JP4133586B2

JP4133586B2 - 平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイ

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Publication number: JP4133586B2
Application number: JP2003146798A
Authority: JP
Inventors: 行雄川口; 篤志人見; 一満田中; 孝雄松本; 正弘伊東; 賢一神宮寺; 勤小柳
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-05-23
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2008-08-13
Anticipated expiration: 2023-05-23
Also published as: JP2004349178A; CN1795526A; CN100538983C; US20070007875A1; WO2005006383A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、平面パネル用ディスプレイ用スペーサ基材の製造方法、平面パネルディスプレイスペーサ、及び、平面パネルディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）は、従来の陰極線管（ＣＲＴ）を応用した自発光型の平面パネルディスプレイとして知られている。ＦＥＤは多くの陰極（電界放出素子）を二次元状に配列してなる陰極構造体を備えており、減圧環境下において陰極から放出される電子を、各蛍光画素領域に衝突させて発光画像を形成している。蛍光画素領域は燐層を含んでなる。
【０００３】
この平面パネルディスプレイは、陰極構造体を有する背板を備えている。このような平面パネルディスプレイの一例は特許文献１に記載されている。このディスプレイの背板はガラス板上に陰極構造体を堆積することによって形成される。
【０００４】
この平面パネルディスプレイは燐層が堆積されたガラス面板を備えている。ガラスまたは燐層の上には電界印加用の導電性層が堆積される。
【０００５】
面板は背板から０．１ｍｍ〜１ｍｍ乃至２ｍｍ離間されている。面板と背板との間には壁体からなる短冊状スペーサが垂直に介在している。このスペーサは正確な位置に配置されることが望ましいが、ディスプレイ内を減圧すると、大気圧によってスペーサには大きな荷重が加えられる。
【０００６】
この荷重は１０インチのディスプレイでは１トンにも達するといわれている。この荷重によって、スペーサが不整列状態になったり傾斜したりすると、放出された電子が偏向し、ディスプレイ上に目視可能な欠陥が生じる。スペーサは面板及び背板間の非常に大きな圧縮力に耐える必要があり、スペーサ毎の高さは等しく、且つ、平坦である必要もある。また、スペーサの熱膨張率は面板としてのガラス板に近く、且つ、温度依存性も小さくなければならないとされている。
【０００７】
また、面板と背板との間には例えば１ｋＶ以上の高電圧が印加されるので、スペーサには高電圧に対する耐性と２次放射特性が要求される。従来のスペーサとしては、アルミナからなる絶縁材料を導電材料でコーティングしてなるものや（例えば、特許文献２〜３参照）、酸化物微粒子等により形成された凹凸膜を有するもの（例えば、特許文献４参照）や、遷移金属酸化物が分散されたセラミックよりなるもの（例えば、特許文献５参照）等が知られている。
【特許文献１】
米国特許第５５４１４７３号明細書
【特許文献２】
特表２００２−５０８１１０号公報
【特許文献３】
特表２００１−５０８９２６号公報
【特許文献４】
特開２００１−６８０４２号公報
【特許文献５】
特表平１１−５００８５６号公報
【特許文献６】
特表２００２−５１５１３３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のスペーサを用いた場合には画像の歪み等が発生する場合があった。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、画像の歪み等の発生を低減できる平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、その製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は鋭意検討した結果、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を所定の比率で含有する焼結体がスペーサ基材として好適であることを見出し、本発明に想到するに至った。
【００１０】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材は、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含む焼結体を有し、この焼結体はＡｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む。
