〜(ｃ）において、５’は保護層、２４は導体層、２５は突出部であり、図１に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００５８】
図５（ｂ）は第１の実施形態での図１（ｂ）に対応するものであり、この部分の構成は、前面基板ＦＳのメタル隔壁１６に対向する部分に、セル単位毎に、誘電体層５の上にさらに突出部２５を設け、メタル隔壁１６に沿って誘電体層５とその上に形成された誘電体層からなる突出部２５が設けられている以外、図１に示した第１の実施形態と同様の構成をなしている。この誘電体からなる突出部２５は隣接セル間を隔離するものであり、従って、隣接セル間で一方のセルのＸ電極２とＹ電極３とを近づけて配置することができ、セル内のギャップ長を増加させ、かつセルの開口率を増加させる。
【００５９】
また、図５（ｃ）は第１の実施形態での図１（ｃ）に対応するものであり、この部分の構成は、中間電極１８のメタル隔壁２４側の面でのこのメタル隔壁１６が横切る部分に、導体層２４が設けられている。この導体層２４は、中間電極１８をメタル隔壁１６に近づけてこれら中間電極１８，メタル隔壁１６間の容量結合を大きくし、中間電極１８の電位をメタル隔壁１６の電位に安定化するためのものである。図１に示した第１の実施形態では、図１（ｃ）に示したように、メタル隔壁１６に突出部１６ａを設けることにより、かかる容量結合を大きくしたものであるが、この第２の実施形態は、中間電極１８に等価な突出部（導体層２４）を設け、これにより、第１の実施形態と同様の効果を奏するようにしたものである。
【００６０】
この第２の実施形態のこれ以外の構成は、図４などで説明した構成も含めて、第１の実施形態と同様である。
【００６１】
図６は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３の実施形態の要部、即ち、メタル隔壁１６に沿う部分を示す縦断面図であって、２７は導体層であり、図５に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６２】
同図において、この第３の実施形態は、前面基板ＦＳでのメタル隔壁１６に沿い、かつ中間電極１８とメタル隔壁１６とが交差する部分の対向する部分に、誘電体層２７によって形成された誘電層２６で被覆される形で突出部を形成している。この中間電極１８には、図５（ｃ）に示した第２の実施形態と同様、導体層２４が設けられており、これら導体層２４，２７により、中間電極１８とメタル隔壁１６との容量結合がさらに増加し、中間電極１８の電位がグランド電位に維持されてさらに安定化する。
【００６３】
図７は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第４の実施形態の要部、即ち、メタル隔壁１６に沿う部分を示す縦断面図であって、２８は誘電体からなる突出部であり、図６に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６４】
同図において、この第４の実施形態は、前面基板ＦＳでのメタル隔壁１６に沿い、かつ中間電極１８とメタル隔壁１６とが交差する部分に誘電体層５の突出部２８を設け、中間電極１８上の導体層２４に積層した導体層２７も誘電体層５の内部に埋め込むようにしたものである。
【００６５】
この第４の実施形態においても、中間電極１８が導体層２４，２７を介してメタル隔壁１６により近づけることができるものであり、第３の実施形態と同等の効果が得られる。
【００６６】
図８は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第５の実施形態の要部、即ち、放電空間１１の部分を示す縦断面図であって、２９は蛍光体であり、図５（ｂ）に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００６７】
同図において、この第５の実施形態では、セルにおける前面基板ＦＳの保護層５’の表面にも、蛍光体２９を設けたものである。上記のように、表示電極２，３間の放電の場合には、中間電極１８もメタル隔壁１６と同様の作用をなし、これら中間電極１８とメタル隔壁１６とによって放電空間１１内に放電路が形成され、放電空間１１内で紫外線が発生する。この紫外線により、メタル隔壁１６での蛍光体１０ばかりでなく、前面基板ＦＳでの蛍光体２９も励起されて発光する。これにより、さらに、発光効率が大幅に向上することになる。
【００６８】
なお、かかる第５の実施形態は、以上説明した第１〜第４の実施形態にも適用可能であることはいうまでもない。
【００６９】
