KR100939675B1 - 디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치 - Google Patents

디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100939675B1
KR100939675B1 KR1020030039398A KR20030039398A KR100939675B1 KR 100939675 B1 KR100939675 B1 KR 100939675B1 KR 1020030039398 A KR1020030039398 A KR 1020030039398A KR 20030039398 A KR20030039398 A KR 20030039398A KR 100939675 B1 KR100939675 B1 KR 100939675B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
display device
alumina
volume resistivity
ceramics
Prior art date
Application number
KR1020030039398A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040002629A (ko
Inventor
미카키순지
토고카즈요시
요네다나오야
Original Assignee
쿄세라 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쿄세라 코포레이션 filed Critical 쿄세라 코포레이션
Publication of KR20040002629A publication Critical patent/KR20040002629A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100939675B1 publication Critical patent/KR100939675B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J5/02—Vessels; Containers; Shields associated therewith; Vacuum locks
    • H01J5/04—Vessels or containers characterised by the material thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/864—Spacers between faceplate and backplate of flat panel cathode ray tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members
    • H01J2329/864—Spacing members characterised by the material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(과제)장치의 정밀도 열화를 막는 동시에, 크랙의 발생을 방지할 수 있는 디스플레이부재 및 디스플레이장치를 제공한다.
(해결수단)전자원을 구비한 배면판(1)과 전면판(2)이 스페이서(3)를 개재해서 대향 배치되어 이루어지는 디스플레이장치에 이용되는 디스플레이장치용 부재로서, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 4O×109㎝이상 및 상온∼4OO℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃이며, 보이드점유 면적율이 6%이하인 세라믹스로 이루어진다.

Description

디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치{MEMBER FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
도 1은 본 발명의 디스플레이장치의 일실시형태를 나타내는 단면도이다.
(부호의 설명)
1:배면판 1a:음극
2:전면판 2a:형광체
3:스페이서 4:측벽
본 발명은 디스플레이장치에 이용되는 부재 및 이 부재를 이용해서 이루어지는 디스플레이장치에 관한 것으로, 특히 디스플레이장치의 배면판이나 스페이서로서 이용되는 부재에 관한 것이다.
종래부터, 플라즈마 디스플레이(PDP), 플라즈마 어드레스 액정 디스플레이(PALC), 필드 에미션 디스플레이(FED) 등의 디스플레이장치는 가스중이나 진공중에서의 형광체의 전자나 자외선에 의한 자극으로 발광해서 고정밀도의 표시장치로서 이용되고 있다.
예를 들면, 필드 에미션 디스플레이(이하, FED라고 함)는 도 1에 나타내듯이, 전자원을 구비한 배면판(1)과, 상기 배면판(1)과 스페이서(3) 및 측벽(4)을 개재해서 대향 배치된 전면판(2)으로 이루어지며, 상기 배면판(1)에 음극(1a)이 되는 전자원을, 전면판(2)에 형광체(2a) 등의 양극을 구비하고, 상기 음극으로부터 전자선을 방출시킴과 아울러 상기 형광체에 충돌시켜, 이 형광체가 발광함으로써 화상이 표시되는 구조이다.
상기 FED에 있어서의 배면판(1)이나 스페이서(3)는 FED와 발광원리가 유사한 캐소드 레이 튜브 디스플레이(이하 CRT라고 함)에 이용되는 유리제 진공관이나 액정 디스플레이(이하 LCD라고 함)의 기판기술의 응용에 의해 유리로 형성되어 있다.
이 배면판(1)이나 스페이서(3)를 구성하는 것으로서, 특허문헌1에는 Al2O3를 10∼50몰%, CaO를 20∼70몰%, SiO2, MgO, SrO, BaO, ZnO, TiO2, Y2O3 , La2O3를 25몰%이하, ZrO2, Li2O, Na2O, K2O를 15몰%이하 함유한 기판용 유리로 이루어지며, 영률 83∼124GPa, 비강성 33.4∼38.6×109㎝ 및 50∼350℃에서의 선팽창계수 8.4∼9.7×10-6/℃가 나타내어져 있다.
특허문헌2에는, 보다 높은 기계적 강도를 제공하는 것으로서, 주 결정상으로서 2규산리튬(Li2O·2SiO2)을 함유하고, 또한 Li2O의 함유량이 산화물질량 환산으로 4∼8중량%인 유리 세라믹스로 이루어지고, 영률 95∼120GPa, 비강성 39.4∼47.1×109㎝, 및 -50∼70℃에서의 선팽창계수 6.5∼13.0×10-6/℃가 나타내어져 있다.
특허문헌3에는, 영률 및 열전도율이 높은 것으로서, SiO2를 5O∼62중량%, P2O5를 5∼10중량% 함유해서 이루어지며, Al2O3를 22∼26중량%, Li2O를 3∼5중량%, MgO를 O.6∼2중량%, ZnO를 O.5∼2중량%, CaO를 O.3∼4중량%, BaO를 O.5∼4중량%, TiO2를 1∼4중량%, ZrO2를 1∼4중량%, As2O3를 O∼2중량% 함유해서 이루어지며, 결정 상으로서 β-석영 고용체를 함유하는 유리 세라믹스 40∼95중량%와, 탄화물을 함유하는 필러 5∼60중량%를 함유하는 복합조성으로 이루어지며, 영률이 122∼195GPa, 50∼360℃에서의 선팽창계수가 0.3∼5.O×10-6/℃, 열전도율이 2.8∼11.6W/m·K의 복합 유리 세라믹스가 나타내어져 있다.
(특허문헌1)
일본 특허공개 2001-261365호 공보
(특허문헌2)
일본 특허공개 2001-184624호 공보
(특허문헌3)
일본 특허공개 2000-95559호 공보
최근, 디스플레이의 박형화나 대형화의 요구가 높아지고 있다. 그러나, 특허 문헌1에 나타내어져 있는 부재는 영률은 어느 정도 높지만, 비강성이 33.4∼38.6×109㎝로 낮고, 또 특허문헌2에 나타내어져 있는 부재는 영률이 95∼120GPa로 낮으므로, 이들을 배면판(1)이나 스페이서(3)에 사용한 경우, 어느 것이나 자중이나 외력 등에 의해 휘어지기 쉽다라는 결점이 있다.
구체적으로는 배면판(1), 전면판(2), 스페이서(3) 및 측벽(4)을 접합할 때, 디스플레이 내부를 최고 0.133×10-3Pa정도 또는 그 이상의 진공상태로 할 필요가 있지만, 그 때 압력을 모두 견뎌낼 수 없다라는 문제가 있다.
또한, FED에서는 1개의 화소를 발광시키기 위해서 1㎛ 또는 그 이하의 작은 전자원을 복수개 사용한다. 이 때문에, 장치전체의 전자원이 상당한 수량에 달하고, CRT도 마찬가지로 필라멘트를 따뜻하게 해서 전자를 방출하는 열전자방출을 이용한 경우, 장치중의 복수개의 전자원 모두가 열원으로 되어 장치전체의 냉각의 문제가 심각해진다.
그 대책으로서, 열전자방출 이외에 그 대신으로 전계방출을 이용한 전자원(냉음극이라 함)이 사용되고 있다. 그러나, 유리는 열전도율이 3W/m·K이하로 극단적으로 낮기 때문에, 장치의 장소에 따라서는 열편차가 생기고, 화질의 열화가 발생하기 쉽다라는 문제가 있었다.
또한, FED에서는 전자원이 되는 음극을 실장하는 배면판(1)의 면정밀도를 높게 할 필요가 있지만, 영률이 낮은 종래의 유리에서는 가공정밀도가 향상되지 않는다라는 문제가 있었다.
또, 특허문헌3에 나타내어져 있는 세라믹스는, 영률은 높지만, 선팽창계수가 O.3∼5.O×1O-6/℃로 낮기 때문에, 다른 부재에 접합할 때 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화이 생기기 쉽고, 화질의 열화로 이어진다라는 문제가 있었다.