【００１１】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の製造方法は、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末を、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末の全重量に対してＴｉＣ粉末が６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂粉末が１．０〜２．５重量％となるように混合して混合物を得る工程と、上記混合物を焼成し焼結体を得る工程と、を含む。
【００１２】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサは、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成されると共に、陰極構造体を有する背板と蛍光画素領域を有する面板との間に介在される。
【００１３】
本発明に係る平面パネルディスプレイは、陰極構造体を有する背板と、光画素領域を有する面板と、上記背板及び上記面板間に介在されると共にＡｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成された平面パネルディスプレイ用スペーサと、を備える。
【００１４】
これらの発明において、焼結体はＴｉＣとＡｌ₂Ｏ₃とを含む複合セラミクスであり、このような複合セラミクスは高硬度の導電性セラミクスであるアルティック（ＡｌＴｉＣ）の性質を示し、圧縮力による変形に耐えることができる。このため、このような焼結体であるスペーサ基材を平面パネルディスプレイ用スペーサとすると、画像の歪み等を低減することができる。
【００１５】
さらに、この焼結体は、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含んでいる。このような焼結体は、この焼結体に印加する電界を０〜１００００Ｖ／ｍｍ程度の範囲で変化させて比抵抗値を測定した場合に、電界が大きくなるにつれて比抵抗値が漸減し、この範囲におけるある電界の大きさを超えると急激に比抵抗値が低下するようなことがない。また、この範囲内でＴｉＣやＴｉＯ₂の組成を変動させることにより、比抵抗値が約１．０×１０⁶Ω・ｃｍ〜１．０×１０¹¹Ω・ｃｍとなるような焼結体を、容易に得ることができる。このため、このような焼結体を有するスペーサ基材を平面パネルディスプレイ用スペーサとすると、電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電が起こりにくくなると共に過電流が流れることによる熱暴走も抑制され、平面パネルディスプレイにおける画像の歪み等をより低減することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
まず、本実施形態に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材及びその製造方法について説明する。本実施形態においては、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材として、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナ）、ＴｉＣ（炭化チタン）、及び、ＴｉＯ₂（チタニア）を含有し、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対してＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む複合セラミクス焼結体を用いる。
【００１８】
このようなスペーサ基材は、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂の粉末を、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末の全重量に対してＴｉＣ粉末を６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂粉末を１．０〜２．５重量％含むように混合し、成形し、成形体を所定の温度で焼成し、放冷することにより得られる。
【００１９】
以下に、本実施形態に係るスペーサ基材の製造方法について詳しく説明する。まず、原料となる、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末を用意する。ここで、原料のＡｌ₂Ｏ₃粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜１μｍ、特に０．４〜０．６μｍであることが好ましい。またＴｉＣ粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜３μｍ、特に０．５〜１．５μｍであることが好ましい。また、ＴｉＯ₂粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜３μｍ、特に０．５〜１μｍであることが好ましい。