図９は本発明によるプラズマディスプレイパネルの第６の実施形態の要部を示す図であって、同図（ａ）はメタル隔壁１６を通るアドレス電極７に垂直な面での縦断面図、同図（ｂ）は背面ガラス基板側の表面を示す平面図である。また、同図において、１６ｂはメタル隔壁１６の中心線、３０は誘電体からなる突出部、３１は保護層であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
【００７０】
図９（ａ）において、背面基板ＢＳでの誘電体層８とMgo膜などの保護層１９との間に、部分的に、誘電体からなる突起部３０が形成され、この突起部３０は、保護層１９とメタル隔壁１６の絶縁層１７とで接触した構造を形成している。そして、これら突出部がメタル隔壁１６の台座となり、これら台座の上にメタル隔壁１６が載置される。これにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間の間隔を一定に維持し、かつこれら間の容量結合を低減している。
【００７１】
かかる台座３１は、図９（ｂ）に示すように、メタル隔壁１６の中心線１６ｂの交点、即ち、縦方向のメタル隔壁１６と横方向のメタル隔壁１６との交差点であるセルの四隅に形成されている。
【００７２】
上記第１の実施形態では、図１（ｄ）に示すように、メタル隔壁１６のアドレス電極７に対向する部分に、中空部２０により、凹みを設けることにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間隔が拡がるようにしたが、この第６の実施形態では、背面基板ＢＳにメタル隔壁１６の台座３１を設けることにより、アドレス電極７とメタル隔壁１６との間隔が拡がるようにしており、メタル隔壁１６での高い位置精度を必要とする凹みの加工が不要となる。
【００７３】
なお、かかる第６の実施形態は、先の各実施形態に適用できることはいうまでもない。
【００７４】
また、以上の各実施形態では、中間電極１８を用いて狭パルス放電を行なわせるようにしたものであるが、メタル隔壁１６を用いて狭パルス放電を行なわせるようにしてもよい。この場合には、Ｘ電極２，Ｙ電極３とメタル隔壁１６との間の間隔が小さくなるようにして電界を集中させ、かつこれら間の容量結合が小さくなるようにし（例えば、図１において、Ｘ電極２とＹ電極３とのメタル隔壁１６側の表面に導体層を積層することにより、これらＸ電極２とＹ電極３とメタル隔壁１６に近づける）、これら間の充電が高速に行なわれるようにしている。中間電極１８はメタル隔壁としての作用のみをするものであって、図４で説明したような構成を用いる必要はない。
【００７５】
次に、表示装置に用いられる以上実施形態のプラズマディスプレイパネルの駆動方法について説明する。
図１０はその一具体例を示すものであって、図１４で示した１つのサブフィールドＳＦでのＸ電極２の電圧Ｖｘ，中間電極１８の電圧Ｖｃ（＝０Ｖ），Ｙ電極３の電圧Ｖｙ，メタル隔壁１６の電圧ＶM（＝０Ｖ）及びアドレス電極７の電圧Ｖａ夫々の電圧波形を示しており、横軸は時間軸である。また、マーク「☆」は矢印で示す電極間などで放電が生ずることを示しており、大きいマーク「☆」はエネルギー的に大きな放電を、小さいマーク「☆」は小さい放電を夫々示している。
【００７６】
同図において、サブフィールドＳＦは、図１５で説明したように、全書込み及び消去放電期間ＴW，アドレス放電期間ＴA及び放電維持（サステイン）期間ＴSとに分けられるが、さらに、この放電維持期間ＴSの次に消去期間ＴEが設けられる。ここでは、全書込み期間ＴWで「自己消去放電法」を用い、全書込みで自己消去放電法を用いて壁電荷を全セルに形成する。また、アドレス放電期間ＴAでは、放電セルとなるセルを選択する「アドレス点灯セル選択法」を用い、放電維持期間ＴSでは、「狭パルス放電法」を用いて放電セルを発光させる。また、消去期間ＴEでは、「細線消去法」を用いる。
【００７７】
まず、フィールドの開始のサブフィールドＳＦ１についてみると、全書込み期間ＴWでの全書込みでは、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）を印加し、また、これと同時に、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）を夫々期間Ｔwだけ印加する。この場合、セル内には荷電粒子がほとんど存在せず、これを生成するために、これら電圧Ｖyw，Ｖawは高く設定され、一例として、
−Ｖyw＝−２４０Ｖ，＋Ｖaw＝＋１００Ｖ
とする。
【００７８】