그리고 또, 배면판(1), 스페이서(3)의 체적 고유저항치는 지나치게 높으면 스페이서(3)자체에 전하가 집중되어 FED의 기능이 발휘되지 않으므로, 완전한 절연체가 아닌 약간의 도전성을 가진 재료도 필요하게 되었다. 그러나, 종래의 유리에 도전성을 가지게 한 재료에 대해서는 첨가하는 성분에 따라 영률의 저하나 비강성의 저하, 열전도율의 저하 또는 선팽창계수의 변동 등이 일어나기 쉽다라는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은 장치의 정밀도 열화를 방지함과 아울러, 크랙의 발생도 방지할 수 있는 디스플레이장치용 부재를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 높은 영률 및 비강성을 유지하고, 또한 적절한 선팽창계수를 가지면서, 적정한 도전성도 갖는 디스플레이장치용 부재를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이장치를 제공하는 것이다.
(1)상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 디스플레이장치용 부재는 전자원을 구비한 배면판과 전면판이 스페이서를 개재해서 대향 배치되어 이루어지는 디스플레이장치에 이용되는 것으로, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 4O×109㎝이상 및 상온∼4OO℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃이며, 보이드점유 면적율이 6%이하인 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 비강성(E/ρ)이란 영률을 밀도로 나눈 것으로, 재료의 변형(휘어지기 쉬움)을 제한하는 값을 말한다.
(2)바람직하게는, 본 발명의 디스플레이장치용 부재는 상기 (1)의 각 특성값에 추가로, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항치가 1×1O5∼1×1O12Ω·m이며 또한 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃인 것이 좋다.
보다 상세하게는, 상기 (1), (2)에 기재된 디스플레이장치용 부재는 하기 중 어느 하나로 구성되는 것이 바람직하다.
(3)알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종을 40∼90중량%, 일반식 ABO3(식중, A로 나타내어지는 원소는 Mg, Ca, Sr, Ba로부터 선택되는 1종, B로 나타내어지는 원소는 Ti, Si, Sn으로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 10∼6O중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(4)상기 (3)에 있어서, 상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종과 상기 일반식 ABO3로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100 중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(5)상기 (3) 또는 (4)에 있어서, 알루미나를 40∼90중량% 함유하고, 상기 일반식중, A로 나타내어지는 원소가 Ca, B로 나타내어지는 원소가 Ti인 디스플레이장치용 부재.
(6)알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상을 40∼90중량%, 일반식 MO2(식중, M으로 나타내어지는 원소는 Ti, Si, Sn, Pb로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 1O∼60중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(7)상기 (6)에 있어서, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종과 일반식 M02로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼9O중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(8)알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종을 40∼90중량%, 일반식 XO(식중, X로 나타내어지는 원소는 Mg, Ca, Sr, Ba로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 10∼6O중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(9)상기 (8)에 있어서, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종과 상기 일반식 XO로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
(10)지르코니아를 25∼55중량%, 나머지가 알루미나와 탄화티타늄으로 이루어지며, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 총합을 100중량%로 했을 때, 알루미나를 72∼93중량%, 탄화티타늄을 7∼28중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 디스플레이장치용 부재.
상기 (3)∼(8)에 관하여, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트 중에서는 알루미나가 바람직하다. 또, 일반식 ABO3, MO2 및 XO 중에서는 ABO3(특히 CaTiO3)이 영률을 높게 유지할 수 있고, 보이드 점유율이 낮기 때문에 바람직하다. 스테아타이트, 포스테라이트를 이용한 경우에는, 그 자체의 영률이 낮기 때문에 상기와 마찬가지로 ABO3(특히 CaTiO3)이 영률을 높게 유지할 수 있기 때문에 바람직하다. 일반식 MO2, XO는 특성이 거의 같다.
(11)본 발명의 디스플레이장치는, 상기 (1) 내지 (10)중 어느 하나에 기재된 디스플레이장치용 부재를 구비한 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 갖고, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 디스플레이장치용 부재를, 도 1에 나타내는 FED의 배면판(1) 및/또는 스페이서(3)에 적용한 경우를 예로 들어서 상세하게 설명한다.
본 발명의 디스플레이장치용 부재는, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 40×1O9㎝이상이다. 이것에 의해, 충격 등에 의해 발생하는 변형에 의해 장치의 정밀도가 열화하는 것을 막을 수 있다. 따라서, 배면판(1)에 음극(1a)을 형성할 때나, 스페이서(3)에 고저항 막을 형성할 때의 밀착성을 높은 것으로 할 수 있다.
또, 본 발명의 디스플레이장치용 부재는, 상온∼400℃의 선팽창계수가 7.5×10-6∼10×10-6/℃이다. 이것에 의해, 배면판(1) 및 스페이서(3)로서 이용한 경우, 전면판(2)과의 접합 시에 이용되는 접착용 유리의 선팽창계수에 가까운 값으로 되기 때문에, 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크나, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 보이드점유 면적율을 6%이하, 바람직하게는 2%이하로 함으로써 부재의 수분이나 유기부착물의 제거를 행할 때 고온중에서 열처리를 행할 수 있고, 그 때 발생하는 아웃가스의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 발명의 디스플레이장치용 부재는 -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적고유저항치가 1×1O5∼1×1O12Ω·m, 보다 바람직하게는 1×1O8∼1×1O 10Ω·m이며, 또한 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃인 것이 바람직하고, 이것에 의해 충격등에 의해 발생하는 변형에 의해 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 각 부재의 수분이나 유기부착물의 제거를 행할 때 고온중에서 열처리를 행할 수 있고, 그 때 발생하는 아웃가스의 발생을 억제할 수 있다.
여기서, FED 등의 디스플레이장치에 이용되는 디스플레이용 부재의 체적 고유저항치에 대해서 언급하면, 배면판(1)은 전자원이 되는 음극(1a)이 형성되어 있기 때문에, 도통성을 갖는 경우에 전자가 방출되지 않으므로, 절연체에 가까운 쪽이 바람직하다. 또, 스페이서(3)는 체적 고유저항치가 지나치게 낮으면, 배면판(1)에 구비된 음극(1a)과 전면판(2)에 구비된 형광체(2a) 사이에 도통이 생기고, 전계방출에 의한 전자선이 얻어지지 않게 되므로, 스페이서(3)에 있어서는 음극(1a)과 형광체(2)에 걸리는 전압을 방전하지 않는 정도의 절연성, 즉 높은 체적 고유저항을 갖는 것이 필요하게 된다. 한편, 체적 고유저항치가 지나치게 높으면, 스페이서(3)자체에 전하가 집중하여 FED의 기능이 발휘되지 않으므로, 완전한 절연체가 아닌 약간의 도전성을 가진 재료도 필요하게 되었다. 그 때문에, 배면판(1) 및 스페이서(3)는 FED의 구조나 전자원의 방식, 음극과 양극간에 걸리는 전압 등에 따라 조건은 다르지만, 절연성 내지 약간의 도전성을 갖는 것이 바람직하다.
이러한 디스플레이장치용 부재의 하나는 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종을 40∼90중량%, 일반식 ABO3(식중, A 및 B는 상기와 같다.)를 10∼60중량% 함유한 세라믹스로 형성할 수 있다.
이것에 의해, 디스플레이장치용 부재의 체적 고유저항을 절연체와 도전체의 중간 또는 그 이상으로 할 수 있다. 또, 세라믹스의 온도에 의해 체적 고유저항이 변동하는 폭이 대폭 저감되기 때문에, 전자원으로부터 전자를 방출해서, 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 가지며, 부재가 이용되는 디스플레이장치의 전자원의 방식, 음극과 양극간에 걸리는 전압의 크기 등에 의해, 약간의 도전성을 갖는 원하는 체적 고유저항치를 갖는 부재를 얻을 수 있다.