【００２０】
そして、これらの粉末の各々を、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末の全重量に対して、ＴｉＣ粉末を６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂粉末を１．０〜２．５重量％含むように混合し、混合粉末を得る。
【００２１】
ここで、粉末の混合は、ボールミルやアトライター中で行うことが好ましい。また、好適に混合すべく、水以外の、例えば、エタノール、ＩＰＡ、９５％変性エタノール等を溶剤として用いることが好ましい。また、１０〜１００時間程度混合することが好ましい。なお、ボールミルやアトライター中の混合メディアとしては、例えば、直径１〜２０ｍｍ程度の、アルミナボールや、ジルコニアボールを使用することが好ましい。
【００２２】
次に、混合された混合粉末を、スプレー造粒する。ここでは、例えば、酸素をほとんど含まない窒素やアルゴン等の不活性ガスの、６０〜２００℃程度の温風中で噴霧乾燥すればよく、これによって、上記の組成の混合粉末の造粒物が得られる。ここで、例えば、造粒物の粒径は、５０μｍ〜２００μｍ程度が好ましい。
【００２３】
次に、必要に応じて溶剤等を添加して造粒物の液体含有量の調節を行い、０．１〜１０重量％程度、造粒物中に溶剤が含まれるようにする。
【００２４】
次に、この造粒物を所定の型内に充填し、冷間プレスにより一次成形を行って成形体を得る。ここでは、例えば、内径１５０ｍｍの円板形成用の金属製あるいはカーボン製の型内に造粒物を充填し、例えば、５〜１５ＭＰａ（５０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ²）程度の圧力で冷間プレスすればよい。
【００２５】
続いて、一次成形された成形体をホットプレスし焼結体を得る。ここで、例えば、焼成温度を１２００〜１７００℃、圧力を１０〜５０ＭＰａ（１００〜５００ＭＰａ）、雰囲気を真空、窒素、アルゴン中とすることが好ましい。なお、非酸化性雰囲気とするのは、ＴｉＣの酸化を防ぐためである。また、カーボン製の型を用いることが好ましい。焼結時間は１〜３時間程度が好ましい。
【００２６】
そして、外観等を検査した後に、ダイヤモンド砥石等によって機械仕上げ加工を行い、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材が完成する。最終的な平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の具体的形状は、例えば、直径６インチ、厚み２ｍｍ程度の円板状の基板である。
【００２７】
このようにして得られるスペーサ基材は、ＴｉＣとＡｌ₂Ｏ₃とを含む複合セラミクス焼結体であるので高硬度の導電性セラミクスであるアルティック（ＡｌＴｉＣ）の性質を示し、圧縮力による変形に耐えることができる。このため、平面パネルディスプレイのスペーサとして用いると、スペーサが不整列状態になったり傾斜したりしにくくなり、画像の歪みが低減される。
【００２８】
さらに、このスペーサ基材は、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣの含有量が６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂の含有量が１．０〜２．５重量％となる焼結体である。このようなスペーサ基材は、このこのスペーサ基材に印加する電界を０〜１００００Ｖ／ｍｍ程度まで変化させて比抵抗値を測定すると、この範囲内では電界が大きくなるにつれて比抵抗値が漸減し、この範囲内におけるある電界の大きさを超えると急激に比抵抗値が低下するようなことがない。また、この範囲内でＴｉＣやＴｉＯ₂の組成を変動させることにより、比抵抗値が約１．０×１０⁶Ω・ｃｍ〜１．０×１０¹¹Ω・ｃｍとなるようなスペーサ基材を、容易に得ることができる。
【００２９】
このため、このようなスペーサ基材を平面パネルディスプレイのスペーサとして用いると、電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電が起こりにくくなる。このため、帯電による電子軌道の偏向が抑制されると共に、過電流が流れることによる熱暴走も抑制され、平面パネルディスプレイにおける画像の歪み等をより低減することができる。
【００３０】
ここで、ＴｉＣの含有量が６．５重量％を下回る、または、１０重量％を超えると、電界が１００００Ｖ／ｍｍに達する前に、比抵抗値が急減する。また、ＴｉＯ₂の含有量が１．０重量％を下回る、または、２．５重量％を超えると、スペーサ基材の比抵抗値を、スペーサの比抵抗値として好適とされる１．０×１０⁶〜１．０×１０¹¹Ω・ｃｍとすることが困難となる。そして、例えば、比抵抗値がこの範囲を超えて高くなりすぎると、帯電が起こりやすくなって歪み等が発生する場合がある。また、比抵抗値がこの範囲を下回って低くなりすぎると、過電流が流れて熱暴走する場合がある。