ここで、上記のように、０Ｖでアノード駆動される中間電極１８と表示電極２，３とが近接して設けられていると、かかる電圧の印加により、まず、負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）でカソード駆動されるＹ電極３と中間電極１８との間で放電▲１▼が発生し、次いで、これを種火として、Ｙ電極３と０Ｖでアノード駆動されるメタル隔壁１６との間に放電▲２▼が生ずるが、このメタル隔壁１６よりの高い正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）が印加されてアノード駆動されるアドレス電極７とメタル隔壁１６との間でも放電▲３▼が拡がり、結局Ｙ電極３とアドレス電極７との間で放電▲４▼が生ずることになる。かかる放電▲４▼により、放電空間１１内に荷電粒子が生じ、Ｙ電極３側に正の壁電荷が、アドレス電極７側に負の壁電荷が夫々形成される。
【００７９】
このような壁電荷の発生は瞬時に行なわれる。このときの電圧Ｖyw，Ｖawの印加期間Ｔw は、壁電荷を充分に形成するために、例えば、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃ程度に設定される。
【００８０】
以上の動作が全セルで行なわれることにより、各セルに上記の壁電荷が形成される。これが１フィールド毎に行なわれる初期の全書込みである。１フィールド内の各サブフィールド内では、１つ前のサブフィールドの消去期間で発生した空間電荷を壁電荷に変換させるため、初期の全書込みは行なわれない。このときの電圧Ｖyw，Ｖawは放電させないで、壁電荷を形成させるため、低い電圧に設定される。
【００８１】
そして、この全書込みが終わって壁電荷が形成されると、これら電圧Ｖyw，Ｖawの印加が終わり、Ｙ電極３の印加電圧Ｖｙ，アドレス電極７の印加電圧Ｖａが夫々０Ｖになると、Ｙ電極３側の正の壁電荷とアドレス電極７側の負の壁電荷とにより、Ｙ電極３に＋電圧が、アドレス電極７に−電圧が夫々印加されたのと同等の状態となり、これにより、Ｙ電極３，アドレス電極７間で放電▲５▼が発生する。これが自己消去放電であって、Ｙ電極３とアドレス電極７に形成された壁電荷により、放電が発生し、正負の荷電粒子が放電空間１１内に発生する。このままの印加状態が進むと、放電空間１１ないでこれら正負の荷電粒子の中和が進むが、これが進む前に直ちにＹ電極３に所定の負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyb）を、また、同時に、アドレス電極７に所定の正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖab）を印加することにより、Ｙ電極３側に正の荷電粒子が、また、アドレス電極７側に負の荷電粒子が夫々引き寄せられる。このようにして、全てのセルでＹ電極３側に正の壁電荷が形成され、アドレス電極７側に負の壁電荷が形成されることになる。これが、全書込み期間ＴWにおける主要な全書込み動作となる。
【００８２】
以上で全書込み期間ＴWが終了し、次のアドレス放電期間ＴAに入るのであるが、ここでは、このアドレス放電期間ＴAでアドレス点灯セル選択法が用いられる。これは、放電維持期間ＴSで点灯セルとなるセルに、アドレス放電により壁電荷を生じさせるものである。上記の全書込みにより、Ｙ電極３に正の壁電荷が保持されているが、アドレスした後の放電維持期間ＴSでは、まず、負の壁電荷が形成されたＹ電極に負の電圧Ｖｙを印加することにより、順バイアスして点灯セルを発生させて、上記のように、Ｘ電極２との間で狭パルス放電を発生させる。アドレス期間ＴAで消灯セルを選択させている場合、Ｙ電極３に正の壁電荷が保持されているため、負の電圧Ｖｙを印加しても、逆バイアスとなり、かかる狭パルス放電は発生しない。
【００８３】
アドレス点灯セル選択法としては、アドレス次において、Ｙ電極３に正の電圧Ｖｙ（＝＋Ｖya）を、アドレス電極７に負の電圧Ｖａ（＝−Ｖaa）を夫々印加し、これらＹ電極３とアドレス電極７との間で放電▲６▼を発生させるものである。この放電▲６▼は、まず、Ｙ電極３と０Ｖのメタル隔壁１６との間で発生し、これが負の電圧のアドレス電極７に拡がるものである。かかる放電▲６▼により、Ｙ電極３側に負の壁電荷が、アドレス電極７側に正の壁電荷が形成される。しかる後、Ｙ電極３に所定の負の電圧Ｖｙが、また、アドレス電極７に所定の正の電圧Ｖａが夫々印加され、アドレス放電期間ＴAが完了する。
【００８４】
次に、放電維持期間ＴSになると、図２で説明したように、Ｙ電極３に負の電圧が印加される。これにより、点灯セルには、壁電荷・壁電圧が形成され、Ｙ電極３と中間電極１８との間で充電が行なわれ、充分な印加電圧が発生する。放電が生じてＹ電極３とＸ電極２との間で狭パルス放電▲７▼が生じ、紫外線が発生して可視光が発光する。この狭パルス放電▲７▼が終了すると、Ｘ電極２側に負の壁電荷が生じ、次いで、Ｘ電極２に負の電圧Ｖｘを印加して同様の狭パルス放電▲８▼を生じさせる。以下、同様にして、かかる動作を所定回数繰り返し、サステイン狭パルス放電法による放電を終了する。
【００８５】