구체적으로는, 상기 배면판(1) 및 스페이서(3)의 주성분을 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트 중 적어도 1종의 함유량을 40∼90중량%로 함으로써, 선팽창계수를 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃로 설정할 수 있다. 이 때문에, 배면판(1) 및 스페이서(3)로서 이용한 경우, 전면판(2)과의 접합 시에 이용되는 접착용 유리의 선팽창계수와 가까운 값이 되기 때문에, 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크나, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다. 선팽창계수를 낮게 설정하고 싶은 경우에는 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트 중, 알루미나단체만 혹은 알루미나의 함유량을 많이 하면 좋고, 반대로, 선팽창계수를 높게 설정하고 싶은 경우에는 포스테라이트단체만, 스테아타이트단체만, 혹은 포스테라이트, 스테아타이트의 함유량을 많이 하면 좋다. 이들의 비율은, 본 발명의 특성을 만족시키는 범위로 적당히 설정된다.
특히 알루미나 40∼90중량%, 상기 일반식중, A로 나타내어지는 원소가 Ca, B로 나타내어지는 원소가 Ti인 CaTiO3 1O∼6O중량%로 이루어지는 세라믹스인 경우에 는 보다 고강도이며, 또한 약간의 도전성을 갖는 원하는 체적 고유저항치를 갖는 부재를 얻을 수 있다. 즉, 얻어지는 디스플레이장치용 부재는, 영률(E)을 20OGPa이상, 비강성(E/ρ)을 60×1O9㎝이상, 표면에 있어서의 보이드점유 면적율을 2%이하로 할 수 있다. 또한, 상기 세라믹스는 절연체와 도전체의 중간 또는 그 이상의 체적 고유저항을 갖는 동시에, 온도에 의해 체적 고유저항이 변동하는 폭이 대폭 저감되기 때문에, 전자원으로부터 전자를 방출해서 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 또한 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 갖고, 부재가 이용되는 디스플레이장치의 전자원의 방식, 음극과 양극간에 걸리는 전압의 크기 등에 의해 약간의 도전성을 갖는 원하는 체적 고유저항치를 갖는 부재를 얻을 수 있다.
또, 상기 일반식 ABO3 대신에, 상기 일반식 MO2 혹은 XO(식중, M 및 X는 상기와 같다.)를 이용한 경우에도 같은 효과가 얻어진다.
상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종의 함유량이 40중량%보다 적은 경우(상기 일반식 ABO3 또는 MO2 혹은 XO의 함유량이 6O중량%보다 많은 경우)에는, 선팽창계수가 10×10-6/℃이상으로 되고, 또 보이드점유 면적율이 6%이상으로 커지고, 체적 고유저항의 온도계수가 5%/℃이상으로 커진다. 한편, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종의 함유량이 9O중량%보다 많은 경우(상기 일반식 ABO3 또는 MO2 혹은 XO의 함유량이 1O중량%보다 적은 경우)에는, 선팽창계수가 7.5×1O-6/℃이하로 되기 때문에, 배면 판(1) 및 스페이서(3)와, 전면판(2)을 접합하는 접착용 유리의 선팽창계수가 크게 다르게 되어 접합부에 크랙이 발생하기 쉽다.
또, 상기 일반식 ABO3로 나타내어지는 성분을 함유하면, 그 함유량의 증가에 따라 선팽창계수를 전면판(2)에 이용하는 청색판 유리나 접착용 유리와 같은 정도로 높게 할 수 있다. 또, 후술하는 첨가성분을 첨가할 경우, 상기 일반식 ABO3로 나타내어지는 성분을 첨가하지 않은 경우에 비해, 보이드점유율을 보다 낮게 할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종 40∼90중량%와, 상기 일반식 ABO3, MO2 혹은 XO로 나타내어지는 성분 10∼60중량%를 주성분으로 하여, 이 주성분의 총합 100중량부에 대하여, 첨가성분을 30중량부이하 함유하고, 이 첨가성분이 이산화망간 15∼90중량%, 적어도 1종의 주기율표 제5a족 원소 산화물 3∼40중량%, 및 적어도 1종의 철족 금속의 산화물 5∼8O중량%로 이루어지는 세라믹스를 디스플레이장치용 부재로서 이용하는 것이 바람직하다.
상기 첨가성분은 도전성 부여 재료로서 작용하고, 영률, 비강성 및 열전도율을 높은 값으로 유지하여 충격 등에 의한 크랙의 발생을 방지하고, -40∼60℃에서의 체적 고유저항치를 1×1O5∼1×1O10Ω·m으로 보다 낮은 값으로 할 수 있고, 이 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃로 해서 약간의 도전성을 가질 수 있다.
또, 첨가성분의 함유량은 30중량부이하이므로, 영률이 120GPa이상, 비강성이 40×109㎝이상, 또한 열전도율이 3W/m·K이상의 높은 값을 유지한 상태에서, -40∼60℃에서의 체적 고유저항치를 1×1O5∼1×1O10Ω·m, 상기 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 5%/℃이하로 해서 약간의 도전성을 갖는다.
상기 첨가성분의 함유량이 상기 주성분의 총합 100중량부에 대하여 5중량부보다 적으면, 체적 고유저항이 1×1O10Ω·m보다 커져 절연체에 가까워진다. 그러나, 절연체로서 이용되는 경우에는 첨가성분의 함유량이 5중량%미만이어도 상관없다. 즉, FED용의 배면판(1) 및 스페이서(3)로서 이용되는 경우에는, 절연체 또는 약간의 도전성을 갖는 재료가 바람직하기 때문이다.
즉, 배면판(1)은 전자원이 되는 음극(1a)이 형성되어 있기 때문에, 도통성을 가지면 전자를 방출할 수 없으므로, 절연체에 가까운 쪽이 바람직하다. 스페이서(3)는 체적 고유저항치가 지나치게 낮으면, 배면판(1)에 구비된 음극(1a)과 전면판(2)에 구비된 형광체(2a) 사이에 도통이 생기고, 전계방출에 의한 전자선이 얻어지지 못하게 되므로, 스페이서(3)에 있어서는 음극(1a)과 형광체(2a)에 걸리는 전압을 방전하지 않는 정도의 절연성, 즉 높은 체적 고유저항을 갖는 것이 필요하게 된다. 한편, 체적 고유저항치가 지나치게 높으면, 스페이서(3)자체에 전하가 집중되어 FED의 기능이 발휘되지 않으므로 완전한 절연체가 아닌 약간의 도전성을 갖는 재료도 필요하게 되었다. 그 때문에, 배면판(1)으로서 상기 첨가성분의 함유량을 5중량부이하로 하고, 체적 고유저항치를 높은 것으로 하고, 스페이서(3)로 서 첨가성분을 5∼30중량부 함유하고, 배면판(1)의 체적 고유저항치에 대하여 작게 함으로써, 약간의 도전성을 갖는 것이어도 좋다.
상기 첨가성분 중, 이산화망간을 15∼90중량% 함유시킨 것은, 소결성이 향상되어 비교적 저온으로 소성할 수 있음과 아울러, 원하는 체적 고유저항을 얻기 쉽기 때문이다. 이산화망간의 함유량이 90중량%보다 많으면 체적 고유저항이 1×1O5Ω·m보다 작아져 도전체에 가까워지는 한편, 15중량%보다 적으면 소결성이 악화되기 때문이다. 이산화망간은 1×1O5∼1×1011Ω·m의 체적 고유저항을 갖는다는 점에서는 15∼90중량% 함유시키는 것이 바람직하고, 소결성이라는 점에서 30∼90중량% 함유시키는 것이 바람직하다.
또, 적어도 1종의 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량% 함유시킨 것은, 3중량%보다 적은 경우에는 체적 고유저항의 온도계수가 5%/℃이상으로 되고, 온도에 대한 체적 고유저항이 커지는 한편, 40중량%보다 많은 경우에는 체적 고유저항이 1×1O5Ω·m보다 작아져 도전체에 가까워지기 때문이다. 주기율표 제5a족 원소로서는, 바나듐, 니오븀, 탄탈이 있으며, 니오븀이 보다 바람직하다.