【００３１】
なお、本実施形態に係る焼結体の組成範囲では、例えば、ＴｉＣやＴｉＯ₂の組成が変動した場合における、焼結体の比抵抗値の変動が比較的少ない。このため、１×１０⁶〜１×１０¹¹Ωｃｍ程度の比抵抗値のスペーサ基材を、比抵抗値のバラツキを少なくしつつ高い歩留まりで容易に製造することができる。
【００３２】
次に、本実施形態に係るスペーサ基材の実施例について説明する。
【００３３】
（実施例１−１〜実施例１−４）
まず、Ａｌ₂Ｏ₃粉末（平均粒径０．５μｍ、純度９９．９％）、ＴｉＣ粉末（平均粒径０．５μｍ、純度９９％、炭素含有量１９％以上でその１％以下は遊離黒鉛である）、及び、ＴｉＯ₂粉末（平均粒径０．１μｍ）を各々所定量秤量し、ボールミル中でエタノールと共に３０分粉砕混合し、窒素中で１５０℃でスプレー造粒し造粒物を得た。ここで、実施例１−１〜実施例１−４において、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末を合わせた全重量に対して、ＴｉＯ₂粉末の含有量をいずれも１．０重量％とした。また、全重量に対するＴｉＣ粉末の含有量を、実施例１−１において１０．０重量％、実施例１−２において８．０重量％、実施例１−３において７．０重量％、実施例１−４において６．５重量％とした。
【００３４】
続いて、これらの混合物を各々約０．５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ²）で一次成形し、ホットプレス法によって真空雰囲気で１時間、焼結温度１６００℃、プレス圧力約３０ＭＰａ（約３００ｋｇｆ／ｃｍ²）で焼成し各々の実施例についてスペーサ基材を得た。
【００３５】
（比較例１−１、比較例１−２）
全重量に対するＴｉＯ₂の含有量を何れも実施例１−１と同様に１．０重量％とする一方、全重量に対するＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％とする以外は、実施例１−１と同様にして比較例１−１、比較例１−２のスペーサ基材を得た。実施例１−１〜実施例１−４と、比較例１−１、比較例１−２における各成分の組成ついて図１の表に示す。
【００３６】
（実施例２−１〜実施例２−４）
ＴｉＯ₂の含有量を全て１．５％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例２−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例２−１〜実施例２−４のスペーサ基材を各々得た。
【００３７】
（比較例２−１、比較例２−２）
ＴｉＯ₂の含有量を何れも実施例２−１と同様に１．５重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−１、比較例２−２のスペーサ基材を得た。実施例２−１〜実施例２−４と、比較例２−１、比較例２−２における各成分の組成ついて図２の表に示す。
【００３８】
（実施例３−１〜実施例３−４）
ＴｉＯ₂の含有量を全て２．０重量％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例３−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例３−１〜実施例３−４のスペーサ基材を各々得た。
【００３９】
（比較例３−１、比較例３−２）
ＴｉＯ₂の含有量を何れも実施例３−１と同様に２．０重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例３−１と同様にして比較例３−１、比較例３−２のスペーサ基材を得た。実施例３−１〜実施例３−４と、比較例３−１、比較例３−２における各成分の組成ついて図３の表に示す。
【００４０】
（実施例４−１〜実施例４−４）
ＴｉＯ₂の含有量を全て２．５重量％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例４−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例４−１〜実施例４−４のスペーサ基材を各々得た。
【００４１】
（比較例４−１、比較例４−２）
ＴｉＯ₂の含有量を何れも実施例３−１と同様に２．５重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例４−１と同様にして比較例４−１、比較例４−２のスペーサ基材を得た。実施例４−１〜実施例４−４と、比較例４−１、比較例４−２における各成分の組成ついて図４の表に示す。
【００４２】
（比較例５−１〜比較例５−５）
ＴｉＯ₂の含有量を全て０．５重量％とすると共にＴｉＣの含有量を実施例５−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％、６．０重量％、とする以外は実施例１−１と同様にして、比較例５−１〜比較例５−５のスペーサ基材を各々得た。比較例５−１〜比較例５−５における各成分の組成について図５の表に示す。