サステイン狭パルス放電法による放電が終了した時点では、Ｘ電極２側に正の壁電荷が、Ｙ電極３側に負の壁電荷が夫々保持されており、かかる壁電荷のうち、Ｙ電極２側の負の電荷を取り除くために、消去細線消去法が用いられる。この消去細線消去法は、Ｙ電極３に負電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）の短パルスを印加するものである。この負電圧Ｖｙにより、放電が発生し、短時間で印加電圧を取り除くため、壁電荷が形成されず、Ｙ電極３から負の壁電荷が夫々取り除かれ、放電空間１１内で結合して中和される。この負電圧の期間が長いと、新たに生じた荷電粒子がＸ電極側に負の壁電荷を、Ｙ電極３側に正の壁電荷を夫々形成することになる。これを防止するために、Ｙ電極３に印加するこの負電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）を短パルスとするものである。
【００８６】
以上により、フィールド期間Ｆ内の第１のサブフィールドＳＦ１の駆動動作が完了する。従来のプラズマディスプレイパネルでは、この第１のサブフィールドＳＦ１に続く他のサブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，ＳＦ４，……においても、以上説明した駆動方法が採られるが、上記の全書込み期間の初期の全書込みでは、で強い放電が行なわれるため、放電空間１１内で強い紫外線が発生し、蛍光体１０が励起されてかなりの量の可視光が発生する。このため、表示画面のコントラストが低下するという問題があった。
【００８７】
そこで、本発明では、各フィールドＦの最初のサブフィールドＳＦ１では、上記の駆動方法を採用するが、これに続くサブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，ＳＦ４，……では、全書込み期間で強い放電を発生せず、自己消去放電のみによる全書込みが行なっている。点灯する最初のサブフィールドがフィールドの最初のサブフィールドＳＦ１でない場合には、次のサブフィールドＳＦ２とする。
【００８８】
即ち、図１０において、全書込み期間では、必ずしも初期の書込みをせず、新たに荷電粒子を生じさせるものではない。放電維持期間ＴSの最後に行なわれる消去細線消去法を行なう期間で発生する荷電粒子を用いている。Ｙ電極３に印加する負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖye）の印加時間（パルス期間）をＸ電極側２から正の壁電荷が、Ｙ電極３側から負の壁電荷を夫々取り除く程度の短い期間、例えば、０．４μｓｅｃ程度とし、荷電粒子を発生させている。これにより、Ｘ電極側２から取り除かれた正の壁電荷やＹ電極３側から取り除かれた負の壁電荷が、互いに中和されずに、放電空間１１内に存在する状態が生じ、かかる状態で次のサブフィールドＳＦの全書込み期間に移るようにするものである。
【００８９】
そこで、この全書込み期間では、新たに荷電粒子を形成せず、放電空間１１内に存在する電荷を利用するものであって、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ(＝−Ｖyw）を印加し、これと同時に、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）を印加することにより、Ｙ電極３側に放電空間１１内に存在する＋電荷を集めて正の壁電荷とし、アドレス電極７側に放電空間１１内に存在する−電荷を集めて負の壁電荷とする。このようにして、強い放電を起こさせることなく、Ｙ電極３側，アドレス電極７側に夫々所定の壁電荷を生じさせるものであり、このためにＹ電極３側とアドレス電極７とに印加される電圧は夫々、
−Ｖyw＝−２００Ｖ，＋Ｖaw＝＋８０Ｖ
程度であり、第１のサブフィールドＳＦ１の場合の最初の印加電圧よりも充分低いものとなる。また、放電空間１１での電荷を電極に引き付けて壁電荷とするためには、ある程度パルス幅の長い電圧を印加することが必要であり、かかるＹ電極３への負の電圧Ｖｙ（＝−Ｖyw）やアドレス電極７への正の電圧Ｖａ（＝＋Ｖaw）の印加時間は、例えば、３０〜１００μｓｅｃ程度に設定される。
【００９０】
このようにして、全書込み時の発光を抑圧してＹ電極３側とアドレス電極７とに所望の壁電荷を生じさせてコントラストを向上させることができる。これ以降の駆動動作は、第１のサブフィールドの場合と同様である。
【００９１】
図１１は上記実施形態の駆動方法の他の実施形態を示す図であって、アドレス放電期間ＴA でアドレス消灯セル選択法を用いるものである。これ以外は、図１０に示した具体例と同様である。