또한, 적어도 1종의 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유시킨 것은 5중량%보다 적으면 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃의 범위를 벗어나는 한편, 8O중량%보다 많은 경우에는 체적 고유저항이 1×1O5Ω·m보다 작아져서 도전체에 가까워지기 때문이다. 철족으로서는, 철, 코발트, 니켈이 있으며, 철이 보다 바람직하다.
특히, 약간의 도전성을 갖는 세라믹스를 얻는 경우에는 첨가성분이 상기 주성분의 총합 100중량부에 대하여 15∼20중량부임과 아울러, 첨가물성분중의 이산화망간이 26∼75중량%, 산화철이 27∼80중량%, 산화니오븀이 4∼15중량%인 것이 최적이다.
본 발명에 있어서, 상기 배면판(1) 및 스페이서(3)를 형성하기 위한 다른 디스플레이장치용 부재는 지르코니아를 25∼55중량%, 나머지가 알루미나와 탄화티타늄으로 이루어지고, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 총합을 1OO중량%로 했을 때, 알루미나가 72∼93중량%, 탄화티타늄이 7∼28중량% 함유된 세라믹스로 이루어진다. 이것에 의해, 영률, 비강성 및 열전도율을 높은 값으로 유지하여 충격 등에 의한 크랙의 발생을 방지하고, -40∼60℃에서의 체적 고유저항치를 1×1O5∼1×1O12Ω·m, 이 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃로 해서 약간의 도전성을 가질 수 있다.
구체적으로는 지르코니아, 알루미나 및 탄화티타늄을 이용하면, 선팽창계수가 8×1O-6∼9×10-6/℃가 되므로, 배면판(1) 및 스페이서(3)로서 이용한 경우, 전면판(2)과의 접합 시에 이용되는 접착용 유리의 선팽창계수와 더욱 가까운 값이 되기 때문에, 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크나, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 영률(E)이 30OGPa이상, 항절강도가 50OMPa이상, 비강성(E/ρ)이 60×109 ㎝이상이 되므로, 충격 등에 의해 발생하는 변형에 의해 장치의 정밀도 열화 및 핸들링 시의 절손을 막을 수 있고, 제품이 대형화, 박육화로 됨에 따라, 제조수율을 대폭 향상시킬 수 있다. 또, 부재의 표면에 있어서의 보이드점유 면적율을 2%이하로 해서, 각 부재의 수분이나 유기부착물의 제거를 행할 때에 고온중에서 열처리를 행할 수 있고, 아웃가스의 발생을 억제할 수 있음과 아울러, 배면판(1)에 음극(1a)을 형성할 때나, 스페이서(3)에 고저항막을 형성할 때에 상기 보이드에 기인하는 결함을 줄일 수 있다.
또한, -4O∼6O℃에서의 체적 고유저항치를 1×1O5∼1×1O12Ω·m로 해서 약간의 도전성으로 할 수 있고, 체적 고유저항치의 온도변화에 대해서도 -5∼5%/℃로 작게 할 수 있다.
또한, 열전도율을 3W/m·K이상, 특히 5W/m·K이상으로 할 수 있으므로, 화상표시 시에 상기 음극(1a)으로부터 전자선을 방출시켜 형광체(2a)에 충돌시켜서 온도상승이 발생할 때의 과도한 상승을 억제할 수 있어, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다.
여기서, 알루미나의 함유량이 72중량%보다 적으면(탄화티타늄의 함유량이 28중량%보다 많으면), 체적 고유저항이 1×1O5Ω·m보다 작아져서 도전체에 가까워진다. 한편, 알루미나의 함유량이 93중량%보다 많으면(탄화티타늄의 함유량이 7중량%보다 적으면), 1×1O12Ω·m보다 커진다. 따라서, 본 발명에서는 1×1O5∼1×1O12 Ω·m의 약간의 도전성의 저항을 갖는 것으로 하여, 알루미나의 함유량을 72∼93중량%, 탄화티타늄의 함유량을 7∼28중량%의 범위로 했다.
지르코니아, 알루미나 및 탄화티타늄의 총합 100중량%에 대하여 지르코니아의 함유량이 25중량%보다 적으면, 선팽창계수가 8×10-6/℃이하로 되고, 반대로, 지르코니아, 알루미나 및 탄화티타늄의 총합 100중량%에 대하여 지르코니아의 함유량이 55중량%보다 많으면, 선팽창계수가 9×10-6/℃이상이 된다. 따라서, 8×1O-6∼9×1O-6/℃의 선팽창계수를 얻기 위해서는, 지르코니아의 함유량을 지르코니아, 알루미나 및 탄화티타늄의 총합 10O중량%에 대하여 25∼55중량%의 범위로 하는 것이 바람직하다.
또, 알루미나-탄화티타늄의 2성분계에서는 체적 고유저항의 온도계수가 커지는 경향이 있지만, 지르코니아를 첨가함으로써 이것이 온도계수를 작게 안정시키는 작용을 하고, 스페이서(3)의 -40∼60℃에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃로 할 수 있다.
산술평균 거칠기(Ra) O.1㎛로 연마해서 시료를 제작하고, 외관밀도를 아르키메데스법으로 측정하고, 영률은 초음파 펄스법(JIS R1602준거)으로 측정하고, 다음에 영률을 상기 외관밀도로 나누어서 비강성(E/ρ)을 구했다. 상기 선팽창계수는 세라믹스의 열기계분석에 의한 열팽창의 측정방법(JIS R1618)에 의해 측정된다. 보이드점유 면적율은 전자현미경으로 배율을 100배로 해서 연산처리해서 구해진다. 열전도율은 레이저 플래시법(JIS R1611준거)으로 측정된다. 체적 고유저항치는 JIS C2141에 정해진 절연저항의 측정방법에 기초하여, -40∼60℃의 온도범위에서 측정 함과 아울러, 체적 고유저항의 온도계수가 산출된다.
이러한 세라믹스를 이용해서 배면판(1) 및 스페이서(3)를 형성하는 경우에는, 예를 들면, 알루미나분말, 포스테라이트분말, 스테아타이트분말, 티타늄산마그네슘분말, 티타늄산칼슘분말, 티타늄산바륨분말, 티타늄산스트론튬분말, 주석산마그네슘분말, 주석산칼슘분말, 주석산바륨분말, 주석산스트론튬분말, 규회석분말, 완화휘석분말, 산화티타늄분말, 산화규소분말, 산화주석분말, 산화납분말, 산화마그네슘분말, 산화칼슘분말, 산화스트론튬분말, 산화바륨분말 등과, 이산화망간분말, 주기율표 제5a족 원소 산화물분말, 철족 금속의 산화물분말, 혹은, 소성중에 이들의 재료로 변화될 수 있는, 상기 재료의 수산화물분말, 탄산화물 등을 이용하여 혼합한 후, 원하는 성형수단에 의해 소정 형상으로 성형한 후, 산화성 분위기에서 1250∼1450℃에서 1∼3시간 소성함으로써 얻어진다.
또는, 출발원료로서 알루미나 Al2O3(순도 99.9%, 평균 입자지름 0.4㎛)와 탄화티타늄 TiC(순도 98.5%, 평균 입자지름 0.7㎛)를 이용하고, 알루미나가 72∼93중량%, 탄화티타늄이 7∼28중량%의 비율로 되도록 칭량하고, 그 총합 100중량%에 대해서 33∼122중량%의 지르코니아(따라서, 지르코니아, 알루미나 및 탄화티타늄의 총합 1OO중량%에 대하여 25∼55중량%의 지르코니아), 또한 알루미나, 탄화티타늄, 지르코니아의 총합 100중량%에 대하여 6중량%의 소결조제를 첨가한 후, 알루미나볼 등으로 혼합하고, 그 후 원하는 성형수단으로 소정 형상으로 성형하고, 다시 비산화성 분위기에서 1600∼1800℃에서 1∼3시간 소성함으로써 얻어진다.
소결조제로서는, 일반적으로 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화크롬, 실리카, 산화이트륨, 산화이테르븀 등이 있지만, 이들 소결조제의 첨가량은 알루미나, 탄화티타늄, 지르코니아의 총합 100중량%에 대하여 10중량%이하의 범위내이면 아무런 문제는 없다. 소결조제의 양은 소결성에서는 6∼10중량%가 바람직하고, 소결체의 치밀도의 관점에서는 4∼6중량%가 바람직하다.