【００４３】
（比較例６−１〜比較例６−５）
ＴｉＯ₂の含有量を３．０重量％とすると共にＴｉＣの含有量を実施例６−１から順に、１２．０重量％、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％、６．０重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、比較例６−１〜比較例６−７のスペーサ基材を各々得た。比較例６−１〜比較例６−５における各成分の組成について図６の表に示す。
【００４４】
また、このようにして得られた各スペーサ基材について、種々の電界を印加することにより測定されたスペーサ基材の比抵抗値を図１〜図６の表に各々示す。また、ＴｉＯ₂の含有量が１．５重量％であるスペーサ基材（実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２）における、印加する電界と比抵抗値との関係を図７に示す。さらに、ＴｉＣの含有量およびＴｉＯ₂の含有量と、１００００Ｖ／ｍｍの電界を印加した時のスペーサ基材の比抵抗値と、の関係を図８に示す。
【００４５】
図７よりわかるように、ＴｉＣの含有量が６重量％以下となる場合（比較例２−１）やＴｉＣの含有量が１２重量％以上となる場合（比較例２−２）は、０〜１００００Ｖ／ｍｍの電界の大きさの範囲内で、電界の大きさが所定の値を超えると比抵抗値が急減してしまうのに対し、ＴｉＣの含有量が６．５％重量以上１０重量％以下（実施例２−１〜実施例２−４）であれば、電界が０〜１００００Ｖ／ｍｍの範囲内で、比抵抗値は急減せず漸減するのみである。
【００４６】
このことは、ＴｉＯ₂の含有量を１．０％にした場合（実施例１−１〜実施例１−４、比較例１−１、比較例１−２）、ＴｉＯ₂の含有量を２．０％にした場合（実施例３−１〜実施例３−４、比較例３−１、比較例３−２）、ＴｉＯ₂の含有量を２．５％にした場合（実施例４−１〜実施例４−４、比較例４−１、比較例４−２）等でも各々同様であることが図１から図６の表によって理解される。
【００４７】
一方、図８より明らかなように、ＴｉＣの含有量が６．５％重量以上１０重量％以下である場合、比較例５−１〜比較例５−５のようにＴｉＯ₂の含有量が０．５重量％以下となる場合や、比較例６−１〜比較例６−５のようにＴｉＯ₂の含有量が約３．０重量％以上となる場合には、スペーサ基材の比抵抗値を、平面パネルディスプレイ用スペーサとして好ましい比抵抗値である１．０×１０⁶Ω・ｃｍ〜１．０×１０¹¹Ω・ｃｍにすることが困難である。
【００４８】
これに対して、実施例１−１〜実施例１−４、実施例２−１〜実施例２−４、実施例３−１〜実施例３−４、実施例４−１〜実施例４−４、のように、ＴｉＯ₂の含有量が１．０重量％以上かつ２．５重量％以下の場合には、ＴｉＣやＴｉＯ₂の組成をこの範囲で調節することによりスペーサ基材の比抵抗値を平面パネルディスプレイ用スペーサとして好ましい比抵抗値である１．０×１０⁶Ω・ｃｍ〜１．０×１０¹¹Ω・ｃｍにすることができる。
【００４９】
また、上述の実施例のスペーサ基材は、密度３．９〜４．２ｇ／ｃｍ²、ビッカーズ強度２０００〜２２００（Ｈｖ２０）、抗折強度５００〜８００ＭＰａ、ヤング率３８０〜４１０ＧＰａ、熱伝導率２２〜３３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数７．０×１０^-6〜７．３×１０^-6[１／℃]であって、強度等いずれの観点からも、平面パネルディスプレイのスペーサ基材として好ましいことが確認された。
【００５０】
さらに、本実施形態に係る焼結体の組成範囲では、例えば、ＴｉＣの組成が１重量％程度変動しても、比抵抗値が１×１０²倍程度以下しか変動せず、また、ＴｉＯ₂の組成が０．５％程度変動した場合でも、比抵抗値は１×１０²倍程度以下しか変動しない。このため、ＴｉＯ₂やＴｉＣの組成に製造上の誤差等が発生しても、製造されるスペーサ基材の比抵抗値の変動が比較的少なくなる。このため、１×１０⁶〜１×１０¹¹Ωｃｍ程度の比抵抗値のスペーサ基材を高い歩留まりで容易に得ることができる。
【００５１】
次に、上述のスペーサ基材から形成される平面パネルディスプレイ用スペーサと、このスペーサが適用される平面パネルディスプレイであるＦＥＤの概要について説明する。
【００５２】
図９は平面パネルディスプレイ１０の平面図、図１０は平面パネルディスプレイ１０のＸ−Ｘ矢印断面図、図１１は平面パネルディスプレイ面板側内部構造を示す平面パネルディスプレイ側面図である。
【００５３】
ガラス製の面板１０１上には、ブラックマトリックス構造体１０２が形成されている。ブラックマトリックス構造体１０２は燐層からなる複数の蛍光画素領域を含んでいる。燐層は高エネルギー電子が衝突すると、光を放出して可視ディスプレイを形成する。特定の蛍光画素領域から発した光は、ブラックマトリックス構造を介して外部に出力される。ブラックマトリックスは、互いに隣接する蛍光画素領域からの光の混合を抑制するための格子状黒色構造体である。
【００５４】
面板１０１上には、その表面に対して垂直に立設した壁体であるスペーサ１０３−１１９が取り付けられている。