アドレス消灯セル選択法とは、放電維持期間ＴS で点灯させないセルを選択するもので、即ち、消灯させるセルの壁電荷を取り除くようにするものである。
【００９２】
図１１において、自己消去放電▲５▼までは、図１０に示した具体例と同様である。この放電▲５▼により、Ｙ電極３から正の壁電荷が、アドレス電極７から負の壁電荷が夫々離れていき、荷電粒子として放電空間１１内に存在するようになる。このままの状態が続くと、これら正負の荷電粒子の中和が進むが、これが進む前に、Ｙ電極３に正の電圧Ｖｙ（＝＋Ｖyb'）を、アドレス電極７に負の電圧Ｖａ（＝−Ｖab'）を夫々印加すると、Ｙ電極３に負の荷電粒子が、アドレス電極７に正の荷電粒子が夫々引き寄せられる。これにより、Ｙ電極３側に負の壁電荷が、アドレス電極７側の正の壁電荷が夫々形成されることになる。
【００９３】
全てのセルがかかる壁電荷を有する状態となるが、かかる状態では、全てのセルが放電維持期間ＴS で点灯可能な状態となっている。アドレス放電期間ＴAでは、アドレス消灯セル選択法により、これらセルのうちで点灯させないセル（消灯セル）の壁電荷を取り除いて点灯できないような状態にするものである。
【００９４】
即ち、図１１において、上記の全書込み自己消去放電が終了すると、アドレス放電期間ＴAでは、放電維持期間ＴSで点灯させないセルに対し、アドレス時において、Ｙ電極３に負の電圧Ｖｙ(＝−Ｖya'）を印加し、アドレス電極７に正の電圧Ｖａ(＝＋Ｖaa'）を印加することにより、これらＹ電極３，アドレス電極７で図１０の場合と同様の放電▲６▼’が発生し、Ｙ電極３の壁電荷が正の壁電荷、アドレス電極７の壁電荷が負の壁電荷となる。これにより、このセルのＹ電極３上には、順バイアスとなる負の壁電荷が除去され、放電維持期間ＴSで狭パルス放電を発生することができず、点灯することができない消灯セルとなる。
【００９５】
また、放電維持期間ＴS で点灯させる放電セルについては、アドレス放電期間ＴAでは行なわれない。このため、このセルでは、Ｙ電極３側で負の壁電荷が保持された状態のままであり、図１０で説明したように、放電維持期間ＴS で点灯可能となる。
【００９６】
なお、図１０及び図１１においては、消去期間ＴEをサブフィールドＳＦｎの最後の期間としたが、最初の期間としてもよい。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、狭パルス放電によって発光させるものであるから、高い発光効率と同時に、高輝度を得ることができ、消費電力の大幅な低減が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第１の実施形態を示す図である。
【図２】第１の実施形態の駆動動作を示す図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルと第１の実施形態とでの放電電流を対比して示す図である。
【図４】第１の実施形態での表示電極と中間電極との容量結合を大きくするための手段の一具体例を示す平面図である。
【図５】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２の実施形態を示す図である。
【図６】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３の実施形態の要部を示す図である。
【図７】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第４の実施形態の要部を示す図である。
【図８】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第５の実施形態の要部を示す図である。
【図９】本発明によるプラズマディスプレイパネルの第６の実施形態の要部を示す図である。
【図１０】表示装置に用いた本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の一具体例を示す図である。
【図１１】表示装置に用いた本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の他の具体例を示す図である。
【図１２】従来のプラズマディスプレイパネルの構造の一部を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示すプラズマディスプレイパネルでの各電極の配線を示す図である。
【図１４】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの１フィールドでの駆動方法を示す図である。
【図１５】図１４におけるサブフィールドの構成を示す図である。
【図１６】メタル隔壁を用いたプラズマディスプレイパネルの１セル分を示す縦断面図である。