또, 원료분말의 혼합은 건식으로 행해도 좋지만, 습식으로 혼합한 경우에는 스프레이 드라이 등으로 과립화해서 성형한다. 또, 볼밀 등으로 분쇄 혼합하는 경우에는 볼로부터 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화크롬, 산화코발트, 산화마그네슘, 실리카, 산화망간, 산화철, 산화이트륨, 산화이테르븀 등이 혼입되는 경우가 있지만, 상술의 조성을 만족하는 범위내이면 아무런 문제는 없다.
여기서, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 원료에는 1차원료의 입경이 알루미나 0.2∼0.5㎛, 탄화티타늄 0.3∼1.0㎛의 것을 이용하고, 이것을 분쇄해서 0.4∼0.6㎛로 한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 종래는, 1차원료의 입경이 알루미나 0.3∼1.0㎛, 탄화티타늄 1.0∼3.0㎛의 것을 이용하고, 이것을 분쇄해서 0.4∼0.6㎛로 하고 있었지만, 1차원료의 입경이 비교적 크기 때문에, 장시간에 걸쳐 기계적 분쇄를 행할 필요가 있다. 그 때문에, 각진 입자형상의 것이 증가하여, 입도분포의 편차가 크고, 소결체가 변형되기 쉽다. 이것은, 입자상이 불균일하며 크기도 일정하지 않은 재료를 이용한 경우, 각 입자가 갖는 표면에너지가 불균일하며, 소결반응도 똑같이 일어나지 않는다라고 생각된다. 따라서, 국부적으로 소결속도가 다르고, 그 결과 소결체의 변형이 크게 되어 버린다.
이것에 대해서, 1차원료의 입경을 알루미나 0.2∼0.5㎛, 탄화티타늄 0.3∼1.0㎛로 함으로써, 스페이서(3) 등의 각 부재는 입도분포에 편차가 없고, 소결전의 입자형상이 구형으로 유지되어 있기 때문에, 소결체의 변형이 억제된다.
도 1은, 본 발명의 디스플레이장치용 부재를 이용해서 형성된 배면판(1)과 스페이서(3)를 포함하는 FED를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, FED는 전자원이 되는 음극(1a)을 구비한 배면판(1)과, 상기 배면판(1)과 스페이서(3) 및 측벽(4)을 개재해서 대향 배치되고, 형광체(2a) 등의 양극을 구비한 전면판(2)으로 이루어지며, 상기 음극(1a)으로부터 전자선을 방출해서 상기 형광체(2a)에 충돌시켜, 이 형광체(2a)를 발광시킴으로써 화상이 표시된다.
상기 FED는 배면판(1)과 측벽(4) 및 전면판(2)에 의해, 디스플레이장치 내부를 진공으로 유지하기 위한 기밀용기를 형성하고, 상기 기밀용기의 내부를 최종적으로는 O.133×1O-3Pa정도 또는 그 이상의 진공상태로 유지한다. 따라서 FED의 표시 면적이 커짐에 따라, 기밀용기 내부와 외부의 기압차에 의한 배면판(1) 및 전면판(2)의 변형 혹은 파괴를 방지하기 위해서, 배면판(1) 및 전면판(2) 사이에 스페이서(3)를 유리접착제로 400∼500℃정도의 고온분위기에서 접합하여 대기압이나 불의의 충격 등에 의한 기밀용기의 파괴를 방지한다.
상기 배면판(1)은, 그 표면에 복수개의 전자원이 되는 음극(1a)을 형성함과 아울러, 전면판(2), 스페이서(3) 및 측벽(4)을 지지하는 기재로서 작용하기 때문에, 높은 강성이 필요하게 된다. 또, 상기 배면판(1)의 크기나 두께는, 그 표면에 형성되는 전자원의 수, 디스플레이의 사이즈, 강도, 후술하는 스페이서(3)의 배치와 수량, 디스플레이장치의 중량, 및 안전계수 등을 가미해서 적절히 설정된다.
또, 상기 배면판(1)상에는 배면판(1)과 대향 배치되는 전면판(2)의 간격을 소정 거리로 유지하기 위한 스페이서(3)가 배치되고, 배면판(1)상에 수십mm∼수백mm정도의 간격으로 형성된다.
상기 배면판(1)상에는 스페이서(3) 및 측벽(4)을 개재해서 대향 배치된 전면판(2)의 하면, 즉 배면판(1)과 대향하는 면에는, 양극이 되는 형광체(2a)가 형성되고 있고, 선팽창계수가 8×1O-6/℃∼9×1O-6/℃정도의 유리 등에 의해 형성되어 있다.
또, 상기 전면판(2)에 형성된 형광체(2a)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3원색이 나누어 칠해져 있으며, 상기 각 색 형광체(2a) 사이에는 흑색체(도시생략)가 형성되어 있지만, 스페이서(3)는 이 흑색체의 부분에 디스플레이 외부로부터 보이지 않도록 배치된다. 그 때문에, 폭방향의 치수는 될 수 있는 한 얇은 것이 바람직하다. 상기 스페이서(3)의 폭방향의 크기는 상기 흑색체의 선폭이하의 치수를 갖고 있는 것이 중요하게 된다. 그 폭치수는 ㎛ 오더가 되므로, 스페이서(3)에 있어서도 또 정밀도, 강성이 필요하게 된다. 스페이서(3)의 길이방향의 크기나 두께, 배치되는 수에 관해서는, 흑색체 및 디스플레이의 방식이나 사이즈, 또, 강도와 전술한 배면판(1) 및 전면판(2)의 강도를 포함하여, 디스플레이장치의 중량, 안전계수 등을 가미해서 적당히 설정된다.
상기 배면판(1) 및 스페이서(3)는, 상기한 본 발명의 디스플레이장치용 부재, 즉 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 40×109㎝이상 및 상온∼400℃의 선팽창계수가 7.5×10-6∼1O×1O-6/℃이며, 보이드점유 면적율이 6%이하인 세라믹스로 이루어지는 것이 중요하다.
또, 상술의 실시형태에서는 배면판(1) 및 스페이서(3)를 본 발명의 디스플레이장치용 부재에 의해 형성했지만, 본 발명의 디스플레이장치용 부재는 어느 한쪽의 부재에만 적용해도 좋고, 또 배면판(1), 스페이서(3) 이외의 부재, 예를 들면 측벽(4) 등에 이용해도 좋다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
(실시예I)
먼저, 알루미나분말, 포스테라이트분말, 스테아타이트분말, 티타늄산마그네슘분말, 티타늄산칼슘분말, 티타늄산바륨분말, 티타늄산스트론튬분말, 주석산마그네슘분말, 주석산칼슘분말, 주석산바륨분말, 주석산스트론튬분말, 규회석분말, 완화휘석분말, 산화티타늄분말, 산화규소분말, 산화주석분말, 산화납분말, 산화마그네슘분말, 산화칼슘분말, 산화스트론튬분말, 산화바륨분말, 및 첨가성분으로서 이산화망간분말, 주기율표 제5a족 원소 산화물분말, 철족 금속 산화물분말을 준비했다. 이들 원료분말을 세라믹스의 조성이 표 1, 표 2에 나타내는 비율이 되도록 칭량한 후, 회전밀로 습식 혼합했다. 혼합후의 슬러리를 스프레이 드라이로 건조해서 소결용 원료로 했다.
얻어진 소결용 원료를 프레스 성형하고, 대기중에서 표 1, 표 2에 나타내는 온도에서 2시간 소성함으로써 스페이서 시료를 제작했다.