【００５５】
面板１０１上にはスペーサ１０３〜１１９（１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，１１９）を介して背板２０１が設けられる（図１０参照）。スペーサ１０３〜１１９は、面板１０１と背板２０１との間の間隔を均等に保持している。背板２０１の能動領域面は陰極構造体２０２を含んでいる。この陰極構造体２０２は電子を放出するための突起からなる陰極（電界（電子）放出素子）を複数有している。
【００５６】
陰極構造体２０２の形成領域は背板２０１の面積よりも小さい。面板１０１の外周領域と背板２０１の外周領域との間にはガラスシール２０３が介在しており、中央部に密閉室を提供している。この密閉室内は電子が飛行可能な程度に減圧されている。また、この密閉室内には、陰極構造体２０２、ブラックマトリックス構造体１０２及びスペーサ１０３〜１１９が配置されることとなる。シール２０３は融解ガラスフリットによって形成される。
【００５７】
なお、全てのスペーサ１０３〜１１９の構造は同一であるので、以下では、一つのスペーサ１０３に着目して説明を行う。
【００５８】
スペーサ（平面パネルディスプレイ用スペーサ）１０３は、図１１に示すように、その長手方向の両端に設けられた接着剤３０１，３０２によって面板１０１に固定されている。本例の接着剤３０１，３０２の材料はＵＶ硬化性ポリイミド接着剤であるが、熱硬化性接着剤または無機接着剤を使用することができる。なお、接着剤３０１，３０２はブラックマトリックス構造体１０２の外側に配置される。
【００５９】
次に、スペーサ１０３について詳説する。
【００６０】
図１２はスペーサ１０３の製造方法の一例を説明するための説明図である。このスペーサの製造方法は、上述の陰極構造体（２０２）を有する背板（２０１）と蛍光画素領域（ブラックマトリックス構造体１０２）を有する面板（１０１）との間に介在する平面パネルディスプレイ用スペーサを製造する方法である。このスペーサ１０３は、例えば、以下の工程▲１▼〜▲７▼を順次実行することによって製造することができる。
▲１▼上述の複合セラミクス焼結体の基板（平面パネルディスプレイ用スペーサ基材）Ａ１０３を用意する（図１２（ａ））。
▲２▼次に、基板Ａ１０３の両面に、膜厚が数ｎｍ〜１μｍ、材料がＴｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｐｔ等の金属からなる金属膜Ｍをスパッタリング法によって形成する（図１２（ｂ）。なお、この金属膜Ｍは分離後には金属膜ｍとして記載する。
▲３▼基板Ａ１０３の平面形状が四角形となるように周囲を切断し、周辺部を除去する（図１２（ｃ））。
▲４▼基板Ａ１０３の厚み（Ｄ）よりも小さい間隔（Ｗ）で基板を短冊状に切断し、これらの短冊体を分離し、しかる後、洗浄を行う（図１２（ｄ））。
▲５▼短冊状に切断されてなる短冊体の切断面を、全て短冊体の切断面に垂直な方向の寸法Ｗが３００±５０μｍ以内となるように同時に研磨する（図１２（ｅ））。
▲６▼スペーサ１０３の厚み方向及びスペーサ１０３の長手方向を含む平面に平行な端面上に金属膜ｅをパターニングして形成する（図１２（ｆ））。この形成には、まず、この端面を洗浄し、続いて、この端面上にスパッタリング法によってＴｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｐｔ等の金属膜を１００ｎｍ堆積し、ドライエッチング用のマスクを金属膜上にパターニングした後、イオンミリングによって当該金属膜をエッチングし、金属膜ｅを形成する。なお、金属膜ｅの長手方向はスペーサ１０３の長手方向に一致する。
【００６１】
また、厚み方向Ｄに関し、金属膜ｅのスペーサ１０３の一端部からの距離Ｄ１、金属膜ｅの寸法Ｄ２、金属膜ｅのスペーサ１０３の他端部からの距離Ｄ３は、製品公差及び誤差が±５μｍ以内となるように設定される。
▲７▼複数の短冊体の前記端面とは反対側の端面を同時に研磨し、その幅Ｗ１を５０〜１００μｍから選択される値に設定する（図１２（ｇ））。この値が小さいほどスペーサ１０３は目立たないが、圧縮力に耐えにくくなる傾向があるため、本例では５０〜１００μｍから選択して設定する。なお、上述の研磨とは、機械研磨及び／又は化学研磨を含むものとする。
【００６２】
また、いずれの工程においても、その平坦度は少なくとも５０μｍ以下に抑制される。
【００６３】
このスペーサ１０３は、上述の焼結体、すなわち、Ａｌ₂Ｏ₃とＴｉＣとＴｉＯ₂とを含み、Ａｌ₂Ｏ₃及びＴｉＣ及びＴｉＯ₂を合わせた重量を１００重量％としたときにＴｉＣを６．５重量％以上１０重量％以下、かつ、ＴｉＯ₂を１．０重量％以上２．５重量％以下含む複合セラミクス焼結体である。このため、上述したように、圧縮力による変形に耐え、また電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電や熱暴走が起こりにくくなるので、画像の歪みを効果的に抑制することができる。
【００６４】