【図１７】図１６で分断線Ｚ−Ｚ側から背面基板側をみたメタル隔壁の構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 前面ガラス基板
２ Ｘ電極
３ Ｙ電極
６ 背面ガラス基板
７ アドレス電極
１０ 蛍光体
１１ 放電空間
１６ メタル隔壁
１６ａ 突出部
１８ 中間電極
２０ 中空部
２１〜２３ 突出部
２４ 導体層
２５，２６ 突起部
２７ 導体層
２８ 突出部
２９ 蛍光体
Claims (14)
- セル毎に、第１，第２の表示電極が互いに平行に配置され、かつ該第１，第２の表示電極間に透明な中間電極が配置されてなる前面基板と、
該セル毎に、該第１，第２の表示電極と交差する方向にアドレス電極が配置されてなる背面基板と、
該前面基板と該背面基板との間に配置され、かつ該中間電極と交差する部分を有して該セルの放電空間を形成し、所定の電位が印加されるメタル隔壁と、
該放電空間内に設けられた蛍光体と
を有し、
該中間電極と該メタル隔壁は、該中間電極と該メタル隔壁間の該交差部分での浮遊容量が、該表示電極と該メタル隔壁間の浮遊容量よりも大きくなるように配置され、該中間電極の電位が該メタル隔壁の電位によって保持されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１において、
前記第１，第２の表示電極間の放電電流が駆動電圧の印加開始部分のほぼ２００μｓｅｃの期間内で発生することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１または２において、
前記第１，第２の表示電極のいずれか一方をアノード駆動するとき、他方がカソード駆動するようにして、これらを交互にアノード駆動，カソード駆動し、前記中間電極を常時アノード駆動する手段を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１または２において、
前記第１，第２の表示電極を、これらのいずれか一方をアノード駆動するとき、他方がカソード駆動するようにして、これらを交互にアノード駆動，カソード駆動し、前記メタル隔壁を常時アノード駆動する手段を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項３または４において、
前記アノード駆動は零ボルトの電圧を印加するものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１〜５のいずれか１つにおいて、
前記中間電極を前記第１，第２の表示電極に近接させる手段を設けたこと特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項６において、
前記手段は、前記第１，第２の表示電極に設けた前記中間電極側に突出した突出部であること特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項６において、
前記手段は、前記中間電極に両側面に設けられ、前記第１，第２の表示電極側に突出した突出部であること特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１〜８のいずれか１つにおいて、
前記中間電極と前記第１，第２の表示電極との距離が５０〜１００μｍであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１〜９のいずれか１つにおいて、
前記メタル隔壁は、前記中間電極と交差する部分で該中間電極側に突出した突出部であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１〜５のいずれか１つにおいて、
前記中間電極と前記メタル隔壁とが交差する部分で前記中間電極と前記メタル隔壁との間の前記前面基板側に配置された導体層を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１１において、
前記導体層は、前記中間電極に積層して設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１１または１２において、
前記中間電極を覆う誘電体層に突出部が設けられ、該突出部内に前記導体層が配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項１〜１３のいずれか１つにおいて、
前記メタル隔壁と前記アドレス電極との交差位置において、前記メタル隔壁と前記アドレス電極との間に中空部が存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
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