Figure 112003021707532-pat00001
Figure 112003021707532-pat00002
계속해서, 얻어진 각 스페이서 시료를 3mm×4mm×50mm의 각기둥상으로 절삭한 후, 표면을 산술평균 거칠기(Ra) O.1㎛로 연마해서 시료를 제작하고, 외관밀도를 아르키메데스법으로 측정하고, 영률을 초음파 펄스법(JIS R1602준거)으로 측정하고, 그 후 비강성(E/ρ)을 구했다. 시료표면의 보이드점유 면적율은 니레코제 LIZEX-FS로 배율을 1OO배로 해서 연산 처리해서 구했다.
또, 상온∼400℃의 선팽창계수를 세라믹스의 열기계분석에 의한 열팽창의 측정방법(JIS R1618)에 의해 진쿠리코제의 DL-150O-Y로 측정했다.
또한, 다른 시료를 지름 10mm, 두께 2mm의 원반상으로 절삭하여 열전도율을 레이저 플래시법(JIS R1611준거)으로 측정했다.
또, 다른 시료를 지름 60mm, 두께 2mm의 원반상으로 절삭하고, 그리고 이 시료를 이용해서 JIS C 2141에 정해진 절연저항의 측정방법에 기초하여 저항치를 측정했다. 즉, 시료를 약 O.133 ×1O-3Pa의 진공중에 수용하고, 시료의 양단의 전극에 초절연 저항계의 단자를 접속하고, 진공장치내가 -40℃, 25°60℃ 중 원하는 온도에 도달후 10분간 방치한 후, 시료에 1000V를 5분간 인가했을 때의 저항치를 판독했다. 이 저항치로부터 체적 고유저항을 산출하고, 체적 고유저항의 온도계수를 구했다. 체적 고유저항은, JIS C 2141에 정해져 있듯이, R=r×S/t(R:체적 고유저항, r:저항치, S:전극면적, t:시료두께)에 의해 구했다.
또, 체적 고유저항의 온도계수 TCR(%/℃)은 TCR(%/℃)=〔(R-40-R60)/R25/-1OO〕〕×1OO으로 구했다. 여기에서, R-40은 -40℃에서의 체적 고유저항이며, R25는 25℃에서의 체적 고유저항이며, R60은 60℃에서의 체적 고유저항이다.
그리고, 각 시료의 평가로서 상기 측정 결과로부터, 영률이 120GPa이상, 비강성이 40×109㎝이상, 선팽창계수가 7.5×10-6∼8.6×10-6/℃, 보이드점유율이 6%이하, 열전도율이 3W/m·K이상, -4O∼6O℃에서의 체적 고유저항치가 1×1O8∼1×1O10Ω·㎝, 체적 고유저항치의 온도계수가 -4∼0%/℃의 시료를 ◎으로 하고, 영률이 120GPa이상, 비강성이 4O×1O9㎝이상, 선팽창계수가 7.5×1O-6∼10×10-6/℃, 보이드점유율이 6%이하, 열전도율이 3W/m·K이상, -4O∼6O℃에서의 체적 고유저항치가 1×1O5∼1×1O12Ω·㎝, 체적 고유저항치의 온도수가 -5∼0%/℃의 시료를 ○으로 해서 평가했다. 결과를 표 3, 표 4에 나타낸다.
Figure 112003021707532-pat00003
Figure 112003021707532-pat00004
표 1∼표 4에서 알 수 있듯이, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종 40∼90중량%와, 일반식 ABO3, MO2 또는 XO로 나타내어지는 성분 1O∼6O중량%를 함유해서 이루어지는 시료, 및 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼4O중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 시료(No.I-1∼8, 10, 11, 13∼17, 19, 20, 22∼26, 28, 29, 31, 32, 34, 35, 37, 38, 40, 41, 43, 44, 46∼50, 52, 53, 55∼64)는, 120GPa이상의 높은 영률, 4O×109㎝이상의 높은 비강성(E/ρ) 값, 보이드점유 면적율 6%이하, 3W/m·K이상의 열전도율, 상온∼40O℃의 범위내에서 7.5×1O-6∼10×1O-6/℃의 선팽창계수, -4O∼6O℃의 온도범위내에서 1×1O5∼1×1O 12Ω·m의 체적 고유저항을 갖는 동시에, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃로 하고, FED용 스페이서 및 배면판으로서 ◎ 또는 ○의 평가를 가지고 있어 적합하게 사용할 수 있게 된다.
이것에 대해서, 시료(No.I-39, 42, 45)는, 영률이 120GPa이하이며, 시료(No,I-27, 39, 42, 45)는, 비강성(E/ρ)이 40×109㎝이하이며, 시료(No.I-9, 12, 18, 21, 33, 36, 51, 54)는 상온∼400℃의 범위내에서 7.5×1O-6∼10×10-6/℃의 선팽창계수를 갖고 있지 않고, 또, 시료(No.I-6, 15, 24)는 -40∼60℃의 온도범위내에서 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃를 벗어나 있어 원하는 특성을 얻을 수 없었다.
또, 종래의 알루미나분말을 주체로 한 재료에서는, 원하는 저항치를 얻기 위해서, 환원분위기하에서 소성했었기 때문에 비용이 높아졌지만, 본 발명의 세라믹스에 의하면, 대기중에서 소성하기 때문에, 원하는 저항치를 갖는 세라믹스를 저렴 하게 얻을 수 있다.
(실시예II)
먼저, 알루미나분말, 티타늄산칼슘분말, 이산화망간분말, 주기율표 제5a족 원소 산화물분말, 철족 금속의 산화물분말을 준비했다. 다음에 세라믹스의 조성이 표 5, 표 6에 나타내는 비율이 되도록 칭량한 후, 회전밀로 습식 혼합했다. 혼합후의 슬러리를 스프레이 드라이로 건조해서 소결용 원료로 했다.
얻어진 소결용 원료를 프레스 성형하고, 대기중에서 표 5, 표 6에 나타내는 온도에서 2시간 소성함으로써 도 1에 나타내는 스페이서 시료를 제작했다.
또한, 비교예로서 4종류 유리의 각 특성을 시료 No.II-69∼72로 나타낸다. 여기서 시료 No.II-69는 SiO2 순도 78%의 유리, 시료 No.II-7O은 SiO2 순도 71%의 유리, 시료 No.II-71은 SiO2 순도 6O%의 유리, 시료 No.II-72는 SiO2 순도 71%로 도전성을 가지며 또한 고영률의 유리이다. 각 시료의 조성을 표 6에 나타낸다.
Figure 112003021707532-pat00005
Figure 112003021707532-pat00006
계속해서, 얻어진 각 스페이서 시료를 이용하여, 실시예I과 마찬가지로 해서 각 특성값을 조사했다.
그리고, 각 시료의 평가로서 상기 측정결과로부터, 영률이 250GPa이상, 선팽 창계수가 7.5×10-6∼8.6×1O-6/℃, 열전도율이 3W/m·K이상, 체적 고유저항치의 온도계수가 -3.5∼3.5%/℃의 시료를 ◎, 영률이 20OGPa이상, 선팽창계수가 7.5×10-6∼10×10-6/℃, 열전도율이 3W/m·K이상, 체적 고유저항치의 온도계수가 -5∼5%/℃의 시료를 ○로 해서 평가했다. 이들의 결과를 표 7,표 8에 나타내다.
Figure 112003021707532-pat00007
Figure 112003021707532-pat00008
표 7, 표 8에서 알 수 있듯이, 알루미나를 40∼90중량%, 티타늄산칼슘을 10∼60중량%로 이루어지는 시료(No.II-2∼6)는, 30OGPa이상의 높은 영률, 80이상의 높은 비강성(E/ρ)값, 보이드점유 면적율2%이하, 3W/m·K이상의 열전도율, 상온∼400℃의 범위내에서 7.5∼1O×l0-6/℃의 선팽창계수, -40∼6O℃의 온도범위내에서 1×1O5∼1×1010Ω·m의 체적 고유저항을 갖는 동시에, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃의 범위로 하고, FED용 스페이서 및 배면판으로서 ◎, ○의 평가를 갖고 있어 적합하게 이용하는 것이 가능해진다.