また、このスペーサ１０３は、厚み方向の両端面に金属膜ｍを有する。この金属膜ｍは、切断前に形成された金属膜Ｍの一部分である。この金属膜ｍは、背板及び面板との接触抵抗の面内不均一性等を低減させ、スペーサ全体としての抵抗率、導電率の設定に寄与する。
【００６５】
上述のスペーサ１０３は直方体であるが、これは厚み方向及び長手方向を含む平面に平行な端面を有し、この端面上にパターニングされた金属膜ｅを有している。このパターンは内部電界分布を規定するものであるが、その基板厚み方向に沿った形成位置精度は、厚み方向の精度が高いため、元々の基板表面に形成した場合の形成位置精度よりも高くすることができる。
【００６６】
なお、上述のスペーサは反射型のＦＥＤにも適用することができる。また、上述のスペーサ基材は特性に大きな影響を与えない程度に他の材料を含んでいてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、画像の歪み等の発生をより低減できる平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、その製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１−１〜１−４、及び、比較例１−１〜１−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図２】実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図３】実施例３−１〜３−４、及び、比較例３−１〜３−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図４】実施例４−１〜４−４、及び、比較例４−１〜４−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図５】比較例５−１〜５−５のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図６】比較例６−１〜６−５のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図７】実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２におけるスペーサ基材の比抵抗と印加電圧との関係を示す図である。
【図８】ＴｉＣの添加量と印加電界１００００Ｖ／ｍｍの時のスペーサ基材の比抵抗値との関係を示す図である。
【図９】平面パネルディスプレイの平面図である。
【図１０】平面パネルディスプレイのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図１１】平面パネルディスプレイ面板側の内部構造を示す平面パネルディスプレイ側面図である。
【図１２】スペーサの製造方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１０…平面パネルディスプレイ、１０１…面板、１０２…ブラックマトリックス構造、１０２…ブラックマトリックス構造体、１０３…スペーサ（平面パネルディスプレイ用スペーサ）、２０１…背板、２０２…陰極構造体、２０３…ガラスシール、３０１，３０２…接着剤、Ａ１０３…基板（平面パネルディスプレイ用スペーサ基材）、ｅ…金属膜、Ｍ…金属膜、ｍ…金属膜。

Claims

Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含む焼結体を有し、前記焼結体はＡｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材。
Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末を、Ａｌ₂Ｏ₃粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ₂粉末の全重量に対してＴｉＣ粉末が６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂粉末が１．０〜２．５重量％となるように混合して混合物を得る工程と、
前記混合物を焼成し焼結体を得る工程と、
を含む平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の製造方法。
Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成されると共に、陰極構造体を有する背板と蛍光画素領域を有する面板との間に介在される平面パネルディスプレイ用スペーサ。
陰極構造体を有する背板と、
蛍光画素領域を有する面板と、
前記背板及び前記面板間に介在されると共に、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ₂の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ₂を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成された平面パネルディスプレイ用スペーサと、
を備える平面パネルディスプレイ。