주성분으로서 알루미나를 40∼90중량%, 티타늄산칼슘을 1O∼60중량% 함유하고, 상기 알루미나와 티타늄산칼슘의 총합 100중량%에 대하여, 3O중량%이하의 첨가성분을 함유해서 이루어지며, 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 시료(No.II-14∼17, 19, 20, 24, 30, 34, 40, 46, 49, 52, 58, 61, 64, 67)는, 20OGPa이상의 높은 영률, 60이상의 높은 비강성(E/ρ)값, 보이드점유 면적율 6%이하, 3W/m·K이상의 열전도율, 상온∼400℃의 범위내에서 7.5×1O-6∼10×10-6/℃의 선팽창계수, -40∼60℃의 온도범위내에서 1×1O5∼1×1O12Ω·m의 체적 고유저항을 갖는 동시에, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃의 범위내로 하고, FED용 스페이서 및 배면판으로서 ◎, ○의 평가를 갖고 있어 적합하게 이용하는 것이 가능해진다.
이것에 대해서, 시료(No.II-13, 21, 22, 26, 27, 36, 37, 54, 55)는, -40∼60℃의 온도범위내에서 1×105Ω·m이하의 체적 고유저항으로 되어 있고, 또, 시료(No.II-7, 18, 22, 25, 28, 31, 32, 35, 41, 44, 47, 50, 53, 56, 59, 62, 65, 68)는 -40∼60℃의 온도범위내에서 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃의 범위 외로 되어 있고, 시료(No.10)는 소결시에 치밀화되지 않았기 때문에 원하는 특성을 얻을 수 없었다.
또한, 시료(No.II-1, 7, 8, 9, 11, 12, 13, 23, 26, 29, 32, 33, 36, 39, 42, 45, 48, 51, 54, 57, 60, 63, 66)는 상온∼400℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼10×l0-6/℃의 범위내에 없는 것을 알 수 있다.
또, 비교예인 유리는, 시료(No.II-69∼72)에서 알 수 있는 바와 같이, 열전도율이 모두 3W/m·K이하이며, 시료(No.II-69, 7O, 71)는 비강성이 3O×1O9㎝이하로 낮고, 또한 시료(No.II-69, 72)에 대해서는 선팽창계수가 각각 6.0×l0-6/℃, 3.3×1O-6/℃로 낮은 것을 알 수 있었다.
(실시예III)
알루미나분말, 탄화티타늄분말, 지르코니아분말을 준비하고, 세라믹스의 조성이 표 9에 나타내는 비율로 되도록 칭량한 후, 회전밀로 습식 혼합했다. 혼합후의 슬러리를 스프레이 드라이로 건조해서 소결용 원료로 했다.
얻어진 소결용 원료를 프레스 성형하고, 비산화 분위기중에서 표 9에 나타내는 온도에서 2시간 소성함으로써, 도 1에 나타내는 스페이서시료를 제작했다. 각 시료의 조성을 표 9에 나타낸다.
Figure 112003021707532-pat00009
계속해서, 얻어진 각 시료에 대해서 실시예I과 동일하게 해서 각 특성값을 조사했다. 그리고, 각 시료의 평가로서 상기 측정결과로부터, 선팽창계수가 8×lO-6∼9×10-6/℃, 영률이 30OGPa이상, 열전도율이 5W/m·K이상, 체적 고유저항치의 온도계수가 -1∼1%/℃인 시료를 ◎, 선팽창계수가 8×10-6∼9×10-6/℃, 영률이 30OGPa이상, 열전도율이 5W/m·K이상, 체적 고유저항치의 온도계수가 -5∼5%인 시료를 ○로 해서 평가했다. 이들의 결과를 표 10에 나타내다.
Figure 112003021707532-pat00010
표 10에서 알 수 있듯이, 지르코니아를 25∼55중량%, 나머지가 알루미나와 탄화티타늄로 이루어지고, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 총합을 100중량%로 했을 때, 알루미나를 72∼93중량%, 탄화티타늄을 7∼28중량% 함유해서 이루어지는 시료(No.III-4, 5, 6, 8, 9, 10, 12, 13, 14)는, 30OGPa이상의 높은 영률, 50OMPa이상의 높은 항절강도, 60이상의 높은 비강성(E/ρ)값, 보이드점유 면적율 2%이하, 5W/m·K이상의 열전도율, 상온∼400℃의 범위내에서 8∼9×10-6/℃의 선팽창계수, -4O∼6O℃의 온도범위내에서 1×1O5∼1×1O12Ω·m의 체적 고유저항을 갖는 동시에, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 -5∼5%/℃의 범위로 하고, FED용 스페이서 및 배면판으로서 ◎, ○의 평가를 갖고 있어 적합하게 사용하 는 것이 가능해진다.
이것에 대하여, 시료(No.III-1, 2, 8, 17)는, -4O∼6O℃의 온도범위내에서 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃의 범위 외로 되고, 또, 시료(No.III-16) 은, -40∼60℃의 온도범위내에서 1×105∼1×1O12Ω·m이상을 가지고 있지 않음을 알 수 있다. 또한, 시료(No.III-7, 16)는 비강성이 60×109㎝이하로 낮고, 시료(No.III-3, 7, 8, 12, 16)는, 상온∼400℃의 선팽창계수가 8×10-6∼9×10-6/℃의 범위내에 없는 것을 알 수 있다.
본 발명의 디스플레이장치용 부재는, 전자원을 구비한 배면판과 전면판이 스페이서를 개재해서 대향 배치되어 이루어지는 디스플레이장치에 이용되는 디스플레이장치용 부재로서, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 4O×109㎝이상 및 상온∼4OO℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃이며, 보이드점유 면적율이 6%이하인 세라믹스로 이루어짐으로써, 충격 등에 의해 발생하는 변형에 의해 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 배면판, 스페이서 및 전면판 등의 접합 시에 이용되는 접착용 유리의 선팽창계수에 가까운 값으로 되기 때문에, 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크나, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화가 방지되어, 화질의 열화나 결함도 효과적으로 방지할 수 있고, 또한 부재의 수분이나 유기부착물의 제거를 행할 때 고온중에서 열처리를 행할 수 있고, 그 때에 발생하는 아 웃가스의 발생을 억제할 수 있다고 하는 효과가 있다.
본 발명의 디스플레이장치용 부재는, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항치가 1×1O5∼1×1O12Ω·m이며, 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃인 것에 의해, 절연성 내지 약간의 도전성을 부여할 수 있다고 하는 효과가 있다.
본 발명의 디스플레이장치용 부재는, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종 40∼90중량%와, 일반식 ABO3 또는 MO2 혹은 XO(각식중, A, B, M, X는 상기와 같다.)로 나타내어지는 성분 10∼60중량%를 함유한 세라믹스로 이루어지므로, 절연체와 도전체의 중간 또는 그 이상의 체적 고유저항을 갖는 동시에, 세라믹스의 온도에 의해 체적 고유저항이 변동하는 폭이 대폭 저감되므로, 전자원으로부터 전자를 방출해서, 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 갖고, 부재가 이용되는 디스플레이장치의 전자원의 방식, 음극과 양극간에 걸리는 전압의 크기 등에 의해, 약간의 도전성을 갖는 원하는 체적 고유저항치를 갖는 부재를 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 다른 디스플레이장치용 부재에 의하면, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 적어도 1종을 40∼90중량%와, 일반식 ABO3 또는 MO2 혹은 XO(각 식중, A, B, M, X는 상기와 같다.)로 나타내어지는 성분 10∼60중량%를 함유하고, 또한 상기 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트 중 적어도 1종과 ABO3 또는 MO2 혹은 XO로 나타내어지는 성분의 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유해서 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지므로, 이 첨가성분이 도전성 부여 재료로서 작용하고, 영률, 비강성 및 열전도율을 높은 값으로 유지하여 충격 등에 의한 크랙의 발생을 방지하고, -40∼60℃에서의 체적 고유저항치를 1×105Ω∼1×1O10Ω·m, 이 온도범위내에서의 체적 고유저항의 온도계수를 ±5%/℃이하로 해서 약간의 도전성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 디스플레이장치용 부재에 의하면, 상온∼400℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃이므로, 배면판, 스페이서 및 전면판의 접합 시에 이용되는 접착용 유리의 선팽창계수에 가까운 값이 되기 때문에, 접합부에서의 크랙의 발생에 의한 장치내부의 진공리크나, 변형에 의한 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있다.
또, 본 발명의 디스플레이장치용 부재에 의하면, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 40×109㎝이상, 보이드점유 면적율이 6%이하, 열전도율이 3W/m·K이상, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항치가 1×1O5Ω∼1×1O10Ω·m 및 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃이므로, 충격 등에 의해 발생하는 변형에 의해 장치의 정밀도 열화를 막을 수 있음과 아울러, 각 부재의 수분이나 유기부착물의 제거를 행할 때 고온중에서 열처리를 행할 수 있고, 그 때 발생하는 아웃가스의 발 생을 억제할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 디스플레이장치용 부재에 의하면, 디스플레이장치용 부재가, 알루미나를 72∼93중량%, 탄화티타늄을 7∼28중량% 함유하고, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 총합 100중량%에 대하여, 33∼122중량%의 지르코니아를 함유해서 이루어지는 세라믹스로 이루어지므로, 절연체와 도전체의 중간 또는 그 이상의 체적 고유저항을 갖는 동시에, 세라믹스의 온도에 의해 체적 고유저항이 변동하는 폭이 대폭 저감되기 때문에, 전자원으로부터 전자를 방출해서 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 갖고, 부재가 이용되는 디스플레이장치의 전자원의 방식, 음극과 양극간에 걸리는 전압의 크기 등에 의해, 약간의 도전성을 갖는 원하는 체적 고유저항치를 갖는 부재를 얻을 수 있다.
그리고 또, 본 발명은 상기 디스플레이장치용 부재를 이용해서 디스플레이장치를 형성했기 때문에, 전계방출에 의한 전자선을 얻고, 음극과 양극에 걸리는 전압을 방전하지 않는 범위의 절연성을 갖고, 화질의 열화나 결함을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (11)

  1. 전자원을 구비한 배면판과 전면판이 스페이서를 개재해서 대향 배치되어 이루어지는 디스플레이장치에 이용되는 디스플레이장치용 부재로서, 영률(E)이 120GPa이상, 비강성(E/ρ)이 4O×109㎝이상 및 상온∼4OO℃의 선팽창계수가 7.5×1O-6∼1O×1O-6/℃이며, 보이드점유 면적율이 6%이하인 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 배면판 및 스페이서 중 어느 하나 이상에 이용되는 디스플레이장치용 부재.
  2. 제1항에 있어서, -40∼60℃의 온도범위내에서의 체적 고유저항치가 1×1O5∼1×1O12Ω·m이며 체적 고유저항의 온도계수가 -5∼5%/℃인 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상을 40∼90중량%, 일반식 ABO3(식중, A로 나타내어지는 원소는 Mg, Ca, Sr, Ba로부터 선택되는 1종, B로 나타내어지는 원소는 Ti, Si, Sn으로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 10∼6O중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  4. 제3항에 있어서, 상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상과 상기 일반식 ABO3로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  5. 제3항에 있어서, 알루미나를 40∼90중량% 함유하고, 상기 일반식중, A로 나타내어지는 원소가 Ca, B로 나타내어지는 원소가 Ti인 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상을 40∼90중량%, 일반식 MO2(식중, M으로 나타내어지는 원소는 Ti, Si, Sn, Pb로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 1O∼60중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  7. 제6항에 있어서, 상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상과 일반식 M02로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼9O중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상을 40∼90중량%, 일반식 XO(식중, X로 나타내어지는 원소는 Mg, Ca, Sr, Ba로부터 선택되는 1종을 나타낸다.)로 나타내어지는 성분을 10∼6O중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  9. 제8항에 있어서, 상기 알루미나, 포스테라이트 및 스테아타이트로부터 선택되는 1종이상과 상기 일반식 XO로 나타내어지는 성분을 합친 총합 100중량부에 대해서 30중량부이하의 첨가성분을 함유한 세라믹스로 이루어지며, 상기 첨가성분으로서 이산화망간을 15∼90중량%, 주기율표 제5a족 원소 산화물을 3∼40중량%, 및 철족 금속의 산화물을 5∼80중량% 함유해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지르코니아를 25∼55중량%, 나머지가 알루미나와 탄화티타늄으로 이루어지며, 상기 알루미나와 탄화티타늄의 총합을 100중량%로 했을 때, 알루미나를 72∼93중량%, 탄화티타늄을 7∼28중량% 함유한 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치용 부재.
  11. 제1항 또는 제2항에 기재된 디스플레이장치용 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
KR1020030039398A 2002-06-18 2003-06-18 디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치 KR100939675B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00177390 2002-06-18
JP2002177390 2002-06-18
JP2002245335 2002-08-26
JPJP-P-2002-00245335 2002-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040002629A KR20040002629A (ko) 2004-01-07
KR100939675B1 true KR100939675B1 (ko) 2010-02-03

Family

ID=31890496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030039398A KR100939675B1 (ko) 2002-06-18 2003-06-18 디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6954029B2 (ko)
KR (1) KR100939675B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200535901A (en) * 2004-02-17 2005-11-01 Tdk Corp Method for producing spacer for flat panel display
TW200704270A (en) * 2005-02-17 2007-01-16 Tdk Corp Spacer for flat panel display and flat panel display
JP2007311093A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Sony Corp 平面型表示装置、並びに、スペーサ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261365A (ja) 2000-03-24 2001-09-26 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5906527A (en) * 1996-10-30 1999-05-25 Ferro Corporation Method of making plasma display panels
JP4346129B2 (ja) 1998-09-21 2009-10-21 株式会社オハラ 複合ガラスセラミックスおよびその製造方法
JP2001184624A (ja) 1999-10-05 2001-07-06 Ohara Inc 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板
JP3862572B2 (ja) * 2002-01-30 2006-12-27 キヤノン株式会社 電子線装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261365A (ja) 2000-03-24 2001-09-26 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040002629A (ko) 2004-01-07
US20040036408A1 (en) 2004-02-26
US6954029B2 (en) 2005-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5714840A (en) Plasma display panel
US20070298956A1 (en) Composition of glass for plasma display panel and fabrication method thereof
KR20000074172A (ko) 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물
JP4105596B2 (ja) ディスプレイ装置用部材及びこれを用いたディスプレイ装置
KR100939675B1 (ko) 디스플레이장치용 부재 및 이것을 이용한 디스플레이장치
JP2004238247A (ja) ガラスセラミック組成物および厚膜ガラスペースト組成物
KR20070002934A (ko) 페이스트 조성물
US7755269B2 (en) Spacer and image display panel using the same
JPH10302646A (ja) プラズマディスプレイパネル用基板及びその製造方法
JP3512616B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
US7245066B2 (en) Flat panel display spacer, method of manufacturing flat panel display spacer, and flat panel display
KR100747207B1 (ko) 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물
JPH11335824A (ja) ＭｇＯを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法
JP4601300B2 (ja) 半導電性セラミックス及びこれを用いた画像形成装置
US20070007875A1 (en) Flat panel spacer base material, method of manufacturing flat panel display spacer base material, flat panel display spacer, and flat panel display
JP4688620B2 (ja) ディスプレイパネルとその製造方法ならびに封着部材
JP3488372B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JPH10297937A (ja) プラズマディスプレイパネルの隔壁用組成物及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル用隔壁
JP2008251316A (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3811439B2 (ja) 平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイ
KR100597440B1 (ko) Pb-less 플라즈마 디스플레이 패널용 투명 유전체
JP4684894B2 (ja) スペーサ及びこのスペーサを用いて構成した画像表示パネル
KR100444518B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽재료 및 격벽 제조방법
JP4325929B2 (ja) フラットパネルディスプレイ製造装置用部材とこれを用いた固定治具
US20020082155A1 (en) Barrier rib material for plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121213

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee